JP2003285185A - レーザ加工方法 - Google Patents
レーザ加工方法Info
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- JP2003285185A JP2003285185A JP2002082334A JP2002082334A JP2003285185A JP 2003285185 A JP2003285185 A JP 2003285185A JP 2002082334 A JP2002082334 A JP 2002082334A JP 2002082334 A JP2002082334 A JP 2002082334A JP 2003285185 A JP2003285185 A JP 2003285185A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 被覆層に、少ショット数で効率よく、しかも
下地部材にほとんど影響を与えずに、大面積の穴を開け
る。 【解決手段】下地部材の表面上に、下地部材の表層部の
材料とは異なる材料からなる被覆層が形成された加工対
象物17a、17bを準備する。被覆層を透過し、被覆
層と下地部材との界面で反射し、反射位置の被覆層を下
地部材から剥離させる性質を有する1本の原レーザビー
ムを複数本のレーザビームに分岐させる。複数本のレー
ザビームを被覆層の表面から加工対象物に同時に入射さ
せて、被覆層の一部を下地部材から剥離させ、剥離部分
を形成する。
下地部材にほとんど影響を与えずに、大面積の穴を開け
る。 【解決手段】下地部材の表面上に、下地部材の表層部の
材料とは異なる材料からなる被覆層が形成された加工対
象物17a、17bを準備する。被覆層を透過し、被覆
層と下地部材との界面で反射し、反射位置の被覆層を下
地部材から剥離させる性質を有する1本の原レーザビー
ムを複数本のレーザビームに分岐させる。複数本のレー
ザビームを被覆層の表面から加工対象物に同時に入射さ
せて、被覆層の一部を下地部材から剥離させ、剥離部分
を形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被覆層を有する加
工対象物にレーザビームを照射し、被覆層に穴を開ける
レーザ加工方法に関する。
工対象物にレーザビームを照射し、被覆層に穴を開ける
レーザ加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のアブレーション加工で、導電層に
絶縁層が重ねられた多層基板を加工する際、たとえば厚
さ50μmの絶縁層に直径50μm程度の穴を開けるの
に100ショット前後のパルスレーザビームが必要であ
った。
絶縁層が重ねられた多層基板を加工する際、たとえば厚
さ50μmの絶縁層に直径50μm程度の穴を開けるの
に100ショット前後のパルスレーザビームが必要であ
った。
【0003】また、アブレーション加工後に残ったスミ
アは、湿式のデスミア処理等の方法により除去されてい
た。
アは、湿式のデスミア処理等の方法により除去されてい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の加工方法では、
絶縁層に大面積の穴を開けるにはレーザビームのパルス
エネルギを大きくし、かつ多数のショットを加えなけれ
ばならず、加工速度の面で問題となる。
絶縁層に大面積の穴を開けるにはレーザビームのパルス
エネルギを大きくし、かつ多数のショットを加えなけれ
ばならず、加工速度の面で問題となる。
【0005】また、紫外パルスレーザビームを用いたア
ブレーション加工で大きな穴を形成したい場合には、パ
ルスレーザビームの入射位置を、既に形成されている穴
からずらせ、パルスレーザビームで開けた穴を連結させ
て大面積の穴を形成する。このとき、絶縁層が除去され
た部分にレーザを照射すると、導電層までもアブレーシ
ョン加工してしまう場合が多く、精細に位置決めをしな
い限り、大面積の穴を加工することが難しかった。
ブレーション加工で大きな穴を形成したい場合には、パ
ルスレーザビームの入射位置を、既に形成されている穴
からずらせ、パルスレーザビームで開けた穴を連結させ
て大面積の穴を形成する。このとき、絶縁層が除去され
た部分にレーザを照射すると、導電層までもアブレーシ
ョン加工してしまう場合が多く、精細に位置決めをしな
い限り、大面積の穴を加工することが難しかった。
【0006】本発明の目的は、下地部材の表面上に形成
された被覆層に大面積の穴を開ける加工を、少ないショ
ット数で、しかも下地部材にほとんど影響を与えずに可
能とするレーザ加工方法を提供することである。
された被覆層に大面積の穴を開ける加工を、少ないショ
ット数で、しかも下地部材にほとんど影響を与えずに可
能とするレーザ加工方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、下地部材の表面上に、該下地部材の表層部の材料と
は異なる材料からなる被覆層が形成された加工対象物を
準備する工程と、前記被覆層を透過し、該被覆層と前記
下地部材との界面で反射し、反射位置の該被覆層を該下
