JP5665839B2 - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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Description
基板10は、他の構成部材を支持するためのものである。この基板10は、電極を形成し、熱や有機溶剤によって変質しないものが好ましい。基板10の材料としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機材料、ポリエチレン、PET、PEN、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー等のプラスチック、高分子フィルム、SUS、シリコン等の金属基板等が挙げられる。基板10は、透明なものであっても不透明なものであっても特に限定されるものではない。しかし不透明な基板を使用する場合、基板とは反対側の電極が透明または半透明であることが好ましい。基板の厚さは、その他の構成部材を支持するために十分な強度があれば、特に限定されない。
陽極11は、基板10の上に配置する。陽極11の材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されない。通常は、透明または半透明の導電性を有する材料を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。透明または半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、FTO、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜(NESA等)や、金、白金、銀、銅等が用いられる。特に、ITOまたはFTOが好ましい。また、電極材料として、有機系の導電性ポリマーであるポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等を用いてもよい。陽極11の膜厚は、ITOの場合、30〜300nmであることが好ましい。30nmより薄くすると、導電性が低下して抵抗が高くなり、光電変換効率低下の原因となる。300nmよりも厚くすると、ITOに可撓性がなくなり、応力が作用するとひび割れてしまう。陽極11のシート抵抗は可能な限り低いことが好ましく、10Ω/□以下であることが好ましい。陽極11は、単層であってもよく、異なる仕事関数の材料で構成される層を積層したものであってもよい。
正孔輸送層14は、任意に、陽極11と光電変換層13との間に配置される。正孔輸送層14の機能は、下部の電極の凹凸をレベリングして太陽電池素子の短絡を防ぐこと、正孔のみを効率的に輸送すること、光電変換層13の界面近傍で発生した励起子の消滅を防ぐこと等である。正孔輸送層14の材料としては、PEDOT/PSS(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホネート))等のポリチオフェン系ポリマー、ポリアニリン、ポリピロール等の有機導電性ポリマーを使用することができる。ポリチオフェン系ポリマーの代表的な製品としては、例えば、スタルク社のBaytron PH500が挙げられる。
光電変換層13は、陽極11と陰極12との間に配置される。本発明に係る太陽電池は、ヘテロ接合型の太陽電池である。ヘテロ接合型の中でも特にバルクヘテロ接合型の太陽電池は、p型半導体とn型半導体が光電変換層中で混合してミクロ層分離構造をとることが特徴である。バルクへテロ接合型は、混合されたp型半導体とn型半導体が光電変換層内でナノオーダーのサイズのpn接合を形成し、接合面において生じる光電荷分離を利用して電流を得る。p型半導体は、電子供与性の性質を有する材料で構成される。一方、n型半導体は、電子受容性の性質を有する材料で構成される。本発明の実施形態においては、p型半導体およびn型半導体の少なくとも一方が有機半導体であってよい。
電子輸送層15は、任意に、陰極12と光電変換層13との間に配置される。通常、透明または半透明の材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。電子輸送層材料としてはAlq3などのキノリン類、BCPなどのフェナンスロリン誘導体、BNDやPBDさらにはOXDなどのオキサジアゾール誘導体、オキサジアゾール二量体、スターバーストオキサジアゾール、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体、無機物としては酸化チタン、フラーレン類、フッ化リチウム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化物等を挙げることができる。電子輸送層15の適正膜厚は材質により大きく異なるため調整が必要であるが、一般的には0.1nm〜100nmの範囲である。膜厚が上記範囲より薄い場合は、ホールブロック効果が減少してしまうため、発生したエキシトンが電子とホールに解離する前に失活してしまい、効率的に電流を取り出すことができない。膜厚が厚い場合には、電子輸送層が抵抗体として作用し、電圧降下を招く。また電子輸送層15の成膜に長時間を要するため材料温度が上昇して、有機層にダメージを与えて性能が劣化してしまう。さらに、材料を大量に使用するため、成膜装置の占有時間が長くなり、コストアップにつながる。
