JP5690933B2 - 論理集積回路に適合するmramデバイスおよび集積技法 - Google Patents
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Description
101 トランジスタ
102 ビット線
103 ワード線
104 ソース線
106 読取り/書込み回路
107 ビット線基準
108 センス増幅器
120 フリー層
122 絶縁トンネルバリア層
124 ピン止め層
Claims (43)
- 論理素子とともに共通の金属層間誘電体(IMD)層に配置されるように構成される、磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子であって、前記共通のIMD層の下面および上面は平坦である、磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子と、
前記MTJ記憶素子の上に設けられる上部電極と、
前記共通のIMD層の中の前記論理素子の金属配線よりも薄い、前記上部電極を介して前記MTJ記憶素子に電気的に接続される前記共通のIMD層の中の薄型化された金属配線と
を含み、前記薄型化された金属配線が、前記MTJ記憶素子から離隔され、かつ水平方向にずらされた金属の島の形状に形成される、半導体デバイス。 - 前記共通のIMD層から上部のIMD層を分離する、上部キャップ層と、
前記共通のIMD層から下部のIMD層を分離する、下部キャップ層と、
前記MTJ記憶素子に電気的に接続される、下部電極および上部電極と、
前記下部電極に電気的に接続される、前記下部のIMD層の中の第1の金属配線と、
前記上部電極に電気的に接続される、前記共通のIMD層の中の第2の金属配線と
をさらに含み、前記第2の金属配線が、前記薄型化された金属配線である、請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記下部電極が、前記共通のIMD層の中に形成され、第1のビアを通じて前記第1の金属配線に電気的に接続され、
前記第2の金属配線が、前記上部のIMD層の中の第3の金属配線と電気的に接続される、請求項2に記載の半導体デバイス。 - 前記第2の金属配線が、前記共通のIMD層の中の第2のビアと、前記第3の金属配線に延びる前記上部のIMD層の中の第3のビアとによって、前記第3の金属配線に電気的に接続される、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記第2の金属配線が、第3のキャップ層によって実質的に囲まれる、請求項3に記載の半導体デバイス。
- 前記下部電極が、直接の接触によって前記第1の金属配線に電気的に接続されるように、前記下部電極の一部が、前記下部キャップ層の中に形成される、請求項2に記載の半導体デバイス。
- 前記第2の金属配線が、前記上部電極によって前記MTJ記憶素子から離隔される金属の島を形成し、前記第2の金属配線が、前記上部のIMD層の中の第3の金属配線に電気的に接続される、請求項6に記載の半導体デバイス。
- 前記MTJ記憶素子の側壁に形成される側壁キャップ層をさらに含む、請求項2に記載の半導体デバイス。
- 前記上部キャップ層または前記下部キャップ層の少なくとも1つが、2つのキャップ層を含む、請求項2に記載の半導体デバイス。
- 前記第1の金属配線の方向に対する前記MTJ記憶素子の方向が、実質的に平行または実質的に垂直のうちの1つから選択される、請求項2に記載の半導体デバイス。
- 前記半導体デバイスが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項1に記載の半導体デバイス。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置のデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 論理素子とともに共通の金属層間誘電体(IMD)層に磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子を形成するステップであって、前記共通のIMD層の下面および上面は平坦である、ステップと、
前記MTJ記憶素子の上に上部電極を形成するステップと、
前記共通のIMD層の中の前記論理素子の金属配線よりも薄い、前記上部電極を介して前記MTJ記憶素子に電気的に接続される前記共通のIMD層の中の薄型化された金属配線を形成するステップと
を含み、前記薄型化された金属配線が、前記MTJ記憶素子から離隔され、かつ水平方向にずらされた金属の島の形状に形成される、半導体デバイスを形成する方法。 - 前記共通のIMD層から上部のIMD層を分離する、上部キャップ層を形成するステップと、
前記共通のIMD層から下部のIMD層を分離する、下部キャップ層を形成するステップと、
下部電極および上部電極を、前記MTJ記憶素子に電気的に接続するステップと、
前記下部のIMD層の中の第1の金属配線を、前記下部電極に電気的に接続するステップと、
前記共通のIMD層の中の第2の金属配線を、前記上部電極に電気的に接続するステップと
をさらに含み、前記第2の金属配線が、前記薄型化された金属配線である、請求項13に記載の方法。 - 前記下部電極を前記共通のIMD層の中に形成し、第1のビアを通じて前記下部電極を前記第1の金属配線に電気的に接続するステップと、
前記第2の金属配線を、前記上部のIMD層の中の第3の金属配線に電気的に接続するステップと
をさらに含む、請求項14に記載の方法。 - 前記第2の金属配線が、前記共通のIMD層の中の第2のビアと、前記第3の金属配線に延びる前記上部のIMD層の中の第3のビアとによって、前記第3の金属配線に電気的に接続される、請求項15に記載の方法。
- 前記下部電極が、直接の接触によって前記第1の金属配線に電気的に接続されるように、前記下部電極の一部を、前記下部キャップ層の中に形成するステップ
をさらに含む、請求項14に記載の方法。 - 前記第2の金属配線を、前記MTJ記憶素子から離隔される金属の島として形成するステップと、
前記第2の金属配線を、前記上部のIMD層の中の第3の金属配線に電気的に接続するステップと
をさらに含む、請求項17に記載の方法。 - 前記MTJ記憶素子の側壁に、側壁キャップ層を形成するステップ
をさらに含む、請求項14に記載の方法。 - 前記半導体デバイスが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項13に記載の方法。
- 前記半導体デバイスが、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置のデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項13に記載の方法。
- 論理回路手段とともに共通の金属層間誘電体(IMD)層に形成される、磁気トンネル接合(MTJ)記憶手段であって、前記共通のIMD層の下面および上面は平坦である、手段と、
前記MTJ記憶手段の上に設けられる上部電極と、
前記共通のIMD層の中の前記論理回路手段の導通手段よりも薄い、前記上部電極を介して前記MTJ記憶手段に電気的に接続される前記共通のIMD層の中の薄型化された導通のための手段と
を含み、前記薄型化された導通のための手段が、前記MTJ記憶手段から離隔され、かつ水平方向にずらされた島の形状に形成される、半導体デバイス。 - 前記共通のIMD層から上部の誘電体手段を分離するための、上部キャップ手段と、
