JP5715239B2 - 内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有するoled光抽出フィルム - Google Patents
内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有するoled光抽出フィルム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5715239B2 JP5715239B2 JP2013506173A JP2013506173A JP5715239B2 JP 5715239 B2 JP5715239 B2 JP 5715239B2 JP 2013506173 A JP2013506173 A JP 2013506173A JP 2013506173 A JP2013506173 A JP 2013506173A JP 5715239 B2 JP5715239 B2 JP 5715239B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nanostructure
- film
- microstructure
- light extraction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims description 77
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title claims description 49
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 95
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 16
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000001275 scanning Auger electron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
Accentrimは、3M Company,St.Paul,MNから入手したUV硬化性樹脂ブレンドである。Alqは、8−ヒドロキシキノリノアルミニウムであり、Sensient Imaging Technologies GmbH,Germanyから入手可能である。
上記米国特許出願第12/262393号に記載の通り、干渉リソグラフィにより製造されたナノ構造化用具から連続注型及び硬化(3C)複製によってPET上にピッチ500nmの2Dフォトニック結晶(PhC)ナノ構造フィルムを調製し、次いで平坦化高屈折率バックフィルコーティング及び硬化を行った。低真空アルゴン/酸素雰囲気における高周波スパッタリングによって酸化インジウムスズ(ITO)アノードをバックフィルナノ構造フィルム上にコーティングすることにより、厚み約120nm、抵抗範囲30〜40Ω/□、及び可視スペクトルに対して中〜高80%の光透過率を有するフィルムを得た。PET基材フィルムにおける含水量を減少させるために、ITOでコーティングしたフィルムを不活性雰囲気下で約16時間80℃でアニールした。
これにおいて、HILは、正孔注入層であり、HTLは、正孔輸送層であり、EMLは、緑色エレクトロルミネセンス特性を有する放射層であり、Alqは、電子輸送層である。
内部ナノ構造及び外部マイクロ構造の抽出器の両方を有する光抽出フィルムの性能を模倣するために、2Dナノ構造光抽出フィルム上に構築された完成OLED装置を様々な外部ディフューザフィルムを評価するためのレファレンスとして用いた。一連の外部ディフューザを、Smart Gel OC−431Aを用いて2D PhCナノ構造フィルム上に構築されたレファレンスOLED装置のうちの3つ(Ref.1、Ref.2、及びRef.3と称する)上に積層させた。
米国特許出願第12/262393号に記載の通り、集束イオンビームで粉砕されたダイアモンドバイトにより製造されたナノ構造化用具から3C複製を介して、PET上にピッチ600nmの1D格子ナノ構造フィルムを調製し、次いで、平坦化高屈折率バックフィルコーティング及び硬化を行った。続くITOアノードスパッタリング、OLED付着、封入、及び評価の工程は、実施例1〜9に記載の通り実施した。
この実施例では、内部二次元フォトニック結晶(PhC)ナノ構造及び外部マイクロ構造の両方を有する光抽出フィルムを、既に片面にマイクロ構造を有するフィルムの裏側にPhC構造を形成することにより製造した。GD12ゲインディフューザフィルムは、片面にのみ下塗剤を有し、マイクロ構造は、この下塗された側面に存在する。この実施例ではフォトニック結晶構造をGD12フィルムの裏側(マイクロ構造の反対側)に形成した。
本開示は以下も包含する。
[1] 内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有する光抽出フィルムであって、
実質的に透明な可撓性フィルムと;
前記実質的に透明な可撓性フィルムに適用される低屈折率ナノ構造層と;
前記ナノ構造層上に適用される高屈折率平坦化バックフィル層と;
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に適用される外部光学マイクロ構造と、を含む、光抽出フィルム。
[2] 前記外部光学マイクロ構造が一次元マイクロ構造を含む、[1]に記載の光抽出フィルム。
[3] 前記外部光学マイクロ構造が二次元マイクロ構造を含む、[1]に記載の光抽出フィルム。
[4] 前記ナノ構造層が一次元ナノ構造を含み、前記外部光学マイクロ構造が前記一次元ナノ構造に対して垂直な一次元マイクロ構造を含む、[1]に記載の光抽出フィルム。
[5] 前記一次元ナノ構造及び前記一次元マイクロ構造がそれぞれ線形構造である、[4]に記載の光抽出フィルム。
[6] 前記低屈折率ナノ構造層が、前記実質的に透明な可撓性フィルムに対して表面層の方法で適用されるナノ粒子を含む、[1]に記載の光抽出フィルム。
[7] 前記低屈折率ナノ構造層がフォトニック結晶構造又は線形格子を含む、[1]に記載の光抽出フィルム。
[8] 前記バックフィル層上に適用される保護層を更に含む、[1]に記載の光抽出フィルム。
[9] 前記外部光学マイクロ構造がマイクロレンズアレイを含む、[1]に記載の光抽出フィルム。
[10] 前記外部光学マイクロ構造が曲面を有する錐体構造を含む、[1]に記載の光抽出フィルム。
[11] 内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有する光抽出フィルムを製造する方法であって、
実質的に透明な可撓性フィルムを提供する工程と;
前記実質的に透明な可撓性フィルムに低屈折率ナノ構造層を適用する工程と;
前記ナノ構造層上に高屈折率平坦化バックフィル層を適用する工程と;
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に外部光学マイクロ構造を適用する工程と、を含む、方法。
[12] 前記外部光学マイクロ構造が一次元マイクロ構造を含む、[11]に記載の方法。
[13] 前記外部光学マイクロ構造が二次元マイクロ構造を含む、[11]に記載の方法。
[14] 前記ナノ構造層が一次元ナノ構造を含み、前記外部光学マイクロ構造が前記一次元ナノ構造に対して垂直な一次元マイクロ構造を含む、[11]に記載の方法。
