JP5726323B2 - メタン合成触媒及びその前駆体の製造方法並びに触媒前駆体 - Google Patents

メタン合成触媒及びその前駆体の製造方法並びに触媒前駆体 Download PDF

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Description

本発明は炭素酸化物をメタン化する分野に関し、特にメタン合成触媒の製造方法及び触媒前駆体に関する。
メタン合成触媒系において、ニッケル系触媒は不可欠であり、ルテニウム触媒に次ぐ優れた触媒活性を有する。現在、国内外で慣用のメタン合成触媒では、活性成分とするニッケルは酸化ニッケルとして存在する場合が多く、酸化ニッケルとして存在するニッケルは還元されやすく、還元温度が450℃程度であれば大部分の酸化状態のニッケルを還元することができる。しかしながら、ニッケルは担体との作用が非常に弱く、高温・高水空気比の条件で焼結失活が発生しやすい。還元方程式は以下のとおりである。
Figure 0005726323
そこで、新規の触媒製造方法を提供することを必要としている。
焼結失活という問題を解決するために、本出願人は、予備還元する前にニッケル−アルミニウムスピネルを含有する耐高温・耐水和性触媒を開発しており、予備還元する前においてニッケルは主にスピネル構造で存在している。スピネルとは、焙焼過程で、ニッケルが固相反応と拡散により徐々に酸化アルミニウムと反応して形成される、組成が均一である固体をいう。その化学分子式はNiAlで立方晶系に属し、その単位胞が32個の立方最密充填の酸素アニオンO2―、16個の八面体隙間におけるアルミニウムイオンAl3+及び8個の四面体隙間におけるニッケルイオンNi2+からなり、酸素は4つの金属配位子を有し、3つが八面体、残りの1つが四面体にある。ニッケル−アルミニウムスピネルの飽和構造はニッケルがより多く本体と接触され、作用力が非常に強く、金属ニッケルはスピネルから還元された後、一般的に分散が均一であり、分散度が高く、結晶粒度が小さく、活性が高く、高温・高水空気比の条件で焼結失活され難い。しかし、スピネル型ニッケルは比較的に高い還元温度で還元が可能であり、その還元温度は一般的に700℃以上である。
それほど高い還元温度で還元を行うと、次のような問題が起こる。
1. 還元温度が高く、昇温時間が長いために、運転周期が長く、生産効率が低くなり、運転リスクが増大する。
2. 還元温度が反応温度よりも高いために、設備の材料への要求が更に厳しくなり、投資コストが高くなる。
3. 所望する還元温度まで加熱するのに反応器前における電気加熱器の高パワーが必要であるが、後続反応段階では、反応に必要な温度を保持するにはメタン合成反応による熱量だけで十分であり、電気加熱器はほぼ無用の長物となり、資源を浪費する問題が生じる。
前記問題を解决するために、本発明の発明者は、下記の触媒製造方法を用いると、触媒性能を保証するとともに、前記高温還元の問題を解决できることを見出した。例えば混合沈殿法又は共沈殿法で触媒体を製造し、予備還元過程で高温焼結によってニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成し、その後予備還元を行うことで、大量のエネルギーを節約して生産効率を向上させる。同時に、予備還元過程において触媒脱硫も行われ、触媒を製造する過程で原料とともに引き込まれた硫黄元素を除去して触媒の硫黄被毒のリスクを解消する。
これにより、本発明の第一態様は、触媒体を製造するステップと、予備還元ステップとを含むメタン合成触媒の製造方法を提供し、予備還元ステップは、
前記触媒体を焼結してニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成すること、及び、
前記触媒前駆体を予備還元して前記メタン合成触媒を得ることを含む。
ある好ましい実施形態によると、前記触媒体を製造するステップは、硝酸ニッケル、水酸化アルミニウム及び軽質酸化マグネシウムを含むスラリーを噴霧乾燥するステップを含む。
ある好ましい実施形態によると、前記触媒体を製造するステップは、アルミニウム含有沈殿剤で硝酸ニッケルと、硝酸マグネシウム及び軽質酸化マグネシウムから選ばれるマグネシウム化合物とを含む懸濁液又は溶液を中和するステップを含む。あるより好ましい実施形態によると、前記アルミニウム含有沈殿剤はメタアルミン酸ナトリウムである。ある好ましい実施形態によると、前記焼結ステップは700〜1000℃で行われる。
