JP4887086B2

JP4887086B2 - 薄膜除去方法及び薄膜除去装置

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Publication number: JP4887086B2
Application number: JP2006197412A
Authority: JP
Inventors: 太郎桑原; 秀憲青木; 清久米; 洋一川上; 聖二片山
Original assignee: 武井電機工業株式会社
Priority date: 2006-07-19
Filing date: 2006-07-19
Publication date: 2012-02-29
Anticipated expiration: 2026-07-19
Also published as: JP2008023547A

Description

本発明は、薄膜除去方法及び薄膜除去装置に関する。
更に詳しくは、薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して薄膜の一部を除去するにあたり、薄膜を除去したい除去領域以外への熱影響を抑えて基板の割れ（クラック）の発生を防止すると共に、単位時間当たりの処理面積を向上させることができるようにした薄膜除去方法及び薄膜除去装置に関する。

プラズマディスプレイパネル等のフラットパネルディスプレイや薄膜太陽電池、あるいは透明複層薄膜構造製品等には、薄膜パターンが形成された基板が使用されている。この薄膜パターンが形成された基板は、基板表面の薄膜をレーザビームで除去することで得ることができる（例えば特許文献１等）。
特開２００４−４２１４０号公報

そして、基板上の薄膜（例えばガラス基板上のＩＴＯ薄膜）の除去には、基板に熱影響を与えないように、短波長のレーザを使用することが有効であると言われている。即ち、長波長のレーザを使用すると、加工処理を施した部分以外（加工部の周辺）にも熱影響を与えてしまい、それが起因して基板に割れ（クラック）が発生しやすい。

しかしながら、例えば集光性が良好で精密加工に適している短波長の固体レーザ（YAGレーザ等）だけを用いて加工を施した場合、長波長から短波長への波長変換が必要になるので、高出力が得られずに単位時間当たりに処理できる面積が狭くなる。このため、全加工領域を処理するのに相当の時間を要してしまう。

そこで、短波長のレーザで十分なエネルギーを得るために、高出力のKrFエキシマレーザ等のガスレーザを使用してレーザビームの高出力化を行うことも考えられるが、そのためには装置導入に膨大なコストが必要となる。

また、KrFエキシマレーザ等のガスレーザだけで薄膜の加工を行う場合、レーザビームの高出力化に伴って、レーザ発振器内における光学部品の紫外光吸収による劣化や波長変換素子の劣化が進みやすく、その結果、消耗品が増加して交換作業が煩雑になるという欠点もある。

（本発明の目的）
そこで本発明の目的は、薄膜が形成された基板にレーザ光を照射して薄膜の一部を除去するにあたり、薄膜を除去したい除去領域以外への熱影響を抑えて基板の割れ（クラック）の発生を防止すると共に、単位時間当たりの処理面積を向上させることができるようにすることにある。
また本発明の他の目的は、上記した目的を達成できる薄膜除去装置を提供することにある。
その他の本発明の目的は以下の説明から明らかになろう。

上記目的を達成するために本発明が講じた手段は次のとおりである。
本発明は、膜(1)が形成された基板(2)にレーザ光を照射して薄膜(1)の一部を除去する薄膜除去方法であって、上記基板(2)の薄膜(1)を除去したい除去領域(11)に赤外波長域のレーザ光(3)を照射するにあたり、該赤外波長域のレーザ光(3)を照射する前か、あるいは赤外波長域のレーザ光(3)の照射と同時に、上記除去領域(11)の境界となる部位(12a,12b)に紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を照射する、薄膜除去方法である。

また本発明は、薄膜(1)が形成された基板(2)にレーザ光を照射して薄膜(1)の一部を除去する薄膜除去方法であって、上記基板(2)の薄膜(1)を除去したい除去領域(11)に赤外波長域のレーザ光(3)を照射するにあたり、該赤外波長域のレーザ光(3)を照射する前か、あるいは赤外波長域のレーザ光(3)の照射と同時に、上記除去領域(11)の境界となる部位(12a,12b)に紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を照射する、薄膜除去方法である。

