JP5724788B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1に、ウエハ支持ボートの上部と下部領域における温度均一性、追従性が従来よりも向上して熱的な安定性が高まったことにより、スリップ欠陥の発生を抑制することができる。
2、22 支持溝
3a 製品ウエハ
3b ダミーウエハ
4 スリップ欠陥
5 ウエハ支持ボート上部のダミーウエハ群領域
6 ウエハ支持ボート上部の製品ウエハ群領域
7 ウエハ支持ボート下部の製品ウエハ群領域
8 ウエハ支持ボート下部のダミーウエハ群領域
10 本発明のウエハ支持ボート
20 従来のウエハ支持ボート
Claims (5)
- 一体に固定された複数の高耐熱性支柱がそれぞれ所定の間隔に刻まれた支持溝を備え、該支持溝は、前記複数の高耐熱性支柱を直立させた状態で複数枚の半導体ウエハを水平に前記所定の間隔で保持する相互配列を備える高温熱処理用ボートを使用して、該ボートに保持される複数枚の半導体ウエハ群の直上、直下にダミーウエハを少なくとも1枚配置し、該ダミーウエハの直上、直下には少なくとも1枚分の空間を空けて、さらにダミーウエハを複数枚配置して高温熱処理炉に炉入れする高温熱処理工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記高温熱処理が、1000℃乃至1200℃のいずれかの保持温度を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高温熱処理用ボートの材料が石英ガラスであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体ウエハがシリコン半導体ウエハであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 高温熱処理工程が酸化膜形成工程または熱拡散処理工程であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
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