JP5672170B2 - 被プレス物の密度変化評価方法及び積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、マザーブロックなどの被プレス物がプレスされた際の被プレス物の密度変化を評価する方法及び積層セラミック電子部品の製造方法に関する。

従来、セラミックコンデンサなどの積層セラミック部品は、一般的に、表面に電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを適宜積層し、適宜プレスすることにより形成したマザーブロックを、分割し、焼成することにより作製されている。ここで、セラミックグリーンシートの積層体をプレスするのは、セラミックグリーンシートの剥離を抑制するためである。

例えば、下記の特許文献１には、セラミックグリーンシートの積層体のプレスに関する発明が記載されている。具体的には、特許文献１には、積層体の密度が面内において均一になり、かつ歪みが生じにくい積層体の圧着方法が記載されている。

特開２００３−１３３１７１号公報

上述のように、セラミックグリーンシートの表面には、電極パターンが形成されている。このため、積層体のうち、電極パターンが設けられている部分と、電極パターンが設けられていない部分とで厚み差が生じる。従って、プレス工程においては、電極パターンが設けられている部分から、電極パターンが設けられていない部分へ、セラミックグリーンシートが流動し、歪みが発生することがある。歪みが生じたマザーブロックを次工程である分割工程で分割した場合、所望しない部分で切断してしまうこととなり、良品率が低下してしまう。

例えば、上記特許文献１には、積層体に生じる歪みを低減し得るプレス方法が記載されているが、このプレス方法により積層体に生じる歪みを十分に抑制しようとすると、積層体の内部の密度変化を正確に評価し、その結果に基づいて圧着条件などを設定する必要がある。

しかしながら、被プレス物がプレスされた際の、被プレス物の密度変化を正確に評価する方法がなかった。

本発明は係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被プレス物の密度変化を正確に評価し、プレス方法を提供することにある。

本発明に係る被プレス物の密度変化評価方法は、被プレス物をプレスした際の被プレス物の密度変化を評価する方法に関する。本発明に係る被プレス物の密度変化評価方法は、被プレス物のプレス前に、被プレス物のプレス方向に沿った面の密度変化を評価しようとする評価部分に複数のマークを形成する工程と、前記マークの面積と前記マークの間の距離をモニタリングしながら前記評価部分の密度変化を評価する評価工程とを備えている。

本発明に係る被プレス物の密度変化評価方法のある特定の局面では、評価工程において、被プレス物のプレス前におけるマークの面積をＳ０とし、被プレス物のプレス後におけるマークの面積をＳ１としたときに、Ｓ０／Ｓ１により評価部分の面積変化率を算出し、面積変化率に基づいて密度変化を評価する。

本発明に係る被プレス物の密度変化評価方法の他の特定の局面では、評価工程において、被プレス物のプレス前におけるマークの面積と被プレス物のプレス後におけるマークの面積とを比較することで密度変化を評価するとともに、被プレス物のプレス前とプレス後とにおけるマークの位置及び形状の少なくとも一方を比較することにより、プレスによる被プレス物の変形をさらに評価する。この場合、評価部分の密度変化を正確に評価できると共に、評価部分の移動や傾きなどの変形も正確に評価することができる。

本発明に係る被プレス物の密度変化評価方法の別の特定の局面では、被プレス物のプレス方向に沿った面に、金属膜を蒸着することによりマークを形成する。この場合、例えばスクリーン印刷法によりマークを形成する場合とは異なり、マークを形成するための部材などがマークを形成する面に接触することを抑制することができる。従って、マークを形成する面が損傷することを抑制することができる。

本発明に係る被プレス物の密度変化評価方法のさらに他の特定の局面では、評価工程において、被プレス物のプレス前におけるマークの面積と被プレス物のプレス途中のマークの面積とを比較することでプレス中の密度変化を評価する。これによれば、プレス工程が進行するにつれて、評価部分の密度が経時的にどのように変化するかを評価することができる。

本発明に係る被プレス物の密度変化評価方法のさらに別の特定の局面では、被プレス物は、表面に電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートが複数枚積層されてなるマザーブロックである。