ある好ましい実施形態によると、前記焼結ステップは、Nで系を置換し、系内におけるOの含有量を0.5体積%以下に保持し、ゲージ圧での系圧力を0.01〜0.05MPaに保持し、空間速度を50〜100h−1にすることと、50〜70℃/hの速度で120〜130℃まで昇温して2〜5時間保温し、物理的に吸着した水を完全に除去することと、30〜70℃/hの昇温速度でさらに250℃まで昇温して2〜5時間保温し、結晶水を完全に除去することと、10〜70℃/hの昇温速度でさらに700〜1000℃まで昇温して3〜6時間保温し、ニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成することとを含む。
ある好ましい実施形態によると、前記触媒体を製造するステップは、
硝酸ニッケル水溶液を調製すること、
軽質酸化マグネシウム又は硝酸マグネシウム六水和物を前記硝酸ニッケル水溶液中に加え、80〜250回転/minで撹拌して40〜80℃まで加熱し、懸濁液又は溶液を得ること、
メタアルミン酸ナトリウムを沈殿剤として前記懸濁液又は溶液を中和して沈殿物を得ること、及び、
沈殿物を110〜140℃で12〜24時間乾燥して触媒体を得ることを含む。
ある好ましい実施形態によると、前記予備還元ステップは、触媒を脱硫するステップを更に含む。あるより好ましい実施形態によると、前記脱硫ステップは、予備還元反応器内の反応温度が650〜750℃になると、系中の還元ガスにおける硫黄含有量を検出し、還元系中の還元ガスにおける硫黄の体積含有量が0.1ppm以上であると、ガスを脱硫塔に移し、800℃未満で10〜12時間脱硫することによって、触媒中の硫黄を除去する。
ある好ましい実施形態によると、得られた前記メタン合成触媒は、質量%でAlを40〜80%、Niを10〜30%、MgOを10〜30%含む。
ある好ましい実施形態によると、前記予備還元ステップは、700〜1100℃、系圧力0.05〜 0.1MPa、空間速度100〜800h−1で予備還元反応器で行われる。予備還元反応器はアスペクト比が1.5/1〜5/1の円柱型反応器であることが好ましい。
ある好ましい実施形態によると、本発明の方法は、予備還元反応器の内部温度を低下させ、予備還元反応器の内部温度が50℃以下に低下すると、反応器内のHの含有量が0.5体積%以下になるようにNで反応器内における還元ガスを置換すること、O含有量が反応器におけるガスの全体積量の0.1〜0.2%を占めるまでOを導入し、同時に予備還元反応器内の温度を50℃以下に保持すること、及び、反応器の入口と出口の酸素含有量がほぼ一致するまで空気を導入して反応器内の温度を50℃以下に保持することとからなる終了ステップを更に含む。
ある好ましい実施形態のメタン合成触媒の製造方法によると、体積比で予備還元時、系内のH/Nが1/10〜10/1であることを特徴とする。
本発明の第二態様は、ニッケル−アルミニウムスピネルを含有するメタン合成触媒前駆体を提供した。
ある実施形態の触媒前駆体によると、前駆体における前記ニッケル−アルミニウムスピネルの含有量が5〜75質量%である。
ニッケル−アルミニウムスピネル触媒の予備還元のフロー模式図である。 実施例1における高温焼結処理後の触媒前駆体のXRD図である。 実施例2における高温焼結処理後の触媒前駆体のXRD図である。 実施例3における高温焼結処理後の触媒前駆体のXRD図である。
本発明では、特に断らない限り、用語「触媒体」とは、高温焼結を行わない触媒組成物、即ち標的触媒製品の高温焼結前の状態をいう。本発明では、より正確にいえば、高温焼結してニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成する前の標的触媒製品の存在形式を指す。
用語「触媒前駆体」とは、還元処理を行わない触媒組成物、即ち標的触媒製品の還元前の状態を言う。本発明では、より正確にいえば、触媒体を予備還元過程で高温焼結して得られたニッケル−アルミニウムスピネルを含有する組成物のことをいう。
用語「予備還元」とは、所定温度で水素ガス又は他の還元性ガスを用いてフレッシュな触媒を活性金属又は低原子価酸化物に還元する過程をいう。一般的に、還元とは活性化過程を指し、工場の反応器において行うことが多く、触媒生産工場で行う場合もあり、予備還元と呼ばれる。本発明では、触媒生産過程において、触媒体を窒素ガスの雰囲気で高温焼結してニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成し、その後適合な温度で、水素ガスと窒素ガスとの混和ガスでニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体におけるニッケルを低原子価のニッケル又は金属ニッケルに還元する過程をいう。
