JP5660471B2 - 蛍光体、その製造方法および発光器具 - Google Patents

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Description

本発明は、AlN結晶(窒化アルミニウム結晶)、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶を母体結晶とする蛍光体、その製造方法およびその用途に関する。さらに詳細には、該用途は該蛍光体の有する性質、すなわち430nm以上480nm以下の波長にピークを持つ青色光を発する特性を利用した照明器具および画像表示装置の発光器具に関する。なかでも、10V以上の加速電圧による電子線で励起される画像表示装置に関する。
蛍光体は、蛍光表示管(VFD(Vacuum−Fluorescent Display))、フィールドエミッションディスプレイ(FED(Field Emission Display)またはSED(Surface−Conduction Electron−Emitter Display))、プラズマディスプレイパネル(PDP(Plasma Display Panel))、陰極線管(CRT(Cathode−Ray Tube))、白色発光ダイオード(LED(Light−Emitting Diode))などに用いられている。これらのいずれの用途においても、蛍光体を発光させるためには、蛍光体を励起するためのエネルギーを蛍光体に供給する必要があり、蛍光体は真空紫外線、紫外線、電子線、青色光などの高いエネルギーを有した励起源により励起されて、可視光線を発する。しかしながら、蛍光体は前記のような励起源に曝される結果、蛍光体の輝度が低下し易く、輝度低下のない蛍光体が求められている。そのため、従来のケイ酸塩蛍光体、リン酸塩蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、硫化物蛍光体などの蛍光体に代わり、輝度低下の少ない蛍光体として、サイアロン蛍光体、酸窒化物蛍光体、窒化物蛍光体が提案されている。
このサイアロン蛍光体の一例は、概略以下に述べるような製造プロセスによって製造される。まず、窒化ケイ素(Si)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化ユーロピウム(Eu)を所定のモル比に混合し、1気圧(0.1MPa)の窒素中において1700℃の温度で1時間保持してホットプレス法により焼成して製造される(例えば、特許文献1参照)。このプロセスで得られるEuイオンを付活したαサイアロンは、450から500nmの青色光で励起されて550から600nmの黄色の光を発する蛍光体となることが報告されている。また、β型サイアロンに希土類元素を添加した蛍光体(特許文献2参照)が知られており、Tb、Yb、Agを付活したものは525nmから545nmの緑色を発光する蛍光体となることが示されている。さらに、β型サイアロンにEu2+を付活した緑色の蛍光体(特許文献3参照)が知られている。
酸窒化物蛍光体の一例は、JEM相(LaAl(Si6−zAl)N10−z)を母体結晶としてCeを付活させた青色蛍光体(特許文献4参照)、LaSi11を母体結晶としてCeを付活させた青色蛍光体(特許文献5参照)が知られている。
窒化物蛍光体の一例は、CaAlSiNを母体結晶としてEuを付活させた赤色蛍光体(特許文献6参照)が知られている。また、AlNを母体とする蛍光体として、非特許文献1には、3価のEuイオンを添加した蛍光体(即ちAlN:Eu3+)を室温でマグネトロンスパッタリング法により非晶質セラミックス薄膜を合成し、580nm〜640nmにEu3+イオンからの発光ピークを有するオレンジ色あるいは赤色蛍光体が得られたと報告されている。非特許文献2には、非晶質AlN薄膜にTb3+を付活した蛍光体が電子線励起で543nmにピークを持つ緑色に発光すると報告されている。非特許文献3にはAlN薄膜にGd3+を付活した蛍光体が報告されている。しかし、これらのAlN基の蛍光体はいずれも照明や画像表示装置用途に向かない非晶質の薄膜である。
電子線を励起源とする画像表示装置(VFD、FED、SED、CRT)用途の青色蛍光体としては、YSiOを母体結晶としてCeを固溶させた蛍光体(特許文献7)やZnSにAgなどの発光イオンを固溶させた蛍光体(特許文献8)が報告されている。
本発明者らは、AlN構造を持つ結晶を母体結晶とし、2価のEuイオンを添加した蛍光体(即ちAlN:Eu2+)を特許文献9(未公開)において提案した。この蛍光体は、AlNにSiとEuを添加して1800℃以上の高温で焼成することにより得られるものであり、AlN結晶構造にSiとEuと酸素とが固溶して2価のEuイオン(Eu2+)が安定化することにより、Eu2+由来の青色の蛍光が発現する。
さらに本発明者らは、AlN構造を持つ結晶を母体結晶とし、2価のEuイオンを添加した蛍光体は、特に電子線励起において輝度寿命が優れており、係る蛍光体を用いたフィールドエミッションディスプレイなどの電子線励起発光素子は、長寿命のディスプレイとなることを特許文献10において提案した。
特許第3668770号明細書 特開昭60−206889号公報 特開2005−255895号公報 国際公開第2005/019376号パンフレット 特開2005−112922号公報 国際公開第2005/052087号パンフレット 特開2003−55657号公報 特開2004−285363号公報 特願2004−234690号明細書 特開2006−291035号公報
Meghan L. Caldwell、他、「Visible Luminescent Activation of Amorphous AlN:Eu Thin−Film Phosphors with Osygen」、MRS Internet Journal Nitride Semiconductor Research、6巻、13号、1〜8ページ、2001年。 H.H.Richardson、他、「Thin−film electroluminescent devices grown on plastic substrates using an amorphous AlN:Tb3+ phosphor」、Applied Physics Letters、80巻、12号、2207〜2209ページ、2002年。 U.Vetter,他、「Intense ultraviolet cathodoluminescence at 318 nm from Gd3+−doped AlN」、Physics Letters、83巻、11号、2145〜2147ページ、2003年。
紫外LEDを励起源とする白色LEDや画像表示装置の用途には、耐久性に優れ高い輝度を有する青色の蛍光体が求められている。さらに、FEDなどの電子線励起の画像表示装置の用途には、耐久性に優れ、電子線で高輝度に発光し、色純度が良い蛍光体が求められている。
電子線励起で用いられる特許文献7に開示される酸化物の蛍光体は、使用中に劣化して発光強度が低下するおそれがあり、画像表示装置で色バランスが変化するおそれがあった。特許文献8に開示される硫化物の蛍光体は、使用中に分解が起こり、硫黄が飛散してデバイスを汚染するおそれがあった。
AlN系結晶を母体として2価のEuイオンを付活した蛍光体は、特許文献10に示すように電子線励起特性および耐久性に優れた青色発光の蛍光体であるが、ピーク波長は470nm以上であり、青色蛍光体としての色純度が十分ではなかった。
本発明の目的は、このような要望に応えようとするものであり、従来の希土類付活サイアロン蛍光体より発光特性に優れ、従来の酸化物蛍光体よりも耐久性に優れた色純度がよい青色の蛍光体を提供することを課題とし、さらには、電子線で高輝度に発光する色純度がよい青色の蛍光体を提供しようというものである。
本発明者においては、かかる状況の下で、AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶に、少なくともEuを固溶させた窒化物あるいは酸窒化物について鋭意研究を重ねた結果、特定の組成領域範囲、特定の固溶状態および特定の結晶相を有するものは、2価のEuイオン由来の430nm以上480nm以下の範囲の波長に発光ピークを持つ青色蛍光体となることを見いだした。さらに、ケイ素が固溶した特定の組成範囲のものは、紫外線や電子線励起で高い輝度を有し、特に、電子線で励起される画像表示装置に適することを見いだした。必要に応じて、さらに、炭素が固溶した特定の組成範囲のものは、紫外線や電子線励起で高い輝度を有し、特に、電子線で励起される画像表示装置に適することを見いだした。必要に応じて、金属元素A(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cdから選ばれる1種または2種以上の元素)をさらに含有するものは、発光輝度が高いことを見いだした。また、結晶中の酸素含有量を0.4質量%以下とすることにより、色純度に優れた青色蛍光体となることを見いだした。
非特許文献1、非特許文献2、非特許文献3によれば、AlN非晶質薄膜にEu3+、Tb3+、Gd3+を付活した薄膜が電子線励起で発光することが報告されているが、金属元素Aとケイ素とを含むAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶を母体とする無機化合物を蛍光体として使用しようと検討されたことはなかった。特許文献10には、特定の金属元素とケイ素とを固溶させたAlN系蛍光体が電子線励起用の蛍光体となることが記載されているが、酸素含有量を低減すると蛍光体の発光波長が低波長に移動し、蛍光体の色純度が良くなることは、本発明者において初めて見いだされたものである。
この知見を基礎にしてさらに鋭意研究を重ねた結果、特定波長領域で高い輝度の発光現象を示す蛍光体とその蛍光体の製造方法、および優れた特性を有する照明器具、画像表示装置を提供することに成功した。以下(1)〜(19)に、それぞれより具体的に述べる。
(1) AlN結晶、AlNポリタイプ結晶、または、AlN固溶体結晶の結晶構造を持つ無機結晶を含む蛍光体であって、前記無機結晶には少なくとも2価のユーロピウムが固溶しており、前記無機結晶中の酸素量が0.4質量%以下であることを特徴とする蛍光体。
(2) 前記無機結晶が、ウルツ型AlN結晶構造、2Hδ、27R、21R、12H、15Rおよび8Hからなる群から選ばれる結晶構造、あるいは、前記無機結晶中にAl(O、N)四面体骨格を有する結晶構造のいずれかの結晶構造を持つことを特徴とする(1)の蛍光体。
(3)前記AlNポリタイプ結晶が、Al(O、N)四面体骨格からなる層とEuを含む骨格からなる層とから構成されることを特徴とする(1)の蛍光体。