地部材から剥離させる性質を有する1本の原レーザビー
ムを複数本のレーザビームに分岐させ、該複数本のレー
ザビームを該被覆層の表面から前記加工対象物に同時に
入射させて、該被覆層の一部を該下地部材から剥離さ
せ、剥離部分を形成する工程とを有するレーザ加工方法
が提供される。
ば、下地部材の表面上に、該下地部材の表層部の材料と
は異なる材料からなる被覆層が形成された加工対象物を
準備する工程と、前記被覆層を透過し、該被覆層と前記
下地部材との界面で反射し、反射位置の該被覆層を該下
地部材から剥離させる性質を有する1本の原レーザビー
ムを複数本のレーザビームに分岐させ、該複数本のレー
ザビームを該被覆層の表面から前記加工対象物に同時に
入射させて、該被覆層の一部を該下地部材から剥離さ
せ、剥離部分を形成する工程とを有するレーザ加工方法
が提供される。
【0008】前記剥離部分は、前記複数本のレーザビー
ムが前記下地部材と前記被覆層との界面でアブレーショ
ンを起こし、その圧力により前記被覆層の剥離を誘起し
た結果形成されたものと考えられ、従来のアブレーショ
ン加工で形成する穴に比べ大面積を有する。しかも前記
レーザ加工方法によれば、この剥離加工を、前記下地部
材にほとんど影響を与えずに行うことができる。
ムが前記下地部材と前記被覆層との界面でアブレーショ
ンを起こし、その圧力により前記被覆層の剥離を誘起し
た結果形成されたものと考えられ、従来のアブレーショ
ン加工で形成する穴に比べ大面積を有する。しかも前記
レーザ加工方法によれば、この剥離加工を、前記下地部
材にほとんど影響を与えずに行うことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】図1を参照して本発明の第1の実
施例を説明する。波長変換ユニットを含む全固体レーザ
発振器11、たとえばNd:YLFレーザから、レーザ
ビームが出射される。波長変換ユニットにより全固体レ
ーザ発振器11は、基本波と2倍高調波のいずれかを出
射することができるが、まずNd:YLFレーザの基本
波(波長1047nm)をパルス幅10ps、パルスエ
ネルギ1mJで出射させる。レーザビームは、ビームス
プリッタ12に入射する。ビームスプリッタ12は入射
した基本波を、光路A及びBを進む2つの基本波のレー
ザビームに分岐させる。
施例を説明する。波長変換ユニットを含む全固体レーザ
発振器11、たとえばNd:YLFレーザから、レーザ
ビームが出射される。波長変換ユニットにより全固体レ
ーザ発振器11は、基本波と2倍高調波のいずれかを出
射することができるが、まずNd:YLFレーザの基本
波(波長1047nm)をパルス幅10ps、パルスエ
ネルギ1mJで出射させる。レーザビームは、ビームス
プリッタ12に入射する。ビームスプリッタ12は入射
した基本波を、光路A及びBを進む2つの基本波のレー
ザビームに分岐させる。
【0010】光路Aを進むビームは、反射ミラー13、
加工対象物である多層基板17a上にレーザビームを集
束させる平凸レンズ15aを経て、ステージ16上に載
置されている多層基板17aに照射される。
加工対象物である多層基板17a上にレーザビームを集
束させる平凸レンズ15aを経て、ステージ16上に載
置されている多層基板17aに照射される。
【0011】光路Bを進むビームも同様である。反射ミ
ラー14、加工対象物である多層基板17b上にレーザ
ビームを集束させる平凸レンズ15bを経て、ステージ
16上に載置されている多層基板17bに照射される。
ステージ16は可動ステージであり、ステージ16上の
多層基板17a及び17bに入射するレーザビームの入
射位置を変えることができる。なお、多層基板17a及
び17bは、構成材料、積層構造及び各層の厚さが同一
の多層基板である。
ラー14、加工対象物である多層基板17b上にレーザ
ビームを集束させる平凸レンズ15bを経て、ステージ
16上に載置されている多層基板17bに照射される。
ステージ16は可動ステージであり、ステージ16上の
多層基板17a及び17bに入射するレーザビームの入
射位置を変えることができる。なお、多層基板17a及
び17bは、構成材料、積層構造及び各層の厚さが同一
の多層基板である。
【0012】図2(A)は、多層基板17a(17b)
の断面図である。たとえばガラス繊維で強化されたエポ
キシ樹脂層である樹脂下地層23、たとえば銅層である
金属層22、たとえば厚さ60μmであるエポキシ樹脂
層である樹脂被覆層21がこの順に下から積層されてい
る。この樹脂被覆層21上面にレーザビームが入射す
る。樹脂被覆層21はNd:YLFレーザの基本波の多
くを透過する。金属層22は、これを大部分反射する。
の断面図である。たとえばガラス繊維で強化されたエポ
キシ樹脂層である樹脂下地層23、たとえば銅層である
金属層22、たとえば厚さ60μmであるエポキシ樹脂
層である樹脂被覆層21がこの順に下から積層されてい
る。この樹脂被覆層21上面にレーザビームが入射す
る。樹脂被覆層21はNd:YLFレーザの基本波の多
くを透過する。金属層22は、これを大部分反射する。
【0013】図2(B)を参照する。多層基板17a