陰極12は、光電変換層13(または電子輸送層15)の上に積層される。導電性を有する材料を真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等で成膜する。電極材料としては、導電性の金属薄膜、金属酸化物膜、等が挙げられる。陽極11を仕事関数の高い材料を用いて形成した場合、陰極12には仕事関数の低い材料を用いることが好ましい。仕事関数の低い材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が挙げられる。具体的には、Li、In、Al、Ca、Mg、Sm、Tb、Yb、Zr、Na、K、Rb、Cs、Ba、およびこれらの合金を挙げることができる。
上記のように作製した太陽電池素子について、熱アニーリングを行う。熱アニーリングは、ホットプレート等の加熱装置により所定の温度に急速に基板を加熱し、任意の時間これを継続することにより行う。その間、同時に、素子に交流電圧を印加する。電圧の印加は、作製した素子の陽極および陰極に、周波数発生器からの信号により任意の波形を発生できる電源アンプの出力を接続することにより行う。出力電圧、周波数、デューティ比、オフセット値等のパラメータを設定し、素子に電圧を印加する。
最後に、酸素および水分から素子を保護するために封止処理を行い、正負の電極から引き出し電極を取り出し、太陽電池とする。封止は、熱硬化型またはUV硬化型のエポキシ樹脂等を固定剤として、ガラス、金属板、あるいは無機物や金属(シリカ、チタニア、ジルコニア、窒化珪素、窒化ホウ素、Al等)を表面に成膜した樹脂フィルム(PET、PEN、PI、EVOH、CO、EVA、PC、PES等)などで表面を保護することにより行う。さらに、封止空間に乾燥剤や酸素吸収剤を入れることで素子寿命の向上が期待できる。
ηEQE=η1・η2・η3・η4。
実施例1として、熱アニール時に交流電圧を印加して有機薄膜太陽電池を作製した例を示す。
まず、光電変換層となる有機半導体の固形分の調製を行った。p型有機半導体であるP3HT(ポリ3−ヘキシルチオフェン: Aldrich社製 Plexcore(登録商標)OS2100)50重量部と、n型有機半導体である70PCBM([6,6]-フェニルC71酪酸メチルエステル: SOLENNE社製 70PCBMフラーレン99%)50重量部を混合した。
その後、この基板を10分間UV処理し、表面を親水化した。
まず、上記で作製したITO付ガラス基板上に、正孔輸送層となるPEDOT/PSS水溶液(スタルク社製 ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホネート))、商品名Baytron PH500をスピンコート法により50nmの厚さに成膜した。その後、200℃のホットプレート上で5分間加熱乾燥した。なおPEDOT/PSS水溶液は、あらかじめ0.1μmのフィルターで濾過したものを使用した。
電圧AC10Vp−p、周波数0.5kHzのサイン波を発生する電源で電圧を印加しながら、150℃で10分間、ホットプレート上で素子のアニーリングを行った。金属板上で素子を冷却後に、電圧印加を停止した。
最後に、正負の電極から引き出し電極を取り出し、有機薄膜太陽電池とした。
印加する電圧を、AC10Vp−pにDC+4Vを重畳した直流重畳交流電圧としたことを除き、上記実施例1と同様に有機薄膜太陽電池を作製した。実施例1と同様に光電変換効率を算出したところ、4.45%であった。
電圧を印加せずに加熱処理のみを行うことを除き、上記実施例1と同様に有機薄膜太陽電池を作製した。実施例1と同様に光電変換効率を算出したところ、3.11%であった。
交流電圧の代わりに直流電圧−5Vを印加したことを除き、上記実施例1と同様に有機薄膜太陽電池を作製した。実施例1と同様に光電変換効率を算出したところ、3.19%であった。
交流電圧の代わりに直流電圧+3Vを印加したことを除き、上記実施例1と同様に有機薄膜太陽電池を作製した。実施例1と同様に光電変換効率を算出したところ、3.32%であった。
印加する交流電圧の周波数の最適範囲について検討した。印加する交流電圧の周波数を変化させて、実施例1に記載したように有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率を比較した。その結果を表1に示す。なお、印加する電圧はAC 10Vp−pに固定した。
印加する交流電圧値の最適範囲について検討した。印加する交流電圧の値を変化させて、実施例1に記載したように有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率を比較した。その結果を表2に示す。なお、電圧の周波数は0.5kHz(サイン波)に固定した。
印加する交流電圧のデューティ比(順バイアス電圧を印加する時間と逆バイアス電圧を印加する時間の比)の最適範囲について検討した。印加する交流電圧のデューティ比を変化させて、実施例1に記載したように有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率を比較した。その結果を表3に示す。なお、印加する電圧はAC 10Vp−p、電圧の周波数は0.5kHz(サイン波)に固定した。