本発明に係る被プレス物の密度変化評価方法のさらにまた他の特定の局面では、マークを形成する工程は、マザーブロックのプレス方向に沿った面に、セラミックグリーンシートの積層方向にわたって電極パターンが露出した複数の電極形成領域と、電極形成領域の間に位置する電極非形成領域とを形成し、電極非形成領域にマークを形成する。電極形成領域の間に位置している電極非形成領域においては、マザーブロックのプレスによって密度が大きく変化しやすいため、この部分の密度変化を評価することにより、マザーブロックの密度変化を好適に評価することができる。

本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、表面の一部の上に複数の電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層することによりマザーブロックを作製するマザーブロック作製工程と、マザーブロックをプレスするマザーブロックプレス工程と、プレスされたマザーブロックを複数に分断することにより、内部に複数の電極を有する積層セラミック電子部品を得るためのチップを複数作製する分断工程とを備え、マザーブロックプレス工程に先立ち、マザーブロック作製工程で作製された被プレス物を用意し、当該被プレス物のプレス方向に沿った面にマークを複数形成した後、被プレス物におけるマークの面積の変化と前記マーク間の距離をモニタリングしながら被プレス物をプレスし、前記マークの面積が変化せず、且つ、前記マーク間の距離が変化し始める最低プレス圧を得る工程を実施し、その結果に基づき、その後に実施されるマザーブロックプレス工程でのプレスを前記最低プレス圧以下の圧力で行う。

本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法のある特定の局面では、マザーブロックの一側面に複数のセラミックグリーンシートのそれぞれの上に形成された電極パターンが露出し、且つ、マザーブロックの一側面において、電極パターンが露出した露出領域が複数形成されると共に、隣り合う露出領域の間に電極パターンが露出していない非露出領域が形成されるようにマザーブロックを形成する。このマザーブロックの非露出領域にマークを形成する。

本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法の他の特定の局面では、プレスされたマザーブロックの分断をダイシングにより行う。

本発明によれば、プレスによる被プレス物の密度変化を正確に評価することができる。

本発明を実施した一実施形態におけるマザーブロックの略図的斜視図である。 本発明を実施した一実施形態におけるマザーブロックの一部分の略図的平面図である。 表面に電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの略図的平面図である。 セラミックグリーンシート積層体の略図的平面図である。 マークの形成工程を説明するための略図的斜視図である。 マークの形成工程を説明するための略図的側面図である。 図６のＶＩＩ部分の模式的拡大図である。 マザーブロックのプレス後のマークの形状を説明するための模式図である。 マザーブロックのプレス後のマークの形状を説明するための模式図である。 マザーブロックのプレス後のマークの姿勢を説明するための模式図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、以下の実施形態は、単なる一例である。本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。

本実施形態では、被プレス物が積層セラミック電子部品を作製するためのマザーブロックを例にして本発明の密度変化評価方法を説明する。但し、本発明において、被プレス物は、マザーブロックに限定されない。本発明は、どのような被プレス物に対しても好適に適用できる。もっとも、本発明は、積層構造を有する被プレス物に対して特に好適に適用される。

（マザーブロック１の形態）
図１は、本発明を実施した一実施形態におけるマザーブロックの略図的斜視図である。図２は、本発明を実施した一実施形態におけるマザーブロックの一部分の略図的平面図である。

まず、図１及び図２を参照しながら、被プレス物であるマザーブロック１の構成について説明する。図１及び図２に示すように、マザーブロック１は、複数のセラミック層１１がｚ方向に沿って積層されてなるブロック本体１０を備えている。

図２に示すように、ブロック本体１０の内部には、マトリクス状に配列された複数の電極１２ａ（図２においては、一点破線で示している。）と、マトリクス状に配列された複数の電極１２ｂ（図２においては、破線で示している。）が設けられている。複数の電極１２ａと複数の電極１２ｂとは、ｚ方向において異なる位置に設けられている。複数の電極１２ａと複数の電極１２ｂは、それぞれ同じピッチでマトリクス状に配列されており、ｙ方向において１／２だけピッチがずらされている。このため、複数の電極１２ａの一部と、複数の電極１２ｂの一部とはｚ方向においてセラミック層１１を介して対向している。また、図１に示すように、マザーブロック１の積層方向に沿った面（ｘ方向）には、電極１２ａ、１２ｂが設けられている複数の電極形成領域Ａ１と、電極１２ａ、１２ｂが設けられていない複数の電極非形成領域Ａ２とが設けられている。電極非形成領域Ａ２は、ｘ方向において、隣接する電極形成領域Ａ１の間に位置している。