(4) 前記無機結晶にケイ素が固溶してなることを特徴とする(1)の蛍光体。
(5) 前記無機結晶に炭素が固溶してなることを特徴とする(4)の蛍光体。
(6) 前記無機結晶が、AlN結晶またはAlNポリタイプ結晶と、SiC結晶との固溶体結晶であることを特徴とする(1)の蛍光体。
(7) 前記無機結晶に金属元素A(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)が固溶してなることを特徴とする(1)の蛍光体。
(8) 前記無機結晶は、組成式EuAlSi(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素。式中、a+b+c+d+e+f+g=1とする)で示され、
0.00001≦ a ≦0.1・・・・・・・・・(i)
0≦ b ≦0.2・・・・・・・・・・・・・・・・・(ii)
0.4≦ c ≦0.55・・・・・・・・・・・・・(iii)
0.005≦ d ≦0.2・・・・・・・・・・・・(iv)
0.001≦ e ≦0.05・・・・・・・・・・・(v)
0.3≦ f ≦0.55・・・・・・・・・・・・・(vi)
0≦ g ≦0.02・・・・・・・・・・・・・(vii)
以上の条件を満たす組成で表されることを特徴とする(1)の蛍光体。
(9) 励起源が100nm以上420nm以下の波長を持つ紫外線または可視光、電子線のいずれかであることを特徴とする(1)の蛍光体。
(10) (1)から(9)のいずれかの蛍光体の製造方法であって、ユーロピウムと、アルミニウムと、必要に応じてケイ素と、必要に応じてA(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)とを含有する原料混合物を、窒素雰囲気中において、15×10℃以上25×10℃以下の温度範囲で、酸素含有量が0.4質量%以下となるまで焼成することを特徴とする蛍光体の製造方法。
また、窒化ケイ素粉末、窒化アルミニウム、酸化ユーロピウム、及び、必要に応じて元素A(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)の化合物からなる混合物であって、全体としての酸素含有量が0.4質量%より多い混合物を混合し、0.1MPa以上100MPa以下の窒素雰囲気中において、15×10℃以上25×10℃以下の温度範囲で焼成し、ウルツ型AlN結晶構造、2Hδ、27R、21R、12H、15Rおよび8Hからなる群から選ばれる結晶構造、あるいは、前記無機結晶中にAl(O、N)四面体骨格を有する結晶構造のいずれかの結晶構造を含む無機結晶を含む蛍光体の製造方法において、焼成された無機化合物の酸素含有量が0.4質量%以下となるように前記焼成工程を行うことを特徴とする蛍光体の製造方法を提供することができる。このとき、元素Aは、ケイ素が結晶中に固溶することを助ける効果があると考えられ、例えば、元素Aが亜鉛であった場合、焼成中に揮発して焼成後の無機化合物から検出が困難になることもあるが、焼成中にケイ素が結晶中に固溶することを助けたものと考えられる。更に、微量とはいえ、2価のイオンが入ることにより電導性が向上して、電子線励起での発光効率が向上し、輝度が高くなる効果もあると考えられる。
(11) ユーロピウムの金属、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物、酸窒化物またはそれらの組合せと、窒化アルミニウムと、必要に応じて窒化ケイ素と、必要に応じてAの金属、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物、酸窒化物またはそれらの組合せ(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)とを含有する原料混合物を、相対嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で容器に充填した後に、0.1MPa以上100MPa以下の窒素雰囲気中において、15×10℃以上25×10℃以下の温度範囲で焼成することを特徴とする(10)の蛍光体の製造方法。
(12) 前記原料混合物にさらに炭化ケイ素または炭素を含有する化合物を添加することを特徴とする(10)の蛍光体の製造方法。
(13) (1)から(9)のいずれかの蛍光体を用いた照明器具であって、前記蛍光体の励起源として、330〜420nmの波長の光を発する発光光源を有することを特徴とする照明器具。
(14) 前記発光光源はLEDまたはLDであって、前記蛍光体の他に、330〜420nmの励起光により520nm〜550nmの波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体と、330〜420nmの励起光により600nm〜700nmの波長に発光ピークを持つ赤色蛍光体とを有することを特徴とする(13)の照明器具。
(15) 前記発光光源はLEDまたはLDであって、前記蛍光体の他には、330〜420nmの励起光により550nm〜600nmの波長に発光ピークを持つ黄色蛍光体を有することを特徴とする(13)または(14)の照明器具。
(16) 前記緑色蛍光体がEuを付活したβ型サイアロン蛍光体であり、前記赤色蛍光体がEuを付活したCaAlSiN蛍光体であることを特徴とする(14)の照明器具。
(17) 前記黄色蛍光体がEuを付活したα型サイアロン蛍光体であることを特徴とする(15)の照明器具。
(18) (1)から(9)のいずれかの蛍光体を表示素子として用いた画像表示装置であって、前記蛍光体を発光させる励起源を有することを特徴とする画像表示装置。
(19) 前記画像表示装置は、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FEDまたはSED)または陰極線管(CRT)のいずれかであり、前記励起源が加速電圧10V以上30kV以下の電子線であることを特徴とする(18)の画像表示装置。
本発明の蛍光体は、2価のEuイオンが固溶したAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶相を主成分として含有し、酸素含有量が0.4質量%以下の組成を持つことにより、従来のサイアロンや酸窒化物蛍光体と比べて430nm〜480nmでの発光強度が高く、特に、100nm以上420nm以下の波長を持つ紫外線または可視光で励起すると効率よく発光するので、白色LEDの用途の青色蛍光体として優れている。
さらに、電子線で効率よく発光し、色純度に優れるため、VFD、FED、SED、CRTなどに好適に使用され得る有用な蛍光体である。
実施例1〜3と比較例1のX線回折パターン。 実施例1の蛍光測定による励起スペクトルと発光スペクトル。 実施例1〜3と比較例1の電子線励起によるカソードルミネッセンススペクトル。 実施例2の蛍光測定による励起スペクトルと発光スペクトル。 実施例3の蛍光測定による励起スペクトルと発光スペクトル。 比較例1の蛍光測定による励起スペクトルと発光スペクトル。 本発明による照明器具(LED照明器具)の概略図。 本発明による画像表示装置(プラズマディスプレイパネル)の概略図。 本発明による画像表示装置(フィールドエミッションディスプレイ)の概略図。
以下、本発明の実施例について詳しく説明する。
本発明の蛍光体は、AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶の結晶構造を有する無機結晶を主成分として含む。AlN結晶はウルツ型の結晶構造を持つ結晶である。また、AlN固溶体結晶とはAlNにケイ素や酸素が添加された結晶である。またAlN固溶体結晶の中には、結晶構造中にAl(O、N)四面体骨格を有する結晶がある。AlN固溶体または結晶構造中にAl(O、N)四面体骨格を有する結晶の例としては、
2Hδ:Si2.40Al8.600.6011.40
27R:Al:1Al−7AlN
21R:Al:1Al−5AlN
12H:SiAl:1SiO−5AlN
15R:SiAl:1SiO−4AlN
8H:Si0.5Al3.52.52.5:0.5SiO−0.5Al−2.5AlN
などの結晶を挙げることができる。これらの結晶は結晶構造中にAl(O、N)四面体骨格を有する。AlN固溶体結晶においては、固溶した酸素原子はAlN結晶の窒素原子の一部と置き換わり、ケイ素原子はAlN結晶のAl原子の一部と置き換わることがある。
AlN固溶体結晶においては、AlNにSiCが固溶した組成をとることがある。この場合、ケイ素原子はAlN結晶のAlの原子の一部と置き換わることがある。また、炭素原子はAlN結晶のNの原子の一部と置き換わることがある。また、AlN固溶体結晶においては、固溶した酸素原子と固溶したケイ素原子が、それぞれのAl(O、N)四面体が相互に連なって層をなし、これらの層が特定の長い周期を持って積み重なった結晶構造である層状結晶構造をとることがある。上記の15R、12H、21R、27Rなどは層状結晶構造をとる。ここで、これらの表記の数字は周期を表す。これらをポリタイプ結晶という。後述する金属元素Aは結晶構造中のAl原子と置換する場合と、酸素が多いAl(O、N)四面体の層に含まれる場合とがある。これらの様々な形態をとる結晶もポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶に含まれる。なお、本明細書において、主成分とは、蛍光体中におけるAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶の結晶構造を有する無機結晶が、10質量%以上であることを意図する。
AlNポリタイプ結晶は、Al(O、N)四面体骨格からなる層とEuを含む骨格からなる層とから構成される構造をとることができる。Al(O、N)四面体骨格から構成される層はウルツ型AlN結晶のC軸方向に3層から20層程度積層され、この上にEuを含む骨格からなる層が1層から3層程度積層された後に、再びAl(O、N)四面体骨格からなる層(以下、単に、Al(O、N)四面体層とも呼ぶ)が積層される。このように異なる骨格からなる層の集合体が相互に繰り返されてAlNポリタイプ結晶が構成される。異なる骨格からなる層の集合体の相互の繰り返しは、結晶全体を通じて同じ周期で行われてもよく、場所によりこの周期が異なってもよい。Al(O、N)四面体骨格からなる層は、結晶構造を安定化させる働きがあり、Euを含む骨格からなる層は発光を担う。これらの積層構造はX線回折測定で判別することは難しく、異なる積層構造が有ってもAlNポリタイプ結晶のX線回折のピーク位置は、ウルツ型AlN結晶と大きく変化しない。積層構造における違いは透過型電子顕微鏡により判定することができる。透過型電子顕微鏡でAlNポリタイプ結晶を観察するとAl(O、N)四面体層とEuを含む骨格からなる層とを識別することができ、それぞれの層の積み重ねの数と繰り返しの様子とが観察される。このような積層構造をとることにより、発光イオンであるEuイオン同士が適当な距離をおいて結晶中に配置される。その結果、Euイオン間の相互作用による発光強度低下(濃度消光)を低減する効果を奏する。