熱アニーリング時の熱処理温度(アニール温度)の最適範囲について検討した。アニール温度を変化させて、実施例1に記載したように有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率を比較した。その結果を表4に示す。なお、印加する電圧はAC 10Vp−p、電圧の周波数は0.5kHzに固定した。
電圧を印加しながら行う熱アニール処理の処理時間の最適値について検討した。処理時間を変化させて、実施例1に記載したように有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率を比較した。その結果を表5に示す。なお、印加する電圧はAC 10Vp−p、電圧の周波数は0.5kHz、アニール温度は150℃に固定した。
熱アニール工程において直流重畳交流電圧を印加する場合について、重畳する直流電圧の電圧値の最適範囲を検討した。重畳する直流電圧の電圧値を変化させて、実施例2に記載したように有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率を比較した。その結果を表6に示す。なお、印加する電圧はAC 10Vp−p、電圧の周波数は0.5kHzに固定した。
熱アニール工程において直流重畳交流電圧を印加する場合について、周波数の最適値を検討した。直流重畳交流電圧の周波数を変化させて、実施例2に記載したように有機薄膜太陽電池を作製し、光電変換効率を比較した。その結果を表7に示す。なお、印加する電圧はAC 10Vp−p、重畳する直流電圧は+4Vに固定した。
Claims (11)
- 基板上で、互いに離間して配置された一対の電極の間に、少なくとも一方が有機半導体であるp型半導体とn型半導体とを含むバルクヘテロ接合型の光電変換層を形成し、
前記光電変換層に周波数が0.01kHz以上1kHz未満の交流電圧を印加しながら熱アニーリングを行った後、前記基板を冷却してから電圧印加を停止する
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記p型半導体は、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オリゴチオフェンおよびその誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体からなる群から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記p型半導体は、ポリ3−メチルチオフェン、ポリ3−ブチルチオフェン、ポリ3−ヘキシルチオフェン、ポリ3−オクチルチオフェン、ポリ3−デシルチオフェン、ポリ3−ドデシルチオフェン、ポリ3−フェニルチオフェン、ポリ3−(p−アルキルフェニルチオフェン)、ポリ3−ブチルイソチオナフテン、ポリ3−ヘキシルイソチオナフテン、ポリ3−オクチルイソチオナフテン、ポリ3−デシルイソチオナフテン、およびポリエチレンジオキシチオフェンからなる群から選択されることを特徴とする、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記n型半導体は、フラーレンおよびその誘導体から選択されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記n型半導体は、C60H36およびC70H36から選択される水素化フラーレン、C60およびC70から選択されるオキサイドフラーレン、フラーレン金属錯体、[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル、および[6,6]−フェニルC71酪酸メチルエステルからなる群から選択される請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記交流電圧の電圧値Vacは、前記一対の電極間の距離をLとしたとき、式2.5×103[V/mm]<Vac/L<2×105[V/mm]を満たす値であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記交流電圧の順バイアスと逆バイアスのデューティ比が1:1〜25:1であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記熱アニーリングを70〜170℃の範囲の温度で行うことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記熱アニーリングを10秒〜30分間の範囲の時間で行うことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 基板上で、互いに離間して配置された一対の電極の間に、少なくとも一方が有機半導体であるp型半導体とn型半導体とを含むバルクヘテロ接合型の光電変換層を形成し、
前記光電変換層に、周波数が0.01kHz以上1kHz未満の交流電圧に直流電圧を重畳した直流重畳交流電圧を印加しながら熱アニーリングを行った後、前記基板を冷却してから電圧印加を停止する
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記重畳する直流電圧の値が−8V〜+10Vの範囲にあることを特徴とする請求項10に記載の太陽電池の製造方法。
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