用語「コークス炉ガス」とは、複数の歴青炭を用いてコークス製造用石炭を作製し、コークス炉で高温乾留を行った後、コークス及びタール製品を生産するとともに発生された可燃性ガスであり、これはコークス工業の副成物であり、浄化後、その主成分は下記表のとおりである。
Figure 0005726323
触媒体の具体的な製造方法過程は、以下のような例が挙げられる。
1. 混合沈殿法
まず、触媒における各成分の含有量の質量百分率で各物質の使用量を算出し、所定量の硝酸ニッケル六水和物を秤量して所定量の蒸留水を加え、溶解させて硝酸ニッケル溶液を形成し、さらに所定量の水酸化アルミニウムと軽質酸化マグネシウムを秤量して前記硝酸ニッケル溶液に加え、均一に撹拌してスラリーを形成する。その後、噴霧乾燥器の出口温度が120〜140℃で噴霧乾燥を行って、成形(例えば打錠)して、触媒体を得る。使用する前に該予成形体を予備還元(予備還元の具体的な操作は以下のとおりである)する。
予備還元を行って調製した触媒において、各成分として、Alを40〜80質量%、Niを10〜30質量%、MgOを10〜30質量%含む。
2. 共沈殿法
同量の硝酸ニッケル六水和物を秤量して所定量の蒸留水を加え、溶解させて硝酸ニッケル溶液を形成し、さらに所定量の軽質酸化マグネシウム又は硝酸マグネシウム六水和物を秤量して前記硝酸ニッケル溶液に加え、攪拌速度が80〜250回転/minで40〜80℃まで加熱する。その後、所定濃度のメタアルミン酸ナトリウムを沈殿剤として前記懸濁液又は溶液を中和する。メタアルミン酸ナトリウム溶液は強アルカリ性で、普通の沈殿剤に比べ、別途にアルミニウムを含む原料を加える必要がなく、生産効率を向上させ、且つ原料の種類が少ないほど、ニッケルとアルミニウムとの混合がより均一である。次に、ろ過、洗浄、乾燥、粉砕を行い、汎用の方法、例えば打錠又は押出成形することで触媒体を得る。使用する前に該予成形体を予備還元(予備還元の具体的な操作は以下のとおりである)する。
予備還元を行って調製した触媒において、各成分として、Alを40〜80質量%、Niを10〜30質量%、MgOを10〜30質量%含む。
予備還元の具体的な操作は、以下のような例が挙げられる。
触媒体をアスペクト比が1.5/1〜5/1の円柱型予備還元反応器2に充填し、このような設計は触媒ベッド層における水蒸気密度の滞留時間をできるだけ短縮させるためにある。Nで系を置換し、系内におけるOの含有量を0.5体積%以下に保持し、系圧力を0.01 〜0.05MPa(ゲージ圧)に保持し、コンプレッサー7を起動して空間速度を50〜100h−1にする。50〜70℃/hの速度で昇温し、予備還元反応器内を120〜130℃まで昇温して2〜5時間保温し、物理的に吸着した水を完全に除去した後、さらに昇温し、昇温速度が30〜70℃/hで、250℃まで昇温して2〜5時間保温し、結晶水を完全に除去する。その後、昇温速度を10〜70℃/hに保持し、700〜1000℃までさらに昇温して3〜6時間保温し、酸化ニッケルと酸化アルミニウムを固相反応させてニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成する。
その後、5〜8℃/hの速度で温度を低下させ、予備還元反応器2内の温度が600〜 650℃になると、水素ガスで系内における窒素ガスを置換し、系内における圧力(ゲージ圧)を0.05〜0.1MPaにし、サイクル量を増加させて空間速度を100〜800h−1にし、系内におけるH/Nを1/10〜10/1(体積比)にする。その後、昇温速度を10〜70℃/hに保持してさらに昇温し、反応温度が650 〜750℃になると、系内における硫黄含有量を検出し、硫黄含有量が0.1ppm(体積)以上であると、ガスを例えばZnOであるファイン脱硫剤(fine desulfurizing agent)を装填した脱硫塔4に移し、800℃未満で10〜12時間脱硫する。脱硫後、水凝縮器5に入り、硫黄含有量が0.1ppm(体積)以下であると、ガスを直接に水凝縮器5に移す。
最後に予備還元反応器2の温度を700〜1100℃に保持して2〜24時間保温し、ニッケルの大部分が還元される。その後、5〜20℃/hの速度で温度を低下させ、予備還元反応器内の温度が50℃以下になると、系内におけるHの含有量が0.5体積%以下となるようにNで系内におけるHを置換し、O含有量が系中におけるガス全量の0.1〜0.2体積%を占めるまでOを導入する。温度の上昇を観察し、予備還元反応器内の温度を50℃以下に制御し、O濃度を徐々に向上させ、空気を導入した後でも予備還元反応器内の温度が依然として50℃以下に制御され、同時に反応器の入口と出口の酸素含有量がほぼ一致した後、不活性化操作は終了し、予備還元もここで終了する。