更に本発明は、薄膜(1)が形成された基板(2)にレーザ光を照射して薄膜の一部を除去する薄膜除去装置(5)であって、赤外波長域のレーザ光(3)を発振するレーザ発振器(31)と、紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を発振するレーザ発振器(41)と、上記基板(2)と赤外波長域のレーザ光(3)及び紫外波長域のレーザ光(4a,4b)とを相対的に移動させる移動手段と、上記赤外波長域のレーザ光(3)を照射する前か、あるいは赤外波長域のレーザ光(3)の照射と同時に、上記除去領域(11)の境界となる部位(12a,12b)に紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を照射できるように上記移動手段を制御する手段と、を備えている、薄膜除去装置である。

本発明によれば、薄膜が形成された基板に長波長のレーザ光を照射して広範囲の領域を除去するにあたり、薄膜を除去したい除去領域以外への熱影響を抑えて基板の割れ（クラック）の発生を防止できると共に、単位時間当たりの処理面積を向上させることができる。

本発明では、長波長のレーザ光と、短波長のレーザ光を使用する。長波長のレーザ光としては赤外波長域のレーザ光を挙げることができ、短波長のレーザ光としては、紫外波長域のレーザ光を挙げることができる。

また赤外波長域のレーザ光としては、YAGレーザもしくはYVO4レーザの基本波（１０６４ｎｍ）やファイバーレーザ（波長１０６０ｎｍ）が好適に使用できる。また紫外波長域のレーザ光としてはYAGレーザもしくはYVO4レーザの４倍波もしくは３倍波（波長２６６ｎｍまたは３５５ｎｍ）が好適に使用できる。

そして、本発明では、基板の薄膜を除去したい除去領域に長波長のレーザ光を照射して広範囲の領域を除去するにあたり、該長波長のレーザ光を照射する前か、あるいは長波長のレーザ光の照射と同時に、または本質的同時に長波長のレーザ光よりも低い熱エネルギーを有する短波長のレーザ光を上記除去領域の境界となる部位に照射する。

上記した長波長のレーザ光と短波長のレーザ光の照射タイミングは、薄膜を除去したい除去領域の加工部位に対し、本質的に時間差を生じさせないか、殆ど時間差を生じさせない本質的に同一のタイミング（一段階の照射方法で）行うことが、加工効率を向上させる観点から好ましい。
ただし、薄膜材質の物性上、脆性破壊を容易に起こしやすい薄膜の場合、短波長のレーザ光と本質的に同一のタイミングで長波長のレーザ光を照射すると、熱影響のため生じる薄膜の割れが短波長のレーザ光による加工領域を超える恐れがある。そのような薄膜としては、例えば非晶質の酸化物薄膜などが挙げられる。
このため、特にそのような材質の薄膜の場合、薄膜を除去したい除去領域に対し、まず短波長のレーザ光を除去領域全体に先に照射した後、別タイミングとしてあらためて除去領域全体に長波長のレーザ光を照射する二段階の照射方法を採用することができる。これにより、上記した薄膜の材質に関わらず、長波長のレーザ光による熱影響に伴う薄膜の割れをより効果的に抑制することができる。

このように、本発明では、高価なKrFエキシマレーザ等のガスレーザではなく、安価で汎用的なYAGレーザもしくはYVO4レーザの使用が可能であるため、装置導入のためのコストを抑えることができる。また、KrFエキシマレーザ等のガスレーザのように高出力のレーザではないので、レーザ発振器内における光学部品の紫外光吸収による劣化や波長変換素子の劣化も進みにくい。よって、消耗品が増加して交換作業が煩雑になるというような欠点が生じにくい。

