JP5652207B2 - 薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタおよび電子機器 - Google Patents
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Description
先ず、基板上に成膜した有機半導体層上に、金属材料およびキャリア注入性有機材料のうちの少なくとも一方からなる保護膜パターンを形成する。次に、この保護膜パターンをマスクにしたエッチングによって有機半導体層をパターニングし、基板上に有機半導体パターンを形成する。続いて、有機半導体パターンを覆う状態で、基板上に電極材料膜を成膜する。その後、この電極材料膜上にレジストパターンを形成し、前記レジストパターンをマスクにしたウェットエッチングによって前記電極材料膜をパターニングしてなるソース電極およびドレイン電極を形成する。
1.第1実施の形態(薄膜トランジスタの製造方法)
2.第2実施の形態(有機半導体パターンをオーバーエッチングする例)
3.第3実施の形態(有機半導体パターン上に保護膜パターンを残す例)
4.第4実施の形態(保護膜および保護膜パターンとしてキャリア注入材料を用いてこれを残す例)
5.第5実施の形態(保護膜パターンを積層構造としてこれを残す例)
6.第6実施の形態(コンタクト抵抗を低減する例)
7.第7実施の形態(コンタクト抵抗を低減する他の例)
8.第8実施の形態(同上)
9.電子機器(表示装置)への適用例
図1および図2は、本発明の第1実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法を、トップコンタクト・ボトムゲート構造の製造に適用した第1例の断面工程図である。また、図3はここで作製するトップコンタクト・ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの平面図である。以下、図1および図2の断面工程図に従い、図3を参照しつつ第1実施の形態の製造方法を説明する。
ポリピロールおよびポリピロール置換体、
ポリチオフェンおよびポリチオフェン置換体、
ポリイソチアナフテンなどのイソチアナフテン類、
ポリチェニレンビニレンなどのチェニレンビニレン類、
ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリ(p−フェニレンビニレン)類、
ポリアニリンおよびポリアニリン置換体、
ポリアセチレン類、
ポリジアセチレン類、
ポリアズレン類、
ポリピレン類、
ポリカルバゾール類、
ポリセレノフェン類、
ポリフラン類、
ポリ(p−フェニレン)類、
ポリインドール類、
ポリピリダジン類、
ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーおよび多環縮合体、
上述した材料中のポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのアセン類およびアセン類の炭素の一部をN、S、Oなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体(トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−6,15−キノンなど)
金属フタロシアニン類、
テトラチアフルバレンおよびテトラチアフルバレン誘導体、
テトラチアペンタレンおよびテトラチアペンタレン誘導体、
ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N' −ビス(4−トリフルオロメチルベンジル)ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N' −ビス(1H,1H−ペルフルオロオクチル)、N,N' −ビス(1H,1H−ペルフルオロブチル)及びN,N' −ジオクチルナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、
ナフタレン2,3,6,7テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、
アントラセン2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、
C60、C70、C76、C78、C84等フラーレン類、
SWNTなどのカーボンナノチューブ、
メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素
図4は、第2実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法の特徴部を表す断面工程図である。本実施の形態が第1実施の形態と異なるところは、有機半導体パターン7aをオーバーエッチングするところにあり、他の手順は同様であることとする。
図5は、第3実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法の特徴部を表す断面工程図である。本実施の形態が先の実施の形態と異なるところは、有機半導体パターン7a上に保護膜パターン9aを残すところにあり、他の手順は同様である。