前記プロセスの操作では、そのプロセスフローは以下のように説明される。
補充した還元ガスが熱交換器3に入って、還元後に残ったガスと熱交換を行った後、加熱炉1に入ってさらに加熱される。次に反応器に入って還元を行い、残ったガスは反応器の底部から出た後、熱交換器3に入って冷たい補充した還元ガスと熱交換を行って温度を低下させる。ここで1つの分析点を設置して予備還元反応器内の温度が650〜750℃になると、系内における硫黄含有量を検出し、製造過程において硫酸根を触媒に引き込む可能性があるため、水素ガスの環境で、反応温度が650〜750℃になると硫酸根における硫黄が還元される。硫黄含有量が0.1体積ppm以上であると、ガスを例えばZnOであるファイン脱硫剤を装填した脱硫塔4に移し、800℃未満で10〜12時間脱硫する。脱硫後、水凝縮器5に入り、硫黄含有量が0.1体積ppm以下であると、ガスを水凝縮器5に直接に移して温度を50℃まで低下する。その後、水分離器6に入り、還元された水を分離後、一部を排出し、一部をリサイクルコンプレッサー7によって予備還元反応器へサイクルさせてさらに還元に関与し、大量の還元ガスを節約した。予備還元反応器は反応器内の温度を均一に保持するように径方向に4つの温度点が均一に敷設し、軸方向に50cmの距離ずつ1つの温度点が敷設される。X線回折計によって分析した結果、還元された単体ニッケルの結晶粒度は、(111)面の結晶粒度が5.0〜15.0nm、ニッケル(200)面の結晶粒度が5.0〜15.0nm、ニッケル(220)面の結晶粒度が5.0〜15.0nmである。
本発明で使用される分析測定方法は以下のとおりである。
1.触媒及び触媒前駆体におけるニッケルの結晶相と結晶粒度:日本理学D/max−2200PC X線回折計によって分析する(XRD)。
2.触媒成分:米国PE社製Optima2100DV誘導結合プラズマ発光分光分析によって分析する。
3.触媒相転移及び炭素析出分析:ドイツNETZSCH社製STA449F3熱分析装置によって熱重量分析を行う(DTG)。
4.生成物組成:米国Agilen社製6890Nガスクロマトグラフィーによって、中国の国家規格GB/T13610−2003によって分析する。
以下、明細書の図面を参照して本発明をさらに説明するが、以下は本発明の好適な実施例だけであって、本発明の範囲を限定するものではない。即ち本発明の請求の範囲に基づいて行われる変化と修飾は、いずれも本発明の特許に含まれる範囲内に属する。本文において、特に断らない限り、ガスに関する含有量の百分率、割合、部数はいずれも体積で、固体と液体に関するすべての含有量の百分率、割合、部数はいずれも重量で換算することになる。
実施例1
触媒の組成として、Alが60質量%、Niが20質量%、MgOが20質量%となるようにする。
硝酸ニッケル六水和物を40kg秤量して蒸留水を40L加え、硝酸ニッケル六水和物が完全に溶解するまで撹拌し、さらに水酸化アルミニウムを32kg、軽質酸化マグネシウムを8kg秤量して前記硝酸ニッケル溶液に加え、均一に撹拌してスラリーを形成する。その後、噴霧乾燥器で乾燥させ、出口温度が130℃で、乾燥後硝酸ニッケルと水酸化アルミニウムはともに酸化物に分解して、打錠して触媒体が得られる。それを、アスペクト比が2/1の円柱型反応器中に充填し、Nで系を置換し、系内におけるOの含有量を0.5体積%以下に保持し、系圧力を0.01MPa(ゲージ圧)に保持し、コンプレッサー7を起動し、空間速度を50h−1にする。50℃/hの速度で昇温し、予備還元反応器内の温度を120〜130℃まで昇温して3時間保温し、物理的に吸着した水を完全に除去した後、さらに250℃まで昇温して3時間保温し、結晶水を完全に除去する。その後、さらに30℃/hの昇温速度で700℃まで昇温して3〜6時間保温し、酸化ニッケルと酸化アルミニウムを固相反応させ、ニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成する。
図2は高温焼結処理後の触媒前駆体のXRD図であり、ニッケル−アルミニウムスピネルの特徴的ピークが現れていることが見られ、前駆体におけるニッケル−アルミニウムスピネルの含有量が5質量%である。ニッケル−アルミニウムスピネルの回折角はそれぞれ37°、45.1°及び65.7°である。