本発明では、これらの結晶を母体結晶として用いることができる。AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶は、X線回折や中性子線回折により同定することができ、純粋なAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶と同一の回折を示す物質の他に、構成元素が他の元素と置き換わることにより格子定数が変化したものも本発明の一部として含まれる。
本発明の蛍光体における無機結晶は、AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶を母体結晶として、これにEuと、必要に応じて金属元素A(Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cdから選ばれる1種または2種以上の元素)とケイ素(Si)とが固溶され、結晶中に含まれる酸素量を0.4質量%以下とすることにより、優れた光学特性を持つ蛍光体となる。ここで、Euは光学活性なイオンとなる元素であり、2価のイオンとして固溶される。そして、紫外線や電子線で励起することによりEu2+由来の発光が起こり、430nmから480nmの範囲の波長にピークを持つ青色光を発光する蛍光体となる。
ケイ素の添加効果は次のように考えられる。Siは4価の元素であるため、Siが固溶することにより、2価のイオンであるEu2+が結晶内で安定に存在できるようになり、Euイオンが結晶内に取り込まれやすくなる。また、ケイ素の添加によりAlN結晶中にケイ素を含有する層状構造を形成しやすくなることがあり、Euイオンが層状構造に取り込まれやすくなる効果もある。これらにより、蛍光体の輝度向上に寄与していると考えられる。
本発明の蛍光体における無機結晶にさらに炭素(C)を固溶することにより優れた光学特性を持つ蛍光体が得られる。炭素の添加効果は次のように考えられる。AlN結晶とSiC結晶とは共にウルツ型の結晶構造をとることができるため、これらの結晶は固溶体を形成しやすい。炭素または炭化ケイ素の添加により固溶体の結晶構造が安定化して、輝度向上に寄与していると考えられる。また、固溶により発光イオンのエネルギー準位が変動するため、励起スペクトルや発光スペクトルを変化させる働きもある。
金属元素Aは必要に応じて添加される。この添加効果は次のように考えられる。A元素は2価のイオンとなり得る元素である。そして、Mg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素であってよい。そして、この金属元素Aには、Siが結晶中に固溶することを助ける効果があると考えられる。さらに、2価のイオンが入ることにより電導性が向上して、電子線励起での発光効率が向上する効果もあると考えられる。なかでも、ZnまたはBaを添加したものは、電子線励起による発光強度が高い。
本発明の実施形態として、AがZnである蛍光体、そして、AがBaである蛍光体が挙げられる。AがZnである蛍光体は、特に電子線励起での発光強度が高いため、電子線励起の画像表示装置の用途に適している。AがBaである蛍光体は、電子線励起での発光強度が高く、加えて、蛍光スペクトルのピーク波長がBaを添加することにより短波長側に移動し470nm以下の波長となるため、青の色純度が良くなる。このため、電子線励起の画像表示装置に用いられる青色蛍光体の用途に適している。
結晶中に含まれる酸素量は発光スペクトルに影響を及ぼし、酸素含有量が少ない組成で発光ピーク波長が短波長となり、0.4質量%以下の組成で色純度が優れる青色発光を発するこのため、画像表示装置に用いられる青色蛍光体の用途に適している。
AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶の含有割合が高く、輝度が高い蛍光体が得られる組成としては、組成式EuAlSi(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素。式中、a+b+c+d+e+f+g=1とする)で示され、以下の条件を全て満たす値から選ばれる組成範囲が好ましい。
0.00001≦ a ≦0.1・・・・・・・・・(i)
0≦ b ≦0.2・・・・・・・・・・・・・・・・・(ii)
0.4≦ c ≦0.55・・・・・・・・・・・・・(iii)
0.005≦ d ≦0.2・・・・・・・・・・・・(iv)
0.001≦ e ≦0.05・・・・・・・・・・・(v)
0.3≦ f ≦0.55・・・・・・・・・・・・・(vi)
0≦ g ≦0.02・・・・・・・・・・・・・(vii)
ここで、aは発光中心となるEuの添加量を表し、原子比で0.00001以上0.1以下となるようにするのがよい。a値が0.00001より小さいと発光中心となるEuの数が少ないため発光輝度が低下するおそれがある。0.1より大きいとEuイオン間の干渉により濃度消光を起こして輝度が低下するおそれがある。bはA元素の量であり必要に応じて添加する。添加量は、原子比で0.2以下となるようにするのがよい。b値がこの範囲をはずれると結晶中の結合が不安定になりAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶以外の結晶相の生成割合が増え、発光強度が低下するおそれがある。cはAl元素の量であり、原子比で0.4以上0.55以下となるようにするのがよい。c値がこの範囲からはずれるとAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶以外の結晶相の生成割合が増え、発光強度が低下するおそれがある。dはSiの量であり、原子比で0.005以上0.2以下となるようにするのがよい。d値がこの範囲からはずれるとEuの固溶が阻害されて輝度が低下するおそれがある。eは酸素の量であり、0.001以上0.05以下となるようにするのがよい。eが0.001より小さいとEuの固溶が阻害されて輝度が低下するおそれがある。eが0.1より大きいとAlN固溶体結晶以外の結晶相の生成割合が増え、発光強度が低下するおそれがある。fは窒素の量であり、0.3以上0.55以下とするのがよい。f値がこの範囲からはずれるとAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶以外の結晶相の生成割合が増え、発光強度が低下するおそれがある。gは炭素の量であり、炭素の添加は必須ではないが添加する場合は0.02以下とするのがよい。gがこの範囲からはずれると遊離した炭素が析出するため、発光強度が低下するおそれがある。
本発明の蛍光体を粉体として用いる場合は、樹脂への分散性や粉体の流動性などの点から平均粒径が0.1μm以上20μm以下が好ましい。また、粉体をこの範囲の単結晶粒子とすることにより、より発光輝度が向上する。
本発明の蛍光体は、100nm以上420nm以下の波長を持つ紫外線または可視光で励起すると効率よく発光するので、白色LED用途に好ましい。さらに、本発明の蛍光体は、電子線またはX線によっても励起することができる。特に、電子線励起では、他の窒化物蛍光体より効率よく発光するため、電子線励起の画像表示装置の用途に好ましい。また、励起源にさらされた場合であっても輝度が低下しにくい。
本発明の蛍光体に励起源を照射することにより波長430nmから480nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発光し、その発光する色は、代表的にはCIE色度座標上の(x,y)値で、0 ≦ x ≦0.15、0.05≦ y ≦0.1の値をとり、色純度が良い青色である。
本発明の蛍光体は、蛍光発光の点から、その構成成分たるAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶を持つ無機結晶を高純度で極力多く含むこと、できれば無機結晶単相から構成されていることが望ましいが、特性が低下しない範囲で他の結晶相あるいはアモルファス相を含んでもよい。この場合、AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶を持つ無機結晶の含有量が10質量%以上、より好ましくは50質量%以上であることが高い輝度を得るために望ましい。本発明において主成分とする範囲は、AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶を持つ無機結晶の含有量が少なくとも10質量%以上である。含有量の割合はX線回折測定を行い、AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶相を持つ無機結晶とそれ以外の結晶相のそれぞれの相の最強ピークの強さの比から求めることができる。
他の結晶相あるいはアモルファス相は、例えば、導電性を持つ無機物質であり得る。VFDやFEDなどにおいて、本発明の蛍光体を電子線で励起する場合には、蛍光体上に電子が溜まることなく外部に逃がすために、ある程度の導電性を持つことが好ましい。導電性物質としては、Zn、Ga、InおよびSnからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素を含む酸化物、酸窒化物、または窒化物、あるいはこれらの混合物を挙げることができる。なかでも、酸化インジウムとインジウム−スズ酸化物(ITO)は、蛍光強度の低下が少なく、導電性が高いため好ましい。
本発明の蛍光体は青に発色するが、黄色、赤色などの他の色との混合が必要な場合は、必要に応じてこれらの色を発色する無機蛍光体を混合することができる。
本発明の蛍光体は、組成により励起スペクトルと蛍光スペクトルが異なり、これを適宜選択組み合わせることによって、さまざまな発光スペクトルを有してなるものに設定することができる。その態様は、用途に基づいて必要とされるスペクトルに設定すればよい。
本発明の無機物質を含む蛍光体の製造方法は、特に限定されないが、一例として次の方法を挙げることができる。
ユーロピウムと、アルミニウムと、必要に応じてケイ素と、必要に応じてA(ただし、Aは、Mg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)とを少なくとも含む原料混合物を、窒素雰囲気中において、1500℃以上2500℃以下の温度範囲で、酸素含有量が0.4質量%以下となるまで焼成する製造方法である。