(17b)にパルスレーザビームが1ショット入射する
と、樹脂被覆層21と金属層22との界面が高圧力状態
となり、この圧力によって金属層22上面におけるパル
スレーザビームの反射位置付近の樹脂被覆層21の一部
が金属層22から剥離する。この現象を「リフティング
現象」と呼び、「リフティング現象」を利用した加工を
「リフティング加工」と呼ぶこととする。リフティング
現象により、樹脂被覆層21に穴21aが形成される。
リフティング加工によれば、パルスレーザビーム1ショ
ットの照射で、従来のアブレーション加工に比べ、大面
積の穴を形成することができる。図2(B)に示した穴
21aがたとえば円形の底面を有するとき、その直径は
たとえば200μmである。
(17b)にパルスレーザビームが1ショット入射する
と、樹脂被覆層21と金属層22との界面が高圧力状態
となり、この圧力によって金属層22上面におけるパル
スレーザビームの反射位置付近の樹脂被覆層21の一部
が金属層22から剥離する。この現象を「リフティング
現象」と呼び、「リフティング現象」を利用した加工を
「リフティング加工」と呼ぶこととする。リフティング
現象により、樹脂被覆層21に穴21aが形成される。
リフティング加工によれば、パルスレーザビーム1ショ
ットの照射で、従来のアブレーション加工に比べ、大面
積の穴を形成することができる。図2(B)に示した穴
21aがたとえば円形の底面を有するとき、その直径は
たとえば200μmである。
【0014】ステージ16により、多層基板17a及び
17bが移動され、それぞれの基板の所定の位置に、リ
フティング現象による穴が次々と形成される。基板を構
成する材料などによっては、リフティング現象を用いた
レーザ加工後に、樹脂被覆層の皮膜が、穴の底面に薄く
残存する場合がある。たとえば銅層の表面に、厚さ60
μmのエポキシ樹脂層が積層された多層基板17a及び
17bには、銅層の表面に薄いエポキシ樹脂の皮膜21
bが残存する。そこで次に、リフティング現象を用いて
穴開け加工を行った際とは異なる波長のレーザビームを
照射することによって、この残存皮膜21bを除去す
る。
17bが移動され、それぞれの基板の所定の位置に、リ
フティング現象による穴が次々と形成される。基板を構
成する材料などによっては、リフティング現象を用いた
レーザ加工後に、樹脂被覆層の皮膜が、穴の底面に薄く
残存する場合がある。たとえば銅層の表面に、厚さ60
μmのエポキシ樹脂層が積層された多層基板17a及び
17bには、銅層の表面に薄いエポキシ樹脂の皮膜21
bが残存する。そこで次に、リフティング現象を用いて
穴開け加工を行った際とは異なる波長のレーザビームを
照射することによって、この残存皮膜21bを除去す
る。
【0015】波長変換ユニットを含む全固体レーザ発振
器11から、たとえばNd:YLFレーザの波長を変換
し、波長523nm、パルス幅10ps、パルスエネル
ギ20〜500μJのNd:YLFレーザの2倍高調波
を出射する。この2倍高調波もビームスプリッタ12に
より分岐し、2つの光路A及びBを進む。ステージ16
が、リフティング加工で形成された穴の底に2倍高調波
が入射するように、多層基板17a及び17bを移動す
る。2倍高調波は1つの穴につき、1〜10ショット照
射される。これによりエポキシ樹脂の残存皮膜が除去さ
れ、銅層の表面が露出する。このとき、残存皮膜には1
パルス当たり約0.5J/cm2以上のフルエンスのビ
ームが照射される。
器11から、たとえばNd:YLFレーザの波長を変換
し、波長523nm、パルス幅10ps、パルスエネル
ギ20〜500μJのNd:YLFレーザの2倍高調波
を出射する。この2倍高調波もビームスプリッタ12に
より分岐し、2つの光路A及びBを進む。ステージ16
が、リフティング加工で形成された穴の底に2倍高調波
が入射するように、多層基板17a及び17bを移動す
る。2倍高調波は1つの穴につき、1〜10ショット照
射される。これによりエポキシ樹脂の残存皮膜が除去さ
れ、銅層の表面が露出する。このとき、残存皮膜には1
パルス当たり約0.5J/cm2以上のフルエンスのビ
ームが照射される。
【0016】照射位置検出センサ18a及び18bは、
たとえばCCDカメラを含んで構成され、それぞれ多層
基板17a及び17bの画像を撮影し、撮影した画像を
コントローラ19に送る。コントローラ19は画像を分
析し、多層基板17a及び17bの銅層表面が露出され
たか否かを判定する。銅層表面の露出が確認された場
合、ステージ16により多層基板17a及び17bが移
動し、基本波で形成された別の穴の底の残存皮膜を除去
する。銅層の露出が確認されない場合は、再び2倍高調
波を入射させ、銅層を露出させる。この2倍高調波の再
入射においては、たとえば1ショット毎に皮膜の除去状
態が判定される。
たとえばCCDカメラを含んで構成され、それぞれ多層
基板17a及び17bの画像を撮影し、撮影した画像を
コントローラ19に送る。コントローラ19は画像を分
析し、多層基板17a及び17bの銅層表面が露出され
たか否かを判定する。銅層表面の露出が確認された場
合、ステージ16により多層基板17a及び17bが移
