JP5723722B2 - 半導体メモリ装置及びそのリペア方法 - Google Patents
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Description
11 伝送制御信号生成部
12 ヒューズ信号伝送部
13 ヒューズ回路
20、30、40 信号受信部
21、31、41 受信制御信号生成部
22、32、42 ヒューズ信号の受信部
23、33、43 TSV選択部
50 リペア回路
110 パルス生成部
120 シフトレジスター部
410、420、430 第1、2、3伝送部
511、512、513 第1、2、3プリドライバー
520 出力イネーブル信号生成部
530 出力ドライバー
120−1 シフトレジスター部
530−1 出力ドライバー
Claims (40)
- 第1チップ及び第2チップが積層になる半導体装置で、
前記第1チップに配置されて、伝送制御信号に同期してヒューズ情報を伝送するように構成された信号伝送部と、
前記第1チップ及び第2チップに各々配置されて、受信制御信号に同期して前記ヒューズ情報を受信するように構成された信号受信部を含んで、
前記伝送制御信号及び前記受信制御信号は実質的に位相が同じである半導体装置。 - 前記信号伝送部は、クロック信号を受信して前記伝送制御信号を生成する伝送制御信号生成部と、
ヒューズ信号を前記伝送制御信号に同期させてヒューズ伝送信号を生成して出力するヒューズ信号伝送部を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記伝送制御信号生成部は前記クロック信号及びイネーブル信号を受信して初期パルスを生成するパルス生成部と、
前記クロック信号に応答して前記初期パルスを所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記伝送制御信号を生成するシフトレジスター部を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ヒューズ信号伝送部は前記伝送制御信号が順次的にイネーブルされるごとに並列に入力される前記ヒューズ信号を受信して直列に出力される前記ヒューズ伝送信号を生成することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記伝送制御信号生成部は前記クロック信号及びイネーブル信号を受信して初期パルスを生成するパルス生成部と、
フリップフロップのチェーン構造を持って、前記クロック信号に応答して前記初期パルスを所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記伝送制御信号を引続き生成するシフトレジスター部と、
前記シフトレジスター部のループを循環するごとに論理レベルが変わる出力選択信号を生成する出力選択信号生成部とを含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ヒューズ信号伝送部は、前記伝送制御信号及び前記出力選択信号を受信して、所定時間の間隔でイネーブルされるプリチャージ信号を生成するプリチャージ部をさらに含んで、前記プリチャージ信号に応答して前記ヒューズ伝送信号を所定レベルにプリチャージすることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記信号受信部は、前記クロック信号を受信して前記伝送制御信号と実質的に位相が同じ前記受信制御信号を生成する受信制御信号生成部と、
前記ヒューズ伝送信号を前記受信制御信号に同期させて保存してヒューズ出力信号で出力するヒューズ信号の受信部を含むことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記受信制御信号生成部は前記クロック信号及びイネーブル信号に応答して初期パルスを生成するパルス生成部と、
前記クロック信号に応答して前記パルス信号を所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記受信制御信号を生成するシフトレジスター部を含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。 - 前記ヒューズ信号の受信部は前記受信制御信号が順次的にイネーブルされるごとに直列に入力される前記ヒューズ伝送信号を受信して並列に出力される前記ヒューズ出力信号を生成するように構成されたことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記ヒューズ出力信号をデコーディングしてTSV選択信号を生成するように構成されたTSV選択部をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 伝送制御信号に応答してヒューズ情報を伝送する信号伝送部と、