原料を所定量混合し、この原料混合物を、相対嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で容器に充填する。そして、0.1MPa以上100MPa以下の窒素雰囲気中において、1500℃以上2500℃以下の温度範囲で焼成する。このようにすることより、AlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶に、少なくともEuと、必要に応じて金属元素Aとケイ素とが固溶してなる本発明の蛍光体を製造することができる。最適焼成温度は組成により異なる場合もあり、適宜最適化することができる。一般的には、1950℃以上2100℃以下の温度範囲で焼成することが好ましい。このようにして高輝度の蛍光体が得られる。焼成温度が1500℃より低いと、発光中心となるEuがAlN結晶、AlNポリタイプ結晶またはAlN固溶体結晶中に固溶し難く、粒界相中に残留すると考えられる。この場合は、酸化物ガラスをホストとする発光となって、目的とする波長の光を放つ光輝度の蛍光体は得られ難い。また、焼成温度が2500℃を超えると、特殊な装置が必要となり工業的に好ましくない。
焼成工程は、仮に含有する酸素量が0.4質量%よりも多いのであれば、0.4質量%以下になるまで加熱を続ける。1950℃以上の温度に原料混合物あるいはAlN系の蛍光体を加熱すると、処理物に含まれている酸素が処理物の外に揮発して含有量が低下する。窒素雰囲気下での高温焼成であるので、焼成温度が高温であればあるほど、および、焼成時間が長いほど、酸素含有量の低下を促進させることができる。なお、焼成温度および/または焼成時間は、最終的に得られる蛍光体中の酸素含有量が0.4質量%以下となるように適宜調整される。なお、焼成によって酸素含有量を0.4質量%以下に低下させることができるため、出発原料における酸素含有量は0.4質量%以下である必要はなく、0.4質量%を超えていてもよい。
酸素量が低下すると、発光中心となるEuイオン周りの環境が変化して、発光波長が低波長化して青色としての色純度が向上する。本発明の蛍光体の代表的な色度としては、発光色がCIE色度座標上の(x,y)値で、0 ≦ x ≦0.15、0.05≦ y ≦0.1の値の範囲となる色純度に優れた青色蛍光体が得られる。酸素含有量が0.4質量%を越えるとこの効果は少ない。
金属元素Euの出発原料としては、Eu元素の金属、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物または酸窒化物を用いることができる。中でも、大気中での安定性と入手のし易さから酸化ユーロピウムを用いるのが好ましい。
金属元素Aの出発原料としては、Aの金属、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物、酸窒化物またはそれらの組合せ(ただし、Aは、Mg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)を用いることができる。AがZnの場合は、酸化亜鉛を用いるのが好ましい。AがBaの場合は、炭酸バリウムを用いるのが好ましい。
ケイ素源の出発原料としては、金属ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ケイ素を含む有機物前駆体、シリコンジイミド、シリコンジイミドを加熱処理して得られたアモルファス体などを用いることができるが、一般的には窒化ケイ素または炭化ケイ素を用いることができる。これらは、反応性に富み、高純度な合成物を得ることができることに加えて、工業原料として生産されており入手しやすい利点がある。窒化ケイ素としては、α型、β型、アモルファス体、およびこれらの混合物を用いることができる。炭化ケイ素としては、α型、β型、アモルファス体、および、これらの混合物を用いることができる。
アルミニウム源の出発原料としては、金属アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミニウムを含む有機物前駆体などを用いることができるが、通常は窒化アルミニウムを用いるのがよい。これらは、反応性に富み、高純度な合成物を得ることができることに加えて、工業原料として生産されており入手しやすい利点がある。
なお、原料混合物は、さらに炭素を含有する炭素源を含んでもよい。上述したように、炭素の添加により、得られる蛍光体の輝度が向上し得る。炭素源の出発原料としては、炭化ケイ素、炭素を含有する化合物などを用いることができるが、通常は炭化ケイ素を用いるのがよい。炭素を含有する化合物としては、炭素、炭素とケイ素を含有する有機物などを用いることができる。これらは、工業原料として生産されており入手しやすい利点がある。
焼成時の反応性を向上させるために、必要に応じて出発原料の混合物に、焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物を添加することができる。無機化合物としては、反応温度で安定な液相を生成するものが好ましく、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Ba、Alの元素のフッ化物、塩化物、ヨウ化物、臭化物、あるいはリン酸塩が適している。さらに、これらの無機化合物は、単体で添加するほか2種以上を混合してもよい。なかでも、フッ化バリウムおよびフッ化アルミニウムは合成の反応性を向上させる能力が高いため好ましい。無機化合物の添加量は特に限定されないが、出発原料である金属化合物の混合物100重量部に対して、0.1重量部以上10重量部以下で、特に効果が大きい。0.1重量部より少ないと反応性の向上が少なく、10重量部を越えると蛍光体の輝度が低下するおそれがある。これらの無機化合物を添加して焼成すると、反応性が向上して、比較的短い時間で粒成長が促進されて粒径の大きな単結晶が成長し、蛍光体の輝度が向上する。
窒素雰囲気は0.1MPa以上100MPa以下の圧力範囲のガス雰囲気がよい。より好ましくは、0.5MPa以上10MPa以下がよい。窒化ケイ素を原料として用いる場合、0.1MPaより低い窒素ガス雰囲気中で1820℃以上の温度に加熱すると、原料が熱分解し易くなるのであまり好ましくない。0.5MPaより高いとほとんど分解しない。10MPaあれば十分であり、100MPa以上となると特殊な装置が必要となり、工業生産に向かない。
粒径数μmの微粉末を出発原料とする場合、混合工程を終えた金属化合物の混合物は、粒径数μmの微粉末が数百μmから数mmの大きさに凝集した形態をなす(以下「粉体凝集体」と呼ぶ)。本発明では、粉体凝集体を嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で焼成する。ここで、相対嵩密度とは、容器に充填された粉体の質量を容器の容積で割った値(嵩密度)と粉体の物質の真密度との比である。通常のサイアロンの製造では、加圧しながら加熱するホットプレス法や金型成形(圧粉)後に焼成を行なう製造方法が用いられるが、このときの焼成は粉体の充填率が高い状態で行われる。しかし、本発明では、粉体に機械的な力を加えることなく、また予め金型などを用いて成形することなく、混合物の粉体凝集体の粒度をそろえたものを、そのままの状態で容器などに嵩密度40%以下の充填率で充填する。必要に応じて、該粉体凝集体を、ふるいや風力分級などを用いて、平均粒径500μm以下に造粒して粒度制御することができる。また、スプレードライヤなどを用いて直接的に500μm以下の形状に造粒してもよい。また、容器は窒化ホウ素製を用いると蛍光体との反応が少ない利点がある。
嵩密度を40%以下の状態に保持したまま焼成するのは、原料粉末の周りに自由な空間がある状態で焼成するためである。最適な嵩密度は、顆粒粒子の形態や表面状態によって異なるが、好ましくは20%以下がよい。このようにすると、反応生成物が自由な空間に結晶成長するので結晶同士の接触が少なくなり、表面欠陥が少ない結晶を合成することが出来ると考えられる。これにより、輝度が高い蛍光体が得られる。嵩密度が40%を超えると焼成中に部分的に緻密化が起こって、緻密な焼結体となってしまい結晶成長の妨げとなり蛍光体の輝度が低下するおそれがある。また微細な粉体が得られ難い。また、粉体凝集体の大きさは500μm以下が、焼成後の粉砕性に優れるため特に好ましい。
次に、充填率40%以下の粉体凝集体を前記条件で焼成する。焼成に用いる炉は、焼成温度が高温であり焼成雰囲気が窒素であることから、金属抵抗加熱方式または黒鉛抵抗加熱方式であってよい。炉の高温部の材料として炭素を用いた電気炉が好ましい。焼成は、常圧焼結法やガス圧焼結法などの外部から機械的な加圧を施さない焼成方法によるのが、所定の範囲の嵩密度を保ったまま焼成するために好ましい。
焼成して得られた粉体凝集体が固く凝集している場合は、例えばボールミル、ジェットミル等の工業的に通常用いられる粉砕機により粉砕する。なかでも、ボールミル粉砕は粒径の制御が容易である。このとき使用するボールおよびポットは、窒化ケイ素焼結体またはサイアロン焼結体製等が好ましい。粉砕は平均粒径20μm以下となるまで施す。特に好ましくは平均粒径20nm以上10μm以下である。平均粒径が20μmを超えると粉体の流動性と樹脂への分散性が悪くなり、発光素子と組み合わせて発光装置を形成する際に部位により発光強度が不均一になる。20nm以下となると、粉体を取り扱う操作性が悪くなる。粉砕だけで目的の粒径が得られない場合は、分級を組み合わせることができる。分級の手法としては、篩い分け、風力分級、液体中での沈殿法などを用いることができる。
なお、本明細書において、平均粒径とは、以下のように定義される。粒子径は、沈降法による測定においては沈降速度が等価な球の直径として、レーザ散乱法においては散乱特性が等価な球の直径として定義される。また、粒子径の分布を粒度(粒径)分布という。粒径分布において、ある粒子径より大きい質量の総和が、全粉体のそれの50%を占める場合の粒子径が、平均粒径D50として定義される。この定義および用語は、いずれも当業者において周知であり、例えば、JISZ8901「試験用粉体および試験用粒子」、または、粉体工学会編「粉体の基礎物性」(ISBN4−526−05544−1)の第1章等諸文献に記載されている。本発明においては、分散剤としてヘキサメタクリン酸ナトリウムを添加した水に試料を分散させ、レーザ散乱式の測定装置を使用して、粒子径に対する体積換算の積算頻度分布を測定した。なお、体積換算と重量換算の分布は等しい。この積算(累積)頻度分布における50%に相当する粒子径を求めて、平均粒径D50とした。以下、本明細書において、平均粒径は、上述のレーザ散乱法による粒度分布測定手段によって測定した粒度分布の中央価(D50)に基づくことに留意されたい。平均粒径を求める手段については、上述以外にも多様な手段が開発され、現在も続いている現状にあり、測定値に若干の違いが生じることもあり得るが、平均粒径それ自体の意味、意義は明確であり、必ずしも上記手段に限定されないことを理解されたい。