図6および図7は、第4実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法の特徴部を表す断面工程図である。本実施の形態が先の実施の形態と異なるところは、保護膜および保護膜パターンとしてキャリア注入材料を用いてこれを残すところにある。他の手順は同様である。
図8および図9は、第5実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法の特徴部を表す断面工程図である。本実施の形態が先の実施の形態と異なるところは、保護膜パターンを積層構造としてこれを残すところにある。他の手順は同様である。
ストパターン11の除去と同様に行なわれる。
図10は、第6実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法の特徴部を表す断面工程図である。本実施の形態は、図2(A)までの工程は第1実施の形態と共通であるので、その後の工程について説明する。
図12は、第7実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法の特徴部を表す断面工程図である。本実施の形態では、有機半導体パターン7aとソース電極13sおよびドレイン電極13dそれぞれとの間にキャリア注入層としての有機錯体パターンを介在させたものである。本実施の形態も、図2(A)までの工程は第1実施の形態と共通であるので、その後の工程について説明する。
ここで有機電荷移動錯体は(D:ドナー)x−(A:アクセプター)yの組成を持つものである。ドナー分子としては、ポリピロールおよびポリピロール置換体、ポリチオフェンおよびポリチオフェン置換体、ポリイソチアナフテンなどのイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレンなどのチェニレンビニレン類、ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリ(p−フェニレンビニレン)類、ポリアニリンおよびポリアニリン置換体、ポリアセチレン類、ポリジアセチレン類、ポリアズレン類、ポリピレン類、ポリカルバゾール類、ポリセレノフェン類、ポリフラン類、ポリ(p−フェニレン)類、ポリインドール類、ポリピリダジン類、ポリビニルカルバゾール、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィドなどのポリマーおよび多環縮合体、上述した材料中のポリマーと同じ繰返し単位を有するオリゴマー類、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ピレン、ジベンゾピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセンなどのアセン類およびアセン類の炭素の一部をN、S、Oなどの原子、カルボニル基などの官能基に置換した誘導体(トリフェノジオキサジン、トリフェノジチアジン、ヘキサセン−6,15−キノンなど)、金属フタロシアニン類、テトラチアフルバレンおよびテトラチアフルバレン誘導体、 テトラチアペンタレンおよびテトラチアペンタレン誘導体、メロシアニン色素類、ヘミシアニン色素類などの色素アルカリ金属イオン,アルカリ土類金属イオン,遷移金属イオン、等が挙げられる。
アクセプター分子としては、DDQ,クロラニル等のベンゼンジキノン誘導体とその類縁体,DCNQI,TCNQ等のシアノキノジメタン誘導体とその類縁体、M(mnt)2やM(dmit)2等の金属錯体(ここでMは金属原子),ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N' −ビス(4−トリフルオロメチルベンジル)ナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド、N,N' −ビス(1H,1H−ペルフルオロオクチル)、N,N' −ビス(1H,1H−ペルフルオロブチル)及びN,N' −ジオクチルナフタレン1,4,5,8−テトラカルボン酸ジイミド誘導体、ナフタレン2,3,6,7テトラカルボン酸ジイミドなどのナフタレンテトラカルボン酸ジイミド類、アントラセン2,3,6,7−テトラカルボン酸ジイミドなどのアントラセンテトラカルボン酸ジイミド類などの縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、C60、C70、C76、C78、C84等フラーレン類、SWNTなどのカーボンナノチューブおよびそれらの誘導体,ハロゲン類,金属ハライド,金属酸化物、硫酸,硝酸,過塩素酸等の無機陰イオン類等が挙げられる。
図13は、第8実施の形態の薄膜トランジスタの製造方法の特徴部を表す断面工程図である。第7実施の形態では金属製のマスク21を利用して有機電荷移動錯体膜22のパターンを形成するようにしたが、本実施の形態においては、図13(A),(B)に示したように有機電荷移動錯体膜22を形成する際に例えばSiO2 のような絶縁性のマスク23を用いるものである。このように絶縁性のマスク23を用いることにより、構造中にマスク23を残すことができ(図13(C))、製造プロセスを簡略化することが可能になる。その他は、第7実施の形態と同じであるので、その説明は省略する。
次に、上述の実施の形態で説明した本発明の薄膜トランジスタを用いた電子機器の一例として、有機電界発光素子ELを用いたアクティブマトリックス型の表示装置を説明する。
