JP2004304182A - 薄膜トランジスタ及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
再現性高くTFTのチャネル長を制御することが可能な工程を提供する。また、チャネル長の短いTFTを作製することが可能な工程を提供する。さらには、電流電圧特性を向上させることが可能なTFTの構造を提供する。
【解決手段】
本発明は、絶縁表面上に第1の導電膜、第1の絶縁膜及び第2の導電膜とが順に積層される積層物と、該積層物の側面に接して形成される半導体膜と、第2の絶縁膜を介して半導体膜に覆設される第3の導電膜を有する薄膜トランジスタである。第1の導電膜及び第2の導電膜はソース電極及びドレイン電極であり、半導体膜において第1の絶縁膜及び第3の導電膜に接する部分はチャネル形成領域であり、第3の導電膜はゲート電極である。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、短チャネル構造を有する薄膜トランジスタの作製方法に有効な技術に関する。
本実施の形態を図1を用いて説明する。図1(A)は、本実施の形態により作製されるTFTの上面図であり、図1(B)は、同様のものの断面図である。まず始めに、基板101上に第1の絶縁膜102を形成した後、第1の導電膜を形成する。こののち、第1の導電膜を所望の形状にエッチングして第1の電極103を形成する。なお第1の電極は第1の接続配線112から延在している。本実施の形態において、第1の接続配線をソース配線とする。
本実施の形態では、実施の形態1において第2の電極が第1の接続配線から延在している構造を図2を用いて説明する。なお、図2(A)は、本実施の形態により作製されるTFTの上面図であり、図2(B)は、同様のものの断面図である。
本実施の形態においては、複数のチャネル形成領域を有するTFTの作製方法について図3を用いて示す。なお、図3(A)は、本実施の形態により作製されるTFTの上面図であり、図3(B)は、同様のものの断面図である。第1の接続配線、第2の接続配線、第1の電極、及び第2の電極の接続方法は、実施の形態1と同様とする。
。
本実施の形態では、閉曲線形状のチャネル形成領域を有するTFTの作製方法について図4を用いて説明する。図4(A)は、本実施の形態により作製されるTFTの上面図であり、図4(B)は、同様のものの断面図である。なお、第1の電極は第1の接続配線から延在している構造を説明する。
本実施の形態では、第1の電極、第2の電極それぞれが、半導体膜との接触面積を増加させ、それぞれのコンタクト性を高める構造について説明する。本実施の形態においては、実施の形態1のTFTの構造を用いて説明する。このため、同じ部分は、同様の符号を付して詳細の説明を省略する。また、本実施の形態を、実施の形態2乃至実施の形態4、及び実施の形態6のいずれかのTFTにも適応することができる。
本実施の形態では、実施の形態5で示す半導体素子の第1の電極1103について説明する。図11(C)に示すように、第1の電極1103の一部は、オーバーエッチングされているため、中央部と、端部とでは膜厚が異なる。この構造により、後に形成される半導体膜との接触面積が増加し、コンタクト性を高めることが可能である。
本実施の形態では、面積をより縮小することが可能なTFTの構造について、図12を用いて説明する。本実施の形態においては、実施の形態1のTFTの構造を用いて説明する。このため、同じ部分は、同様の符号を付して詳細の説明を省略する。また、本実施の形態を、実施の形態2、実施の形態3及び実施の形態5のいずれかのTFTにも適応できる。
Claims (14)
- 絶縁表面上に第1の導電膜、第1の絶縁膜及び第2の導電膜とが順に積層される積層物と、
前記積層物の側面に接して形成される半導体膜と、
第2の絶縁膜を介して前記半導体膜を覆設する第3の導電膜を有し、
前記第1の導電膜及び第2の導電膜は、ソース電極及びドレイン電極であり、
前記半導体膜において、前記第1の絶縁膜及び前記第3の導電膜に接する領域はチャネル形成領域であり、
前記第3の導電膜は、ゲート電極であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項1において、前記第3の導電膜は、少なくとも前記第1の絶縁膜に接する前記半導体膜を前記第2の絶縁膜を介して覆設していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 請求項1において、前記第3の導電膜は、前記第1の絶縁膜に接する前記半導体膜の一部を前記第2の絶縁膜を介して覆設していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 絶縁表面上において導電膜と絶縁膜とが交互に形成される積層物と、
該積層物の側面に形成される半導体膜と、
第2の絶縁膜を介して前記半導体膜を覆設する第2の導電膜を有し、
前記積層物の導電膜はn(nは2以上の整数)層であり、前記積層物の絶縁膜はn−1層であり、
前記積層物の導電膜において、前記絶縁表面に接する導電膜、及び該導電膜と
最も離れている導電膜が、ソース電極及びドレイン電極であり、
前記半導体膜において、前記積層物の絶縁膜及び前記第2の導電膜に接する領域がチャネル形成領域であり、
前記第2の導電膜がゲート電極であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 請求項4において、前記第2の導電膜は、少なくとも前記積層物の絶縁膜に接する前記半導体膜を前記第2の絶縁膜を介して覆設していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 請求項4において、前記第2の導電膜は、前記積層物の絶縁膜に接する前記半導体膜の一部を前記第2の絶縁膜を介して覆設していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 請求項1又は請求項4において、前記半導体膜のチャネル形成領域が閉曲線形状であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記積層物の側面は、前記絶縁表面に対して傾斜していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記ソース電極又はドレイン電極は、中央と端部とで膜厚が異なることを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 絶縁表面上に第1の導電膜、第1の絶縁膜、第2の導電膜を順に成膜して積層物を形成し、
該積層物をエッチングした後、積層物の側面に半導体膜、第2の絶縁膜及び、第3の導電膜を順に成膜しゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項9において、前記積層物をエッチングするとき、該積層物の側面が前記絶縁表面に対して傾斜するようにエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
- 絶縁表面上に第1の導電膜を成膜し、該第1の導電膜を所望の形状にエッチングして第1の電極を形成し、
前記第1の電極及び前記絶縁表面上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に、第2の導電膜を形成し、該第2の導電膜及び前記第1の絶縁膜を所望の形状にエッチングして第2の電極を形成すると共に、前記第1の電極、前記第1の絶縁膜、及び前記第2の電極の側面を露出させ、
該露出面に半導体膜を形成し、前記半導体膜を所望の形状にエッチングし、
