JP2011251317A5

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Publication number: JP2011251317A5
Application number: JP2010127431A
Authority: JP
Filing date: 2010-06-03
Publication date: 2013-06-20
Anticipated expiration: 2030-06-03

Claims

パルス幅が１００ｐｓ以上１μｓ以下である第１のレーザビームにより形成される第１のレーザビームスポットと、
パルス幅が１ｆｓ以上９９９ｆｓ以下である第２のレーザビームにより形成される第２のレーザビームスポットと、
パルス幅が１ｆｓ以上９９９ｆｓ以下である第３のレーザビームにより形成される第３のレーザビームスポットと、
をパルス周波数を同期させて薄膜に照射する工程を有し、
前記第２のレーザビームスポットと第３のレーザビームスポットを、前記第１のレーザビームスポットの両端に配置し、
前記両端を結ぶ直線と交差する方向に、前記第１のレーザビームスポット、前記第２のレーザビームスポット、及び前記第３のレーザビームスポットを相対的に移動させ、前記薄膜を分断することを特徴とする薄膜の加工方法。
第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に第２の電極を形成する工程と、
を有する光電変換装置の作製方法であって、
パルス幅が１００ｐｓ以上１μｓ以下である第１のレーザビームにより形成される第１のレーザビームスポットと、
パルス幅が１ｆｓ以上９９９ｆｓ以下である第２のレーザビームにより形成される第２のレーザビームスポットと、
パルス幅が１ｆｓ以上９９９ｆｓ以下である第３のレーザビームにより形成される第３のレーザビームスポットと、
をパルス周波数を同期させて、前記第１の電極、前記半導体層、又は前記第２の電極に照射する工程を有し、
前記第２のレーザビームスポットと第３のレーザビームスポットを、前記第１のレーザビームスポットの両端に配置し、
前記両端を結ぶ直線と交差する方向に、前記第１のレーザビームスポット、前記第２のレーザビームスポット、及び前記第３のレーザビームスポットを相対的に移動させ、前記第１の電極、前記半導体層、又は前記第２の電極に開口部を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に第１の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層上に第２の半導体層を形成する工程と、
前記第２の半導体層上に第３の半導体層を形成する工程と、
前記第３の半導体層上に中間層を形成する工程と、
前記中間層上に第４の半導体層を形成する工程と、
前記第４の半導体層上に第５の半導体層と形成する工程と、
前記第５の半導体層上に第６の半導体層を形成する工程と、
前記第６の半導体層上に第２の電極を形成する工程と、
を有する光電変換装置の作製方法であって、
パルス幅が１００ｐｓ以上１μｓ以下である第１のレーザビームにより形成される第１のレーザビームスポットと、
パルス幅が１ｆｓ以上９９９ｆｓ以下である第２のレーザビームにより形成される第２のレーザビームスポットと、
パルス幅が１ｆｓ以上９９９ｆｓ以下である第３のレーザビームにより形成される第３のレーザビームスポットと、
をパルス周波数を同期させて、前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、前記第３の半導体層、前記中間層、前記第４の半導体層、前記第５の半導体層、及び前記６の半導体層に照射する工程を有し、
前記第２のレーザビームスポットと第３のレーザビームスポットを、前記第１のレーザビームスポットの両端に配置し、
前記両端を結ぶ直線と交差する方向に、前記第１のレーザビームスポット、前記第２のレーザビームスポット、及び前記第３のレーザビームスポットを相対的に移動させ、前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、前記第３の半導体層、前記中間層、前記第４の半導体層、前記第５の半導体層、及び前記６の半導体層に開口部を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
パルス幅が１００ｐｓ以上１μｓ以下であるレーザビームを発する第１のレーザと、
パルス幅が１ｆｓ以上９９９ｆｓ以下であるレーザビームを発する第２のレーザと、
パルス幅が１ｆｓ以上９９９ｆｓ以下であるレーザビームを発する第３のレーザと、
前記第１のレーザが発するレーザビームを、照射面において第１のレーザビームスポットに整形する第１の光学系と、
前記第２のレーザが発するレーザビームを、第１のレーザビームスポットの端部に位置する第２のレーザビームスポットに整形する第２の光学系と、
前記第３のレーザが発するレーザビームを、第１のレーザビームスポットの端部に位置する第３のレーザビームスポットに整形する第３の光学系と、
前記照射面を有する照射対象を搭載するステージと、
前記第１のレーザビームスポットの両端を結ぶ直線と交差する方向に、前記第１のレーザビームスポット、前記第２のレーザビームスポット、及び前記第３のレーザビームスポットを前記ステージに対して相対的に移動させる動作部と、
前記第１のレーザと前記第２のレーザと前記第３のレーザのパルス周波数を同期させる同期装置と、
を有することを特徴とする薄膜の加工装置。
請求項４において、
前記第１の光学系は、マスクと投影レンズを有することを特徴とする薄膜の加工装置。