さらに、焼成後に無機化合物を溶解する溶剤で洗浄することにより、焼成により得られた反応生成物に含まれるガラス相、第二相、または不純物相などの蛍光体以外の無機化合物の含有量を低減すると、蛍光体の輝度が向上する。このような溶剤としては、水および酸の水溶液を使用することができる。酸の水溶液としては、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、有機酸とフッ化水素酸の混合物などを使用することができる。なかでも、硫酸とフッ化水素酸の混合物は効果が大きい。この処理は、焼成温度以下の温度で液相を生成する無機化合物を添加して高温で焼成した反応生成物に対しては、特にその効果が大きい。
以上の工程で微細な蛍光体粉末が得られるが、輝度をさらに向上させるには熱処理が効果的である。この場合は、焼成後の粉末、あるいは粉砕や分級により粒度調整された後の粉末を、1000℃以上で焼成温度以下の温度で熱処理することができる。1000℃より低い温度では、表面の欠陥除去の効果が少ない。焼成温度以上では粉砕した粉体どうしが再度固着するため好ましくない。熱処理に適した雰囲気は、蛍光体の組成により異なるが、窒素、空気、アンモニア、水素から選ばれる1種または2種以上の混合雰囲気中を使用することができ、特に窒素雰囲気が欠陥除去効果に優れるため好ましい。
以上のようにして得られる本発明の蛍光体は、通常の酸化物蛍光体や既存のサイアロン蛍光体と比べて、高輝度の可視光発光を持つことが特徴である。なかでも特定の組成では、430nm以上480nm以下の範囲にピークを持つ青色の発光をすることが特徴であり、照明器具、画像表示装置に好適である。これに加えて、高温にさらしても劣化しないことから耐熱性に優れており、酸化雰囲気および水分環境下での長期間の安定性にも優れている。
本発明の照明器具は、少なくとも発光光源と本発明の蛍光体とを用いて構成される。照明器具としては、LED照明器具、蛍光ランプなどがある。LED照明器具では、本発明の蛍光体を用いて、特開平5−152609号公報、特開平7−99345号公報、特許公報第2927279号などに記載されているような公知の方法により製造することができる。この場合、発光光源は330〜420nmの波長の光を発するものが望ましく、中でも330〜420nmの紫外(または紫)LED発光素子またはLD発光素子が好ましい。
これらの発光素子としては、GaNやInGaNなどの窒化物半導体からなるものがあり、組成を調整することにより所定の波長の光を発する発光光源となり得る。
照明器具において本発明の蛍光体を単独で使用する方法の他に、他の発光特性を持つ蛍光体と併用することによって、所望の色を発する照明器具を構成することができる。この一例として、330〜420nmの紫外LEDまたはLD発光素子と、この波長で励起されて550nm以上600nm以下の波長に発光ピークを持つ黄色蛍光体と、本発明の青色蛍光体との組み合わせがある。このような黄色蛍光体としては特開2002−363554号公報に記載のα−サイアロン:Eu2+や特開平9−218149号公報に記載の(Y、Gd)(Al、Ga)12:Ceを挙げることができる。この構成では、LEDまたはLDが発する紫外線が蛍光体に照射されると、青、黄の2色の光が発せられ、これの混合により白色の照明器具となる。
別の一例として、330〜420nmの紫外LEDまたはLD発光素子と、この波長で励起され520nm以上550nm以下の波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体と、600nm以上700nm以下の波長に発光ピークを持つ赤色蛍光体と、本発明の青色蛍光体との組み合わせがある。このような緑色蛍光体としては特開2005−255895号公報に記載のβ−サイアロン:Eu2+を、赤色蛍光体としては、国際公開第2005/052087号パンフレットに記載のCaSiAlN:Eu2+を挙げることができる。この構成では、LEDまたはLDが発する紫外線が蛍光体に照射されると、赤、緑、青の3色の光が発せられ、これの混合により白色の照明器具となる。
別の手法として、330〜420nmの紫外LEDまたはLD発光素子と、この波長で励起され520nm以上550nm以下の波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体と、この波長で励起されて550nm以上600nm以下の波長に発光ピークを持つ黄色蛍光体と、この波長で励起されて600nm以上700nm以下の波長に発光ピークを持つ赤色蛍光体と、本発明の青色蛍光体との組み合わせがある。このような緑色蛍光体としては特開2005−255895号公報に記載のβ−サイアロン:Eu2+を、このような黄色蛍光体としては特開2002−363554号公報に記載のα−サイアロン:Eu2+や特開平9−218149号公報に記載の(Y、Gd)(Al、Ga)12:Ceを、このような赤色蛍光体としては、国際公開第2005/052087号パンフレットに記載のCaSiAlN:Euを挙げることができる。この構成では、LEDまたはLDが発する紫外光が蛍光体に照射されると、青、緑、黄、赤の4色の光が発せられ、光が混合されて白色または赤みがかった電球色の照明器具となる。
本発明の画像表示装置は少なくとも励起源と本発明の蛍光体とで構成され、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FEDまたはSED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)などがある。本発明の蛍光体は、100〜190nmの真空紫外線、190〜380nmの紫外線、電子線などの励起で発光することが確認されており、これらの励起源と本発明の蛍光体との組み合わせで、上記のような画像表示装置を構成することができる。
本発明の蛍光体は、電子線の励起効率が優れるため、加速電圧10V以上30kV以下で用いる、VFD、FED、SED、CRT用途に適している。
FEDは、電界放射陰極から放出された電子を加速して陽極に塗布した蛍光体に衝突させて発光する画像表示装置であり、5kV以下の低い加速電圧で光ることが求められており、本発明の蛍光体を組み合わせることにより、表示装置の発光性能が向上する。
次に本発明を以下に示す実施例によってさらに詳しく説明するが、これはあくまでも本発明を容易に理解するための一助として開示したものであって、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
<実施例1>
原料粉末は、平均粒径0.5μm、酸素含有量0.93重量%、α型含有量92%の窒化ケイ素粉末(宇部興産製SN−E10グレード)、比表面積3.3m/g、酸素含有量0.85%の窒化アルミニウム粉末(トクヤマ製Fグレード)、および純度99.9%の酸化ユーロピウム粉末(信越化学製)を用いた。
組成式EuAlSiにおいて、a=0.0024、b=0、c=0.464、d=0.0286、e=0.0024、f=0.5026およびg=0で示される出発原料組成を得るべく、窒化ケイ素粉末6.433質量%、窒化アルミニウム粉末91.641質量%、酸化ユーロピウム粉末1.926質量%を秤量し、窒化ケイ素焼結体製の乳鉢と乳棒とを用いて混合した後に、目開き125μmのふるいを通すことにより流動性に優れる粉体凝集体を得た。なお、この混合粉末には原料粉末由来の不純物酸素量が0.85質量%以上含まれている。この粉体凝集体を直径20mm高さ20mmの大きさの窒化ホウ素製るつぼに自然落下させて入れたところ、嵩密度は約15体積%であった。嵩密度は、投入した粉体凝集体の重量とるつぼの内容積と粉体の真密度とから計算した。つぎに、るつぼを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.9995体積%の窒素を導入してガス圧力を1MPaとし、毎時500℃で1950℃まで昇温し、その温度で24時間保持した。
合成した試料25mgを白金るつぼに計り取り、炭酸ナトリウム0.75gとホウ酸0.3gとを加えて加熱溶解し、塩酸および水を加えた溶液に対して、ICP(Inductively Coupled Plasma)分析を行い、構成するカチオン元素の定量を行った。また、試料約10mgをスズカプセルおよびニッケルバスケットに入れて、LECO社のTC436型酸素窒素分析計を用いて、赤外線吸収法により酸素を、熱伝導度法により窒素を定量した。これらの測定により、合成した試料の組成は、Eu0.0013Al0.484Si0.0160.00050.4982であり、酸素量が0.04±0.01質量%まで低減した。
合成した試料を窒化ケイ素製の乳鉢と乳棒とを用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)を行った。その結果、図1に示す様に、得られたチャートからウルツ型AlN構造の結晶の生成が確認され、その他の結晶相は検出されなかった。
得られた粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、青色に発光することを確認した。この粉末の発光スペクトルおよび励起スペクトルを、蛍光分光光度計を用いて測定した。図2に、ホトルミネッセンス測定における、励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す。287nmの波長に励起スペクトルのピークがあり、励起スペクトルのピーク波長での励起において、463nmに発光スペクトルのピークを持つ青色光を発する蛍光体であることが分かった。なお、励起スペクトルおよび発光スペクトルは、市販のYAG:Ce蛍光体(化成オプトニクス製、P46Y3)を450nmで励起した時の発光強度が1となるように規格化して示してある。
電子線を当てたときの発光特性(カソードルミネッセンス、CL)を、CL検知器を備えたSEMで観察し、CL像を評価した。この装置は、電子線を照射して発生する可視光を検出して二次元情報である写真の画像として得ることにより、どの場所でどの波長の光が発光しているかを明らかにするものである。加速電圧500Vにおける、CLスペクトルを、図3に示す。発光スペクトル観察により、この蛍光体は電子線で励起されて青色発光を示すことが確認された。
得られた粉末について、日立製作所製の走査透過型電子顕微鏡(HD―2300C型)を用いて原子配置を観察した。試料はウルツ型AlN結晶のC軸方向に積層した構造を有し、Al(O、N)四面体層とEuを含む骨格からなる層とが積層した構造であった。
<実施例2>