前記共通のIMD層から下部の誘電体手段を分離するための、下部キャップ手段と、
前記MTJ記憶手段に電気的に接続される、下部電極手段および上部電極手段と、
前記下部電極手段に電気的に接続される、前記下部の誘電体手段の中の第1の導通のための手段と、
前記上部電極手段に電気的に接続される、前記共通のIMD層の中の第2の導通のための手段と
をさらに含み、前記第2の導通のための手段が、前記薄型化された手段である、請求項22に記載の半導体デバイス。 - 前記下部電極手段が、前記共通のIMD層の中に形成され、第1の相互接続手段を通じて前記第1の導通のための手段に電気的に接続され、
前記第2の導通のための手段が、上部のIMD層の中の第3の導通のための手段と電気的に接続される、請求項23に記載の半導体デバイス。 - 前記第2の導通のための手段が、前記共通のIMD層の中の第2のビアと、前記第3の導通のための手段に延びる前記上部のIMD層の中の第3のビアとによって、前記第3の導通のための手段に電気的に接続される、請求項24に記載の半導体デバイス。
- 前記下部電極手段が、直接の接触によって前記第1の導通のための手段に電気的に接続されるように、前記下部電極手段の一部が、前記下部キャップ手段の中に形成される、請求項23に記載の半導体デバイス。
- 前記第2の導通のための手段が、前記MTJ記憶手段から離隔された島として形成され、前記第2の導通のための手段が、前記上部の誘電体手段の中の第3の導通のための手段に電気的に接続される、請求項26に記載の半導体デバイス。
- 前記MTJ記憶手段の側壁を絶縁するための側壁キャップ手段をさらに含む、請求項23に記載の半導体デバイス。
- 前記半導体デバイスが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項22に記載の半導体デバイス。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置のデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項22に記載の半導体デバイス。
- 論理素子とともに共通の金属層間誘電体(IMD)層に磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子を形成するためのステップであって、前記共通のIMD層の下面および上面は平坦である、ステップと、
前記MTJ記憶素子の上に上部電極を形成するためのステップと、
前記共通のIMD層の中の前記論理素子の金属配線よりも薄い、前記上部電極を介して前記MTJ記憶素子に電気的に接続される前記共通のIMD層の中の薄型化された金属配線を形成するためのステップと
を含み、前記薄型化された金属配線が、前記MTJ記憶素子から離隔され、かつ水平方向にずらされた金属の島の形状に形成される、半導体デバイスを形成する方法。 - 前記共通のIMD層から上部のIMD層を分離する、上部キャップ層を形成するためのステップと、
前記共通のIMD層から下部のIMD層を分離する、下部キャップ層を形成するためのステップと、
下部電極および上部電極を、前記MTJ記憶素子に電気的に接続するためのステップと、
前記下部のIMD層の中の第1の金属配線を、前記下部電極に電気的に接続するためのステップと、
前記共通のIMD層の中の第2の金属配線を、前記上部電極に電気的に接続するためのステップと
をさらに含み、前記第2の金属配線が、前記薄型化された金属配線である、請求項31に記載の方法。 - 前記下部電極を前記共通のIMD層の中に形成し、第1のビアを通じて前記下部電極を前記第1の金属配線に電気的に接続するためのステップと、
前記第2の金属配線を、前記上部のIMD層の中の第3の金属配線に電気的に接続するためのステップと
をさらに含む、請求項32に記載の方法。 - 前記第2の金属配線が、前記共通のIMD層の中の第2のビアと、前記第3の金属配線に延びる前記上部のIMD層の中の第3のビアとによって、前記第3の金属配線に電気的に接続される、請求項33に記載の方法。
- 前記下部電極が、直接の接触によって前記第1の金属配線に電気的に接続されるように、前記下部電極の一部を、前記下部キャップ層の中に形成するためのステップ
をさらに含む、請求項32に記載の方法。 - 前記第2の金属配線を、前記MTJ記憶素子から離隔される金属の島として形成するためのステップと、
前記第2の金属配線を、前記上部のIMD層の中の第3の金属配線に電気的に接続するためのステップと
をさらに含む、請求項35に記載の方法。 - 前記MTJ記憶素子の側壁に、側壁キャップ層を形成するためのステップ
をさらに含む、請求項32に記載の方法。 - 前記半導体デバイスが、少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項31に記載の方法。
- 前記半導体デバイスが、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置のデータユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項31に記載の方法。
- 論理素子とともに共通の金属層間誘電体(IMD)層に配置される、磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子を含む、半導体デバイスを形成する方法であって、前記共通のIMD層の下面および上面は平坦であり、
前記共通のIMD層の中の下部電極にMTJ記憶素子を堆積するステップと、
前記MTJ記憶素子をパターニングするステップと、
前記MTJ記憶素子の側壁に側壁キャップ層を堆積するステップと、
前記MTJ記憶素子に上部電極を堆積するステップと、
前記上部電極および前記下部電極をパターニングするステップと、
前記共通のIMD層の一部を堆積するステップと、
前記上部電極に第2の金属配線を堆積するステップと、
その表面積が前記上部電極よりも小さく、前記MTJ記憶素子から離隔され、かつ水平方向にずらされた金属の島を形成するように、前記第2の金属配線をパターニングするステップであって、前記第2の金属配線は前記共通のIMD層の中の前記論理素子の金属配線と比較して薄型化されている、ステップと、
前記共通のIMD層の別の一部を堆積するステップと、
前記共通のIMD層に第2のキャップ層を堆積して、上部のIMD層から前記共通のIMD層を分離するステップと、
前記上部のIMD層の中に第3の金属配線を形成するステップであって、前記第3の金属配線が前記第2の金属配線に電気的に接続される、ステップと
を含む、方法。 - 前記上部電極に第3のキャップ層を堆積するステップをさらに含み、前記第3のキャップ層が、前記第2の金属配線を実質的に囲むように構成される、請求項40に記載の方法。
- 論理素子とともに共通の金属層間誘電体(IMD)層に配置される、磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子を含む、半導体デバイスを形成する方法であって、前記共通のIMD層の下面および上面は平坦であり、
第1の部分および第2の部分を含む第1のキャップ層を形成するステップと、
下部電極のための開口を形成するように前記第2の部分をパターニングするステップと、
前記下部電極が前記第1の部分の中の第1の金属配線と接触するように、前記下部電極を堆積するステップと、
前記下部電極にMTJ記憶素子を堆積するステップと、