前記半導体膜上に第2の絶縁膜及び第3の導電膜を順に形成し、前記第3の導電膜を所望の形状にエッチングしてゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 絶縁表面上に第1の導電膜を成膜し、該第1の導電膜を所望の形状にエッチングして第1の電極を形成し、
前記第1の電極及び前記絶縁表面上に第1の絶縁膜を形成し、該第1の絶縁膜をエッチングして前記第1の電極の一部を露出させ、
前記第1の絶縁膜及び前記第1の電極上に、第2の導電膜を形成し、該第2の導電膜をエッチングして前記第1の電極及び前記第1の絶縁膜の一部を露出させると共に第2の電極を形成し、
前記第1の電極及び前記第1の絶縁膜の露出面及び第2の電極の一部に半導体膜を形成し、前記半導体膜を所望の形状にエッチングし、
前記半導体膜上に第2の絶縁膜及び第3の導電膜を順に形成し、前記第3の導電膜を所望の形状にエッチングしてゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。 - 請求項12又は請求項13において、前記露出面は前記絶縁表面に対して傾斜するようにエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
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Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
JP2007036228A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JP2007103947A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタおよび電子デバイスを製造するための方法 |
JP2012191023A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Fujitsu Ltd | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
JP2016092058A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
WO2018203181A1 (ja) * | 2017-05-01 | 2018-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020088378A (ja) * | 2018-11-20 | 2020-06-04 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 垂直構造トランジスタ及び電子装置 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03291973A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜半導体装置 |
JP2002057329A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Toshiba Corp | 縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2004507096A (ja) * | 2000-08-18 | 2004-03-04 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電界効果トランジスタ(ofet),該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03291973A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜半導体装置 |
JP2002057329A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Toshiba Corp | 縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2004507096A (ja) * | 2000-08-18 | 2004-03-04 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 有機電界効果トランジスタ(ofet),該有機電界効果トランジスタの製造方法、前記有機電界効果トランジスタから形成される集積回路、及び該集積回路の使用 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007036228A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
US7863086B2 (en) | 2005-07-25 | 2011-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor substrate and method for fabricating the same |
JP4638840B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2011-02-23 | 三星電子株式会社 | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JP2007103947A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタおよび電子デバイスを製造するための方法 |
JP4730275B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2011-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2012191023A (ja) * | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Fujitsu Ltd | 電界効果トランジスタとその製造方法 |
JP2016092058A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
WO2018203181A1 (ja) * | 2017-05-01 | 2018-11-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JPWO2018203181A1 (ja) * | 2017-05-01 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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JP2022159517A (ja) * | 2017-05-01 | 2022-10-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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JP2020088378A (ja) * | 2018-11-20 | 2020-06-04 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 垂直構造トランジスタ及び電子装置 |
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