原料粉末は、平均粒径0.5μm、酸素含有量0.93重量%、α型含有量92%の窒化ケイ素粉末(宇部興産製SN−E10グレード)、比表面積3.3m/g、酸素含有量0.85%の窒化アルミニウム粉末(トクヤマ製Fグレード)、および純度99.9%の酸化ユーロピウム粉末(信越化学製)を用いた。
組成式EuAlSiにおいて、a=0.0024、b=0、c=0.464、d=0.0286、e=0.0024、f=0.5026およびg=0で示される出発原料組成を得るべく、窒化ケイ素粉末6.433質量%、窒化アルミニウム粉末91.641質量%、酸化ユーロピウム粉末1.926質量%を秤量し、窒化ケイ素焼結体製の乳鉢と乳棒とを用いて混合した後に、目開き125μmのふるいを通すことにより流動性に優れる粉体凝集体を得た。なお、この混合粉末には原料粉末由来の不純物酸素量が0.85質量%以上含まれている。この粉体凝集体を直径20mm高さ20mmの大きさの窒化ホウ素製るつぼに自然落下させて入れたところ、嵩密度は約15体積%であった。嵩密度は、投入した粉体凝集体の重量とるつぼの内容積と粉体の真密度とから計算した。つぎに、るつぼを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.9995体積%の窒素を導入してガス圧力を1MPaとし、毎時500℃で2050℃まで昇温し、その温度で4時間保持した。
合成した試料25mgを白金るつぼに計り取り、炭酸ナトリウム0.75gとホウ酸0.3gとを加えて加熱溶解し、塩酸および水を加えた溶液に対して、ICP(Inductively Coupled Plasma)分析を行い、構成するカチオン元素の定量を行った。また、試料約10mgをスズカプセルおよびニッケルバスケットに入れて、LECO社のTC436型酸素窒素分析計を用いて、赤外線吸収法により酸素を、熱伝導度法により窒素を定量した。これらの測定により、合成した試料の組成は、Eu0.0014Al0.479Si0.01540.00100.5032であり、酸素量が0.08±0.01質量%まで低減した。
合成した試料を窒化ケイ素製の乳鉢と乳棒とを用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)を行った。その結果、図1に示す様に、得られたチャートからウルツ型AlN構造の結晶の生成が確認され、その他の結晶相は検出されなかった。
得られた粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、青色に発光することを確認した。この粉末の発光スペクトルおよび励起スペクトルを、蛍光分光光度計を用いて測定した。図4に、ホトルミネッセンス測定における、励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す。290nmの波長に励起スペクトルのピークがあり、励起スペクトルのピーク波長での励起において、462nmに発光スペクトルのピークを持つ青色光を発する蛍光体であることが分かった。
電子線を当てたときの発光特性(カソードルミネッセンス、CL)を、実施例1と同様に、CL検知器を備えたSEMで観察し、CL像を評価した。加速電圧500Vにおける、CLスペクトルを、図3に示す。発光スペクトル観察により、この蛍光体は電子線で励起されて青色発光を示すことが確認された。
<実施例3>
原料粉末は、平均粒径0.5μm、酸素含有量0.93重量%、α型含有量92%の窒化ケイ素粉末(宇部興産製SN−E10グレード)、比表面積3.3m/g、酸素含有量0.85%の窒化アルミニウム粉末(トクヤマ製Fグレード)、純度99.99%の酸化亜鉛粉末(高純度化学製試薬級)、および純度99.9%の酸化ユーロピウム粉末(信越化学製)を用いた。
組成式EuZnAlSiにおいて、a=0.0024、b=0.004762、c=0.45952、d=0.028571、e=0.007143、f=0.497604およびg=0で示される出発原料組成を得るべく、窒化ケイ素粉末6.368質量%、窒化アルミニウム粉末89.787質量%、酸化ユーロピウム粉末2.000質量%、酸化亜鉛粉末1.85質量%を秤量し、窒化ケイ素焼結体製の乳鉢と乳棒とを用いて混合した後に、目開き125μmのふるいを通すことにより流動性に優れる粉体凝集体を得た。なお、この混合粉末には原料粉末由来の不純物酸素量が0.85質量%以上含まれている。この粉体凝集体を直径20mm高さ20mmの大きさの窒化ホウ素製るつぼに自然落下させて入れたところ、嵩密度は約15体積%であった。嵩密度は、投入した粉体凝集体の重量とるつぼの内容積と粉体の真密度とから計算した。つぎに、るつぼを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.9995体積%の窒素を導入してガス圧力を1MPaとし、毎時500℃で2050℃まで昇温し、その温度で4時間保持した。
合成した試料25mgを白金るつぼに計り取り、炭酸ナトリウム0.75gとホウ酸0.3gを加えて加熱溶解し、塩酸および水を加えた溶液に対して、ICP(Inductively Coupled Plasma)分析を行い、構成するカチオン元素の定量を行った。また、試料約10mgをスズカプセルおよびニッケルバスケットに入れて、LECO社のTC436型酸素窒素分析計を用いて、赤外線吸収法により酸素を、熱伝導度法により窒素を定量した。これらの測定により、合成した試料の組成は、Eu0.0008Al0.488Si0.01030.00060.500であり、酸素量が0.05±0.02質量%まで低減した。なお、合成した試料の組成式の指数の合計が1になっていないのは、添加した亜鉛は焼成中に揮発し、残存量は検出限界の0.01質量%まで低減したもののわずかながらにZnが存在するためと考えられる。
合成した試料を窒化ケイ素製の乳鉢と乳棒を用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)を行った。その結果、図1に示す様に、得られたチャートからウルツ型AlN構造の結晶の生成が確認され、その他の結晶相は検出されなかった。
得られた粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、青色に発光することを確認した。この粉末の発光スペクトルおよび励起スペクトルを、蛍光分光光度計を用いて測定した。図5に、ホトルミネッセンス測定における、励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す。288nmの波長に励起スペクトルのピークがあり、励起スペクトルのピーク波長での励起において、464nmに発光スペクトルのピークを持つ青色光を発する蛍光体であることが分かった。
電子線を当てたときの発光特性(カソードルミネッセンス、CL)を、実施例1と同様に、CL検知器を備えたSEMで観察し、CL像を評価した。加速電圧500Vにおける、CLスペクトルを、図3に示す。発光スペクトル観察により、この蛍光体は電子線で励起されて青色発光を示すことが確認された。
<比較例1>
実施例1において、1950℃での保持時間を4時間に短縮させた以外は同一であるため説明を省略する。
実施例1と同様に、ICP分析を行い、構成するカチオン元素の定量を行った。また、実施例1と同様に、赤外線吸収法により酸素を、熱伝導度法により窒素を定量した。これらの測定により、合成した試料の組成は、Eu0.0008Al0.488Si0.01030.00060.5003であり、酸素含有量は0.43±0.01質量%であり、酸素含有量は仕込みより低下したものの、依然として0.4質量%を超えていた。実施例1および比較例1から、同じ出発原料組成および同じ焼成温度であっても、焼成時間を長くすることにより、酸素含有量が効果的に低下することが示された。
合成した試料を窒化ケイ素製の乳鉢と乳棒とを用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)を行った。その結果、図1に示す様に、得られたチャートからウルツ型AlN構造の結晶の生成が確認され、その他の結晶相は検出されなかった。
得られた粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、青色に発光することを確認した。この粉末の発光スペクトルおよび励起スペクトルを、蛍光分光光度計を用いて測定した。図6に、ホトルミネッセンス測定における、励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す。288nmの波長に励起スペクトルのピークがあり、励起スペクトルのピーク波長での励起において、467nmに発光スペクトルのピークを持つ青色光を発する蛍光体であることが分かった。
電子線を当てたときの発光特性(カソードルミネッセンス、CL)を、実施例1と同様に、CL検知器を備えたSEMで観察し、CL像を評価した。加速電圧500Vにおける、CLスペクトルを、図3に示す。発光スペクトル観察により、この蛍光体は電子線で励起されて青色発光を示すことが確認された。CLにおいても、発光波長が長波長であり、青色の色純度が良くないことが確認された。
<実施例4>
原料粉末は、平均粒径0.5μmの炭化ケイ素粉末(住友大阪セメント製)、比表面積3.3m/g、酸素含有量0.85%の窒化アルミニウム粉末(トクヤマ製Fグレード)、および、純度99.9%の酸化ユーロピウム粉末(信越化学製)を用いた。
組成式EuAlSiにおいて、a=0.001、b=0、c=0.468909、d=0.030091、e=0.001、f=0.468909およびg=0.030091で示される出発原料組成を得るべく、炭化ケイ素粉末5.597質量%、窒化アルミニウム粉末93.175質量%、酸化ユーロピウム粉末1.23質量%を秤量し、窒化ケイ素焼結体製の乳鉢と乳棒とを用いて混合した後に、目開き125μmのふるいを通すことにより流動性に優れる粉体凝集体を得た。焼成操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.9995体積%の窒素を導入してガス圧力を1MPaとし、毎時500℃で2000℃まで昇温し、その温度で8時間保持した。
合成した試料を実施例1と同様の手法で測定した結果、酸素量は0.4質量%以下であることを確認した。次いで、合成した試料を窒化ケイ素製の乳鉢と乳棒を用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)を行った。得られたチャートからウルツ型AlN構造の結晶の生成が確認され、その他の結晶相は検出されなかった。
得られた粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、青色に発光することを確認した。