次に、6℃/hの速度で温度を低下させ、予備還元反応器2内の温度が600℃になると、水素ガスで系内における窒素ガスを置換し、系内圧力が0.06MPa、空間速度が200h−1であり、系内におけるH/Nを1/5(体積比)にする。その後、さらに昇温し、昇温速度を10℃/hに保持し、反応温度が650℃になると、系内における硫黄含有量を検出し、硫黄含有量が0.1体積ppm以上であると、ガスをZnOファイン脱硫剤を装填した脱硫塔4に移し、800℃未満で10〜12時間脱硫する。脱硫後、水凝縮器5に入り、硫黄含有量が0.1体積ppm以下であると、ガスを水凝縮器5に直接に移す。
最後に、予備還元反応器2の温度を800℃に保持して3時間保温し、ニッケルの大部分が還元される。その後、8℃/hの速度で温度を低下させ、予備還元反応器内の温度が50℃以下になると、系内におけるHの含有量を0.5体積%以下に保持するようにNで系内におけるHを置換し、O含有量が系におけるガス全量の0.1〜0.2体積%を占めるまでOを導入する。その後、温度の上昇を観察して、予備還元反応器内の温度を50℃以下に保証し、O濃度を徐々に向上させ、空気を導入した後でも予備還元反応器内の温度が依然として50℃以下に制御され、同時に反応器の入口と出口の酸素含有量がほぼ一致した後、不活性化操作は終了し、予備還元もここで終了し、Aとする(表2)。X線回折計によって分析した結果、還元された単体ニッケルの結晶粒度は、(111)面の結晶粒度が10.1nm、(200)面の結晶粒度が12.8nm、(220)面の結晶粒度が14.9nmである。
触媒は固定床に適用され、予備還元した触媒は反応器の定温領域中部に置かれ、上下ではステンレス鋼メッシュと石英砂とを支持体として用いる。
触媒が予備還元を経ていない場合、合成操作前に反応器において前記還元の操作を行う必要があり、過程全体にわたって5〜7日間が必要であり、それからメタンの合成操作を行うことができ、還元時の最高温度が800℃であり、合成反応装置全体の材質への要求が非常に高く、生産コストを増加させることに違いない。触媒が予備還元処理を経た後は、前記問題が解決され、予備還元後の触媒は250℃でコークス炉ガスを用いて2時間活性化させた後、600℃まで昇温してメタンの合成実験を行うことだけが必要である。また、この場合、反応圧力は2MPaで、空間速度は7000h−1で、原料ガスとして体積比でH/COが3/1である合成ガスが用いられ、導入する水蒸気量は原料ガス量の20体積%で、一酸化炭素の転化率は93.4%で、選択性は99.7%である。
実施例2
触媒の組成として、Alが58質量%、Niが20質量%、MgOが22質量%となるようにする。
硝酸ニッケル六水和物を40kg秤量して蒸留水を40L加え、硝酸ニッケル六水和物が完全に溶解するまで撹拌し、さらに軽質酸化マグネシウムを8.8kg秤量して前記硝酸ニッケル溶液に加え、攪拌速度が100回転/minで60℃まで加熱する。その後メタアルミン酸ナトリウムを30kg秤量して370Lの蒸留水で溶解させ、1mol/Lのメタアルミン酸ナトリウム溶液を調製し、次に濃度が1mol/Lであるメタアルミン酸ナトリウムを沈殿剤として前記懸濁液を中和する。滴定終了後、ろ過、洗浄、乾燥、粉砕、打錠を経て触媒体が得られる。それをアスペクト比が3/1の円柱型反応器中に充填し、Nで系を置換し、系内におけるOの含有量を0.5体積%以下に保持し、系圧力を0.03MPa(ゲージ圧)に保持し、コンプレッサー7を起動し、空間速度を60h−1にする。55℃/hの速度で120〜130℃まで昇温して3時間保温し、物理的に吸着した水を完全に除去し、250℃まで昇温して3時間保温し、結晶水を完全に除去する。さらに昇温し、昇温速度を40℃/hに保持し、850℃まで昇温して3〜6時間保温し、酸化ニッケルと酸化アルミニウムを固相反応させ、ニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成する。
図3は高温処理後の触媒前駆体のXRD図であり、ニッケル−アルミニウムスピネルの特徴的ピークが現れていることが見られ、前駆体におけるニッケル−アルミニウムスピネルの含有量は75質量%である。ニッケル−アルミニウムスピネルの回折角はそれぞれ37°、45.1°及び65.7°である。
次に、7℃/hの速度で温度を低下させ、予備還元反応器2内の温度が630℃になると、水素ガスで系内における窒素ガスを置換し、系内圧力が0.08MPaで、空間速度が400h−1であり、系内におけるH/Nを1/1(体積比)にする。その後、さらに昇温し、昇温速度を15℃/hに保持し、反応温度が700℃になると、系内における硫黄含有量を検出し、硫黄含有量が0.1体積ppm以上であると、ガスをZnOファイン脱硫剤を装填した脱硫塔4に移し、800℃未満で10〜12時間脱硫する。脱硫後、水凝縮器5に入り、硫黄含有量が0.1体積ppm以下であると、ガスを水凝縮器5に直接に移す。