[15] 前記バックフィル層上に保護層を適用する工程を更に含む、[11]に記載の方法。
[16] 前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、共に積層されている2枚のフィルム内に含まれる[11]に記載の方法。
[17] 前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、続くマイクロ複製プロセスを用いて形成される、[11]に記載の方法。
[18] 前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、2つの構造化及び同期化された用具を用いる単一マイクロ複製プロセスにおいて形成される、[11]に記載の方法。
[19] 前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、押出成形プロセスを用いて形成される、[11]に記載の方法。
[20] 前記ナノ構造層及び前記外部光学マイクロ構造が、それぞれレーザーアブレーションプロセスを用いて形成される、[11]に記載の方法。
Claims (2)
- 内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有する光抽出フィルムであって、
主面と前記主面に平行な面内方向とを有する実質的に透明な可撓性フィルムと;
前記実質的に透明な可撓性フィルムに適用されナノ構造を有する低屈折率ナノ構造層と;
前記ナノ構造層上に適用される高屈折率平坦化バックフィル層と;
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に適用される外部光学マイクロ構造と、を含み、
前記ナノ構造が、第1の単方向に沿って前記面内方向と実質的に平行に延びる一次元ナノ構造からなり、前記外部光学マイクロ構造が、第2の単方向に沿って前記面内方向と実質的に平行に延びる一次元マイクロ構造からなり、前記第1の単方向が前記第2の単方向とは異なる、光抽出フィルム。 - 内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有する光抽出フィルムを製造する方法であって、
主面と前記主面に平行な面内方向とを有する実質的に透明な可撓性フィルムを提供する工程と;
前記実質的に透明な可撓性フィルムにナノ構造を有する低屈折率ナノ構造層を適用する工程と;
前記ナノ構造層上に高屈折率平坦化バックフィル層を適用する工程と;
前記実質的に透明な可撓性フィルムの前記ナノ構造層とは反対側に外部光学マイクロ構造を適用する工程と、を含み、
前記ナノ構造が、第1の単方向に沿って前記面内方向と実質的に平行に延びる一次元ナノ構造からなり、前記外部光学マイクロ構造が、第2の単方向に沿って前記面内方向と実質的に平行に延びる一次元マイクロ構造からなり、前記第1の単方向が前記第2の単方向とは異なる、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/765,014 US8538224B2 (en) | 2010-04-22 | 2010-04-22 | OLED light extraction films having internal nanostructures and external microstructures |
US12/765,014 | 2010-04-22 | ||
PCT/US2011/032009 WO2011133354A2 (en) | 2010-04-22 | 2011-04-12 | Oled light extraction films having internal nanostructures and external microstructures |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013525978A JP2013525978A (ja) | 2013-06-20 |
JP2013525978A5 JP2013525978A5 (ja) | 2014-05-15 |
JP5715239B2 true JP5715239B2 (ja) | 2015-05-07 |
Family
ID=44815855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013506173A Expired - Fee Related JP5715239B2 (ja) | 2010-04-22 | 2011-04-12 | 内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有するoled光抽出フィルム |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8538224B2 (ja) |
EP (1) | EP2561561A4 (ja) |
JP (1) | JP5715239B2 (ja) |
KR (1) | KR20130054273A (ja) |
CN (1) | CN102844904B (ja) |
SG (1) | SG184856A1 (ja) |
TW (1) | TWI568045B (ja) |
WO (1) | WO2011133354A2 (ja) |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130177273A1 (en) * | 2010-07-12 | 2013-07-11 | Research Foundation of CUNY on behalf of City College | Cylindrical Vector Beam Generation From A Multicore Optical Fiber |
US8692446B2 (en) | 2011-03-17 | 2014-04-08 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having nanoparticles and periodic structures |
DE102012200084B4 (de) * | 2012-01-04 | 2021-05-12 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierendes organisches bauteil |
CN104662689B (zh) | 2012-02-28 | 2017-06-27 | 3M创新有限公司 | 适于光学耦合层的包含表面改性高折射率纳米粒子的组合物 |
KR20130108027A (ko) | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판의 제조방법 |
JP2014024537A (ja) | 2012-06-19 | 2014-02-06 | 3M Innovative Properties Co | ナンバープレート用シート、ナンバープレート用積層体、ナンバープレートおよびナンバープレート用装飾部材 |
CN108878685A (zh) * | 2012-08-22 | 2018-11-23 | 3M创新有限公司 | 透明oled光提取 |
US8969856B2 (en) | 2012-08-29 | 2015-03-03 | General Electric Company | OLED devices with internal outcoupling |