本発明で使用するレーザ光は、パルス発振のレーザ光であることが好ましい。パルス発振のレーザ光を使用することで、連続発振のレーザ光を使用した場合と比較して高いピークパワーが得られ、しかも、加工対象である基板への入熱を抑制して割れが発生してしまうような過度の熱影響を与えてしまうことを防止できる。またパルス発振の繰返し周波数は１ｋＨｚ〜３００ｋＨｚが好適に採用できる。

加工対象としては、基板がガラス基板であって、薄膜が酸化物または金属の単層で構成されているか、あるいは酸化物または／及び金属の複数層で構成されているものを挙げることができる。
具体的には、本発明により、ＩＴＯ（インジウム錫オキサイド）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキサイド）、ＳｉＯ₂、ＳｅＯ₂、ＺｎO、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｍｏ、Ｔａ、Ｓｉ、ＳｉＮ、Ｃｒ等の薄膜を除去することができる。

また、赤外波長域のレーザ光または／及び紫外波長域のレーザ光を分岐して、薄膜にレーザ光を同時に複数照射すれば、レーザ光による加工点を増やして加工処理能力を向上させることができる。また、繰り返しとなる形状の加工を同一精度で同時に行うことができる。

本発明に係る薄膜除去装置によれば、加工対象である薄膜が形成された基板と、各レーザ発振器から発振させる赤外波長域のレーザ光及び紫外波長域のレーザ光とを移動手段によって相対的に移動させながら、加工を行う薄膜の一部を除去することができる。上記移動手段の制御は、例えばシーケンサー制御等の制御手段によって電気的に行うことができる。

また上記移動手段として、基板を載置でき、Ｘ軸移動、Ｙ軸移動及びθ軸回転が可能なワークテーブルを設けることができる。このように、基板を載置したワークテーブルをＸ軸，Ｙ軸，θ軸に調整することができるので、加工精度が向上すると共に、制御手段によって全自動化することで加工効率を向上せることができる。

本発明に係る薄膜除去装置としては、赤外波長域のレーザ光を照射するレーザ光学系を収容する構造体と、紫外波長域のレーザ光を照射するレーザ光学系を収容する構造体を備えており、該各構造体が気密性を有し、各レーザ光の照射部に構造体の気密性が妨げられることを防止する保護ガラスを備えているものが好ましい。

また、保護ガラスの表面側に向かって圧縮空気を放出するエアーブロー手段を備えているものがより好ましい。このエアーブロー手段が保護ガラスの表面側に向かって圧縮空気を放出することにより、薄膜を加工することで生じる塵または周辺雰囲気中の塵が保護ガラスに付着することを防止するか、あるいは保護ガラスに付着した塵を取り除くことができる。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

本発明を図面に示した実施例に基づき更に詳細に説明する。

図１ないし図４は、本発明に係る薄膜除去方法及び薄膜除去装置の一実施例を説明するための図である。
図１は、薄膜除去方法を説明するための概略説明図であって、表面に薄膜１が形成された基板２に対し、二種類のレーザ光を照射している状態を示す側面視断面説明図である。

本実施例で説明する薄膜除去方法では、図１に示すように、薄膜１が形成された基板２（以下、「薄膜形成基板２」という。）に対して、二種類のレーザ光３、４ａ(４ｂ)を照射して基板２表面の薄膜１の一部を除去する。本実施例では、薄膜形成基板２として、ＩＴＯ層等の薄膜が形成されたガラス基板を例として挙げている。

詳しくは、薄膜形成基板２の薄膜１を除去したい除去領域１１に赤外波長域のレーザ光３（以下、「赤外レーザ光３」という）を照射するにあたり、赤外レーザ光３を照射する前か、あるいは赤外レーザ光３の照射と同時にまたは本質的同時に、上記除去領域１１の境界（本実施例では両端側）となる部位１２ａ，１２ｂに紫外波長域の各レーザ光４ａ，４ｂ（以下、「紫外レーザ光４ａ，４ｂ」という。）をそれぞれ照射する。これにより、赤外レーザ光３による熱影響が除去領域１１以外の周辺部１３，１３に及ぶことを防止している。
この薄膜除去方法は、例えば以下に説明する薄膜除去装置５（図２参照）によって実施できる。