最後に、予備還元反応器内の温度を950℃に保持し、4時間保温し、ニッケルの大部分が還元される。次に15℃/hの速度で温度を低下させる。予備還元反応器内の温度が50℃以下になると、系内におけるHの含有量を0.5体積%以下に保持するようにNで系内におけるHを置換し、O含有量が系中におけるガス全量の0.1〜0.2体積%を占めるまでOを導入する。温度の上昇を観察し、予備還元反応器内の温度を50℃以下に制御し、O濃度を徐々に向上させ、空気を導入した後でも予備還元反応器内の温度が依然として50℃以下に制御され、同時に反応器の入口と出口の酸素含有量がほぼ一致した後、不活性化操作は終了し、予備還元もここで終了し、Bとする(表2)。X線回折計によって分析した結果、還元された単体ニッケルの結晶粒度は、(111)面の結晶粒度が7.0nm、(200)面の結晶粒度が7.1nm、(220)面の結晶粒度が7.3nmである。
触媒は固定床に適用され、触媒は反応器の定温領域中部に置かれ、上下ではステンレス鋼メッシュと石英砂とを支持体として用いる。
触媒が予備還元を経ていない場合、触媒は合成操作前に反応器において前記還元操作を行う必要があり、過程全体にわたって5〜7日間が必要であり、その後にメタンの合成操作を行うことができ、また、還元時の最高温度が900℃であり、合成反応装置全体の材質への要求が非常に高く、生産コストを増加させることに違いない。触媒が予備還元処理を経た後は、前記問題は解决され、予備還元後の触媒は250℃でコークス炉ガスを用いて2時間活性化した後、650℃まで昇温することだけが必要である。この場合、反応圧力は2MPaで、空間速度は7000h−1で、原料ガスとして浄化したコークス炉ガスが用いられ、導入する水蒸気量は原料ガス量の20体積%であり、測定したところ、一酸化炭素の転化率は83.2%で、選択性は99.3%である。二酸化炭素の転化率は70%である。
実施例3
触媒の組成として、Alが65質量%、Niが20質量%、MgOが15質量%となるようにする。
硝酸ニッケル六水和物を40kg秤量して蒸留水を40L加え、硝酸ニッケル六水和物が完全に溶解するまで撹拌し、さらに硝酸マグネシウム六水和物を38.5kg秤量して前記硝酸ニッケル溶液に加え、完全に溶解した後、攪拌速度が100回転/minで60℃まで加熱する。その後、メタアルミン酸ナトリウムを55kg秤量して680Lの蒸留水で溶解させ、1mol/Lのメタアルミン酸ナトリウム溶液を調製し、その後濃度が1mol/Lのメタアルミン酸ナトリウムを沈殿剤として前記懸濁液を中和する。滴定終了後、ろ過、洗浄、乾燥、粉砕、打錠を経て触媒体が得られる。それを、アスペクト比が4/1の円柱型反応器中に充填し、触媒の上層に活性化剤として予備還元された触媒を10〜 20cm装填し、Nで系を置換し、系内におけるOの含有量を0.5体積%以下に保持し、系圧力を0.04MPa(ゲージ圧)に保持し、コンプレッサー7を起動し、空間速度を70h−1にする。60℃/hの速度で昇温し、予備還元反応器内の温度を120〜130℃まで昇温して3時間保温し、物理的に吸着した水を完全に除去した後、さらに昇温し、250℃まで昇温した後、3時間保温し、結晶水を完全に除去する。その後、さらに昇温し、昇温速度を40℃/hに保持し、900℃まで昇温して、3〜6時間保温し、酸化ニッケルと酸化アルミニウムを固相反応させ、ニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成する。
図4は高温処理後の触媒前駆体のXRD図であり、ニッケル−アルミニウムスピネルの特徴的ピークが現れていることが見られ、前駆体におけるニッケル−アルミニウムスピネルの含有量は56質量%である。ニッケル−アルミニウムスピネルの回折角はそれぞれ37°、45.1°及び65.7°である。
次に、8℃/hの速度で温度を低下させ、予備還元反応器2内の温度が650℃になると、水素ガスで系内における窒素ガスを置換し、系内圧力は0.09MPaで、空間速度は600h−1であり、系内におけるH/Nを5/1(体積比)にする。その後、さらに昇温し、昇温速度を20℃/hに保持し、反応温度が750℃になると、系内における硫黄含有量を検出し、硫黄含有量が0.1体積ppm以上であると、ガスをZnOファイン脱硫剤を装填した脱硫塔4に移し、800℃未満で10〜12時間脱硫する。脱硫後、水凝縮器5に入り、硫黄含有量が0.1体積ppm以下であると、ガスを水凝縮器5に直接に移す。