なお、電極１２ａ、１２ｂは、マザーブロック１から作製される積層セラミック電子部品の電極を構成するものである。

また、マザーブロック１の側面１ａには、第２の電極１２ｂが露出している。

（マザーブロック１の製造方法）
次に、マザーブロック１の製造方法の一例について、図３及び図４を参照しながら説明する。

まず、セラミック層１１を構成するためのセラミックグリーンシート１３（図３を参照）を用意する。セラミックグリーンシート１３の厚みは、特に限定されないが、例えば１０μｍ以下とすることができる。

セラミックグリーンシート１３の作製方法は、特に限定されない。セラミックグリーンシート１３は、例えば以下のような方法で作製することができる。まず、セラミック粉末を、溶剤、バインダ、可塑剤などと共に混合することによりスラリーを作製する。スラリーの作製に用いる溶媒の具体例としては、例えば、水、エステル系またはアルコール系化合物が挙げられる。また、これらの溶媒のうちの２種以上を混合して使用してもよい。スラリーの作製に用いるバインダの具体例としては、例えば、ポリビニルブチラール系化合物やアクリル系化合物が挙げられる。また、これらのバインダーのうちの２種以上を併用してもよい。

次に、ドクターブレード法やリバースロール法などを用いてスラリーを樹脂フィルムに塗布し、乾燥させることによりセラミックグリーンシート１３を作製することができる。

次に、セラミックグリーンシート１３の表面上に電極パターン１４を形成する。電極パターン１４は、第１または第２の電極１２ａ，１２ｂがマトリックス状に配列されたものである。電極の厚みは特に限定されないが、例えば、０．１μｍ〜２μｍ程度とすることができる。電極パターン１４は、例えばスクリーン印刷法などにより形成することができる。なお、電極パターン１４の形成方法は、特に限定されない。

次に、電極パターン１４が形成されていないセラミックグリーンシート１３を複数枚積層し、その後、電極パターン１４が形成されたセラミックグリーンシート１３を電極パターン１４がｙ方向にピッチが１／２だけずれるように複数枚積層し、最後に、電極パターン１４が形成されていないセラミックグリーンシート１３を複数枚積層することにより、図４に示すセラミックグリーンシート積層体１５を作製する。その後、図４に示すカッティングラインＬで切断することにより、図１に示す、電極形成領域Ａ１と電極非形成領域Ａ２が、側面１ａに露出したマザーブロック１を得る。複数の電極形成領域Ａ１は、電極１２ｂが露出した領域であり、複数の電極非形成領域Ａ２は、電極１２ｂが露出していない領域である。電極非形成領域Ａ２は、ｘ方向において、隣接する電極形成領域Ａ１の間に位置している。なお、セラミックグリーンシート積層体１５の切断は、ダイシングや押切により行うことができる。

（マザーブロック１の局所的密度変化評価方法）
次に、被プレス物としてのマザーブロック１をｚ方向（すなわち、積層方向）にプレスする際の密度変化評価方法について説明する。

上述のように、マザーブロック１の側面１ａにおいては、電極形成領域Ａ１と電極非形成領域Ａ２とが設けられている。そして、電極形成領域Ａ１と電極非形成領域Ａ２とでは、プレス前において電極の厚みだけ電極形成領域Ａ１の方が電極非形成領域Ａ２より厚みが厚くなっている。よって、マザーブロック１をｚ方向にプレスすると、電極１２は、セラミックグリーンシート１３より硬いため、電極形成領域Ａ１内のセラミック層１１は、電極非形成領域Ａ２へ流動しやすい。従って、マザーブロック１においては、電極非形成領域Ａ２における密度変化を正確に評価することが重要となる。このため、ここでは、電極非形成領域Ａ２における密度変化を評価する方法について説明する。

まず、マザーブロック１のプレス前に、マザーブロック１の側面１ａの電極非形成領域Ａ２に、密度変化測定用のマーク２１（図６を参照）を形成する。具体的には、マーク２１を形成する方法として、まず、図５に示すように、側面１ａの上に、側面１ａの少なくとも電極非形成領域Ａ２に位置している部分を覆うように、側面１ａの全体にわたり形成し、例えば、レーザなどにより、金属膜２０の一部を除去することにより、図６に示すように、側面１ａにマーク２１を形成する。なお、金属膜２０の種類は特に限定されない。金属膜２０は、例えば、ＰｔやＡｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇなどの金属や、これらの金属の一種以上を含む合金などにより形成することができる。また、マークを金属膜以外の染料で形成してもよい。