マスターチップに配置されて、受信制御信号に応答して前記ヒューズ情報を受信してTSV選択信号を生成するマスターチップ信号受信部と、
スレーブチップに配置されて、前記受信制御信号に応答して前記ヒューズ情報を受信して前記TSV選択信号を生成するスレーブチップ信号受信部と、
前記TSV選択信号に応答して前記マスターチップから前記スレーブチップに伝送される信号の経路を設定するリペア回路を含む半導体装置。 - 前記信号伝送部は、クロック信号を受信して前記伝送制御信号を生成する伝送制御信号生成部と、
ヒューズ信号を前記伝送制御信号に同期してヒューズ伝送信号を生成して出力するヒューズ信号伝送部を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置。 - 前記伝送制御信号生成部は、前記クロック信号及びイネーブル信号に応答してパルス信号を生成するパルス生成部と、
前記クロック信号に応答して前記パルス信号を所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記伝送制御信号を生成するシフトレジスター部を含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。 - 前記ヒューズ信号伝送部は前記伝送制御信号が順次的にイネーブルされるごとに並列に入力される前記ヒューズ信号を受信して直列に出力される前記ヒューズ伝送信号を生成することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。
- 前記伝送制御信号生成部は前記クロック信号及びイネーブル信号を受信して初期パルスを生成するパルス生成部と、
フリップフロップのチェーン構造を持って、前記クロック信号に応答して前記初期パルスを所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記伝送制御信号を引続き生成するシフトレジスター部と、
前記シフトレジスター部のループを循環するごとに論理レベルが変わる出力選択信号を生成する出力選択信号生成部を含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。 - 前記ヒューズ信号伝送部は、前記伝送制御信号及び前記出力選択信号を受信して、所定時間の間隔でイネーブルされるプリチャージ信号を生成するプリチャージ部をさらに含んで、前記プリチャージ信号に応答して前記ヒューズ伝送信号を所定レベルでプリチャージすることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 前記マスターチップ信号受信部は、前記クロック信号に応答して前記受信制御信号を生成する受信制御信号生成部と、
前記ヒューズ伝送信号を前記受信制御信号に同期して保存して、ヒューズ出力信号で出力するヒューズ信号の受信部と、
前記ヒューズ出力信号をデコーディングして前記TSV選択信号を生成するTSV選択部を含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。 - 前記受信制御信号は前記伝送制御信号と実質的に同じ位相を有することを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。
- 前記受信制御信号生成部は前記クロック信号及びイネーブル信号に応答してパルス信号を生成するパルス生成部と、
前記クロック信号に応答して前記パルス信号を所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記受信制御信号を生成するシフトレジスター部を含むことを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。 - 前記ヒューズ信号の受信部は前記受信制御信号が順次的にイネーブルされるごとに直列に入力される前記ヒューズ伝送信号を受信して並列に出力される前記ヒューズ出力信号を生成することを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。
- 前記スレーブチップ信号受信部は、前記クロック信号に応答して前記受信制御信号を生成する受信制御信号生成部と、
前記ヒューズ伝送信号を前記受信制御信号に同期して保存して、ヒューズ出力信号で出力するヒューズ信号の受信部と、
前記ヒューズ出力信号をデコーディングして前記TSV選択信号を生成するTSV選択部を含むことを特徴とする請求項12に記載の半導体装置。 - 前記受信制御信号は前記伝送制御信号と実質的に同じ位相を有することを特徴とする請求項21に記載の半導体装置。
- 前記受信制御信号生成部は前記クロック信号及びイネーブル信号に応答してパルス信号を生成するパルス生成部と、