動し、基本波で形成された別の穴の底の残存皮膜を除去
する。銅層の露出が確認されない場合は、再び2倍高調
波を入射させ、銅層を露出させる。この2倍高調波の再
入射においては、たとえば1ショット毎に皮膜の除去状
態が判定される。
【0017】第1の実施例においては、多層基板17a
及び17bとして、銅層表面にエポキシ樹脂層が形成さ
れている同一の多層基板を用いた。しかし、一方に、た
とえばアルミニウム層の表面にポリイミド層が形成され
ている多層基板を用いるなど、光路AとBとを進んでき
たレーザビームで、異なる種類の加工対象物を加工する
こともできる。また、ここでは、2筋に分岐したレーザ
ビームで別々の基板を加工したが、加工を行うのが1枚
の基板の異なる位置であってもよい。
及び17bとして、銅層表面にエポキシ樹脂層が形成さ
れている同一の多層基板を用いた。しかし、一方に、た
とえばアルミニウム層の表面にポリイミド層が形成され
ている多層基板を用いるなど、光路AとBとを進んでき
たレーザビームで、異なる種類の加工対象物を加工する
こともできる。また、ここでは、2筋に分岐したレーザ
ビームで別々の基板を加工したが、加工を行うのが1枚
の基板の異なる位置であってもよい。
【0018】図3は、本発明の第2の実施例によるレー
ザ加工方法で用いられるレーザ加工装置の概略図であ
る。波長変換ユニットを含む全固体レーザ発振器30
は、第1の実施例で用いた全固体レーザ発振器と同じも
のである。まずNd:YLFレーザの基本波(波長10
47nm)を、パルス幅10ps、パルスエネルギ1m
Jで出射する。レーザビームは反射ミラー31で反射さ
れ、ホログラム板32で複数条のレーザビームに分岐し
て、ステージ34上に据えられている多層基板35上に
集光され、多層基板35上の複数の箇所に同時に照射さ
れる。なお、ホログラム板32には、Nd:YLFレー
ザの基本波と2倍高調波の両方の波長に対して、被加工
部で同じ模様となるように記録がしてある。
ザ加工方法で用いられるレーザ加工装置の概略図であ
る。波長変換ユニットを含む全固体レーザ発振器30
は、第1の実施例で用いた全固体レーザ発振器と同じも
のである。まずNd:YLFレーザの基本波(波長10
47nm)を、パルス幅10ps、パルスエネルギ1m
Jで出射する。レーザビームは反射ミラー31で反射さ
れ、ホログラム板32で複数条のレーザビームに分岐し
て、ステージ34上に据えられている多層基板35上に
集光され、多層基板35上の複数の箇所に同時に照射さ
れる。なお、ホログラム板32には、Nd:YLFレー
ザの基本波と2倍高調波の両方の波長に対して、被加工
部で同じ模様となるように記録がしてある。
【0019】多層基板35は第1の実施例で用いた多層
基板と同じものであり、たとえば厚さ60μmのエポキ
シ樹脂層である樹脂被覆層21と銅で形成された金属層
22とを有する。この樹脂被覆層21上面の複数の箇所
にレーザビームが入射する。樹脂被覆層21はNd:Y
LFレーザの基本波の多くを透過する。金属層22は、
この大部分を反射する。よってリフティング現象によ
り、樹脂被覆層21の剥離を誘起し、複数個の穴を同時
に開けることができる。
基板と同じものであり、たとえば厚さ60μmのエポキ
シ樹脂層である樹脂被覆層21と銅で形成された金属層
22とを有する。この樹脂被覆層21上面の複数の箇所
にレーザビームが入射する。樹脂被覆層21はNd:Y
LFレーザの基本波の多くを透過する。金属層22は、
この大部分を反射する。よってリフティング現象によ
り、樹脂被覆層21の剥離を誘起し、複数個の穴を同時
に開けることができる。
【0020】図3(B)は、1ショットのレーザビーム
が、ホログラム板32の記録に従い複数条のレーザビー
ムに分岐され、多層基板35上に集光させられて、多層
基板35上に形成した穴の平面図である。この図に示さ
れた例の場合、分岐させないパルスレーザビームを6シ
ョット照射し、リフティング現象により部分的に重なっ
た穴を形成した場合と同じ面積の穴が、1ショットで形
成されることになる。
が、ホログラム板32の記録に従い複数条のレーザビー
ムに分岐され、多層基板35上に集光させられて、多層
基板35上に形成した穴の平面図である。この図に示さ
れた例の場合、分岐させないパルスレーザビームを6シ
ョット照射し、リフティング現象により部分的に重なっ
た穴を形成した場合と同じ面積の穴が、1ショットで形
成されることになる。
【0021】続いて、開けた穴の底に残存するエポキシ
皮膜を除去する。波長変換ユニットを含む全固体レーザ
発振器30から、たとえばNd:YLFレーザの波長を
変換し、波長523nm、パルス幅10ps、パルスエ
ネルギ20〜500μJのNd:YLFレーザの2倍高
調波を出射する。この2倍高調波もホログラム板32の
記録に従い、基本波と同様に分岐し、リフティング現象
で開けられた穴の底に入射する。このため、ステージ3
4を動かす必要はない。残存するエポキシ樹脂の皮膜は
1〜10ショットで除去され、銅層表面が露出する。こ
のとき、皮膜に照射するレーザビームのパルスエネルギ
密度は約0.5J/cm2以上である。