金属膜２０は、例えば、スクリーン印刷法などの各種印刷法や、蒸着法やスパッタリング法などの薄膜形成法により形成することができる。なかでも、真空蒸着法やスパッタリング法などの薄膜形成法により金属膜２０を形成することが好ましい。この場合、金属膜２０の形成に際して、治具等がマザーブロック１の側面１ａに直接接触しないため、側面１ａが損傷しにくいためである。

なお、マスクを用いて、マークを側面１ａの上に直接形成してもよい。その場合には、例えば、マスクを要さないインクジェット法などによりマークを容易に形成することができる。

本実施形態では、上記マーク２１を、電極非形成領域Ａ２に、ｘ方向及びｚ方向に沿ってマトリクス状に複数形成する例について説明する。但し、本発明において、マークの数は任意である。

マーク２１の大きさは、例えば、一辺の大きさが５０μｍ程度とすることができる。マーク２１が大きすぎると、マーク２１自体がセラミックグリーンシート１３の流動を阻害するため、マーク２１がない状態の流動態様を正確に把握できなくなる。一方、マーク２１が小さすぎると、マーク２１の面積変化などが正確に検出することが困難になるため、密度変化を正確に評価することが困難となる。

本実施形態では、具体的には、図７に示すように正方形状のマーク２１を形成した。以下、説明の便宜上、マザーブロック１のプレス前のマーク２１を、「プレス前マーク２１ａ」とし、プレス後のマーク２１を「プレス後マーク２１ｂ」とすることとする。

マーク２１の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。マーク２１が厚すぎると、マーク２１の強度が高まるため、マーク２１が変形しにくくなり、また、セラミックグリーンシート１３の流動を阻害するため、マーク２１がない状態の流動態様を正確に把握できなくなる。一方、マーク２１が薄すぎると、マーク２１が不明瞭になり、マーク２１の面積などの測定精度が悪化する場合がある。

次に、マザーブロック１のプレスを行う。具体的には、上金型と下金型でマザーブロックを挟み、上金型と下金型の間に圧力をかけることでプレスを行う。プレス条件は、マザーブロック１に応じて適宜設定することができる。マザーブロック１は、例えば、８０℃で１００ＭＰａで行うことができる。

そして、カメラなどを用いて、マザーブロック１のプレス前とプレス後とにおいて、マークを撮影する。プレス前マーク２１ａの一例を図７、プレス後マーク２１ｂの一例を図８に示す。

そして、プレス前マーク２１ａの個々の面積と、プレス後マーク２１ｂの個々の面積とを比較することにより、評価部分である領域Ａ２の密度変化を評価する。

ここで、
プレス前マーク２１ａの面積：Ｓ０、
プレス後マーク２１ｂの面積：Ｓ１、
プレス前マーク２１ａを奥行き方向へ透過したときのセラミック部分の重量を：Ｍ０、
プレス後マーク２１ｂを奥行き方向へ透過したときのセラミック部分の重量を：Ｍ１、とする。

プレスにおいて重量の変化は生じないため、Ｍ０＝Ｍ１となる。

このため、理論上、プレス後の密度Ｍ１／Ｓ１を、プレス前の密度Ｍ０／Ｓ０で除算して得られる密度変化率は、（Ｍ１／Ｓ１）／（Ｍ０／Ｓ０）＝Ｓ０／Ｓ１となる。従って、Ｓ０／Ｓ１を求めることにより、マーク２１が形成されている部分のプレスによる局所的な密度変化を正確に評価することができる。

また、プレス前マーク２１ａの位置、形状をカメラにて撮影し、プレス後マーク２１ｂの位置、形状をカメラにて撮影し、プレズ前後において、マークの位置及び形状の少なくとも一方を比較することによって、プレスによるマザーブロック１の変形を評価することができる。