（薄膜除去装置５）
図２は、本発明に係る薄膜除去装置の一実施例を示す概略構成図である。
図２に示す薄膜除去装置５は、赤外レーザ光３を発振するレーザ発振器３１（以下、「赤外レーザ発振器３１」という）と、紫外レーザ光４ａ，４ｂを発振するレーザ発振器４１（以下、「紫外レーザ発振器４１」という）を備えている。

また薄膜除去装置５は、加工対象である基板２と赤外レーザ光３及び紫外レーザ光４ａ，４ｂとを相対的に移動させる移動手段として、ワークテーブル８（移動式テーブルともいう）を有している。ワークテーブル８は、基板２を載置でき、Ｘ軸移動、Ｙ軸移動及びθ軸回転が可能である。

更に薄膜除去装置５を構成するレーザ光学系が、赤外レーザ発振器３１と紫外レーザ発振器４１にそれぞれ設けてある。レーザ光学系は反射鏡３２，４２や集光レンズ３３，４３，４４等により構成され、各レーザ発振器３１，４１から発振されるレーザ光を伝送し、薄膜形成基板２の薄膜１の加工点へ照射する。

各レーザ発振器３１，４１と各レーザ光学系は、気密性を有する構造体である後述のケーシング６（図３参照。以下、「光学系密閉ケーシング６」という。）内に収容されている。この光学系密閉ケーシング６の詳細は後述する。

更に、紫外レーザ発振器４１側（図２で左側）には、薄膜に所要の間隔をおいて紫外レーザ光４ａ，４ｂを同時に複数照射（本実施例では二箇所に）するために、紫外レーザ光４ａ，４ｂを分岐するレーザ光分岐手段であるレーザ光分岐器４５が設けてある。そして、これに対応するように、複数の集光レンズ４３,４４が（本実施例では二箇所に）設置され、紫外レーザ発振器４１から合計二本の紫外レーザ光４ａ,４ｂが同時に照射できるようになっている。

以上のような構成により、図１に示すように、薄膜形成基板２の薄膜を除去したい除去領域１１に赤外レーザ光３を照射するにあたり、紫外レーザ光４ａ，４ｂを上記除去領域１１の境界となる部位１２ａ,１２ｂ、つまり、除去領域１１を両側から挟みこむような両縁部分にそれぞれ照射する。紫外レーザ光４ａ，４ｂの照射タイミングは、赤外レーザ光３を照射する前か、あるいは赤外レーザ光３の照射と同時にまたは本質的同時に行う。

この各レーザ光３，４ａ，４ｂを照射することによる薄膜加工は、以下のように行う。即ち、まず、上記したワークテーブル８をＸ軸移動または／及びＹ軸移動させることによって照射位置を決定する。次に、本実施例の場合、図２に示すように、紫外レーザ発振器４１と赤外レーザ発振器３１をＸ軸方向に配設させると共に、合計二本の紫外レーザ光４ａ，４ｂの間に赤外レーザ光３を照射できるように設計されているので、上記ワークテーブル８をＸ軸移動させることにより、薄膜形成基板２を走査してＸ軸方向の加工を施す。

更に、ワークテーブル８をθ軸移動させて基板を例えば９０度方向に回転させることにより、各レーザ光４ａ，４ｂ，３の照射位置の配列(各レーザ発振器４１，３１の位置)を変えることなく、上記したＸ軸方向と９０度交差する方向に加工を施す。
なお、上記したワークテーブル８の機械的な移動は、シーケンサー制御等によって電気的に行うことができる。