前記MTJ記憶素子の側壁に側壁キャップ層を堆積するステップと、
前記MTJ記憶素子に上部電極を堆積するステップと、
前記上部電極に第2の金属配線を堆積するステップであって、前記第2の金属配線が、前記共通のIMD層の中の前記論理素子の金属配線と比較して薄型化されている、ステップと、
その表面積が前記上部電極よりも小さく、前記MTJ記憶素子から離隔され、かつ水平方向にずらされた金属の島を形成するように、前記第2の金属配線をパターニングするステップと、
前記共通のIMD層の少なくとも一部を堆積するステップと、
前記共通のIMD層に第2のキャップ層を堆積して、上部のIMD層から前記共通のIMD層を分離するステップと
を含む、方法。 - 前記上部のIMD層の中に第3の金属配線を形成するステップであって、前記第3の金属配線が前記第2の金属配線に電気的に接続される、ステップ
をさらに含む、請求項42に記載の方法。
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US9385305B2 (en) * | 2013-02-19 | 2016-07-05 | Qualcomm Incorporated | STT-MRAM design enhanced by switching current induced magnetic field |
KR102131746B1 (ko) | 2013-09-27 | 2020-07-08 | 인텔 코포레이션 | Stt-mram 사이즈와 쓰기 오류율을 최적화하기 위한 장치 및 방법 |
CN105659386B (zh) * | 2013-10-31 | 2018-07-24 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 自旋控制机构及自旋裝置 |
US9478273B2 (en) | 2013-10-31 | 2016-10-25 | Intel Corporation | Low resistance bitline and sourceline apparatus for improving read and write operations of a nonvolatile memory |
KR102084726B1 (ko) | 2013-11-05 | 2020-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
US9406875B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-08-02 | Qualcomm Incorporated | MRAM integration techniques for technology scaling |
US9548333B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-01-17 | Qualcomm Incorporated | MRAM integration with low-K inter-metal dielectric for reduced parasitic capacitance |
KR102245834B1 (ko) | 2014-09-26 | 2021-04-30 | 삼성전자주식회사 | 자기기억 장치 |
US9818935B2 (en) | 2015-06-25 | 2017-11-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Techniques for MRAM MTJ top electrode connection |
US10109674B2 (en) | 2015-08-10 | 2018-10-23 | Qualcomm Incorporated | Semiconductor metallization structure |
KR102358565B1 (ko) | 2015-09-09 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 소자를 포함하는 반도체 소자 |
US10269401B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic memory devices |
US9905751B2 (en) * | 2015-10-20 | 2018-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Magnetic tunnel junction with reduced damage |
US9929087B2 (en) * | 2015-11-16 | 2018-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Enhancing integrated circuit density with active atomic reservoir |
CN108140724B (zh) * | 2015-11-23 | 2023-08-04 | 英特尔公司 | 用于磁阻式随机存储器器件的电接触部 |
KR102463023B1 (ko) * | 2016-02-25 | 2022-11-03 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
US10032828B2 (en) * | 2016-07-01 | 2018-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor memory device and method for fabricating the same |
US9893278B1 (en) | 2016-08-08 | 2018-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Embedded memory device between noncontigous interconnect metal layers |
US10103196B2 (en) | 2016-08-30 | 2018-10-16 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming magnetic memory cells, and methods of forming arrays of magnetic memory cells |
CN108010547B (zh) | 2016-10-31 | 2021-03-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 磁性随机存储器及其制造方法 |
KR102651851B1 (ko) | 2016-12-06 | 2024-04-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
CN109983594B (zh) * | 2016-12-27 | 2023-06-20 | 英特尔公司 | 具有多种类型的嵌入式非易失性存储器器件的单片集成电路 |
US9917137B1 (en) | 2017-01-11 | 2018-03-13 | International Business Machines Corporation | Integrated magnetic tunnel junction (MTJ) in back end of line (BEOL) interconnects |