具体的には、例えば、図８に示すように、図７に示す正方形状のマーク２１が長方形状に変形した場合は、マーク２１が形成されている部分がｚ方向に圧縮されたことが分かる。

一方、図９に示すように、プレス後マーク２１ｂが平行四辺形になった場合は、マーク２１が形成された部分がｚ方向に圧縮されると共に、ｘ方向に歪んだことが分かる。

また、図１０に示すように、プレス後マーク２１ｂがプレス前マーク２１ａに対して回転している場合は、マーク２１が形成された部分がｙ軸を中心とする回転方向に歪んだことが分かる。

また、マーク２１の面積、位置、形状などを、カメラを用いて撮像し、マザーブロック１のプレス開始時からプレス終了時にわたって時間毎の変化を捉えることによって、マーク２１から測定された密度や歪みが、プレス中においてどのように変化していくかを経時的に評価することができる。すなわち、プレス工程における、マーク２１が形成されている部分の密度や歪みの挙動解析を行うことができる。

なお、本実施形態では、上記マーク２１を側面１ａに形成する例について説明したが、本発明において、マークの位置は限定されない。本発明において、マークは、密度変化を評価したい部分に形成すればよい。

上記実施形態に係る被プレス物の密度変化評価方法は、例えば以下のようなの積層セラミック電子部品の製造方法に応用することができる。

積層セラミック電子部品の製造に際しては、まず、上記実施形態で説明したマザーブロック１を作製する。具体的には、表面の一部の上に複数の一定の厚みを持つ電極１２ａがマトリックス状に形成された複数のセラミックグリーンシートと、表面の一部の上に複数の一定の厚みを持つ電極１２ｂが形成された複数のセラミックグリーンシートとを交互に積層することにより、マザーブロック１を作製するマザーブロック作製工程を行う。次に、マザーブロック１を積層方向に所定の圧力でプレスする。その後、プレスされたマザーブロック１を直線状の切断線で複数に采の目状に分断する分断工程を行うことにより、内部に複数の電極を有する積層セラミック電子部品を得るためのチップを複数作製する。その後、必要に応じてチップを焼成したり、めっき法などにより外部電極を形成したりすることにより積層セラミック電子部品を完成させる。

なお、プレスされたマザーブロックの分断はダイシングにより行うことが好ましい。例えば、マザーブロックの分断を押切りにより行うと、押切り刃との間の摩擦抵抗によりセラミックグリーンシートが層間剥離が起こる虞があるが、ダイシングによる分断であればセラミックグリーンシートが層間剥離しにくいためである。

上記積層セラミック電子部品の製造方法においては、マザーブロック１のプレス条件を被プレス物の密度変化評価方法を用いて決定する。

具体的には、積層セラミック電子部品の製造に用いるマザーブロックと同じマザーブロック１を評価用として作成する。次に、マザーブロック１の電極１２ａ及び電極１２ｂを含む位置でｘ方向に切断することで、マザーブロック１の一側面において、電極１２ａ、１２ｂが露出した露出領域が複数形成されると共に、隣り合う露出領域の間に電極１２ａ、１２ｂが露出していない非露出領域が形成されるようにする。次いで、マーク２１を上記マザーブロック１の密度変化を評価しようとする一側面の非露出領域にマーク２１を形成する。マーク２１は、被露出領域を覆うように複数個形成する。その後、被プレス物であるマザーブロック１をプレスし、被プレス物におけるマークの面積の変化と前記マーク間の距離をモニタリングし、評価部分の密度変化を評価する評価工程を行う。この評価工程にて、前記マークの面積が変化せず、且つ、前記マーク間の距離が変化し始める際のプレス圧を最低プレス圧とする。