US9871228B2 (en) | 2012-11-30 | 2018-01-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device comprising flexible substrate and method for preparing thereof |
TWI583773B (zh) | 2012-12-18 | 2017-05-21 | 財團法人工業技術研究院 | 有機發光二極體 |
US20140242343A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Lamination transfer films for forming embedded nanostructures |
US8921839B2 (en) | 2013-03-12 | 2014-12-30 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Light emitting device with spherical back mirror |
US10144842B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-12-04 | Pixelligent Technologies Llc | High refractive index nanocomposite layer |
US10033014B2 (en) * | 2013-03-15 | 2018-07-24 | Pixelligent Technologies Llc. | Advanced light extraction structure |
US10050236B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-08-14 | Pixelligent Technologies Llc | Advanced light extraction structure |
KR102074699B1 (ko) | 2013-09-23 | 2020-03-02 | 한국전자통신연구원 | 광 기능성 기판의 형성방법 및 이를 포함하는 유기발광 다이오드 |
US20160268553A1 (en) * | 2013-11-11 | 2016-09-15 | 3M Innovative Properties Company | Nanostructures for oled devices |
US20150144928A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | The Regents Of The University Of Michigan | BURIED GRID FOR OUTCOUPLING WAVEGUIDED LIGHT IN OLEDs |
CN103996797A (zh) * | 2014-06-11 | 2014-08-20 | 广州新视界光电科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
KR101479205B1 (ko) * | 2014-06-30 | 2015-01-05 | 경북대학교 산학협력단 | 나노섬유 및 마이크로섬유가 직교된 나노-마이크로 섬유 매트의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 나노-마이크로 섬유 매트 |
JP2016118584A (ja) | 2014-12-18 | 2016-06-30 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 再帰性反射シート及びライセンスプレート、並びにそれらの製造方法 |
JP2018506838A (ja) | 2015-01-06 | 2018-03-08 | コーニング インコーポレイテッド | 無電極有機ledおよびそれを用いたlcdシステム |
US10038167B2 (en) | 2015-01-08 | 2018-07-31 | The Regents Of The University Of Michigan | Thick-ETL OLEDs with sub-ITO grids with improved outcoupling |
KR102425836B1 (ko) | 2015-03-24 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2016205189A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-22 | 3M Innovative Properties Company | Micro-optical assemblies including transparent substrates having graphic layer and method of making thereof |
KR20180020221A (ko) | 2015-06-19 | 2018-02-27 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 세그먼트화된 및 비-세그먼트화된 전사 테이프, 그로부터의 물품 및 그의 제조 및 사용 방법 |
US10435590B2 (en) | 2015-06-19 | 2019-10-08 | 3M Innovative Properties Company | Segmented transfer tape and method of making and use thereof |
CN105511000B (zh) * | 2015-12-28 | 2019-02-15 | 昆山国显光电有限公司 | 光提取膜及其制备方法 |
EP3188260B1 (en) * | 2015-12-31 | 2020-02-12 | Dow Global Technologies Llc | Nanostructure material structures and methods |
WO2017205174A1 (en) | 2016-05-27 | 2017-11-30 | 3M Innovative Properties Company | Oled display with improved color uniformity |
KR20190026776A (ko) | 2016-07-12 | 2019-03-13 | 코닝 인코포레이티드 | 광 추출 나노 구조물을 포함하는 도파관 및 이를 포함하는 디스플레이 소자 |
CN106094076A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-11-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 增亮膜以及背光模组 |
TW201902682A (zh) | 2017-05-05 | 2019-01-16 | 美商3M新設資產公司 | 含有聚合膜之顯示裝置 |
CN110800123A (zh) * | 2017-06-26 | 2020-02-14 | 3M创新有限公司 | 结构化膜及其制品 |