皮膜を除去する。波長変換ユニットを含む全固体レーザ
発振器30から、たとえばNd:YLFレーザの波長を
変換し、波長523nm、パルス幅10ps、パルスエ
ネルギ20〜500μJのNd:YLFレーザの2倍高
調波を出射する。この2倍高調波もホログラム板32の
記録に従い、基本波と同様に分岐し、リフティング現象
で開けられた穴の底に入射する。このため、ステージ3
4を動かす必要はない。残存するエポキシ樹脂の皮膜は
1〜10ショットで除去され、銅層表面が露出する。こ
のとき、皮膜に照射するレーザビームのパルスエネルギ
密度は約0.5J/cm2以上である。
【0022】照射位置検出センサ36は、たとえばCC
Dカメラを含んで構成される。照射位置検出センサ36
の撮影した多層基板35の画像が、コントローラ37に
送られる。コントローラ37は画像を分析し、銅層表面
が露出されたか否かを判定する。銅層表面の露出が確認
された場合、ステージ34により多層基板35が移動
し、多層基板35上の異なる場所において再びNd:Y
LFレーザの基本波によるリフティング加工が開始され
る。皮膜が除去されていない場合は、再び2倍高調波を
入射させ、銅層を露出させる。この2倍高調波の再入射
においては、たとえば1ショット毎に皮膜の除去状態を
判定する。
Dカメラを含んで構成される。照射位置検出センサ36
の撮影した多層基板35の画像が、コントローラ37に
送られる。コントローラ37は画像を分析し、銅層表面
が露出されたか否かを判定する。銅層表面の露出が確認
された場合、ステージ34により多層基板35が移動
し、多層基板35上の異なる場所において再びNd:Y
LFレーザの基本波によるリフティング加工が開始され
る。皮膜が除去されていない場合は、再び2倍高調波を
入射させ、銅層を露出させる。この2倍高調波の再入射
においては、たとえば1ショット毎に皮膜の除去状態を
判定する。
【0023】このようにホログラム板を用い、レーザビ
ームを幾筋かに分岐させることによって、加工速度を向
上させることができる。図4は本発明の第3の実施例に
よるレーザ加工方法で用いられるレーザ加工装置の概略
図である。第2の実施例のホログラム板32のかわり
に、回折格子38と平凸レンズ39を用いている。回折
格子38は波長変換ユニットを含む全固体レーザ発振器
30から出射され、反射ミラー31で反射されたNd:
YLFレーザの基本波のパルスレーザビームを複数条の
回折光に分岐させる。ただしホログラム板とは異なり、
回折格子は集光能力を備えていないので、平凸レンズ3
9が多層基板35上にパルスレーザビームを集光させ
る。他の構成は第2の実施例と等しい。
ームを幾筋かに分岐させることによって、加工速度を向
上させることができる。図4は本発明の第3の実施例に
よるレーザ加工方法で用いられるレーザ加工装置の概略
図である。第2の実施例のホログラム板32のかわり
に、回折格子38と平凸レンズ39を用いている。回折
格子38は波長変換ユニットを含む全固体レーザ発振器
30から出射され、反射ミラー31で反射されたNd:
YLFレーザの基本波のパルスレーザビームを複数条の
回折光に分岐させる。ただしホログラム板とは異なり、
回折格子は集光能力を備えていないので、平凸レンズ3
9が多層基板35上にパルスレーザビームを集光させ
る。他の構成は第2の実施例と等しい。
【0024】第3の実施例によるレーザ加工方法は、第
2の実施例と同様に、1本の原レーザビームを複数個に
分岐し加工に使用することで、加工速度を向上させるこ
とができる。この後、ステージ34により多層基板35
を移動させることで、2倍高調波がリフティング現象で
開けられた各穴の底面に到達する。この2倍高調波のパ
ルスレーザビームの照射で、残存皮膜を除去する。照射
位置検出センサ36、コントローラ37の作用は、第2
の実施例と同様である。
2の実施例と同様に、1本の原レーザビームを複数個に
分岐し加工に使用することで、加工速度を向上させるこ
とができる。この後、ステージ34により多層基板35
を移動させることで、2倍高調波がリフティング現象で
開けられた各穴の底面に到達する。この2倍高調波のパ
ルスレーザビームの照射で、残存皮膜を除去する。照射
位置検出センサ36、コントローラ37の作用は、第2
の実施例と同様である。
【0025】回折格子のかわりにビームスプリッタ、D
OE(Diffractive Optics Elements)等の分岐光学
素子やエキスパンダを利用してもよい。図5は本発明の
第4の実施例によるレーザ加工方法で用いられるレーザ
加工装置の概略図である。波長変換ユニットを含む全固
体レーザ発振器40は第1の実施例で用いたのと同じも
のである。まず、Nd:YLFレーザの基本波(波長1
047nm)を出射させる。パルスレーザビームはビー
ム断面の形状を整形するためのマスク41、ガルバノス
キャナ43、レーザビームの焦点を多層基板46上に結
ばせるfθレンズ44を経て、ステージ45上に据えら
れている多層基板46に照射される。ガルバノスキャナ
43は一対の揺動可能な反射鏡を含んで構成され、レー
ザビームを2次元方向に高速で走査する。
OE(Diffractive Optics Elements)等の分岐光学