そして、積層セラミック電子部品の製造に際しては、マザーブロック１のプレスを、上記評価方法に基づく最低プレス圧以下の圧力で行う。

ところで、プレス前のマザーブロック１では、図２のように電極１２ａ、１２ｂが共に重なり合っている領域、及び電極１２ａと電極１２ｂのそれぞれが重なり合っている領域があり、電極１２ａおよび電極１２ｂが設けられていない領域と、電極１２ａと電極１２ｂのそれぞれが重なり合っている領域に密度の低い領域が存在する。このため、マザーブロック１のプレス工程においては、まず、その密度の低い領域が押しつぶされることにより、密度変化が生じる。より具体的には、図２において、積層方向から視て、電極１２ａと電極１２ｂがそれぞれ重なり合っている領域密度の低い領域がまず消滅し、その後、電極１２ａと電極１２ｂとの両方が存在しない領域の密度の低い領域が消滅する。マザーブロック１のプレスが進行し、密度の低い領域が完全に押しつぶされて消滅した後は、実質的な密度変化は生じない。密度の低い部分が完全に押しつぶされた後もマザーブロック１のプレスを継続すると、マザーブロック１においてセラミックの流動により電極の位置ズレが生じ、采の目状に直線状の切断線で切断した場合、得られる積層セラミック電子部品の中で電極の位置精度が低下してしまう結果となる。このように、電極の位置ズレが生じる場合は、被露出領域に形成された複数のマーク間の距離が変化することになるので、マーク間の距離の変化をモニタリングすることで、電極の位置ズレを把握することが可能となる。すなわち、マザーブロック１内の密度の低い領域が押しつぶされるまでは、マザーブロック１において電極の位置ズレが生じ難く、密度の低い領域が完全に押しつぶされた後もマザーブロック１のプレスを継続すると、マザーブロック１において電極の位置ズレが生じ、直線状の切断線で采の目状に切断した場合、得られる積層セラミック電子部品の中の電極の位置精度が低下してしまう結果となり、電極が積層セラミック電子部品の外郭に近い位置にある場合、外気からの水分侵入に弱くなり信頼性が低下する。

ここで、本実施形態では、予め製造に用いるものと同じマザーブロック１を用いて評価工程を行うことにより、最低プレス圧を見積もる。この最低プレス圧は、密度の低い領域が実質的に消滅するために必要な最低圧力である。そして、積層セラミック電子部品の製造に際しては、マザーブロック１のプレスを上記最低プレス圧以下の圧力で行う。よって、分断工程における電極の位置精度の低下を効果的に抑制することができる。その結果、電極の位置がずれていない高い位置精度の積層セラミック電子部品を製造することが可能となる。また、高い位置精度で積層セラミック電子部品を製造できるため、積層セラミック電子部品内で電極を大きくとることができるため各ギャップを小さくすることができる。従って、積層セラミック電子部品の小型化を図ることもできる。

なお、マザーブロック１のプレス圧を低くしすぎると、得られる積層セラミック電子部品内に多くの密度の低い領域が残存してしまう場合がある。このため、マザーブロック１のプレス圧は、積層方向から視て、一層おきに電極１２ａまたは電極１２ｂが位置する領域の密度の低い領域が消滅するのに必要な圧力以上であることが好ましく、実質的に最低プレス圧と同じであることがより好ましい。

なお、マザーブロック１のプレスは、第１の狭持部材と第２の狭持部材とで狭持した状態で第１の狭持部材と第２の狭持部材とを近づけることにより行うことができる。第１及び第２の狭持部材の少なくとも一方とマザーブロック１との間にポリエチレンテレフタレートフィルム等の樹脂フィルムを介在させてもよい。

具体的には、厚み３．０μｍのセラミックグリーンシート上に厚み１μｍの内部電極を１９００μｍ×１１５０μｍの大きさで複数形成し、図２のような配置で３３０枚積層して、内部電極が印刷されていない厚み１０μｍのセラミックグリーンシートを上下に２０枚積層する積層構造で、マザーブロックを製作した。

このマザーブロックを切断して、断面に内部電極の被露出領域と露出領域を露出させる。次に、被露出領域にマークを形成して、マークを観察しながら積層方向にプレスするプレス工程を行った。プレスする過程でマークの面積が減少し、マーク間の距離が変化するが、約３０Ｍｐａのプレス圧を境にマーク間の距離が広がるのみとなる。ここで、同様の積層構造でマザーブロックを作製し、約３０Ｍｐａの圧力でプレスを行い、ダイシングにより采の目状に個々のチップに分割した。すると、チップ内での内部電極位置のずれが１０μｍ以下に抑制することが可能となった。

なお、マザーブロックをｙ方向に切断することで、電極１２ａと電極１２ｂとが共に露出している領域と、電極１２ａと電極１２ｂのどちらかが露出している領域とが露出する。マーク２１を、これらの領域のいずれの領域に形成してもよい。但し、電極１２ａと電極１２ｂのどちらかが露出している領域にマーク２１を形成した場合は、密度変化が生じなくなるタイミングを検知するのが困難となるので、電極１２ａと電極１２ｂとが共に露出している領域にマーク２１を形成することが好ましい。

