JP5061663B2 - 縦型熱処理用ボートおよび半導体ウエーハの熱処理方法 - Google Patents
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Description
これは、支持部の数が増えた分、後述する上記4つ以上の支持部により得られる平面度が悪化し易く、これによって荷重のアンバランスが引き起こされ、その結果、スリップ転位が発生し易くなるためであることを本発明者は発見した。
まず、図4に三次元測定器を用いた支持部の形状の測定方法の概要を示す。
この三次元測定器21は、それぞれX、Y、Z方向に移動可能なA、B、C部分を有するアーム22、該アーム22の先に取り付けられたプローブ23、被測定物(縦型熱処理用ボート)を載上する石定盤24を備えている。上記プローブ23は回転可能となっており、該プローブ23の先端にはルビーの玉が付いている。
上述したように、縦型熱処理用ボートにおいて、3点支持のものの場合、1つの支持部に荷重が集中してスリップ転位が発生し易い。これを改善するべく4点以上の支持のものが用いられるが、平面度の悪化が引き起こす荷重のアンバランスにより、荷重分散の効果が発揮されずスリップ転位が生じてしまう。さらには、ボート自体を高精度に加工することは難しく、平面度の改善は容易ではなかった。
すなわち、まず、被処理基板を支持する4つ以上の支持部の形状を測定する。その後、該測定した各々の支持部の形状に合わせ、実際に被処理基板が載置されることになる支持補助部材の厚さを調節するか、支持補助部材と支持部との間にスペーサを介在させる。これにより、各支持補助部材の載置面全てによる平面度を調整してから被処理基板を載置して熱処理すれば、平面度の調整を簡単かつ正確に行えるし、平面度を改善させて被処理基板の荷重のアンバランスをなくし、スリップ転位の発生を抑制することができる。本発明者はこれらのことを見出し本発明を完成させた。
図1(A)は本発明の縦型熱処理用ボート全体の一例の概略を示している。この熱処理用ボート1は、まず、4本の支柱4と、各支柱4の両端部に連結した一対の板状部材6(天板および底板)とを有している。各支柱4には、水平方向に複数の溝7が等間隔で形成されており、これにより、それぞれの溝7の間に被処理基板(ここでは、半導体ウエーハとする)の支持部2が凸形状に複数形成されている。そして、この本発明の縦型熱処理用ボート1では、各支柱4の支持部2に支持補助部材3が着脱可能に装着される。ウエーハを熱処理する際には、各支柱4の同程度の高さに形成された支持部2に溝7から挿入して装着した支持補助部材3上に各々1枚ずつウエーハが載置される。
また、図3(B)の断面図に示すように、支持部2a〜2dと支持補助部材3eとの間に適切なスペーサ12a〜12dが介在されたものとすることもできる。
なお、図3では、上記全ての支持補助部材の載置面の高さが一致している場合を示しているが、これに限定されず、各種条件に応じて相対位置を適宜調整し、所望の平面度が得られるように調整されたものとすることができる。
また、所望の平面度に調整されていれば良く、厚さ調整やスペーサの介在は、全ての支持補助部材に対して行っても良いし、また、一部のものに対してのみ行うこともできる。
まず、上述したように、図4に示す三次元測定器21を用い、支持部2a〜2dの形状測定を行う。すなわち、各支持部2a〜2dの例えば計8つの測定箇所のZ座標を測定する。
ここで、得られた各Z座標において、例えば8番目の測定箇所の値が最も低い値となった場合、その最低点を基準にし、それぞれの測定箇所における値までの変位を算出する。その後、この算出した変位データより最小二乗平面Sを算出し、この平面から最も離れた点までの距離である平面度Lを得る。
より具体的には、平面度を上記のようにして得た値Lよりも小さな値に調整(すなわち、平面度を改善)したいのであれば、例えば、各支持部2a〜2dの形状が図3の場合はZ座標の低い支持部2bや2dに対し、Z座標の高い支持部2aや2cに装着する支持補助部材3a、3cの厚さよりも厚いものを、支持補助部材3b、3dとして選択して装着することができる(図3(A)参照)。
これにより、各支持補助部材3a〜3dの載置面の相対位置(高さ)を狭めることができ、ひいては平面度をLよりも小さくすることが可能である。
支持部2a〜2dの形状に合わせ、例えば適切な厚さを有するスペーサ12a〜12dを支持補助部材3eと支持部2a〜2dの間に挟み、支持補助部材3eを装着すれば、たとえ、支持部2a〜2dの上面の相対位置等がずれていて、また、各支持部に装着する支持補助部材3eの厚さが同じであっても、それぞれの支持補助部材3eのウエーハ載置面を適切に調整することができ、ひいては所望の平面度に調整することができる(図3(B)参照)。
(実施例)
直径300mmのシリコンウエーハを熱処理するにあたり、まず、従来と同様の4点支持のロングフィンガーボート本体を用意した。
ここで、まず、図4に示すような三次元測定器(Mitutoyo製 Crysta−Apex C)を用い、支持部2a〜2dの基準面(石定盤24の上面)からの高さ(Z座標)を測定した。測定箇所は、図1(B)に示すように合計8点とした。そして、測定の最低点からそれぞれの点までの変位を求めたところ、図5、表1(ロングフィンガーボート自体の項目)に示す変位データが得られた。なお、図5、表1は、7番目の測定箇所(支持部2dの先端側)における高さが最も低かったため、この箇所を基準にした。単位はそれぞれμmである。
