JP5665373B2 - 薄膜の加工方法、及び光電変換装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一実施形態である光電変換装置の作製装置及びその作製方法について説明する。
本実施の形態では、光電変換装置の作製装置の一部が実施の形態1とは異なる例について説明する。図3は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の作製装置の例である。図4には、当該作製装置にて得られるレーザビームのエネルギー分布の例を示す。また、図5は、当該作製装置を利用して得られる光電変換装置の例を示す断面図である。
本形態では、実施の形態1または実施の形態2で説明した光電変換装置の構造とは異なる多接合型の光電変換装置及びその作製方法について説明する。
本発明の一実施形態により得た光電変換装置を組み込むことによって、例えば、図8(A)から(E)に示すような様々な電子機器を作製することができる。電子機器としては、光電変換装置3501を搭載した携帯電話3500、光電変換装置3601を搭載したパーソナルコンピュータ3600、それに類似するゲーム機、ナビゲーション、携帯オーディオ機器、ハンディAV機器、光電変換装置3701を搭載したカメラ3700(デジタルカメラ、フィルムカメラ、インスタントカメラ等)、光電変換装置3801を搭載した腕時計3800、それに類似する血圧計、脈拍測定器などの測定器、光電変換装置3901を搭載したな電卓3900などが挙げられる。これにより、電力の供給設備のない屋外などでこれらの電子機器を使用する際、充電することなく長時間使用することができる。これらの電子機器は、ショートやリーク電流の発生確率の低い、高歩留まりの光電変換装置を搭載しているため、長時間の使用に耐える高信頼性を持ったものである。また、製品の製造段階における歩留まりが高いため、低コスト化、省資源化に寄与する。
102 フェムト秒レーザ
103 フェムト秒レーザ
104 マスク
105 投影レンズ
106 フェムト秒レーザビーム整形用光学系
107 フェムト秒レーザビーム整形用光学系
108 照射面
109 ステージ
110 動作部
111 レーザビームスポット
112 同期装置
201 フェムト秒レーザビームスポット
202 パルスレーザビームスポット
203 フェムト秒レーザビームスポット
301 パルスレーザ
302 フェムト秒レーザ
303 フェムト秒レーザ
305 パルスレーザビーム整形用光学系
306 フェムト秒レーザビーム整形用光学系
307 フェムト秒レーザビーム整形用光学系
308 照射面
309 ステージ
310 動作部
311 レーザビームスポット
312 同期装置
401 フェムト秒レーザビームスポット
402 パルスレーザビームスポット
403 フェムト秒レーザビームスポット
501 基板
502 電極
503 半導体層
504 電極
505 開口部
506 開口部
507 開口部
601 フェムト秒レーザビームスポット
602 パルスレーザビームスポット
603 フェムト秒レーザビームスポット
604 フェムト秒レーザビームスポット
605 パルスレーザビームスポット
606 フェムト秒レーザビームスポット
700 基板
710 ボトムセル
720 導電体層
740 半導体層
750 半導体層
760 半導体層
800 中間層
810 トップセル
840 半導体層
850 半導体層
860 半導体層
880 透光性導電膜
3500 携帯電話
3501 光電変換装置
3600 パーソナルコンピュータ
3601 光電変換装置
3700 カメラ
3701 光電変換装置
3800 腕時計
3801 光電変換装置
3900 電卓
3901 光電変換装置
Claims (4)
- パルス幅が100ps以上1μs以下である第1のレーザビームにより形成される第1のレーザビームスポットと、
パルス幅が1fs以上999fs以下である第2のレーザビームにより形成される第2のレーザビームスポットと、
パルス幅が1fs以上999fs以下である第3のレーザビームにより形成される第3のレーザビームスポットと、
をパルス周波数を同期させて同時に薄膜に照射する工程を有し、
前記第2のレーザビームスポットと第3のレーザビームスポットを、前記第1のレーザビームスポットの両端であって、前記第1のレーザビームスポットと重なる位置に配置し、
前記両端を結ぶ直線と交差する方向に、前記第1のレーザビームスポット、前記第2のレーザビームスポット、及び前記第3のレーザビームスポットを、前記薄膜に対して相対的に移動させ、前記薄膜を分断することを特徴とする薄膜の加工方法。 - 請求項1において、
前記第1のレーザビームは、波長域が可視光線以下であることを特徴とする薄膜の加工方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2のレーザビームスポットは、前記両端を結ぶ直線と交差する方向に伸長された形状を有し、
前記第3のレーザビームスポットは、前記両端を結ぶ直線と交差する方向に伸長された形状を有することを特徴とする薄膜の加工方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の薄膜の加工方法を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
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JP2010127431A JP5665373B2 (ja) | 2010-06-03 | 2010-06-03 | 薄膜の加工方法、及び光電変換装置の作製方法 |
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JP2010127431A JP5665373B2 (ja) | 2010-06-03 | 2010-06-03 | 薄膜の加工方法、及び光電変換装置の作製方法 |
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