１…マザーブロック
１ａ…マザーブロックの側面
１０…ブロック本体
１１…セラミック層
１２ａ…第１の電極
１２ｂ…第２の電極
１３…セラミックグリーンシート
１４…電極パターン
１５…セラミックグリーンシート積層体
２０…金属膜
２１…マーク
２１ａ…プレス前マーク
２１ｂ…プレス後マーク
Ｓ０…プレス前マーク２１ａの面積
Ｓ１…プレス後マーク２１ｂの面積

Claims (10)

1. 被プレス物をプレスした際の前記被プレス物の密度変化を評価する方法であって、
   前記被プレス物のプレス前に、前記被プレス物のプレス方向に沿った面の密度変化を評価しようとする評価部分に複数のマークを形成する工程と、
   前記マークの面積と前記マークの間の距離をモニタリングしながら前記評価部分の密度変化を評価する評価工程と、
   を備える、被プレス物の密度変化評価方法。
2. 前記評価工程において、前記被プレス物のプレス前における前記マークの面積をＳ０とし、前記被プレス物のプレス後における前記マークの面積をＳ１としたときに、Ｓ０／Ｓ１により前記評価部分の面積変化率を算出し、前記面積変化率に基づいて密度変化を評価する、請求項１に記載の被プレス物の密度変化評価方法。
3. 前記評価工程において、前記被プレス物のプレス前における前記マークの面積と前記被プレス物のプレス後における前記マークの面積を比較することで密度変化を評価するともに、前記被プレス物のプレス前とプレス後とにおける前記マークの位置及び形状の少なくとも一方を比較することにより、プレスによる前記被プレス物の変形をさらに評価する、請求項１または２に記載の被プレス物の密度変化評価方法。
4. 前記被プレス物のプレス方向に沿った面に、金属膜を蒸着することにより前記マークを形成する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被プレス物の密度変化評価方法。
5. 前記評価工程において、前記被プレス物のプレス前における前記マークの面積と前記被プレス物のプレス途中の前記マークの面積とを比較することでプレス中の密度変化を評価する請求項１〜３のいずれか一項に記載の被プレス物の密度変化評価方法。
6. 前記被プレス物は、表面に電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートが複数枚積層されてなるマザーブロックである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の被プレス物の密度変化評価方法。
7. 前記マークを形成する工程は、前記マザーブロックのプレス方向に沿った面に、前記セラミックグリーンシートの積層方向にわたって前記電極パターンが露出した複数の電極形成領域と、前記電極形成領域の間に位置する電極非形成領域とを形成し、前記電極非形成領域に前記マークを形成する、請求項６に記載の被プレス物の密度変化評価方法。
8. 表面の一部の上に複数の電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層することによりマザーブロックを作製するマザーブロック作製工程と、
   前記マザーブロックをプレスするマザーブロックプレス工程と、
   前記プレスされたマザーブロックを複数に分断することにより、内部に複数の電極を有する積層セラミック電子部品を得るためのチップを複数作製する分断工程と、
   を備え、
   前記マザーブロックプレス工程に先立って、
   前記マザーブロック作製工程で作成された被プレス物を用意し、
   当該被プレス物のプレス方向に沿った面にマークを複数形成した後、被プレス物におけるマークの面積の変化と前記マーク間の距離をモニタリングしながら被プレス物をプレスし、前記マークの面積が変化せず、且つ、前記マーク間の距離が変化し始める最低プレス圧を得る工程を予め行い、
   前記マザーブロックプレス工程を前記最低プレス圧以下の圧力で行う、積層セラミック電子部品の製造方法。
9. 前記マザーブロックの一側面に前記複数のセラミックグリーンシートのそれぞれの上に形成された電極パターンが露出し、且つ、前記マザーブロックの一側面において、前記電極パターンが露出した露出領域が複数形成されると共に、隣り合う露出領域の間に前記電極パターンが露出していない非露出領域が形成されるように前記マザーブロックを形成し、
   前記被プレス物の前記非露出領域に前記マークを形成する、請求項８に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
10. 前記プレスされたマザーブロックの分断をダイシングにより行う、請求項８または９に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。

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