以上のような薄膜除去方法によれば、赤外レーザ光３による熱影響が除去領域１１以外に及ぶことを防止しながら、単位時間当たりに加工面積の大きい薄膜加工が可能となる。

即ち、薄膜形成基板２の薄膜を除去したい除去領域１１に、仮に赤外レーザ光３のみを照射した場合は、赤外レーザ光３による熱影響が上記除去領域１１を越えて周辺部１３，１３（図１参照）まで及んでしまい、周辺部１３，１３に熱影響に伴う割れが発生する可能性が高い。

そこで、本実施例に係る薄膜除去方法では、上記したように、薄膜１を除去したい除去領域１１に赤外レーザ光３を照射するにあたり、赤外レーザ光３を照射する前か、あるいは赤外レーザ光３の照射と同時にまたは本質的同時に、上記除去領域１１の境界となる部位１２ａ，１２ｂに紫外レーザ光４ａ，４ｂを照射し、当該部分の薄膜を除去する。

これにより、除去領域１１に赤外レーザ光３を照射しても、除去領域１１の境界となる部位１２ａ，１２ｂの薄膜１が除去されているので、赤外レーザ光３の熱影響が除去領域１１の境界部位１２ａ，１２ｂから周辺部１３，１３に伝わることを抑制または遮断することができ、その結果、周辺部１３，１３に熱影響による割れが発生することを防止できる。

つまり、単位時間当たりの処理面積を向上させるために赤外レーザ光３を用いる場合でも、紫外レーザ光４ａ，４ｂを併用することによって、加工部である除去領域１１以外への熱影響を抑えて薄膜形成基板２の割れの発生を防止することができる。

（薄膜除去装置５の光学系密閉ケーシング６）
図３は、図２に示す薄膜除去装置を構成するレーザ発振器とレーザ光学系を収容する光学系密閉ケーシングを拡大して示した概略構成図である。
そのうち、図３(ａ)は光学系密閉ケーシングを正面から見た説明図、図３(ｂ)は図３(ａ)の右側から見た側面視説明図、図３(ｃ)は図３(ｂ)の底面側から見た底面視説明図である。
なお、光学系密閉ケーシング６は、赤外レーザ光３の場合と紫外レーザ光４ａ，４ｂの場合もどちらも同じ構成であるため、図３としてまとめて図示している。

上記したように、赤外レーザ光３及び紫外レーザ光４ａ，４ｂの各レーザ発振器３１，４１と各レーザ光学系は、光学系密閉ケーシング６内に収容されており、内部の気密性が保たれている。これによって、レーザ光学系が外気と接触して、周辺雰囲気の塵等から汚染されることを防止している。各光学系密閉ケーシング６におけるレーザ光の照射部には、レーザ光の照射を妨げることなく、内部の気密性が妨げられることを防止する保護ガラス６１が設けられている。
なお、図３(ａ)(ｂ)ではレーザ光３（４ａ，４ｂ）の照射方向を逆二等辺三角形で図示しており、図３(ｃ)では模式的に丸で示している。

また本実施例では、各レーザ発振器３１，４１はレーザ光学系と共に、光学系密閉ケーシング６内に収容されているが、レーザ発振器３１，４１を光学系密閉ケーシング６の外に配置する構造を採用することもできる。

光学系密閉ケーシング６の先部側（保護ガラス６１よりも前方側）には、エアーブロー手段を構成する圧縮空気の放出口７１，７２が所要数（本実施例では複数、後述するように二箇所に）設けてある。

放出口７１，７２は、圧縮空気の吹き付け方向がレーザ光３（４ａ，４ｂ）の照射方向と例えば垂直に交差するように設置されている。これにより、放出口７１，７２から保護ガラス６１の表面側（図３で下部側）に向かって圧縮空気を吹き付けることができ、保護ガラス６１に付着した塵（薄膜を加工することで生じる塵や周辺雰囲気中の塵）を取り除くことができる。