この変位データから8点の最小二乗平面を算出し、平面度を得たところ60μmであった。
具体的には、支持部2aに対しては厚さ0.98mmの支持補助部材3a、
支持部2bに対しては厚さ1.00mmの支持補助部材3b、
支持部2cに対しては厚さ0.96mmの支持補助部材3c、
支持部2dに対しては厚さ1.00mmの支持補助部材3dを装着した。
このように、Z座標が最も高い支持部2cに対して厚さが最も薄い支持補助部材3cを装着し、次にZ座標が高い支持部2aに対して、次に厚さが薄い支持補助部材3aを装着した。
そして、これらに比べてZ座標が低い支持部2b、2dに対しては、3a、3cより比較的厚い支持補助部材3b、3dを装着した。
実施例ではじめに用意したロングフィンガーボート本体、すなわち、従来と同様の4点支持のボートを用い、そのまま、直径300mmのシリコンウエーハを支持部上に載置し、実施例と同様に1200℃で1時間のアニールを施した。
なお、実施例1と同様にして三次元測定器を用いてボートの支持部の形状を測定したところ、表1(ロングフィンガーボート自体の項目)と同様の測定結果および平面度(60μm)が得られた(表1参照)。
実施例ではじめに用意したロングフィンガーボート本体、すなわち、従来と同様の4点支持のボートを用意し、いずれの支持部に対しても厚さ1.00mmの同じ支持補助部材を装着し、直径300mmのシリコンウエーハを上記支持補助部材上に載置し、実施例と同様に1200℃で1時間のアニールを施した。
なお、実施例1と同様にして三次元測定器を用いてボートの支持部の形状を測定したところ、表1(ロングフィンガーボート自体の項目)と同様の測定結果および平面度(60μm)が得られた。支持補助部材の厚さは全て1.00mmであるため、各支持補助部材の載置面の相対位置は変わらず、したがって平面度も変化せず、60μmであった(表1参照)。
平面度が悪化するように、支持部2aに対しては厚さ1.00mmの支持補助部材3a、支持部2bに対しては厚さ1.00mmの支持補助部材3b、支持部2cに対しては厚さ1.01mmの支持補助部材3c、支持部2dに対しては厚さ1.00mmの支持補助部材3dを選択して装着させる以外は、実施例1と同様にして本発明の縦型熱処理用ボートを準備し、本発明の熱処理方法を行った。
このとき、表1に示すように、平面度は60μmから63μmへと悪化し、熱処理後のシリコンウエーハには図7よりきついスリップ転位が確認された。
また、実施例と参考例からも、平面度の調整がスリップ転位の発生に関して重要であることが判る。スリップ転位の防止にあたっては、所望の小さな平面度が得られるよう、適切な厚さを有する支持補助部材やスペーサを選択すれば良い。
3、3a、3b、3c、3d、3e…支持補助部材、 4…支柱、 6…板状部材、
7…溝、 12、12a、12b、12c、12d…スペーサ。
Claims (4)
- 少なくとも、被処理基板を水平に支持するための支持部を、支持する被処理基板一枚あたりで4つ以上有しており、該4つ以上の支持部には、各々、前記被処理基板が載置される支持補助部材が着脱可能に装着されている縦型熱処理用ボートであって、
前記4つ以上の支持部の各々の形状に合わせて、
前記支持補助部材の厚さを調節するか、
前記支持部と前記支持補助部材との間にスペーサを介在させることによって、
前記被処理基板が載置される各々の支持補助部材の面全てから得られる平面度が調整されているものであることを特徴とする縦型熱処理用ボート。 - 前記縦型熱処理用ボートは、4本以上の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板状部材とを有し、溝が水平方向に複数形成されていることにより、前記各支柱に前記支持部が垂直方向で複数形成されたものであり、前記各溝ごとに、1枚ずつ、前記被処理基板が挿入されて前記4つ以上の支持部により支持されるものであることを特徴とする請求項1に記載の縦型熱処理用ボート。
- 少なくとも、半導体ウエーハを一枚あたり4つ以上の支持部により水平に支持して熱処理を行うときに、前記4つ以上の支持部に、各々、支持補助部材を着脱可能に装着し、該支持補助部材上に前記半導体ウエーハを載置して熱処理する半導体ウエーハの熱処理方法であって、
前記4つ以上の支持部の形状を各々測定し、該測定から4つ以上の支持部全てによる平面度を得て、該得られた平面度に基づいて、
前記支持補助部材の厚さを調節して、前記測定した各々の支持部の形状に合わせて、前記厚さを調節した支持補助部材を選択し、該選択した支持補助部材を前記支持部に装着するか、
前記測定した各々の支持部の形状に合わせてスペーサを選択し、該選択したスペーサを挟んで前記支持部に前記支持補助部材を装着して、
前記各々の支持補助部材の載置面全てによる平面度を調整してから、該載置面上に前記半導体ウエーハを載置して熱処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの熱処理方法。 - 前記熱処理を、4本以上の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板状部材とを有し、溝が水平方向に複数形成されていることにより、前記各支柱に前記支持部が垂直方向で複数形成されたものであり、前記各溝ごとに、1枚ずつ、前記半導体ウエーハが挿入されて前記4つ以上の支持部により支持される縦型熱処理用ボートを用いて行うことを特徴とする請求項3に記載の半導体ウエーハの熱処理方法。
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