KR102621752B1 (ko) * | 2017-01-13 | 2024-01-05 | 삼성전자주식회사 | Mram을 포함한 씨모스 이미지 센서 |
US10347825B2 (en) | 2017-02-17 | 2019-07-09 | International Business Machines Corporation | Selective deposition and nitridization of bottom electrode metal for MRAM applications |
CN108666339B (zh) * | 2017-03-28 | 2020-11-13 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 磁性随机存储器及其存储单元的制造方法 |
US10510802B2 (en) * | 2017-04-13 | 2019-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US10163494B1 (en) * | 2017-05-31 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory device and fabrication method thereof |
KR102524612B1 (ko) | 2017-09-19 | 2023-04-24 | 삼성전자주식회사 | 정보 저장 소자 및 그 제조방법 |
US10243020B1 (en) | 2017-10-31 | 2019-03-26 | International Business Machines Corporation | Structures and methods for embedded magnetic random access memory (MRAM) fabrication |
WO2019094545A1 (en) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | Everspin Technologies, Inc. | Integrated circuit with magnetoresistive devices and fabrication methods therefor |
US10644231B2 (en) * | 2017-11-30 | 2020-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Memory device and fabrication method thereof |
US10741748B2 (en) | 2018-06-25 | 2020-08-11 | International Business Machines Corporation | Back end of line metallization structures |
US11088201B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Magnetic tunneling junction (MTJ) element with an amorphous buffer layer and its fabrication process |
US10734572B2 (en) * | 2018-07-18 | 2020-08-04 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Device with capping layer for improved residue defect and method of production thereof |
US10833010B2 (en) * | 2018-10-31 | 2020-11-10 | International Business Machines Corporation | Integration of artificial intelligence devices |
CN111384234B (zh) | 2018-12-27 | 2023-07-04 | 联华电子股份有限公司 | 磁阻式随机存取存储器的布局图案 |
US10892403B2 (en) | 2019-01-29 | 2021-01-12 | International Business Machines Corporation | Structured bottom electrode for MTJ containing devices |
US11164779B2 (en) | 2019-04-12 | 2021-11-02 | International Business Machines Corporation | Bamboo tall via interconnect structures |
US10833257B1 (en) | 2019-05-02 | 2020-11-10 | International Business Machines Corporation | Formation of embedded magnetic random-access memory devices with multi-level bottom electrode via contacts |
US11227892B2 (en) * | 2019-06-18 | 2022-01-18 | International Business Machines Corporation | MRAM integration with BEOL interconnect including top via |
US11515205B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-11-29 | Globalfoundries U.S. Inc. | Conductive structures for contacting a top electrode of an embedded memory device and methods of making such contact structures on an IC product |
CN112447219B (zh) | 2019-09-02 | 2024-07-23 | 联华电子股份有限公司 | 存储器布局结构 |
US11195993B2 (en) * | 2019-09-16 | 2021-12-07 | International Business Machines Corporation | Encapsulation topography-assisted self-aligned MRAM top contact |
US11121173B2 (en) | 2019-10-24 | 2021-09-14 | International Business Machines Corporation | Preserving underlying dielectric layer during MRAM device formation |