電子線を当てたときの発光特性(カソードルミネッセンス、CL)を、実施例1と同様に、CL検知器を備えたSEMで観察し、この蛍光体は電子線で励起されて青色発光を示すことが確認された。この粉末の発光スペクトルおよび励起スペクトルを、蛍光分光光度計を用いて測定した。その結果、292nmの波長に励起スペクトルのピークがあり、励起スペクトルのピーク波長での励起において、465nmに発光スペクトルのピークを持つ青色光を発する蛍光体であることが分かった。以上、実施例1〜4によれば、得られた蛍光体中の酸素量を0.4質量%以下にすることにより、短波長の発光ピーク波長を有する色純度のよい青色蛍光体となることが分かった。このように酸素含有量を制御することによって、発光スペクトルのピーク位置をナノメートルオーダで短波長側に調整できることは、デバイス設計上有利である。
<実施例5>
次に、本発明の窒化物からなる蛍光体を用いた照明器具について説明する。図7に、照明器具としての白色LEDの概略構造図を示す。本発明の窒化物からなる蛍光体およびその他の蛍光体を含む混合物蛍光体1と、発光素子として380nmの近紫外LEDチップ2を用いる。本発明の実施例1の蛍光体と、Ca0.75Eu0.25Si8.625A13.3751.12514.875の組成を持つCa−α−サイアロン:Euの黄色蛍光体とを樹脂層6に分散させた混合物蛍光体1をLEDチップ2上にかぶせた構造とし、容器7の中に配置する。導電性端子3、4に電流を流すと、ワイヤーボンド5を介して電流がLEDチップ2に供給され、380nmの光を発し、この光で黄色蛍光体および青色蛍光体の混合物蛍光体1が励起されてそれぞれ黄色および青色の光を発し、黄色および青色が混合されて白色の光を発する照明器具として機能する。この照明器具は、発光効率が高い特徴がある。
<実施例6>
図7を参照して、上記配合とは異なる配合設計によって作製した照明器具を示す。先ず、発光素子として380nmの紫外LEDチップ2を用い、本発明の実施例1の蛍光体と、特許文献3の実施例1に記載の緑色蛍光体(β−サイアロン:Eu)と特許文献6の実施例1に記載の赤色蛍光体(CaSiAlN:Eu)とを樹脂層6に分散させて混合物蛍光体1として紫外LEDチップ2上にかぶせた構造とする。導電性端子3、4に電流を流すと、LEDチップ2は380nmの光を発し、この光で青色蛍光体と緑色蛍光体と赤色蛍光体とが励起されて青、緑、赤色の光を発し、これらの蛍光体からの光が混合されて白色の光を発する照明器具として機能する。
<実施例7>
次に、本発明の窒化物蛍光体を用いた画像表示装置の設計例について説明する。図8は、画像表示装置としてのプラズマディスプレイパネルの原理的概略図である。赤色蛍光体(Y(PV)O:Eu)8と緑色蛍光体(ZnSiO:Mn)9と本発明の実施例1の青色蛍光体10とがそれぞれのセル11、12、13の内面に塗布されている。電極14、15、16、17に通電するとセル中でXe放電により真空紫外線が発生し、これにより蛍光体が励起されて、赤、緑、青の可視光を発し、この光が保護層20、誘電体層19、ガラス基板22を介して外側から観察され、画像表示として機能する。
<実施例8>
図9は、画像表示装置としてのフィールドエミッションディスプレイパネルの原理的概略図である。本発明の実施例1の青色蛍光体56が陽極53の内面に塗布されている。陰極52とゲート54との間に電圧をかけることにより、エミッタ55から電子57が放出される。電子は陽極53と陰極52との電圧により加速されて、蛍光体56に衝突して蛍光体56が発光する。全体はガラス51で保護されている。図は、1つのエミッタと1つの蛍光体からなる1つの発光セルを示したが、実際には青色の他に、緑色、赤色のセルが多数配置されて多彩な色を発色するディスプレイが構成される。緑色や赤色のセルに用いられる蛍光体に関しては特に指定しないが、低速の電子線で高い輝度を発するものを用いるとよい。
本発明の窒化物蛍光体は、従来のサイアロンとは異なる青色の発光を示し、さらに励起源に曝された場合の蛍光体の輝度の低下が少ないので、VFD、FED、PDP、CRT、白色LEDなどに好適に使用される窒化物蛍光体である。今後、電子線励起の各種表示装置において大いに活用され、産業の発展に寄与することが期待できる。
1 本発明の青色蛍光体(実施例1)と黄色蛍光体との混合物、または、本発明の青色蛍光体(実施例1)と赤色蛍光体と緑色蛍光体との混合物
2 LEDチップ 3、4 導電性端子 5 ワイヤーボンド
6 樹脂層 7 容器 8 赤色蛍光体 9 緑色蛍光体
10 青色蛍光体 11、12、13 紫外線発光セル
14、15、16、17 電極 18、19 誘電体層 20 保護層
21、22 ガラス基板 51 ガラス 52 陰極
53 陽極 54 ゲート 55 エミッタ 56 蛍光体
57 電子

Claims (17)

  1. AlN結晶、AlNポリタイプ結晶、または、AlN固溶体結晶の結晶構造を持つ無機結晶を含む蛍光体であって、前記無機結晶には2価のユーロピウム、金属元素A(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)、およびケイ素(Si)が固溶しており、前記無機結晶中の酸素量が0.4質量%以下であり、
    前記無機結晶は、組成式EuAlSi (式中、a+b+c+d+e+f+g=1とする)で示され、
    0.00001≦ a ≦0.1・・・・・・・・・・(i)
    0< b ≦0.2・・・・・・・・・・・・・・・・(ii)
    0.4≦ c ≦0.55・・・・・・・・・・・・・(iii)
    0.005≦ d ≦0.2・・・・・・・・・・・・(iv)
    0.001≦ e ≦0.05・・・・・・・・・・・(v)
    0.3≦ f ≦0.55・・・・・・・・・・・・・(vi)
    0≦ g ≦0.02・・・・・・・・・・・・・・・(vii)
    以上の条件を満たす組成で表されることを特徴とする蛍光体。
  2. 前記無機結晶中の酸素量が0.09質量%以下であることを特徴とする、請求項1に記載の蛍光体。
  3. 前記無機結晶が、ウルツ型AlN結晶構造、2Hδ、27R、21R、12H、15Rおよび8Hからなる群から選ばれる結晶構造、あるいは、前記無機結晶中にAl(O、N)四面体骨格を有する結晶構造のいずれかの結晶構造を持つことを特徴とする、請求項1または2に記載の蛍光体。
  4. 前記AlNポリタイプ結晶が、Al(O、N)四面体骨格からなる層とEuを含む骨格からなる層とから構成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の蛍光体。
  5. 前記無機結晶が、AlN結晶またはAlNポリタイプ結晶と、SiC結晶との固溶体結晶であることを特徴とする、請求項1または2に記載の蛍光体。
  6. 前記蛍光体は、励起源の照射により430nmから480nmの範囲の波長にピークを持つ青色光を発光することを特徴とする、請求項1〜のいずれかに記載の蛍光体。
  7. 前記蛍光体は、励起源の照射により465nm以下の範囲の波長にピークを持つ青色光を発光することを特徴とする、請求項に記載の蛍光体。
  8. 請求項1〜のいずれかに記載する蛍光体の製造方法であって、ユーロピウムと、アルミニウムと、ケイ素と、A(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)とを含有する原料混合物を、窒素雰囲気中において、15×10℃以上25×10℃以下の温度範囲で、酸素含有量が0.03質量%以上0.4質量%以下となるまで焼成することを特徴とする、蛍光体の製造方法。
  9. ユーロピウムの金属、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物、酸窒化物またはそれらの組合せと、窒化アルミニウムと、窒化ケイ素と、Aの金属、酸化物、炭酸塩、窒化物、フッ化物、塩化物、酸窒化物またはそれらの組合せ(ただし、AはMg、Ca、Sr、Ba、ZnおよびCdからなる群から選ばれる1種または2種以上の元素)とを含有する原料混合物を、相対嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で容器に充填した後に、0.1MPa以上100MPa以下の窒素雰囲気中において、15×10℃以上25×10℃以下の温度範囲で焼成することを特徴とする、請求項に記載の蛍光体の製造方法。
  10. 前記原料混合物にさらに炭化ケイ素または炭素を含有する化合物を添加することを特徴とする、請求項に記載の蛍光体の製造方法。
  11. 請求項1〜のいずれかに記載する蛍光体を用いた照明器具であって、前記蛍光体の励起源として、330〜420nmの波長の光を発する発光光源を有することを特徴とする照明器具。
  12. 前記発光光源はLEDまたはLDであって、前記蛍光体の他に、330〜420nmの励起光により520nm〜550nmの波長に発光ピークを持つ緑色蛍光体と、330〜420nmの励起光により600nm〜700nmの波長に発光ピークを持つ赤色蛍光体とを有することを特徴とする、請求項11に記載の照明器具。
  13. 前記発光光源はLEDまたはLDであって、前記蛍光体の他には、330〜420nmの励起光により550nm〜600nmの波長に発光ピークを持つ黄色蛍光体を有することを特徴とする、請求項11または12に記載の照明器具。
  14. 前記緑色蛍光体がEuを付活したβ型サイアロン蛍光体であり、前記赤色蛍光体がEuを付活したCaAlSiN蛍光体であることを特徴とする、請求項12に記載の照明器具。
  15. 前記黄色蛍光体がEuを付活したα型サイアロン蛍光体であることを特徴とする、請求項13に記載の照明器具。
  16. 請求項1〜のいずれかに記載する蛍光体を表示素子として用いた画像表示装置であって、前記蛍光体を発光させる励起源を有することを特徴とする画像表示装置。
  17. 前記画像表示装置は、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FEDまたはSED)または陰極線管(CRT)のいずれかであり、前記励起源が加速電圧10V以上30kV以下の電子線であることを特徴とする、請求項16に記載の画像表示装置。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101067080B (zh) * 2004-08-11 2010-12-08 独立行政法人物质·材料研究机构 荧光体及其制造方法和发光器具
JP5395342B2 (ja) * 2007-09-18 2014-01-22 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