Claims (16)
- 基板上に成膜した有機半導体層上に、金属材料およびキャリア注入性有機材料のうちの少なくとも一方からなる保護膜パターンを形成する工程と、
前記保護膜パターンをマスクにしたエッチングによって前記有機半導体層をパターニングし、前記基板上に有機半導体パターンを形成する工程と、
前記有機半導体パターンを覆う状態で前記基板上に電極材料膜を成膜する工程と、
前記電極材料膜上にレジストパターンを形成し前記レジストパターンをマスクにしたウェットエッチングによって前記電極材料膜をパターニングしてなるソース電極およびドレイン電極を形成する工程と
を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護膜パターンを前記金属材料により形成し、
前記ソース電極およびドレイン電極を形成した後、前記ソース電極およびドレイン電極から露出する前記有機半導体パターンの表面層をオーバーエッチングする
請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護膜パターンを前記金属材料により形成し、
前記電極材料膜を成膜する工程の前に前記保護膜パターンを除去する
請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記有機半導体パターンと前記保護膜パターンとを覆う状態で前記電極材料膜を成膜する
請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護膜パターンを前記金属材料により形成し、
前記レジストパターンをマスクにしたウェットエッチングによって前記電極材料膜と前記保護膜パターンとをパターニングする
請求項4に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記金属材料として前記有機半導体パターンとオーミック接合される材料を用いる
請求項5に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護膜パターンを除去した後、前記有機半導体パターン上に、前記有機半導体パターンの表面に残留する前記金属材料と化学的に反応可能な分子を含む表面処理剤によって表面処理を施す
請求項3記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記表面処理剤は、有機硫黄分子,有機セレン・テルル分子,ニトリル化合物,有機シラン化合物,カルボン酸類,ホスホン酸類,燐酸エステル類,不飽和炭化水素,アルコール・アルデヒド,ハロゲン化物およびジアゾ化合物のうちの少なくとも1種を含む
請求項7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ソース電極およびドレイン電極を形成する前に、前記有機半導体パターン上に一対の有機電荷移動錯体パターンを形成し、その後、前記有機電荷移動錯体パターン上に前記ソース電極およびドレイン電極を形成する
請求項3に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護膜パターンを除去した後、前記有機半導体パターン上に導電性のマスクを形成し、前記マスクを用いて前記有機電荷移動錯体パターンを形成した後、前記マスクを除去する
請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護膜パターンを除去した後、前記有機半導体パターン上に絶縁性のマスクを形成し、前記マスクを用いて前記有機電荷移動錯体パターンを形成する
請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記電極材料膜は、前記キャリア注入性有機材料からなる前記保護膜パターンとオーミック接合される材料からなる
請求項4に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板上に設けられた有機半導体パターンと、
等方性エッチングされた端面形状を有し、前記有機半導体パターン上において分離された状態で前記基板上に設けられたソース電極およびドレイン電極とを備え、
前記有機半導体パターンの表面層には、金属材料および前記金属材料と化学的に反応可能な分子が含まれている
薄膜トランジスタ。 - 前記有機半導体パターンの表面層には、酸系のエッチング液を構成する材料成分が含有されている
請求項13記載の薄膜トランジスタ。 - 前記金属材料は金であり、前記分子は有機硫黄分子,有機セレン・テルル,ニトリル化合物,有機シラン化合物,カルボン酸類,ホスホン酸類,燐酸エステル類,不飽和炭化水素,アルコール・アルデヒド,ハロゲン化物またはジアゾ化合物である
請求項13記載の薄膜トランジスタ。 - 薄膜トランジスタを備え、
前記薄膜トランジスタは、
基板上に設けられた有機半導体パターンと、
等方性エッチングされた端面形状を有し、前記有機半導体パターン上において分離された状態で前記基板上に設けられたソース電極およびドレイン電極とを備え、
前記有機半導体パターンの表面層には、金属材料および前記金属材料と化学的に反応可能な分子が含まれている
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