素子やエキスパンダを利用してもよい。図5は本発明の
第4の実施例によるレーザ加工方法で用いられるレーザ
加工装置の概略図である。波長変換ユニットを含む全固
体レーザ発振器40は第1の実施例で用いたのと同じも
のである。まず、Nd:YLFレーザの基本波(波長1
047nm)を出射させる。パルスレーザビームはビー
ム断面の形状を整形するためのマスク41、ガルバノス
キャナ43、レーザビームの焦点を多層基板46上に結
ばせるfθレンズ44を経て、ステージ45上に据えら
れている多層基板46に照射される。ガルバノスキャナ
43は一対の揺動可能な反射鏡を含んで構成され、レー
ザビームを2次元方向に高速で走査する。
【0026】多層基板46は第1の実施例で用いたのと
同じものである。樹脂被覆層21上面にレーザビームが
入射する。ガルバノスキャナ43の動作により、樹脂被
覆層21にリフティング現象による穴が次々と開けられ
る。
同じものである。樹脂被覆層21上面にレーザビームが
入射する。ガルバノスキャナ43の動作により、樹脂被
覆層21にリフティング現象による穴が次々と開けられ
る。
【0027】続いて、開いた穴の底に残存するエポキシ
皮膜を除去する。Nd:YLFレーザの波長を変換し、
2倍高調波(波長523nm)をリフティング現象によ
って形成された穴に入射し、銅層表面を露出させる。ガ
ルバノスキャナ43の動作により、次々と各穴底の皮膜
が除去されていく。基本波、2倍高調波とも、パルスレ
ーザビームのパルス幅、パルスエネルギ密度、ショット
数は第1の実施例と同じである。
皮膜を除去する。Nd:YLFレーザの波長を変換し、
2倍高調波(波長523nm)をリフティング現象によ
って形成された穴に入射し、銅層表面を露出させる。ガ
ルバノスキャナ43の動作により、次々と各穴底の皮膜
が除去されていく。基本波、2倍高調波とも、パルスレ
ーザビームのパルス幅、パルスエネルギ密度、ショット
数は第1の実施例と同じである。
【0028】照射位置検出センサ47及びコントローラ
48の作用も、第1の実施例と同様である。リフティン
グ加工されたすべての穴の底の銅層表面の露出が確認さ
れた場合、ステージ45により多層基板46が移動し、
多層基板46上の異なる場所において再びNd:YLF
レーザの基本波によるリフティング加工が開始される。
皮膜が除去されていない場合は、再び2倍高調波を入射
させ、銅層を露出させる。この2倍高調波の再入射にお
いては、たとえば1ショット毎に皮膜の除去状態を判定
する。
48の作用も、第1の実施例と同様である。リフティン
グ加工されたすべての穴の底の銅層表面の露出が確認さ
れた場合、ステージ45により多層基板46が移動し、
多層基板46上の異なる場所において再びNd:YLF
レーザの基本波によるリフティング加工が開始される。
皮膜が除去されていない場合は、再び2倍高調波を入射
させ、銅層を露出させる。この2倍高調波の再入射にお
いては、たとえば1ショット毎に皮膜の除去状態を判定
する。
【0029】このように、リフティング加工及び残存皮
膜の除去に高速ビーム走査光学系を使用することもでき
る。ステージのみの位置制御で加工を行うよりも、高い
スループットを得ることができる。
膜の除去に高速ビーム走査光学系を使用することもでき
る。ステージのみの位置制御で加工を行うよりも、高い
スループットを得ることができる。
【0030】図6は第4の実施例のガルバノスキャナ4
3のかわりに、ポリゴンミラーを使った高速ビーム走査
光学系のひとつである、ポリゴン・ガルバノスキャナ4
9を用いた図である。ポリゴン・ガルバノスキャナ49
は1枚のガルバノミラーと1個のポリゴンミラーとで構
成されており、ガルバノスキャナ43と同じく、パルス
レーザビームを2次元方向に高速で走査する。他の構成
及び作用は図5に示したものに等しい。ポリゴンミラー
を含んだ高速ビーム光学系を使用することにより、走査
を高速化することができる。
3のかわりに、ポリゴンミラーを使った高速ビーム走査
光学系のひとつである、ポリゴン・ガルバノスキャナ4
9を用いた図である。ポリゴン・ガルバノスキャナ49
は1枚のガルバノミラーと1個のポリゴンミラーとで構
成されており、ガルバノスキャナ43と同じく、パルス
レーザビームを2次元方向に高速で走査する。他の構成
及び作用は図5に示したものに等しい。ポリゴンミラー
を含んだ高速ビーム光学系を使用することにより、走査
を高速化することができる。
【0031】第1〜4の実施例について、残存皮膜を除
去するのに使用するレーザビームとしては、パルス幅が
ピコ秒オーダの緑色の波長領域(波長492〜577n
m)の光だけでなく、ナノ秒オーダの紫外線の波長領域
(波長4〜400nm)の光、ピコ秒オーダの紫外線か
ら緑色の波長領域の光を用いることができる。ナノ秒オ
ーダの緑色の波長領域の光は、樹脂被覆層による吸収が
少ないため、銅が先に溶融してしまい、皮膜を除去する
ことができない。また以上の実施例では、リフティング
現象を用いた穴開けをNd:YLFレーザの基本波(波
長1047nm)で行い、残存皮膜の除去を同じくN
d:YLFレーザの2倍高調波(波長523nm)で行