最後に、予備還元反応器内の温度を1000℃に保持して5時間保温し、ニッケルの大部分が還元された。次に20℃/hの速度で温度を低下させ、予備還元反応器内の温度が50℃以下になると、系内におけるHの含有量を0.5体積%以下に保持するようにNで系内におけるHを置換し、O含有量が系中におけるガス全量の0.1〜0.2体積%を占めるまでOを導入する。温度の上昇を観察し、予備還元反応器内の温度を50℃以下に制御し、O濃度を徐々に向上させ、空気を導入した後でも系内の温度が依然として50℃以下に制御され、同時に反応器の入口と出口の酸素含有量がほぼ一致した後、不活性化操作は終了し、予備還元も終了し、Cとする(表2)。X線回折計によって分析した結果、還元された単体ニッケルの結晶粒度は、(111)面の結晶粒度が9.4nm、(200)面の結晶粒度が11.3nm、(220)面の結晶粒度が13.5nmである。
触媒は固定床に適用され、触媒は反応器の定温領域中部に置かれ、上下ではステンレス鋼メッシュと石英砂とを支持体として用いる。
触媒が予備還元を経ていない場合、触媒は合成操作前に反応器において前記還元操作を行う必要があり、過程全体にわたって5〜7日間が必要であり、その後にメタンの合成操作を行うことができ、還元時の最高温度が1000℃であり、合成反応装置全体の材質への要求が非常に高く、生産コストを増加させることに違いない。触媒が予備還元処理を経た後は、前記問題が解決され、予備還元後の触媒は250℃で2時間還元した後700℃まで昇温することだけが必要である。この場合、反応圧力は2MPa、空間速度は7000h−1であり、原料ガスの組成として、COが 12.5体積%、COが10体積%、Hが77.5体積%であり、導入する水蒸気量は原料ガス量の20体積%であり、測定したところ、一酸化炭素の転化率は79.9%、選択性は99.5%、二酸化炭素の転化率は66.5%である。
実施例4
各触媒を720時間反応させた後、各触媒の活性は顕著に変化せず、反応を停止させた後、各触媒を取り外してX線回折(XRD)と熱重量分析(DTG)を行って比較する。
Figure 0005726323
1 加熱炉
2 予備還元反応器
3 熱交換器
4 脱硫塔
5 水凝縮器
6 水分離器
7 リサイクルコンプレッサー

Claims (15)

  1. 硝酸ニッケル、アルミニウム化合物及びマグネシウム化合物を含む触媒体を製造するステップと、焼結ステップとを含むメタン合成触媒の前駆体の製造方法において、
    前記触媒体は混合沈殿法又は共沈殿法によって製造され、
    前記焼結ステップは、700〜1000℃で前記触媒体を焼結してニッケル―アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成することを
    前記焼結ステップは、N で系を置換し、系内におけるO の含有量を0.5体積%以下に保持し、ゲージ圧での系圧力を0.01〜0.05MPaに保持し、空間速度を50〜100h −1 にすることと、50〜70℃/hの速度で120〜130℃まで昇温して2〜5時間保温し、物理的に吸着した水を完全に除去することと、30〜70℃/hの昇温速度でさらに250℃まで昇温して2〜5時間保温し、結晶水を完全に除去することと、10〜70℃/hの昇温速度でさらに700〜1000℃まで昇温して3〜6時間保温し、前記ニッケル−アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成するメタン合成触媒の触媒前駆体の製造方法。
  2. 前記混合沈殿法によって前記触媒体を製造するステップは、
    硝酸ニッケル、水酸化アルミニウム及び軽質酸化マグネシウムを含むスラリーを噴霧乾燥することを含む請求項1に記載の触媒前駆体の製造方法。
  3. 前記共沈殿法によって前記触媒体を製造するステップは、
    アルミニウム含有沈殿剤で硝酸ニッケルと、硝酸マグネシウム及び軽質酸化マグネシウムから選ばれるマグネシウム化合物とを含む懸濁液又は溶液を中和することを含む請求項1に記載の触媒前駆体の製造方法。
  4. 前記アルミニウム含有沈殿剤は、メタアルミン酸ナトリウムである請求項3に記載の触媒前駆体の製造方法。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のメタン合成触媒の触媒前駆体の製造方法により製造された前駆体を、700〜1100℃で予備還元して前記メタン合成触媒を得る予備還元ステップを含み、
