JP5672524B2 - 半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法 - Google Patents
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Description
(1) 第1キャリア金属箔と第2キャリア金属箔とベース金属箔とをこの順に積層し、前記第1キャリア金属箔と第2キャリア金属箔との間及び前記第2キャリア金属箔とベース金属箔との間のそれぞれに剥離層を設けた多層金属箔を準備し、この多層金属箔のベース金属箔側と基材とを積層してコア基板を形成する工程と、前記多層金属箔の第1キャリア金属箔と第2キャリア金属箔との界面で、第1キャリア金属層を物理的に剥離する工程と、前記コア基板に残った第2キャリア金属箔上にパターンめっきを行う工程と、前記パターンめっきを含む第2キャリア金属箔上に絶縁層を積層して積層体を形成する工程と、前記多層金属箔の第2キャリア金属箔とベース金属箔との界面で、前記積層体を第2キャリア金属箔とともにコア基板から物理的に剥離して分離する工程と、前記分離した積層体の第2キャリア金属箔を除去して、前記パターンめっきを前記絶縁層の表面に露出させる工程と、を有する半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
(2) 上記(1)において、多層金属箔は、第2キャリア金属箔とベース金属箔との界面の剥離強度が、第1キャリア金属箔と第2キャリア金属箔との界面の剥離強度よりも大きく形成された多層金属箔である半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
(3) 上記(1)または(2)において、多層金属箔は、平均粗さ(Ra)0.3μm〜1.2μmの凹凸を予め設けた第2キャリア銅箔の表面に、第1キャリア銅箔が積層された多層金属箔である半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
図1に示すように、第1キャリア金属箔10と第2キャリア金属箔11とベース金属箔12とをこの順に積層した多層金属箔9を準備した。第1キャリア金属箔10は9μmの銅箔を、第2キャリア金属箔11は3μmの極薄銅箔を、ベース金属箔12は18μmの銅箔を用いている。第2キャリア金属箔11の表面(第1キャリア金属箔10との界面)には、平均粗さ(Ra)0.20μm(比較例1)、1.88μm(比較例2)の凹凸を予め設けた。また、比較例3として、第1キャリア金属箔10と第2キャリア金属箔11との界面での剥離強度が0.02kN/m、第2キャリア金属箔11とベース金属箔12との界面での剥離強度が0.10kN/mとなるように、剥離層を構成するCu−Ni−Mo合金めっきの厚みを調整した。また、比較例4として、第1キャリア金属箔10と第2キャリア金属箔11との界面での剥離強度が0.20kN/m、第2キャリア金属箔11とベース金属箔12との界面での剥離強度が0.20kN/mとなるように、剥離層を構成するCu−Ni−Mo合金めっきの厚みを調整した。
2:外層回路または埋め込み回路
3:絶縁層
4:ソルダーレジスト
5:層間接続
6:内層回路
7:外層回路
8:保護めっき
9:多層金属箔
10:第1キャリア金属箔
11:第2キャリア金属箔
12:ベース金属箔
16:基材
17:コア基板
18:パターンめっき
20:導体層
21:層間接続孔
22:積層体
Claims (3)
- 第1キャリア金属箔と第2キャリア金属箔とベース金属箔とをこの順に積層し、前記第1キャリア金属箔と第2キャリア金属箔との間及び前記第2キャリア金属箔とベース金属箔との間のそれぞれに剥離層を設けた多層金属箔を準備し、この多層金属箔のベース金属箔側と基材とを積層してコア基板を形成する工程と、
前記多層金属箔の第1キャリア金属箔と第2キャリア金属箔との界面で、第1キャリア金属層を物理的に剥離する工程と、
前記コア基板に残った第2キャリア金属箔上にパターンめっきを行う工程と、
前記パターンめっきを含む第2キャリア金属箔上に絶縁層を積層して積層体を形成する工程と、
前記多層金属箔の第2キャリア金属箔とベース金属箔との界面で、前記積層体を第2キャリア金属箔とともにコア基板から物理的に剥離して分離する工程と、
前記分離した積層体の第2キャリア金属箔を除去して、前記パターンめっきを前記絶縁層の表面に露出させる工程と、
を有する半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。 - 請求項1において、
多層金属箔は、第2キャリア金属箔とベース金属箔との界面の剥離強度が、第1キャリア金属箔と第2キャリア金属箔との界面の剥離強度よりも大きく形成された多層金属箔である半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。 - 請求項1または2において、
多層金属箔は、平均粗さ(Ra)0.3μm〜1.2μmの凹凸を予め設けた第2キャリア銅箔の表面に、第1キャリア銅箔が積層された多層金属箔である半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法。
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