ったが、前者をNd:YAGレーザの基本波(波長10
64nm)で、後者をNd:YAGレーザの2倍高調波
(波長532nm)で行ってもよい。アブレーションで
残存皮膜を除去する。
去するのに使用するレーザビームとしては、パルス幅が
ピコ秒オーダの緑色の波長領域(波長492〜577n
m)の光だけでなく、ナノ秒オーダの紫外線の波長領域
(波長4〜400nm)の光、ピコ秒オーダの紫外線か
ら緑色の波長領域の光を用いることができる。ナノ秒オ
ーダの緑色の波長領域の光は、樹脂被覆層による吸収が
少ないため、銅が先に溶融してしまい、皮膜を除去する
ことができない。また以上の実施例では、リフティング
現象を用いた穴開けをNd:YLFレーザの基本波(波
長1047nm)で行い、残存皮膜の除去を同じくN
d:YLFレーザの2倍高調波(波長523nm)で行
ったが、前者をNd:YAGレーザの基本波(波長10
64nm)で、後者をNd:YAGレーザの2倍高調波
(波長532nm)で行ってもよい。アブレーションで
残存皮膜を除去する。
【0032】更に、本発明の各実施例においては加工対
象物として3層からなる多層基板を考えたが、これは下
地部材であるたとえば銅などの金属層表面に、被覆層が
形成されたものであればよい。
象物として3層からなる多層基板を考えたが、これは下
地部材であるたとえば銅などの金属層表面に、被覆層が
形成されたものであればよい。
【0033】以上、実施例に沿って本発明を説明した
が、本発明はこれらに限定されるものではない。たとえ
ば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは、
当業者に自明であろう。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。たとえ
ば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは、
当業者に自明であろう。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大面積の穴開け加工を、少ない照射量で、しかも下の層
に与える影響を小さくして行うことができる。
大面積の穴開け加工を、少ない照射量で、しかも下の層
に与える影響を小さくして行うことができる。
【図1】本発明の第1の実施例によるレーザ加工方法で
用いられるレーザ加工装置の概略図である。
用いられるレーザ加工装置の概略図である。
【図2】(A)は、第1の実施例によるレーザ加工方法
で加工される多層基板の断面図であり、(B)は、第1
の実施例によるレーザ加工方法で穿孔された多層基板の
断面図である。
で加工される多層基板の断面図であり、(B)は、第1
の実施例によるレーザ加工方法で穿孔された多層基板の
断面図である。
【図3】(A)は、第2の実施例によるレーザ加工方法
で用いられるレーザ加工装置の概略図であり、(B)
は、第2の実施例によるレーザ加工方法で加工された穴
の平面図である。
で用いられるレーザ加工装置の概略図であり、(B)
は、第2の実施例によるレーザ加工方法で加工された穴
の平面図である。
【図4】第3の実施例によるレーザ加工方法で用いられ
るレーザ加工装置の概略図である。
るレーザ加工装置の概略図である。
【図5】第4の実施例によるレーザ加工方法で用いられ
るレーザ加工装置の概略図である。
るレーザ加工装置の概略図である。
【図6】本発明の第4の実施例によるレーザ加工方法で
用いられるレーザ加工装置の概略図である。
用いられるレーザ加工装置の概略図である。
A、B 光路
11 (波長変換ユニットを含む)全固体レーザ発振器
12 ビームスプリッタ
13、14 反射ミラー
15a、b 平凸レンズ
16 ステージ
17a、b 多層基板
18a、b 照射位置検出センサ
19 コントローラ
21 樹脂被覆層
21a 穴
21b 皮膜
22 金属層
23 樹脂下地層
30 (波長変換ユニットを含む)全固体レーザ発振器
31 反射ミラー
32 ホログラム板
34 ステージ
35 多層基板
36 照射位置検出センサ
37 コントローラ
38 回折格子
39 平凸レンズ
40 (波長変換ユニットを含む)全固体レーザ発振器
41 マスク
43 ガルバノスキャナ
44 fθレンズ
45 ステージ
46 多層基板
47 照射位置検出センサ
48 コントローラ
49 ポリゴン・ガルバノスキャナ
Claims (2)
- 【請求項1】 下地部材の表面上に、該下地部材の表層
部の材料とは異なる材料からなる被覆層が形成された加
工対象物を準備する工程と、 前記被覆層を透過し、該被覆層と前記下地部材との界面
で反射し、反射位置の該被覆層を該下地部材から剥離さ
せる性質を有する1本の原レーザビームを複数本のレー
ザビームに分岐させ、該複数本のレーザビームを該被覆
層の表面から前記加工対象物に同時に入射させて、該被
覆層の一部を該下地部材から剥離させ、剥離部分を形成
する工程とを有するレーザ加工方法。 - 【請求項2】 下地部材の表面上に、該下地部材の表層
部の材料とは異なる材料からなる被覆層が形成された加
工対象物を準備する工程と、 前記被覆層を透過し、該被覆層と前記下地部材との界面