WO2020102984A1 (en) | 2018-11-20 | 2020-05-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel structure, display apparatus, and method of fabricating pixel structure |
CN112055892B (zh) | 2018-11-28 | 2022-06-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、显示装置和制造像素结构的方法 |
CN110729413B (zh) * | 2019-09-25 | 2021-12-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
CN114047574A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-02-15 | 凯鑫森(上海)功能性薄膜产业股份有限公司 | 一种新工艺制作的显示增效膜开视角膜及制备方法 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5011642A (en) | 1987-06-05 | 1991-04-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making extruded article |
US5183597A (en) | 1989-02-10 | 1993-02-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of molding microstructure bearing composite plastic articles |
US5175030A (en) | 1989-02-10 | 1992-12-29 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Microstructure-bearing composite plastic articles and method of making |
US5396350A (en) * | 1993-11-05 | 1995-03-07 | Alliedsignal Inc. | Backlighting apparatus employing an array of microprisms |
KR19990007929A (ko) | 1995-04-26 | 1999-01-25 | 데이빗로스클리블랜드 | 다면 반복 노광 방법 및 장치 |
US6570710B1 (en) * | 1999-11-12 | 2003-05-27 | Reflexite Corporation | Subwavelength optical microstructure light collimating films |
KR100437886B1 (ko) | 2001-09-25 | 2004-06-30 | 한국과학기술원 | 고발광효율 광결정 유기발광소자 |
CN100345010C (zh) * | 2002-08-02 | 2007-10-24 | 日东电工株式会社 | 偏振薄膜的制造方法和由该方法制得的偏振薄膜以及光学薄膜 |
JP4822243B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2011-11-24 | 国立大学法人京都大学 | 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子 |
US7078735B2 (en) | 2003-03-27 | 2006-07-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light-emitting device and illuminator |
US7018713B2 (en) | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
US7211831B2 (en) | 2003-04-15 | 2007-05-01 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device with patterned surfaces |
US6831302B2 (en) | 2003-04-15 | 2004-12-14 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices with improved extraction efficiency |
US20040217702A1 (en) | 2003-05-02 | 2004-11-04 | Garner Sean M. | Light extraction designs for organic light emitting diodes |
GB2403023A (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-22 | Sharp Kk | Organic light emitting device |
KR100612076B1 (ko) | 2003-09-08 | 2006-08-11 | 주식회사 엘지화학 | 나노 크기의 반구형 오목부가 형성된 기판을 이용한고효율 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
US7165959B2 (en) | 2003-09-09 | 2007-01-23 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus and method for producing two-sided patterned webs in registration |
KR100563059B1 (ko) | 2003-11-28 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조에 사용되는레이저 열전사용 도너 필름 |
US20050173714A1 (en) | 2004-02-06 | 2005-08-11 | Ho-Shang Lee | Lighting system with high and improved extraction efficiency |
JP4406572B2 (ja) | 2004-03-03 | 2010-01-27 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光素子及びその表示装置 |
US7414263B2 (en) | 2004-03-16 | 2008-08-19 | Lg Chem, Ltd. | Highly efficient organic light-emitting device using substrate or electrode having nanosized half-spherical convex and method for preparing the same |
US7419912B2 (en) | 2004-04-01 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Laser patterning of light emitting devices |