US8274215B2 (en) * 2008-12-15 2012-09-25 Intematix Corporation Nitride-based, red-emitting phosphors
WO2011114253A1 (en) * 2010-03-16 2011-09-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting apparatus
EP2857479B1 (en) * 2010-05-14 2016-08-24 Lightscape Materials Inc. Oxycarbonitride phosphors and light emitting devices using the same
WO2012036016A1 (ja) * 2010-09-17 2012-03-22 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
EP2649633A4 (en) * 2011-01-14 2015-01-07 Lightscape Materials Inc CARBONITRIDE AND CARBONITRIDE PHOSPHORES AND LIGHTING DEVICES THEREWITH
JP5778699B2 (ja) * 2011-01-26 2015-09-16 電気化学工業株式会社 α型サイアロン、発光装置及びその用途
JP2012241027A (ja) * 2011-05-14 2012-12-10 Sony Chemical & Information Device Corp 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置
JP2012241025A (ja) * 2011-05-14 2012-12-10 Sony Chemical & Information Device Corp 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置
JP2012241026A (ja) * 2011-05-14 2012-12-10 Sony Chemical & Information Device Corp 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置
US8663502B2 (en) 2011-12-30 2014-03-04 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based phosphors
JP2015506396A (ja) 2011-12-30 2015-03-02 インテマティックス・コーポレーションIntematix Corporation 荷電平衡のための格子間カチオンを有する窒化物蛍光体
JP5727955B2 (ja) * 2012-03-08 2015-06-03 株式会社東芝 蛍光体およびその製造方法
US8597545B1 (en) 2012-07-18 2013-12-03 Intematix Corporation Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors
DE102012106940A1 (de) * 2012-07-30 2014-01-30 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs, Leuchtstoff und optoelektronisches Bauelement
JP6212498B2 (ja) * 2012-11-13 2017-10-11 デンカ株式会社 蛍光体、発光素子及び照明装置
DE102013105304A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials, pulverförmiges Precursormaterial und seine Verwendung
US9337010B2 (en) * 2014-09-05 2016-05-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Fluorescent lighting with aluminum nitride phosphors
CA2963044C (en) * 2014-09-29 2019-02-12 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Sialon sintered body and cutting insert
JP5951141B1 (ja) * 2014-09-30 2016-07-13 三菱電機株式会社 照明装置
JP6338998B2 (ja) * 2014-10-23 2018-06-06 国立大学法人九州工業大学 蛍光素子
JP2016028158A (ja) * 2015-10-07 2016-02-25 デクセリアルズ株式会社 赤色蛍光体、赤色蛍光体の製造方法、白色光源、照明装置、および液晶表示装置
US10600604B2 (en) 2017-06-23 2020-03-24 Current Lighting Solutions, Llc Phosphor compositions and lighting apparatus thereof

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8400660A (nl) 1984-03-01 1985-10-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH09218149A (ja) 1996-02-15 1997-08-19 Shimadzu Corp 検出計セルおよび光学測定装置
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
JP2003055657A (ja) 2001-06-07 2003-02-26 Nichia Chem Ind Ltd 低速電子線用の蛍光体
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP5035818B2 (ja) * 2003-08-22 2012-09-26 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体と発光器具
JP4834827B2 (ja) 2003-10-03 2011-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 酸窒化物蛍光体
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP3921545B2 (ja) * 2004-03-12 2007-05-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法
JP2004234690A (ja) 2004-04-05 2004-08-19 Kokuyo Co Ltd 流通支援設備
JP2004285363A (ja) 2004-05-19 2004-10-14 Sony Corp 蛍光体粉末及びその製造方法、表示用パネル、並びに、平面型表示装置
KR20070103087A (ko) * 2004-07-13 2007-10-22 가부시키가이샤후지쿠라 형광체 및 그 형광체를 이용한 전구색광을 발하는 전구색광발광 다이오드 램프
JP4933739B2 (ja) * 2004-08-02 2012-05-16 Dowaホールディングス株式会社 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置
CN101067080B (zh) * 2004-08-11 2010-12-08 独立行政法人物质·材料研究机构 荧光体及其制造方法和发光器具
JP4756261B2 (ja) * 2005-01-27 2011-08-24 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2006232949A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Matsushita Electric Works Ltd 蛍光体粒子の処理方法、発光装置、蛍光体粒子
WO2006101096A1 (ja) 2005-03-22 2006-09-28 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
US7443094B2 (en) * 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7445730B2 (en) * 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
KR20080009198A (ko) 2005-03-31 2008-01-25 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤 형광체, 형광체 시트 및 그 제조 방법, 및 상기 형광체를이용한 발광 장치
JP2006291035A (ja) 2005-04-11 2006-10-26 Futaba Corp 電子線励起蛍光発光素子
JP4822203B2 (ja) * 2005-04-28 2011-11-24 独立行政法人物質・材料研究機構 リチウム含有サイアロン蛍光体およびその製造法
CN101175835B (zh) * 2005-05-24 2012-10-10 三菱化学株式会社 荧光体及其应用
JP4836229B2 (ja) * 2005-05-31 2011-12-14 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
CN101851432B (zh) * 2005-06-14 2012-10-17 电气化学工业株式会社 含有荧光体的树脂组合物及片材,以及使用其的发光元件
JP2006351357A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 赤色el素子
WO2007004493A1 (ja) * 2005-07-01 2007-01-11 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および照明器具

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