で反射し、反射位置の該被覆層を該下地部材から剥離さ
せる性質を有するレーザビームを、前記加工対象物上の
異なる位置に入射させるビーム走査手段で走査して、前
記被覆層の表面から前記加工対象物に入射させ、前記被
覆層の一部を前記下地部材から剥離させて、剥離部分を
形成する工程とを有するレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002082334A JP2003285185A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002082334A JP2003285185A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | レーザ加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003285185A true JP2003285185A (ja) | 2003-10-07 |
Family
ID=29230561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002082334A Pending JP2003285185A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003285185A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008023547A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Takei Electric Industries Co Ltd | 薄膜除去方法及び薄膜除去装置 |
JP4472014B1 (ja) * | 2009-01-30 | 2010-06-02 | 株式会社 エスアンドデイ | 膜回収装置及び膜回収方法 |
JP2010522082A (ja) * | 2007-03-21 | 2010-07-01 | フォトン・ダイナミクス・インコーポレーテッド | 複数の波長を用いたレーザアブレーション |
EP2777862A3 (en) * | 2013-03-11 | 2014-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrate peeling device, method for peeling substrate, and method for fabricating flexible display device |
JP2022058933A (ja) * | 2017-12-14 | 2022-04-12 | 株式会社キーエンス | レーザ加工装置 |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002082334A patent/JP2003285185A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008023547A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Takei Electric Industries Co Ltd | 薄膜除去方法及び薄膜除去装置 |
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KR101500021B1 (ko) * | 2007-03-21 | 2015-03-06 | 포톤 다이나믹스, 인코포레이티드 | 다수의 파장을 사용하는 레이저 절제 |
JP4472014B1 (ja) * | 2009-01-30 | 2010-06-02 | 株式会社 エスアンドデイ | 膜回収装置及び膜回収方法 |
JP2010172856A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | S & D:Kk | 膜回収装置及び膜回収方法 |
EP2777862A3 (en) * | 2013-03-11 | 2014-11-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrate peeling device, method for peeling substrate, and method for fabricating flexible display device |
JP2022058933A (ja) * | 2017-12-14 | 2022-04-12 | 株式会社キーエンス | レーザ加工装置 |
JP7228061B2 (ja) | 2017-12-14 | 2023-02-22 | 株式会社キーエンス | レーザ加工装置 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060517 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061003 |