更に本実施例では、放出口７１，７２は上下方向に所要の間隔をおいて二箇所設けてあり、各放出口７１，７２からは圧縮空気が線上に平行して放出できるようになっている。

また図３(ｂ)に示すように、光学系密閉ケーシング６の先部側は、各レーザ光３の照射方向（下方向）と、圧縮空気の吹き付け方向（左方向の上下二本の矢印で示す）がそれぞれ開口している。更に、その他の方向には、図３(ａ)で左右両側にそれぞれ設けてある壁部である左側壁部６２と右側壁部６３、更に図３(ｂ)で右側に設けてある放出口７１，７２が設置された壁部である背面壁部６４が配設されている。

更に、本実施例では、各放出口７１，７２から放出される圧縮空気の流量が上下で互いに異なるように設定されている。即ち、保護ガラス６１に近い方（図３で上側）の放出口７１から放出される圧縮空気の流量が、他方（図３で下側）の放出口７２から放出される流量よりも多くなるように設定されている。

この圧縮空気の流量の違いによって、保護ガラス６１近傍の空気圧は、保護ガラス６１からやや離れた前方の空気圧よりも高く設定されており、これによって空気の圧力勾配はレーザ光の照射方向に向かって低くなっている。このような構成により、保護ガラス６１近傍の空気圧が保護ガラス前方の空気圧に比べて負圧になることを防いで、空気の流れが保護ガラス６１の表面側に向かうことを防止している。これによって、薄膜を加工することで生じる塵または周辺雰囲気中の塵が、その空気の流れにのって保護ガラス６１の表面に付着することを防止している。

（実験例）
図４は、本実施例に係る薄膜除去方法と、本実施例とは異なる薄膜除去方法である比較例で薄膜を除去した各結果の写真を描いた図である。
そのうち、図４(ａ)は、赤外レーザ光のみで加工した場合（比較例１）を示し、図４(ｂ)は紫外レーザ光のみで加工した場合（比較例２）を示し、図４(ｃ)は赤外レーザ光と紫外レーザ光の両方で加工した場合（本実施例）を示している。

図４を参照して、比較例と本実施例を比較し、異なる薄膜除去方法によって薄膜の加工結果がどのように違うのかを考察する。なお、本実験では、加工対象はどちらも同じガラス基板上のＩＴＯ薄膜である。

図４(ａ)に示すように、比較例１である赤外波長のレーザ光のみで加工した場合、左側側の白い部分で表されている領域が加工部１１ａ（除去領域）であり、その周辺１３ａ（広い部分の右側）に熱影響が見られ、更にその熱影響に起因する割れが発生していることが分かる。

また図４(ｂ)で示すように、比較例２である紫外レーザ光のみで加工した場合、加工部１１ｂの周辺部１３ａ，１３ａには熱影響が見られないものの、加工部１１ｂ自体の面積が小さいことが分かる。

これに対し、図４(ｃ)に示す本実施例の除去方法では、赤外レーザ光の加工部１１ｃ及び紫外レーザ光の加工部１１ｄの周辺部１３ａに熱影響は見られなかった。また得られた全体の加工面積は、図示していないが、比較例１である赤外レーザ光だけで行った場合（図４（ａ）の比較例）よりも広い結果となった。

なお、本明細書で使用している用語と表現はあくまで説明上のものであって、限定的なものではなく、上記用語、表現と等価の用語、表現を除外するものではない。また、本発明は図示の実施例に限定されるものではなく、技術思想の範囲内において種々の変形が可能である。

更に、特許請求の範囲には、請求項記載の内容の理解を助けるため、図面において使用した符号を括弧を用いて記載しているが、特許請求の範囲を図面記載のものに限定するものではない。