JP2005338270A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 視野角制御シート |
KR100852110B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2008-08-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US7534633B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
US7442964B2 (en) | 2004-08-04 | 2008-10-28 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Photonic crystal light emitting device with multiple lattices |
US7509012B2 (en) | 2004-09-22 | 2009-03-24 | Luxtaltek Corporation | Light emitting diode structures |
KR100615257B1 (ko) | 2004-10-05 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP4511440B2 (ja) | 2004-10-05 | 2010-07-28 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法 |
KR20060030396A (ko) | 2004-10-05 | 2006-04-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2006156075A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び画像形成装置 |
JP4253302B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
US7504770B2 (en) | 2005-02-09 | 2009-03-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Enhancement of light extraction with cavity and surface modification |
US20060192225A1 (en) | 2005-02-28 | 2006-08-31 | Chua Janet B Y | Light emitting device having a layer of photonic crystals with embedded photoluminescent material and method for fabricating the device |
US7358543B2 (en) | 2005-05-27 | 2008-04-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting device having a layer of photonic crystals and a region of diffusing material and method for fabricating the device |
US10690847B2 (en) | 2005-06-15 | 2020-06-23 | Braggone Oy | Method of making a photonic crystal device and photonic crystal device |
KR100721454B1 (ko) | 2005-11-10 | 2007-05-23 | 서울옵토디바이스주식회사 | 광 결정 구조체를 갖는 교류용 발광소자 및 그것을제조하는 방법 |
CN101000949B (zh) | 2006-01-09 | 2010-05-12 | 北京交通大学 | 利用光子晶体多层膜提高有机电致发光器件色纯度的方法 |
JP2007207471A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 面発光体及び表示装置 |
US7687811B2 (en) | 2006-03-21 | 2010-03-30 | Lg Electronics Inc. | Vertical light emitting device having a photonic crystal structure |
JP2007258113A (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 発光装置 |
US20070241326A1 (en) | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
KR101252003B1 (ko) | 2006-04-18 | 2013-04-08 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100736623B1 (ko) | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
TWI317562B (en) | 2006-08-16 | 2009-11-21 | Ind Tech Res Inst | Light-emitting device |
WO2008069219A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Antireflective film and display device |
WO2008069223A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anti-reflection film and display device |
WO2009009695A1 (en) | 2007-07-10 | 2009-01-15 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Top-emission organic light-emitting devices with microlens arrays |
US20090015142A1 (en) | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
KR20090027448A (ko) | 2007-09-12 | 2009-03-17 | 현대자동차주식회사 | 차량용 대차 이송 시스템 |
US7617815B2 (en) | 2007-11-13 | 2009-11-17 | Albert Chin-Tang Wey | Fuel activator using multiple infrared wavelengths |
US8088325B2 (en) | 2007-11-19 | 2012-01-03 | 3M Innovative Properties Company | Articles and methods of making articles having a concavity or convexity |
