JP5703103B2 - 半導体装置及びdc−dcコンバータ - Google Patents
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る半導体装置を例示する模式的回路図であり、
図2は、本実施形態における半導体装置の一部を例示する斜視図であり、
図3は、本実施形態に係る保護素子を例示する模式的断面図である。
図4(a)〜(c)は、本実施形態に係る保護素子の動作を例示する図であり、(a)はハイサイドトランジスタがオン状態である場合を示し、(b)はハイサイドトランジスタがオン状態からオフ状態に移行した場合を示し、(c)はESDが印加された場合を示す。
なお、図4(a)〜(c)においては、ハイサイドトランジスタ104をスイッチとして示している。
図4(c)を参照して説明したように、本実施形態によれば、半導体装置100にESD等によるサージ電流が印加された場合には、保護素子1が雪崩降伏し、ハイサイドトランジスタ104及びロウサイドトランジスタ105を保護することができる。このようにして、非定常的且つ頻度の低いストレスに対して、被保護回路を保護することができる。
図5は、本実施形態に係る半導体装置を例示する模式的回路図である。
図5に示すように、本実施形態においては、半導体装置200に、被保護回路201及び保護素子1が設けられている。保護素子1の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。被保護回路201においては、高電位側電源電位と低電位側電源電位との間に、nチャネル形MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)202、pチャネル形MOSFET203、スイッチング素子204が相互に並列に接続されている。
先ず、本実施形態の実施例のシミュレーション結果を示す。
図6は、横軸に時間をとり、縦軸に被保護回路の電源配線間の電圧及びpチャネル形MOSFET(以下、「pMOS」という)及びnチャネル形MOSFET(以下、「nMOS」という)に流れる電流をとって、シミュレーション結果を例示するグラフ図であり、
図7は、横軸に時間をとり、縦軸に保護素子の各電極を流れる電流をとって、保護素子の挙動のシミュレーション結果を例示するグラフ図である。
このとき、図7に示すように、保護素子1のアノード電極136には、最大で約0.25Aの電流が流れた。そして、そのうち約0.20Aの電流は電流I2としてカソード電極137に流れ、残りの約0.05Aの電流は電流I3としてサブ電極138に流れた。
これにより、図6に示すように、被保護回路201のnMOS202及びpMOS203に流れる電流の大きさはほとんど変化しなかった。従って、nMOS202及びpMOS203を保護することができた。
図8は、本比較例の半導体装置を例示する模式的回路図であり、
図9は、横軸に時間をとり、縦軸に被保護回路の電源配線間の電圧及びpMOS及びnMOSに流れる電流をとって、シミュレーション結果を例示するグラフ図である。
図10は、本比較例の半導体装置を例示する模式的回路図である。
図10に示すように、本比較例の半導体装置220においては、第2の実施形態の半導体装置200(図5参照)と比較して、保護素子1(図5参照)の替わりに保護素子251が設けられている。保護素子251においては、保護素子1と同様に、p形ウェル131に低電位側電源電位が印加され、n形領域132に高電位側電源電位が印加されるが、保護素子1とは異なり、p形領域133には高電位側電源電位ではなく低電位側電源電位が印加される。また、保護素子251の耐圧は、被保護回路201中の各素子の耐圧よりも低く設定されている。
図11は、本実施形態に係る保護素子を例示する模式的断面図である。
図11に示すように、本実施形態に係る保護素子3は、pMOS構造を利用して形成されている。すなわち、n形領域132としてpMOSのバックゲート領域311を用い、カソード電極137としてpMOSのバックゲート電極312を用いている。また、p形領域133としてpMOSのソース領域313及びドレイン領域314の一方又は両方を用いており、アノード電極136としてpMOSのソース電極315及びドレイン電極316の一方又は両方を用いている。なお、ソース領域313とドレイン領域314との間の領域の直上域には、ゲート電極301が設けられており、シリコン基板126とゲート電極301との間には、ゲート絶縁膜302が設けられている。但し、保護素子3はpMOSとしては機能せず、pMOSのゲート電極301及びゲート絶縁膜302は、保護素子3の構成部材として積極的には用いていない。例えば、集積回路チップ121における保護素子3から離隔した領域にpMOS(図示せず)が設けられており、保護素子3はこのpMOSと同じパターン及び同じ工程で形成されたものである。
図12は、本実施形態に係る保護素子を例示する模式的断面図である。
図12に示すように、本実施形態に係る保護素子4は、nMOS構造を利用して形成されている。このnMOS構造においては、p形ウェル131の上層部分の一部にn形ウェル310が形成されており、n形ウェル310の上層部分の一部にp形のバックゲート領域311が形成されており、バックゲート領域311の上層部分の一部にn形のソース領域313及びドレイン領域314が形成されている。ソース領域313とドレイン領域314の間の領域の直上域には、ゲート電極301が設けられており、シリコン基板126とゲート電極301との間には、ゲート絶縁膜302が設けられている。
図13は、本実施形態に係る保護素子を例示する模式的断面図である。
図13に示すように、本実施形態に係る保護素子5は、pnpトランジスタ構造を利用して形成されている。すなわち、n形領域132としてpnpトランジスタのベース領域321を用い、カソード電極137としてpnpトランジスタのベース電極322を用いている。また、p形領域133としてpnpトランジスタのコレクタ拡散層323及びエミッタ拡散層324の一方又は両方を用い、アノード電極136としてpnpトランジスタのコレクタ電極325及びエミッタ電極326の一方又は両方を用いている。なお、保護素子5はpnpトランジスタとしては機能しない。例えば、集積回路チップ121における保護素子5から離隔した領域にpnpトランジスタ(図示せず)が設けられており、保護素子5はこのpnpトランジスタと同じパターン及び同じ工程で形成されたものである。