本発明に係る薄膜除去方法の一実施例を説明するための概略説明図。本発明に係る薄膜除去装置の一実施例を示す概略構成図。図２に示す薄膜除去装置を構成するレーザ発振器とレーザ光学系を収容する光学系密閉ケーシングを拡大して示した概略構成図。本実施例と比較例での薄膜を除去した結果の写真を描いた図。

符号の説明

１薄膜
２基板
３赤外波長域のレーザ光
４ａ，４ｂ紫外波長域のレーザ光
１２a，１２ｂ
１３周辺部
３１赤外レーザ発振器
３２，４２反射鏡
３３，４３，４４集光レンズ
４５レーザ光分岐器
５薄膜除去装置
６光学系密閉ケーシング
６１保護ガラス
６２左側壁部
６３右側壁部
６４背面壁部
７１，７２放出口
８ワークテーブル

Claims

薄膜(1)が形成された基板(2)にレーザ光を照射して薄膜(1)の一部を除去する薄膜除去方法であって、
上記基板(2)の薄膜(1)を除去したい除去領域(11)に赤外波長域のレーザ光(3)を照射するにあたり、
該赤外波長域のレーザ光(3)を照射する前か、あるいは赤外波長域のレーザ光(3)の照射と同時に、上記除去領域(11)の境界となる部位(12a,12b)に紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を照射する、
薄膜除去方法。
赤外波長域のレーザ光(3)の波長が１０６０ｎｍまたは１０６４ｎｍであり、紫外波長域のレーザ光(4a,4b)の波長が２６６ｎｍまたは３５５ｎｍである、
請求項１記載の薄膜除去方法。
赤外波長域のレーザ光(3)または／及び紫外波長域のレーザ光(4a,4b)がパルス発振のレーザである、
請求項１または２記載の薄膜除去方法。
基板(2)がガラス基板であり、薄膜(1)が酸化物または金属の単層で構成されているか、あるいは酸化物または／及び金属の複数層で構成されている、
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の薄膜除去方法。
赤外波長域のレーザ光(3)または／及び紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を分岐して、薄膜(1)にレーザ光を同時に複数照射する、
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の薄膜除去方法。
薄膜(1)が形成された基板(2)にレーザ光を照射して薄膜の一部を除去する薄膜除去装置(5)であって、
赤外波長域のレーザ光(3)を発振するレーザ発振器(31)と、
紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を発振するレーザ発振器(41)と、
上記基板(2)と赤外波長域のレーザ光(3)及び紫外波長域のレーザ光(4a,4b)とを相対的に移動させる移動手段と、
上記赤外波長域のレーザ光(3)を照射する前か、あるいは赤外波長域のレーザ光(3)の照射と同時に、上記除去領域(11)の境界となる部位(12a,12b)に紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を照射できるように上記移動手段を制御する手段と、
を備えている、
薄膜除去装置。
基板(2)と赤外波長域のレーザ光(3)及び紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を相対的に移動させる移動手段は、基板(2)を載置でき、Ｘ軸移動、Ｙ軸移動及びθ軸回転が可能なワークテーブル(8)を備えている、
請求項６記載の薄膜除去装置。
薄膜(1)に所要の間隔をおいて紫外波長域のレーザ光(4a,4b)を同時に複数照射するために、該レーザ光を分岐するレーザ光分岐手段(45)を備えている、
請求項６または７記載の薄膜除去装置。
赤外波長域のレーザ光(3)を照射するレーザ光学系を収容する構造体(6)と、紫外波長域のレーザ光(3)を照射するレーザ光学系を収容する構造体(6)との何れかまたは双方を備え、
該各構造体(6)は気密性を有しており、各レーザ光の照射部に構造体(6)の気密性を妨げられることを防止する保護ガラス(61)を備えている、
請求項６ないし８のいずれか一項に記載の薄膜除去装置。
保護ガラス(61)の表面側に向かって圧縮空気を放出するエアーブロー手段(71,72)を備えている、
請求項６ないし９のいずれか一項に記載の薄膜除去装置。