    前記予備還元ステップは、予備還元反応器内の反応温度が650〜750℃になると、系中の還元ガスにおける硫黄含有量を測定し、還元系中の還元ガスにおける硫黄の体積含有量が0.1ppm以上になると、ガスを脱硫塔に移し、800℃未満下で10〜12時間脱硫することにより、触媒中の硫黄を除去することを含むメタン合成触媒の製造方法。
  6. 前記予備還元ステップは、系圧力0.05〜0.1MPa、空間速度100〜800h−1で予備還元反応器で行われ
    前記予備還元反応器の内部温度を低下させ、前記予備還元反応器の内部温度が50℃以下に低下すると、前記予備還元反応器内のH の含有量が0.5体積%以下になるまでN で前記予備還元反応器内における還元ガスを置換することと、O 含有量が前記予備還元反応器におけるガス全量の0.1〜0.2体積%を占めるまでO を導入し、同時に前記予備還元反応器内の温度を50℃以下に保持することと、前記予備還元反応器の入口と出口の酸素含有量がほぼ一致するまで空気を導入してかつ前記予備還元反応器内の温度を50℃以下に保持することとからなる終了ステップをさらに含む請求項5に記載のメタン合成触媒の製造方法。
  7. 硝酸ニッケル、アルミニウム化合物及びマグネシウム化合物を含む触媒体を製造するステップと、予備還元ステップとを含むメタン合成触媒の製造方法において、
    前記触媒体は混合沈殿法又は共沈殿法によって製造され、
    前記予備還元ステップは、
    700〜1000℃で前記触媒体を焼結してニッケル―アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成することと、
    700〜1100℃で前記触媒前駆体を予備還元して前記メタン合成触媒を得ることと、
    予備還元反応器内の反応温度が650〜750℃になると、系中の還元ガスにおける硫黄含有量を測定し、還元系中の還元ガスにおける硫黄の体積含有量が0.1ppm以上になると、ガスを脱硫塔に移し、800℃未満下で10〜12時間脱硫することにより、触媒中の硫黄を除去することを含むメタン合成触媒の製造方法。
  8. 硝酸ニッケル、アルミニウム化合物及びマグネシウム化合物を含む触媒体を製造するステップと、予備還元ステップとを含むメタン合成触媒の製造方法において、
    前記触媒体は混合沈殿法又は共沈殿法によって製造され、
    前記予備還元ステップは、
    700〜1000℃で前記触媒体を焼結してニッケル―アルミニウムスピネルを含有する触媒前駆体を形成することと、
    700〜1100℃で前記触媒前駆体を予備還元して前記メタン合成触媒を得ることとを含み、
    前記予備還元ステップは、系圧力0.05〜0.1MPa、空間速度100〜800h −1 で予備還元反応器で行われ、
    前記予備還元反応器の内部温度を低下させ、前記予備還元反応器の内部温度が50℃以下に低下すると、前記予備還元反応器内のHの含有量が0.5体積%以下になるまでNで前記予備還元反応器内における還元ガスを置換することと、O含有量が前記予備還元反応器におけるガス全量の0.1〜0.2体積%を占めるまでOを導入し、同時に前記予備還元反応器内の温度を50℃以下に保持することと、前記予備還元反応器の入口と出口の酸素含有量がほぼ一致するまで空気を導入してかつ前記予備還元反応器内の温度を50℃以下に保持することとからなる終了ステップをさらに含むメタン合成触媒の製造方法。
  9. 前記メタン合成触媒は、質量%でAlを40〜80%、Niを10〜30%、MgOを10〜30%含む請求項5〜8のいずれか1項に記載のメタン合成触媒の製造方法。
  10. 前記予備還元ステップにおいて、Hを還元ガスとして用い、かつ体積でH/Nが1/10〜10/1である請求項5〜9のいずれか1項に記載のメタン合成触媒の製造方法。
  11. 前記ニッケル−アルミニウムスピネルを含有する、請求項1〜のいずれか1項に記載の方法によって製造されるメタン合成触媒の触媒前駆体。
  12. 前記前駆体における前記ニッケル−アルミニウムスピネルの含有量が5〜75質量%である請求項11に記載の触媒前駆体。
  13. 前記前駆体における前記ニッケル−アルミニウムスピネルの含有量が56〜75質量%である請求項11に記載の触媒前駆体。
  14. 前記前駆体における前記ニッケル−アルミニウムスピネルの含有量が5質量%である請求項11に記載の触媒前駆体。
  15. 前記前駆体における前記ニッケル−アルミニウムスピネルの含有量が75質量%である請求項11に記載の触媒前駆体。
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