図14は、本実施形態に係る保護素子を例示する模式的断面図である。
図14に示すように、本実施形態に係る保護素子6は、npnトランジスタ構造を利用して形成されている。すなわち、n形領域132としてnpnトランジスタのコレクタ拡散層323を用い、カソード電極137としてnpnトランジスタのコレクタ電極325を用いている。また、p形領域133としてnpnトランジスタのベース領域321を用い、アノード電極136としてnpnトランジスタのベース電極322を用いている。なお、ベース領域321の上層部分の一部にはエミッタ拡散層324が設けられており、エミッタ拡散層324にはエミッタ電極326が接続されている。保護素子6はnpnトランジスタとしては機能せず、エミッタ拡散層324及びエミッタ電極326は保護素子6の構成部材として積極的には用いていない。例えば、集積回路チップ121における保護素子6から離隔した領域にnpnトランジスタ(図示せず)が設けられており、保護素子6はこのnpnトランジスタと同じパターン及び同じ工程で形成されたものである。
図15は、本実施形態に係る保護素子を例示する模式的断面図である。
図15に示すように、本実施形態に係る保護素子7は、前述の第3の実施形態に係る保護素子3(図11参照)と比較して、アノード電極136としてpMOSのソース電極315及びドレイン電極316の一方のみを用いており、サブ電極138としてソース電極315及びドレイン電極316の他方を用いる点が異なっている。図15に示す例では、アノード電極136としてドレイン電極316を用い、サブ電極318としてソース電極315を用いている。なお、アノード電極136としてソース電極315を用い、サブ電極318としてドレイン電極316を用いてもよい。本実施形態においては、p形ウェル131は保護素子7の構成要素として積極的には使用していない。
図16は、本実施形態に係る保護素子を例示する模式的断面図である。
図16に示すように、本実施形態に係る保護素子8は、前述の第5の実施形態に係る保護素子5(図13参照)と比較して、アノード電極136としてpnpトランジスタのコレクタ電極325及びエミッタ電極326の一方のみを用いており、サブ電極138としてコレクタ電極325及びエミッタ電極326の他方を用いる点が異なっている。図16に示す例では、アノード電極136としてエミッタ電極326を用い、サブ電極318としてコレクタ電極325を用いている。なお、アノード電極136としてコレクタ電極325を用い、サブ電極318としてエミッタ電極326を用いてもよい。本実施形態においては、p形ウェル131は保護素子8の構成要素として積極的には使用していない。
Claims (7)
- 高電位側電源電位に接続するための第1の配線と、
一端が前記高電位側電源電位に接続される、前記第1の配線とは別の第2の配線と、
前記第1の配線に一端が接続され、他端が出力端子に接続されるスイッチングトランジスタと、
前記高電位側電源電位と低電位側電源電位との間で前記スイッチングトランジスタと並列に接続される保護素子とを備え、
前記保護素子は、
前記第1の配線に接続される、第1のp形半導体領域と、
前記第2の配線の他端に接続される、前記第1のp形半導体領域に接したn形半導体領域と、
前記n形半導体領域に接し、前記第1のp形半導体領域から離隔し、前記低電位側電源電位に接続するための配線に接続される第2のp形半導体領域と、
を有したことを特徴とする半導体装置。 - 高電位側電源電位と低電位側電源電位との間で、スイッチングトランジスタを含む被保護回路と並列に接続された保護素子を備えた半導体装置であって、
半導体基板に形成された第1のp形領域と、
前記半導体基板に形成され、前記第1のp形領域に接したn形領域と、
前記半導体基板に形成され、前記n形領域に接し、前記第1のp形領域から離隔し、前記低電位側電源電位が印加される第2のp形領域と、
前記第1のp形領域に接続され、前記高電位側電源電位が印加され、前記スイッチングトランジスタに供給する電流が流れる第1の配線と、
前記n形領域に接続され、前記高電位側電源電位が印加され、前記スイッチングトランジスタに供給する電流が流れない第2の配線と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の配線及び前記第2の配線は、それぞれ別のボンディングワイヤを介して共通のリードピンに接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1のp形領域は前記n形領域に囲まれており、
前記n形領域は前記第2のp形領域に囲まれていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記第1及び第2のp形領域は、前記n形領域に囲まれていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板に形成され、前記n形領域を囲む第3のp形領域をさらに備えたことを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 高電位側電源電位に接続される第1の配線と、
一端が前記高電位側電源電位に接続される、前記第1の配線とは別の第2の配線と、
前記第1の配線を介した高電位側電源電位と低電位側電源電位との間に接続され、出力端に前記高電位側電源電位と前記低電位側電源電位とを選択的に接続するスイッチング回路と、
前記スイッチング回路の出力端に一端が接続されるインダクタと、
前記インダクタの他端と前記低電位側電源電位との間に接続されるキャパシタと、
前記高電位側電源電位と前記低電位側電源電位との間で前記スイッチング回路と並列に接続される保護素子とを備え、
前記保護素子は、
前記第1の配線に接続される、第1のp形半導体領域と、
前記第2の配線の他端に接続される、前記第1のp形半導体領域に接したn形半導体領域と、
前記n形半導体領域に接し、前記第1のp形半導体領域から離隔し、前記低電位側電源電位に接続される第2のp形半導体領域と、
を有し、
前記第1の配線及び第2の配線は、それぞれ別のワイヤを介して前記高電位側電源電位に接続されることを特徴とするDC−DCコンバータ。
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