US11024670B1 (en) | 2019-11-26 | 2021-06-01 | International Business Machines Corporation | Forming an MRAM device over a transistor |
US11437432B2 (en) | 2020-02-18 | 2022-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Embedded device and method of manufacturing the same |
US11437568B2 (en) | 2020-03-31 | 2022-09-06 | Globalfoundries U.S. Inc. | Memory device and methods of making such a memory device |
US11785860B2 (en) | 2020-04-13 | 2023-10-10 | Globalfoundries U.S. Inc. | Top electrode for a memory device and methods of making such a memory device |
US11569437B2 (en) | 2020-04-22 | 2023-01-31 | Globalfoundries U.S. Inc. | Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device |
US11569295B2 (en) | 2020-06-11 | 2023-01-31 | United Microelectronics Corp. | Magnetoresistive random access memory |
US11522131B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-12-06 | Globalfoundries Singapore Pte Ltd | Resistive memory device and methods of making such a resistive memory device |
US11744085B2 (en) | 2020-09-10 | 2023-08-29 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices with logic and memory regions insulation layers |
CN114447023A (zh) | 2020-11-02 | 2022-05-06 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
US12058942B2 (en) * | 2021-10-28 | 2024-08-06 | International Business Machines Corporation | MRAM cell embedded in a metal layer |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368197A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロック |
US6635496B2 (en) | 2001-10-12 | 2003-10-21 | Infineon Technologies, Ag | Plate-through hard mask for MRAM devices |
US6680500B1 (en) | 2002-07-31 | 2004-01-20 | Infineon Technologies Ag | Insulating cap layer and conductive cap layer for semiconductor devices with magnetic material layers |
US6660568B1 (en) | 2002-11-07 | 2003-12-09 | International Business Machines Corporation | BiLevel metallization for embedded back end of the line structures |
US6784091B1 (en) * | 2003-06-05 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Maskless array protection process flow for forming interconnect vias in magnetic random access memory devices |
US7211446B2 (en) | 2004-06-11 | 2007-05-01 | International Business Machines Corporation | Method of patterning a magnetic tunnel junction stack for a magneto-resistive random access memory |
JP2007165505A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009081390A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Nec Corp | 磁壁移動型mram及びその製造方法 |
US7936596B2 (en) | 2008-02-01 | 2011-05-03 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction cell including multiple magnetic domains |
US7579197B1 (en) | 2008-03-04 | 2009-08-25 | Qualcomm Incorporated | Method of forming a magnetic tunnel junction structure |
US7885105B2 (en) * | 2008-03-25 | 2011-02-08 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction cell including multiple vertical magnetic domains |
US8564079B2 (en) * | 2008-04-21 | 2013-10-22 | Qualcomm Incorporated | STT MRAM magnetic tunnel junction architecture and integration |
JP2009290073A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8674465B2 (en) | 2010-08-05 | 2014-03-18 | Qualcomm Incorporated | MRAM device and integration techniques compatible with logic integration |
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