前記クロック信号に応答して前記パルス信号を所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記受信制御信号を生成するシフトレジスター部を含むことを特徴とする請求項21に記載の半導体装置。 - 前記ヒューズ信号の受信部は前記受信制御信号が順次的にイネーブルされるごとに直列に入力される前記ヒューズ伝送信号を受信して並列に出力される前記ヒューズ出力信号を生成することを特徴とする請求項21に記載の半導体装置。
- 前記リペア回路は第1信号を伝送する第1TSV及び第2TSVと、
前記TSV選択信号に応答して前記第1信号を前記第1TSV及び第2TSVの中一つで出力するトランシーバーと、
前記TSV選択信号に応答して前記第1TSV及び第2TSVの中一つを通して前記第1信号を受信するレシーバーを含むことを特徴とする、請求項11に記載の半導体装置。 - クロック信号を受信して伝送制御信号及び受信制御信号を生成する段階と、
マスターチップで前記伝送制御信号に応答してヒューズ情報を伝送する段階と、
前記マスターチップ及びスレーブチップで前記受信制御信号に応答して前記ヒューズ情報を受信する段階と、
前記ヒューズ情報に応答してマスターチップから前記スレーブチップへ信号を伝送するTSVを選択する段階を含む半導体装置のリペア方法。 - 前記伝送制御信号は前記マスターチップで生成されて、前記受信制御信号は前記マスターチップ及び前記スレーブチップで生成されることを特徴とする請求項26に記載の半導体装置のリペア方法。
- 前記伝送制御信号及び前記受信制御信号は実質的に位相が一致することを特徴とする請求項26に記載の半導体装置のリペア方法。
- 前記伝送制御信号及び前記受信制御信号を生成する段階は、前記クロック信号及びイネーブル信号からパルス信号を生成する段階と、
前記クロック信号に応答して前記パルス信号を所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記伝送制御信号及び前記受信制御信号を生成する段階を含むことを特徴とする請求項26に記載の半導体装置のリペア方法。 - 前記ヒューズ情報を伝送する段階は前記伝送制御信号がイネーブルされるごとに前記伝送制御信号に同期して前記ヒューズ情報を伝送するのを特徴とする請求項29に記載の半導体装置のリペア方法。
- 前記ヒューズ情報を受信する段階は前記受信制御信号がイネーブルされるごとに前記受信制御信号に同期して前記ヒューズ情報を受信するのを特徴とする請求項30に記載の半導体装置のリペア方法。
- 前記TSVを選択する段階は、受信された前記ヒューズ情報をデコーディングしてTSV選択信号を生成する段階と、
前記TSV選択信号に応答して前記信号を伝送するTSVを設定する段階を含むことを特徴とする請求項26に記載の半導体装置のリペア方法。 - クロック信号を受信して伝送制御信号及び受信制御信号を生成する段階と、
前記伝送制御信号から所定時間の間隔でイネーブルされる出力イネーブル信号を生成する段階と、
マスターチップで前記出力イネーブル信号に応答してヒューズ情報を伝送する段階と、
前記マスターチップ及びスレーブチップで前記受信制御信号に応答して前記ヒューズ情報を受信する段階を含む半導体装置のリペア方法。 - 前記伝送制御信号は前記マスターチップで生成されて、前記受信制御信号は前記マスターチップ及び前記スレーブチップで生成されることを特徴とする請求項33に記載の半導体装置のリペア方法。
- 前記出力イネーブル信号は前記マスターチップで生成されることを特徴とする請求項34に記載の半導体装置のリペア方法。
- 前記伝送制御信号は前記受信制御信号と実質的に同じ位相を有することを特徴とする請求項33に記載の半導体装置のリペア方法。
- 前記伝送制御信号及び前記受信制御信号を生成する段階は、前記クロック信号及びイネーブル信号からパルス信号を生成する段階と、
前記クロック信号に応答して前記パルス信号を所定時間順次的に遅延して順次的にイネーブルされる前記伝送制御信号及び前記受信制御信号を生成する段階を含むことを特徴とする、請求項33に記載の半導体装置のリペア方法。 - 前記ヒューズ情報を伝送する段階は、前記出力イネーブル信号がイネーブルされるごとに前記出力イネーブル信号に同期して前記ヒューズ情報を伝送することを特徴とする請求項33に記載の半導体装置のリペア方法。
- 前記ヒューズ情報を受信する段階は、前記受信制御信号がイネーブルされるごとに前記受信制御信号に同期して前記ヒューズ情報を受信することを特徴とする請求項38に記載の半導体装置のリペア方法。
- 受信された前記ヒューズ情報をデコーディングしてTSV選択信号を生成する段階と、
前記TSV選択信号に応答して前記マスターチップから前記スレーブチップに信号を伝送するTSVを設定する段階をさらに含むことを特徴とする請求項33に記載の半導体装置のリペア方法。
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