US8172145B2 (en) | 2007-11-20 | 2012-05-08 | Datalogic ADC, Inc. | Enhanced virtual scan line processing |
JP5057076B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2012-10-24 | 大日本印刷株式会社 | 発光素子からの光取出し構造 |
JP2011530403A (ja) | 2008-08-07 | 2011-12-22 | ユニ−ピクセル・ディスプレイズ・インコーポレーテッド | 表面上における指紋の出現を低減する微細構造 |
GB2464111B (en) * | 2008-10-02 | 2011-06-15 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electroluminescent device |
US20100128351A1 (en) * | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 3M Innovative Properties Company | Curved sided cone structures for controlling gain and viewing angle in an optical film |
-
2010
- 2010-04-22 US US12/765,014 patent/US8538224B2/en active Active
-
2011
- 2011-04-12 CN CN201180019708.6A patent/CN102844904B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-12 KR KR1020127030045A patent/KR20130054273A/ko active IP Right Grant
- 2011-04-12 WO PCT/US2011/032009 patent/WO2011133354A2/en active Application Filing
- 2011-04-12 SG SG2012076212A patent/SG184856A1/en unknown
- 2011-04-12 JP JP2013506173A patent/JP5715239B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-12 EP EP11772442.7A patent/EP2561561A4/en not_active Withdrawn
- 2011-04-21 TW TW100113946A patent/TWI568045B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110262093A1 (en) | 2011-10-27 |
KR20130054273A (ko) | 2013-05-24 |
JP2013525978A (ja) | 2013-06-20 |
CN102844904A (zh) | 2012-12-26 |
TW201203650A (en) | 2012-01-16 |
US8538224B2 (en) | 2013-09-17 |
SG184856A1 (en) | 2012-11-29 |
EP2561561A2 (en) | 2013-02-27 |
WO2011133354A2 (en) | 2011-10-27 |
WO2011133354A3 (en) | 2011-12-22 |
TWI568045B (zh) | 2017-01-21 |
EP2561561A4 (en) | 2017-04-05 |
CN102844904B (zh) | 2016-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5715239B2 (ja) | 内部ナノ構造及び外部マイクロ構造を有するoled光抽出フィルム | |
JP5960682B2 (ja) | ガラス基材上に積層されたoled光抽出フィルム | |
JP6290888B2 (ja) | 透明oled光抽出器 | |
TWI596813B (zh) | 發光裝置、主動式矩陣有機發光二極體裝置及影像顯示裝置 | |
JP6169982B2 (ja) | ナノ粒子及び周期構造を有するoled光取り出しフィルム | |
TWI565114B (zh) | Organic light emitting diode, manufacturing method of organic light emitting diode, image display device and lighting device | |
TWI484210B (zh) | 具有高折射率回填層及保護層之光擷取膜 | |
JP6100783B2 (ja) | ナノ構造の多周期領域を有するoled光抽出フィルム | |
TWI292678B (en) | Top-emittierendes, elektrolumineszierendes bauelement mit zumindest einer organischen schicht | |
TWI471059B (zh) | Organic EL device | |
US9293659B2 (en) | Method for fabricating microstructure to generate surface plasmon waves | |
Lee et al. | Enhanced light extraction from organic light-emitting diodes using a quasi-periodic nano-structure | |
KR101471089B1 (ko) | 다층의 광결정층을 갖는 발광소자 및 그 제조방법 | |
Bae et al. | Fabrication of Scattering Layer for Light Extraction Efficiency of OLEDs | |
KR20170131271A (ko) | 고굴절 파티클을 포함하는 광 추출용 시트 및 이의 제조방법, 이를 포함하는 유기발광소자 | |
Ki et al. | Micro lens design for efficiency improvement of red organic light-emitting diode | |
Kim et al. | Enhanced light out-coupling from surface plasmonic loss minimized transparent organic light-emitting diodes | |
한경훈 | Enhancement of Light Extraction Efficiency of Organic Light Emitting Diodes using Spin-on Glass based Randomly Dispersed Nano-pillar Arrays |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140325 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5715239 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |