JP5631499B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

この発明は、単相インバータの交流側の出力を電源出力に重畳し、所望の直流電圧を得る電力変換装置に関するものである。
従来の電力変換装置は、交流電源の第1の端子からの出力は、リアクトルに接続され、その後段に単相インバータにて構成されたインバータ回路の交流側が直列接続される。インバータ回路内の単相インバータは、半導体スイッチ素子および直流電圧源から構成される。また、それぞれ短絡用スイッチと整流ダイオードとを直列接続してインバータを構成する第1、第2の直列回路は並列接続され、出力段の平滑コンデンサの両端子間に接続される。第1の直列回路の中点が、インバータ回路の後段の交流出力線に接続され、第2の直列回路の中点が交流電源の第2の端子に接続される。そして、平滑コンデンサの直流電圧が一定の目標電圧に維持できるように、また交流電源からの入力力率が概1になるようにPWM制御により電流を制御して出力し、交流側の発生電圧を交流電源からの入力電圧に重畳する。そして、交流電源からの入力電圧の位相のゼロクロス位相を中央とする短絡位相範囲でのみ、短絡用スイッチをオン状態として平滑コンデンサをバイパスさせ、短絡用スイッチのオンオフ切り替えに同期して、インバータ回路の電圧指令を補正する(例えば、特許文献1参照)。
特開2009−095160号公報
このような電力変換装置では、短絡用スイッチのオンオフ切り替えによりインバータ回路の直流電圧源の充放電を切り替えて直流電圧源の電圧を保ち、インバータ回路は、電流を制御するように出力制御される。しかしながら、インバータ回路の直流電圧が低いとインバータ回路による電流制御ができないため、インバータ回路の直流電圧源の電圧を電流制御が可能な比較的高い電圧に維持する必要があった。このため電力変換装置の高耐圧化を要し、小型化および電力損失の低減の妨げになるものであった。
この発明は、上記のような問題点を解消するために成されたものであって、インバータ回路の直流電圧の低減を可能にして電流制御を信頼性良く継続でき、小型で電力損失の低い電力変換装置を得ることを目的とする。
この発明に係る電力変換装置は、複数の半導体スイッチ素子および直流コンデンサを有し、交流電源の第1の端子に直列接続されるインバータ回路と、直流母線間に複数の半導体スイッチ素子を有し、一方の交流端子が上記インバータ回路に直列接続され、他方の交流端子が上記交流電源の第2の端子に接続され、上記直流母線間に直流電力を出力するコンバータ回路と、上記直流母線間に接続され上記コンバータ回路の出力を平滑する平滑コンデンサと、上記インバータ回路の上記直流コンデンサの電圧を設定された電圧指令値に追従させ、上記平滑コンデンサの電圧を目標電圧に追従させ、上記交流電源からの電流である入力電流の力率が1となるように、上記インバータ回路および上記コンバータ回路を制御する制御回路とを備える。そして、上記制御回路は、上記交流電源のゼロクロス位相を含む期間で上記コンバータ回路の上記交流端子間を継続的に短絡させて上記平滑コンデンサをバイパスさせる短絡期間と、上記コンバータ回路の直流出力を継続して上記平滑コンデンサに出力する開放期間とを有して上記インバータ回路の上記直流コンデンサの電圧を設定された電圧指令値に追従させると共に、上記短絡期間および上記開放期間において上記インバータ回路をPWM制御し、上記直流コンデンサの電圧に応じて上記コンバータ回路をPWM制御する期間を設け、上記インバータ回路のPWM制御と上記コンバータ回路のPWM制御とを切り替えて上記入力電流の力率が1になるように制御するものである。
この発明に係る電力変換装置によると、制御回路は、直流コンデンサの電圧に応じてコンバータ回路をPWM制御する期間を設け、インバータ回路のPWM制御とコンバータ回路のPWM制御とを切り替えて入力電流の力率が1になるように制御する。このため、インバータ回路の直流電圧を高い電圧に維持する必要がなく電流制御を継続できる。これによりインバータ回路の直流電圧の低減を可能にして電流制御を信頼性良く継続でき、電力変換装置の小型化および電力損失低減が図れる。
この発明の実施の形態1による電力変換装置の構成図である。 この発明の実施の形態1による電力変換装置の力行動作を説明する電流経路図である。 この発明の実施の形態1による電力変換装置の力行動作を説明する電流経路図である。 この発明の実施の形態1による電力変換装置の力行動作を説明する電流経路図である。 この発明の実施の形態1による電力変換装置の力行動作を説明する電流経路図である。 この発明の実施の形態1による電力変換装置の昇圧時の基本動作を説明する各部の波形とインバータ回路の直流コンデンサ充放電を示す図である。 この発明の実施の形態1による電力変換装置の降圧時の基本動作を説明する各部の波形とインバータ回路の直流コンデンサ充放電を示す図である。 この発明の実施の形態1による電力変換装置における電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態1によるコンバータ回路による電流制御時のインバータ回路内の電流経路図である。 この発明の実施の形態1による制御回路におけるコンバータ回路の制御を示す制御ブロック図である。 この発明の実施の形態1による制御回路におけるコンバータ回路の制御を示す部分制御ブロック図である。 この発明の実施の形態1による制御回路におけるインバータ回路の制御を示す制御ブロック図である。 この発明の実施の形態2による電力変換装置における電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態2による制御回路におけるコンバータ回路の制御を説明する部分制御ブロック図である。 この発明の実施の形態3による電力変換装置における電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態4による電力変換装置における電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態5による電力変換装置の回生動作を説明する電流経路図である。 この発明の実施の形態5による電力変換装置の回生動作を説明する電流経路図である。 この発明の実施の形態5による電力変換装置の回生動作を説明する電流経路図である。 この発明の実施の形態5による電力変換装置の回生動作を説明する電流経路図である。 この発明の実施の形態5による電力変換装置における電流制御切り替え動作の第1例を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態5による電力変換装置における電流制御切り替え動作の第2例を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態5による電力変換装置における電流制御切り替え動作の第3例を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態5による電力変換装置における電流制御切り替え動作の第4例を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態6による電力変換装置における電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態6による電力変換装置における電流制御切り替え動作の別例を各部の波形図と共に説明する図である。 この発明の実施の形態6による制御回路におけるインバータ回路の制御を示す制御ブロック図である。
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1による電力変換装置について説明する。図1はこの発明
の実施の形態1による電力変換装置の概略構成図である。
図1に示すように、電力変換装置は、交流電源1の交流電力を直流電力に変換して出力するための主回路と制御回路10とを備える。
主回路は、限流回路としてのリアクトル2とインバータ回路100とコンバータ回路300と平滑コンデンサ3とを備える。交流電源1の第1の端子からの出力は、リアクトル2に接続され、その後段に単相インバータにて構成されたインバータ回路100の交流側が直列接続される。コンバータ回路300は、一方の交流端子がインバータ回路100の後段の交流出力線に接続され、他方の交流端子が交流電源1の第2の端子に接続され、コンバータ回路300の直流母線3a、3b間に接続された平滑コンデンサ3に直流電力を出力する。
インバータ回路100内の単相インバータは、ダイオード101b〜104bを逆並列に接続した複数個のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の半導体スイッチ素子101a〜104a、および直流コンデンサ105にて構成されるフルブリッジ構成のインバータである。
コンバータ回路300は、直流母線間に複数の半導体スイッチ素子301a〜304aを有し、この場合、ダイオード301b〜304bを逆並列に接続した複数個のIGBT等の半導体スイッチ素子301a〜304aをそれぞれ2個直列接続した2つのブリッジ回路を直流母線間に並列接続して構成する。
インバータ回路100の後段の交流出力線にはコンバータ回路300の半導体スイッチ素子301aのエミッタと半導体スイッチ素子302aのコレクタとの接続点が接続される。また半導体スイッチ素子303aのエミッタと半導体スイッチ素子304aのコレクタとの接続点が交流電源1の上記第2の端子に接続される。
なお、半導体スイッチ素子101a〜104a、301a〜304aはIGBT以外にも、ソース・ドレイン間にダイオードが内蔵されたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等でもよい。
また、リアクトル2はインバータ回路100とコンバータ回路300との間に直列接続しても良い。
制御回路10は、インバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsubと、平滑コンデンサ3の電圧Vdcと、交流電源1からの電圧Vin、電流Iinとに基づいて、平滑コンデンサ3の電圧Vdcが一定の目標電圧Vdcになるように、インバータ回路100およびコンバータ回路300内の各半導体スイッチ素子101a〜104a、301a〜304aへのゲート信号11、12を生成してインバータ回路100およびコンバータ回路300を出力制御する。
平滑コンデンサ3には図示しない負荷が接続され、通常時は電圧Vdcは目標電圧Vdcに比べて低く、制御回路10は、交流電源1からの交流電力を変換して平滑コンデンサ3に直流電力を供給するようにインバータ回路100およびコンバータ回路300を出力制御する。
このように構成される電力変換装置の力行動作、即ち平滑コンデンサ3に直流電力を出力する動作について、図に基づいて説明する。図2〜図5は、力行動作における電流経路図を示す。また、図6は、電力変換装置の昇圧時の基本の力行動作を説明する各部の波形とインバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電を示す図である。図7は、電力変換装置の降圧時の基本の力行動作を説明する各部の波形とインバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電を示す図である。
なお、出力段の平滑コンデンサ3の電圧Vdcが、交流電源1の電圧Vinのピーク電圧Vpより高い場合を昇圧と称し、出力段の平滑コンデンサ3の電圧Vdcが、交流電源1の電圧Vinのピーク電圧Vpより低い場合を降圧と称す。また、図6、図7では、平滑コンデンサ3の電圧Vdcが一定の目標電圧Vdcに制御されている状態を示す。
交流電源1からの電圧Vinは、図6、図7に示すような波形となる。インバータ回路100は、交流電源1からの入力力率が概1になるようにPWM制御により電流Iinを制御して出力し、交流側の発生電圧を交流電源1の出力である電圧Vinに重畳する。以下、交流電源1からの入力力率が概1になるように電流Iinを制御することを、単に電流制御と称す。
交流電源1の電圧位相をθとし、まず、電圧Vinが正極性である0≦θ<πの場合について示す。
インバータ回路100では、半導体スイッチ素子101a、104aがオン、半導体スイッチ素子102a、103aがオフの時には、直流コンデンサ105を充電するように流れ、半導体スイッチ素子102a、103aがオン、半導体スイッチ素子101a、104aがオフの時には、直流コンデンサ105を放電するように流れる。また、半導体スイッチ素子101a、103aがオン、半導体スイッチ素子102a、104aがオフの時、および半導体スイッチ素子102a、104aがオン、半導体スイッチ素子101a、103aがオフの時には、直流コンデンサ105をスルーして電流が流れる。このような4種の制御の組み合わせにて半導体スイッチ素子101a〜104aを制御してインバータ回路100をPWM動作させることで直流コンデンサ105を充放電させ、電流制御を行う。なお、各半導体スイッチ素子101a〜104aに流れる電流が、エミッタからコレクタへ流れる時は、その半導体スイッチ素子をオフして逆並列接続されたダイオード101b〜104bに電流を流しても良い。
図2に示すように、交流電源1からの電流はリアクトル2にて限流され、インバータ回路100に入力され、その出力はコンバータ回路300内のダイオード301bを通り平滑コンデンサ3を充電しダイオード304bを経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、上記の4種の制御の組み合わせによりPWM動作させることで直流コンデンサ105を充放電させ、電流制御を行う。
交流電源1の電圧Vinのゼロクロス位相を中央として±θの位相範囲(以下、短絡期間Tと称す)では、図3に示すように、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302aをオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303a、304aをオフさせる。交流電源1からの電流はリアクトル2にて限流され、インバータ回路100に入力されて直流コンデンサ105を充電し、コンバータ回路300内の半導体スイッチ素子302a、ダイオード304bを経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、直流コンデンサ105を充電する制御とスルーさせる制御の組み合わせによりPWM動作させることで直流コンデンサ105を充電させ、電流制御を行う。
次に、電圧Vinが負極性であるπ≦θ<2πの場合について示す。
インバータ回路100では、半導体スイッチ素子102a、103aがオン、半導体スイッチ素子101a、104aがオフの時には、直流コンデンサ105を充電するように流れ、半導体スイッチ素子101a、104aがオン、半導体スイッチ素子102a、103aがオフの時には、直流コンデンサ105を放電するように流れる。また、半導体スイッチ素子101a、103aがオン、半導体スイッチ素子102a、104aがオフの時、および半導体スイッチ素子102a、104aがオン、半導体スイッチ素子101a、103aがオフの時には、直流コンデンサ105をスルーして電流が流れる。このような4種の制御の組み合わせにて半導体スイッチ素子101a〜104aを制御してインバータ回路100をPWM動作させることで直流コンデンサ105を充放電させ、電流制御を行う。
図4に示すように、交流電源1からの電流は、コンバータ回路300内のダイオード303bを通り、平滑コンデンサ3を充電しダイオード302bを経てインバータ回路100に入力され、インバータ回路100の出力はリアクトル2を経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、上記の4種の制御の組み合わせによりPWM動作させることで直流コンデンサ105を充放電させ、電流制御を行う。
短絡期間Tでは、図5に示すように、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子304aをオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、302a、303aをオフさせる。交流電源1からの電流は、コンバータ回路300の半導体スイッチ素子304a、ダイオード302bを経てインバータ回路100に入力され、直流コンデンサ105を充電してリアクトル2を経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、直流コンデンサ105を充電する制御とスルーさせる制御の組み合わせによりPWM動作させることで直流コンデンサ105を充電させ、電流制御を行う。
このように、コンバータ回路300の動作では、コンバータ回路300の交流端子間を継続的に短絡させて平滑コンデンサ3をバイパスさせる短絡期間Tと、コンバータ回路300の直流出力を継続して平滑コンデンサ3に出力する期間(以下、開放期間Kと称す)とがあり、短絡期間Tおよび開放期間Kのいずれにおいても、インバータ回路100のPWM動作により電流が制御される。なお、図6、図7では、インバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧が比較的高く、インバータ回路100のPWM動作による電流制御が交流電源電圧の全位相で可能な場合を示しており、短絡期間T以外の全期間が開放期間Kとなる。なお、直流コンデンサ105の電圧条件については後述する。
また、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子302a、304aを短絡スイッチとして動作させるときのみオンさせる場合を示したが、各ダイオード301b〜304bに電流を流す場合は、該ダイオードが逆並列接続されている半導体スイッチ素子301a〜304aをオンさせて半導体スイッチ素子301a〜304a側に電流を流しても良い。即ち、電圧Vinが正負、いずれの極性においても、短絡期間Tにおいて2つの半導体スイッチ素子302a、304aを短絡スイッチとしてオンさせても良く、また、他の2つの半導体スイッチ素子301a、303aを短絡スイッチとしてオンさせても良い。
このような動作により電力変換装置の昇圧時には、図6に示すように、インバータ回路100は、短絡期間Tにおいて電圧(−Vin)を出力して交流電源1により直流コンデンサ105を充電し、その後、θ≦θ<π−θの開放期間Kにて直流コンデンサ105を放電する際、交流電源1の電圧Vinにインバータ回路100の出力電圧である(Vdc−Vin)を加算することで、交流電源1のピーク電圧より高い目標電圧Vdcに平滑コンデンサ3の電圧Vdcを制御する。
また、電力変換装置の降圧時には、図7に示すように、インバータ回路100は、短絡期間Tにおいて電圧(−Vin)を出力して交流電源1により直流コンデンサ105を充電し、その後の開放期間Kにて、交流電源1の電圧Vinにインバータ回路100の出力電圧を加算することで、交流電源1のピーク電圧より低い目標電圧Vdcに平滑コンデンサ3の電圧Vdcを制御する。交流電源1の電圧Vinが平滑コンデンサ3の目標電圧Vdcと等しくなる時の位相θ=θ(0<θ<π/2)とすると、θ≦θ<θ、π−θ≦θ<π−θである時、インバータ回路100は電圧(Vdc−Vin)を出力して直流コンデンサ105を放電し、θ≦θ<π−θである時、インバータ回路100は負極性の電圧(Vdc−Vin)を出力して直流コンデンサ105を充電する。
以上のように力行動作では、交流電源1の電圧位相θのゼロクロス位相(θ=0、π)±θにて、コンバータ回路300の制御を切り替え、該ゼロクロス位相を中央として±θの位相範囲である短絡期間Tで、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、インバータ回路100は、電圧Vinの逆極性にほぼ等しい電圧を発生させつつ、入力力率が概1になるように電流Iinを制御して出力し、直流コンデンサ105は充電される。そして、コンバータ回路300の直流出力を継続して平滑コンデンサ3に出力する開放期間Kでは、インバータ回路100は、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また入力力率が概1になるように電流Iinを制御して出力する。このとき、電圧Vinの絶対値が平滑コンデンサ3の目標電圧Vdc以下の時、直流コンデンサ105は放電され、電圧Vinの絶対値が目標電圧Vdc以上の時は、直流コンデンサ105は充電される。
なお、短絡期間Tは、ゼロクロス位相(θ=0、π)が短絡期間Tの中央としたが、ゼロクロス位相を含む位相範囲で、いずれかに偏るものであっても良い。
また、短絡期間Tの位相範囲は、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充電と放電のエネルギが等しくなるように決定できる。インバータ回路100のPWM動作による電流制御が交流電源電圧の全位相で可能で、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0、即ち充電と放電のエネルギが等しいとすると、Vdc<Vpの降圧時の場合、以下の数式Aが成り立つ。但し、Vpは電圧Vinのピーク電圧、Ipは電流Iinのピーク電流である。
Figure 0005631499
ここで、Vin=Vp・sinθ、Iin=Ip・sinθとすると、VdcとVpとの関係式は以下の数式1となる。
Vdc=Vp・π/(4cosθ) ・・・数式1
但し、Vdcの下限値はθが0となる時であり、値は(π/4)Vpとなる。また、上記数式1は、Vp≦Vdcの昇圧時の場合にも成立する。
このように、平滑コンデンサ3の目標電圧Vdcは短絡期間Tの位相範囲を決定するθにより決まり、即ちθを変化させて制御できる。そして、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcは該目標電圧Vdcに追従するように制御される。
次に、インバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsubについて説明する。
直流コンデンサ105の電圧Vsubを各位相範囲におけるインバータ回路100の所望の発生電圧の大きさ以上に設定する。即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubは以下の数式2、数式3を満たす必要がある。
短絡期間Tの位相θでは、
Vsub≧|Vp・sinθ| ・・・数式2
開放期間Kの位相θでは、
Vsub≧|Vdc−|Vp・sinθ|| ・・・数式3
上記数式2、数式3から変数θを消去すると、以下の3つの数式4〜数式6が得られる。
Vsub≧Vp・sinθ ・・・数式4
Vsub≧(Vdc−Vp・sinθ) ・・・数式5
Vsub≧(Vp−Vdc) ・・・数式6
即ち、電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)を満たす時、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcが目標電圧Vdcに維持でき、また入力力率が概1になるように電流Iinを制御するインバータ回路100の制御が、交流電源1の全位相において信頼性よく行える。なお、直流コンデンサ105の電圧Vsubは、交流電源1の電圧Vinのピーク電圧Vp以下に設定する。PWM制御するインバータ回路100では、直流コンデンサ105の電圧Vsubが大きくなると損失が増大するため、電圧Vsubは上記3条件(数式4〜数式6)を満たす条件で小さく設定するのが望ましい。
そして、ゼロクロス位相を中央として±θ1の位相範囲のみを平滑コンデンサ3をバイパスする短絡期間Tとすることで、インバータ回路100は、短絡期間Tでも、それ以外の開放期間Kでも入力力率が概1になるように電流Iinを制御し、かつ平滑コンデンサ3に所望の電圧の直流電力を出力できる。
次に、直流コンデンサ105の電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)のいずれかを満たさない場合における電力変換装置の動作について、以下に説明する。この場合、インバータ回路100のPWM制御による電流制御を交流電源電圧の全位相で行うことはできず、インバータ回路100のPWM制御とコンバータ回路300のPWM制御とを切り替えて、入力力率が概1になるように電流Iinを制御する。
図8は、電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。この場合、数式1で求めた短絡期間Tを決める位相θにおいて、直流コンデンサ105の電圧Vsubが数式4を満たさず、Vsub<Vp・sinθとなる。このため、短絡期間Tを決める新たな位相θを決定し、それに伴って開放期間Kを決める新たな位相θを決定する。
短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。また直流コンデンサ105の電圧Vsubが、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π+θ、2π−θ≦θ≦2π、の短絡期間Tでは上記数式2を満たし、また、θ≦θ≦π−θ、π+θ≦θ≦2π−θ、の開放期間Kでは上記数式3を満たす。
即ち、電圧Vsubは、短絡期間Tでは交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、開放期間Kでは、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となる。
この場合、まず上記数式2を満たすような短絡期間Tを決定する位相θを演算し、短絡期間Tと開放期間Kとで直流コンデンサ105の充放電量が0となるように位相θを演算して開放期間Kを決定する。例えば、昇圧時には、直流コンデンサ105は短絡期間Tで充電され開放期間Kで放電されるため、充電と放電のエネルギが等しくなるように、以下の数式Bから算出する。
Figure 0005631499
そして、図8に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力されて直流コンデンサ105を充電しコンバータ回路300を経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では全ての半導体スイッチ素子301a〜304aをオフして、交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力され、その出力はコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3を充電し交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を放電させて電流制御を行う。
そして、θ≦θ≦θおよびπ−θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では、図9に示すように交流側出力電圧を0に制御して直流コンデンサ105をスルーさせ、この間、直流コンデンサ105では充放電を行わない。交流電源1からの電流はインバータ回路100を経てコンバータ回路300に入力される。そして、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせ、半導体スイッチ素子302aをオンさせ、半導体スイッチ素子304aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。なお、電圧Vinが負極性の時は、半導体スイッチ素子304aをオンさせ、半導体スイッチ素子302aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。
このように、インバータ回路100による入力電流力率制御が成立しない期間がある場合には、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電エネルギが等しくなるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路100による電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300により電流制御を行うことで、インバータ回路100の直流コンデンサ105の直流電圧は一定に保たれ、また1周期を通して入力電流Iinの力率制御が継続され、入力電流Iinの力率は1に制御される。
次に、インバータ回路100およびコンバータ回路300の制御の詳細について以下に説明する。図10は、制御回路10によるコンバータ回路300の出力制御における制御ブロック図である。図11は、制御回路10によるコンバータ回路300の出力制御における部分制御ブロック図である。また、図12は、制御回路10によるインバータ回路100の出力制御における制御ブロック図である。
図10に示すように、コンバータ回路300の出力制御では、インバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsubを指令値Vsubに追従させる電圧Vsub一定制御だけでなく、必要に応じて入力電流力率制御を行う。
まず、コンバータ回路300によるインバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsub一定制御を説明する。設定された指令値Vsubと検出された電圧Vsubとの差21をフィードバック量として、PI制御した出力22を電圧指令として、PWM制御23によりコンバータ回路300の各半導体スイッチ素子301a〜304aへのゲート信号24を生成する。このPWM制御23では、交流電源1の周波数の2倍の周期に同期した三角波(交流電源同期三角波)25をキャリア波に用いて比較演算し、比較演算した信号を、極性判定器52にて求めた交流電源電圧Vinの極性53に基づいて、交流電源1の電圧Vinがゼロクロスする位相をほぼ中央に動作するゲート信号24を生成しゲート信号選定器38に入力する。
次にコンバータ回路300による入力電流力率制御を説明する。この制御は、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また交流電源1の力率が概1になるように電流Iinを制御する。まず、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcと目標電圧Vdcとの差26をフィードバック量として、PI制御した出力を振幅目標値27として、この振幅目標値27に基づいて、交流電源同期周波数から、電圧Vinに同期した正弦波の電流指令Iin28を生成する。次に、電流指令Iinと検出された電流Iinとの差29をフィードバック量として、PI制御した出力をコンバータ回路300の発生電圧の目標値となる電圧指令30とする。この電圧指令30に基づいてPWM制御によりゲート信号31を作成し、ゲート信号選定器38に入力する。
また、電流制御判定器32では、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとインバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsubとから、インバータ回路100による入力電流力率制御の条件を満たすか否かを判定する。即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)を満たすか否かを判定し、成立しない条件を導出する。
電流制御期間(短絡期間、開放期間)算出器50は、電流制御判定器32の出力に基づいて、新たに短絡期間T、開放期間Kを決定し位相θ34、θ36を出力する。
この実施の形態では、上述したように、電圧Vsubが数式4の条件を満たさない。図11に示すように、電流制御期間算出器50は、電流制御短絡期間算出器33と電流制御開放期間算出器35とを備え、電流制御短絡期間算出器33が、まず上記数式2を満たすような短絡期間Tを決定する位相θ34を出力し、電流制御開放期間算出器35が、短絡期間Tと開放期間Kとで直流コンデンサ105の充放電量が0となるように開放期間Kを決定して位相θ36を出力する。このとき、決定された開放期間Kにおいて電圧Vsubは上記数式3を満たしている。
そして指令値Vsubと電圧Vsubとの差21をPI制御した出力22を、電流制御短絡期間算出器33からの出力34に加算して位相θを微調整し、調整された位相θ37と電流制御開放期間算出器35からの位相θ36とをゲート信号選定器38に入力する。
ゲート信号選定器38では、電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31と、新たに設定された短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とを入力として、さらに、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとに基づいて、短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号24を用い、その他の期間ではゲート信号31を用いてコンバータ回路300へのゲート信号12として出力する。
次に、図12に示すように、インバータ回路100の出力制御では、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また交流電源1の力率が概1になるように電流Iinを制御する。
まず、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcと目標電圧Vdcとの差40をフィードバック量として、PI制御した出力を振幅目標値41として、この振幅目標値41に基づいて、交流電源同期周波数から、電圧Vinに同期した正弦波の電流指令Iin42を生成する。次に、電流指令Iin42と検出された電流Iinとの差43をフィードバック量として、PI制御した出力をインバータ回路100の発生電圧の目標値となる電圧指令44とする。この時、コンバータ回路300の交流端子間を短絡させる短絡期間Tの制御と短絡期間外の制御との切り替え時に同期したフィードフォワード補正電圧ΔVを加算して電圧指令44を補正する。そして、補正後の電圧指令45を用いて、PWM制御46によりインバータ回路100の各半導体スイッチ素子101a〜104aへのゲート信号47を生成し、ゲート信号作成器48に入力する。
そしてゲート信号作成器48では、入力電流力率制御によるゲート信号47と、コンバータ回路300の制御で演算された、短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とを入力し、さらに、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとに基づいて、短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号47を用い、その他の期間では電圧0を出力させるゲート信号をインバータ回路100へのゲート信号11として出力する。
なお、電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)を満たす場合については、コンバータ回路300の制御では、電流制御期間算出器50は、位相θ、θを出力せず、ゲート信号選定器38は電圧Vsub一定制御によるゲート信号24を出力し続ける。またインバータ回路100の出力制御では、ゲート信号作成器48が入力電流力率制御によるゲート信号47を出力し続ける。
この実施の形態では、インバータ回路100の主たる制御に電流指令Iinを用い、平滑コンデンサ3の電圧Vdcを目標電圧Vdcに追従させ、交流電源1の力率を改善するように制御する。コンバータ回路300の主たる制御は高周波スイッチングが不要であるためスイッチング損失が低い。また、力率を制御し平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを制御するインバータ回路100は、スイッチングで扱う電圧Vsubを交流電源1のピーク電圧よりも大幅に低くできる。また平滑コンデンサ3をバイパスする短絡期間Tを有してコンバータ回路300を制御し、インバータ回路100は、短絡期間Tにて直流コンデンサ105を充電する。このため、インバータ回路100が高い電圧を発生させることなく電流0となるのが回避できると共に、直流コンデンサ105に充電されたエネルギを平滑コンデンサ3への放電に使える。このため、インバータ回路100では、スイッチングで扱う電圧をさらに低減でき、高効率化、低ノイズ化がさらに促進できる。
さらに、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、インバータ回路100による電流制御を交流電源の全位相において成立させる条件を満たさない場合でも、コンバータ回路300をPWM制御する期間を設け、インバータ回路100のPWM制御とコンバータ回路300のPWM制御とを切り替えて入力電流の力率が1になるように制御するため、電流制御を信頼性良く継続できる。このため、インバータ回路100の直流電圧Vsubは電流制御可能な電圧レベルに維持する必要がなく、さらに電圧低減できる。
またコンバータ回路300に電流制御を切り替える場合でのコンバータ回路300の電流制御期間は、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように設定しているため、インバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsubは一定に制御される。
このため、電力変換装置の耐圧を上げることなく、交流電源電圧Vinおよび直流電圧Vdcの範囲を拡大でき、広い動作範囲で電流制御を実現でき、電力変換装置の小型化および電力損失低減が図れる。また電流制御を継続できることで装置の信頼性も向上する。
実施の形態2.
上記実施の形態1では、インバータ回路100が、交流電源1の全位相において電流制御を可能にする3条件(数式4〜数式6)の内、数式4を満たさない場合を説明したが、この実施の形態では、数式6を満たさない場合について説明する。即ち、電力変換装置は降圧動作をしており、Vsub<(Vp−Vdc)となる。なお、主回路構成および制御回路10の構成は上記実施の形態1と同様で、図2〜図7を用いて示した基本の力行動作も上記実施の形態1と同様である。
図13は、この実施の形態2による電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。この場合、交流電源1のピーク電圧時を含む期間で、インバータ回路100が電圧(Vin−Vdc)を出力して直流コンデンサ105を充電する動作ができなくなる期間が存在する。このため、開放期間Kの一端を決める新たな位相θを決定し、それに伴って短絡期間Tを決める新たな位相θを決定する。この場合、位相θは開放期間Kの他端でもある。
短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。また直流コンデンサ105の電圧Vsubが、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π+θ、2π−θ≦θ≦2π、の短絡期間Tでは上記数式2を満たし、また、θ≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π−θ、π+θ≦θ≦π+θ、2π−θ≦θ≦2π−θ、の開放期間Kでは上記数式3を満たす。
即ち、電圧Vsubは、短絡期間Tでは交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、開放期間Kでは、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となる。
この場合、まず上記数式3を満たすような開放期間Kの一端を決める位相θを演算し、短絡期間Tと開放期間Kとで直流コンデンサ105の充放電量が0となるように位相θを演算して短絡期間Tの両端と開放期間Kの他端を決定する。この場合、充電と放電のエネルギが等しくなるように、以下の数式Cから算出する。
Figure 0005631499
そして、図13に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力されて直流コンデンサ105を充電しコンバータ回路300を経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では全ての半導体スイッチ素子301a〜304aをオフして、交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力され、その出力はコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3を充電し交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、電圧Vinが平滑コンデンサ3の電圧Vdc以下の時はPWM制御により直流コンデンサ105を放電して電流制御を行い、電圧Vinが平滑コンデンサ3の電圧Vdc以上の時はPWM制御により直流コンデンサ105を充電して電流制御を行う。
そして、θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では交流側出力電圧を0に制御して直流コンデンサ105をスルーさせ、この間、直流コンデンサ105では充放電を行わない。交流電源1からの電流はインバータ回路100を経てコンバータ回路300に入力される。そして、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせ、半導体スイッチ素子302aをオンさせ、半導体スイッチ素子304aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。なお、電圧Vinが負極性の時は、半導体スイッチ素子304aをオンさせ、半導体スイッチ素子302aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。
このように、インバータ回路100による入力電流力率制御が成立しない期間がある場合には、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路100による電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300により電流制御を行うことで、インバータ回路100の直流コンデンサ105の直流電圧は一定に保たれ、また1周期を通して入力電流Iinの力率制御が継続され、入力電流Iinの力率は1に制御される。
次に、インバータ回路100およびコンバータ回路300の制御について以下に説明する。制御回路10によるコンバータ回路300の制御構成は、上記実施の形態1で示した図10と同様であり、インバータ回路100の制御構成は図12と同様である。この場合、電流制御期間(短絡期間、開放期間)算出器50の動作が異なり、その部分の制御ブロック図を図14に示す。
コンバータ回路300の出力制御では、上記実施の形態1と同様に、電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31と、新たに設定された短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とが生成されてゲート信号選定器38に入力される。
電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31とは、上記実施の形態1と同様に生成される。
電流制御判定器32では、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとインバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsubとから、インバータ回路100による入力電流力率制御の条件を満たすか否かを判定する。即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)を満たすか否かを判定し、成立しない条件を導出する。この実施の形態では、電圧Vsubが数式6の条件を満たさない。
電流制御期間算出器50は、電流制御判定器32の出力に基づいて、新たに短絡期間T、開放期間Kを決定し位相θ34、θ36を出力する。
図14に示すように、電流制御期間算出器50は、電流制御短絡期間算出器33と電流制御開放期間算出器35とを備え、電流制御開放期間算出器35が、まず上記数式3を満たすような開放期間Kの一端を決定する位相θ36を出力し、電流制御開放期間算出器35が、短絡期間Tと開放期間Kとで直流コンデンサ105の充放電量が0となるように短絡期間Tの両端と開放期間Kの他端とを決定して位相θ34を出力する。このとき、決定された短絡期間Tにおいて電圧Vsubは上記数式2を満たし、開放期間Kにおいて電圧Vsubは上記数式3を満たしている。
そして、上記実施の形態1と同様に、指令値Vsubと電圧Vsubとの差21をPI制御した出力22を、電流制御短絡期間算出器33からの出力34に加算して位相θを微調整し、調整された位相θ37と電流制御開放期間算出器35からの位相θ36とをゲート信号選定器38に入力する。
ゲート信号選定器38では、電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31と、新たに設定された短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とを入力として、さらに、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとに基づいて、短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号24を用い、その他の期間ではゲート信号31を用いてコンバータ回路300へのゲート信号12として出力する。
インバータ回路100の出力制御では、上記実施の形態1と同様に、入力電流力率制御によるゲート信号47と、コンバータ回路300の制御で演算された、短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とがゲート信号作成器48に入力される。そして、ゲート信号作成器48では、さらに交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとが入力され、短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号47を用い、その他の期間では電圧0を出力させるゲート信号をインバータ回路100へのゲート信号11として出力する。
この実施の形態においても、上記実施の形態1と同様に、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、インバータ回路100による電流制御を交流電源の全位相において成立させる条件を満たさない場合でも、コンバータ回路300をPWM制御する期間を設け、インバータ回路100のPWM制御とコンバータ回路300のPWM制御とを切り替えて入力電流の力率が1になるように制御するため、電流制御を信頼性良く継続でき、インバータ回路100の直流電圧Vsubを低減できる。このため、電力変換装置の耐圧を上げることなく、交流電源電圧Vinおよび直流電圧Vdcの範囲を拡大でき、広い動作範囲で電流制御を実現でき、電力変換装置の小型化および電力損失低減が図れる。また電流制御を継続できることで装置の信頼性も向上する。
実施の形態3.
上記実施の形態1、2では、インバータ回路100が、交流電源1の全位相において電流制御を可能にする3条件(数式4〜数式6)の内、数式4、数式6を満たさない場合を説明したが、この実施の形態では、数式5を満たさない場合について説明する。この場合、上記数式1で求めた位相θにおいて、直流コンデンサ105の電圧Vsubが数式5を満たさず、Vsub<(Vdc−Vp・sinθ)となる。なお、主回路構成および制御回路10の構成は上記実施の形態1と同様で、図2〜図7を用いて示した基本の力行動作も上記実施の形態1と同様である。
図15は、この実施の形態3による電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。この場合、交流電源1の位相θを含む領域で、インバータ回路100が電圧(Vdc−Vin)を出力して直流コンデンサ105を放電する動作ができなくなる期間が存在する。このため、開放期間Kを決める新たな位相θを決定し、それに伴って短絡期間Tを決める新たな位相θを決定する。
短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。また直流コンデンサ105の電圧Vsubが、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π+θ、2π−θ≦θ≦2π、の短絡期間Tでは上記数式2を満たし、また、θ≦θ≦π−θ、π+θ≦θ≦2π−θ、の開放期間Kでは上記数式3を満たす。
即ち、電圧Vsubは、短絡期間Tでは交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、開放期間Kでは、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となる。
この場合、まず上記数式3を満たすような開放期間Kを決める位相θを演算し、短絡期間Tと開放期間Kとで直流コンデンサ105の充放電量が0となるように位相θを演算して短絡期間Tを決定する。図15に示す昇圧動作の場合、充電と放電のエネルギが等しくなるように、上記数式Bから算出する。
そして、図15に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力されて直流コンデンサ105を充電しコンバータ回路300を経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では全ての半導体スイッチ素子301a〜304aをオフして、交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力され、その出力はコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3を充電し交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100ではPWM制御により直流コンデンサ105を放電して電流制御を行う。
そして、θ≦θ≦θおよびπ−θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では交流側出力電圧を0に制御して直流コンデンサ105をスルーさせ、この間、直流コンデンサ105では充放電を行わない。交流電源1からの電流はインバータ回路100を経てコンバータ回路300に入力される。そして、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせ、半導体スイッチ素子302aをオンさせ、半導体スイッチ素子304aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。なお、電圧Vinが負極性の時は、半導体スイッチ素子304aをオンさせ、半導体スイッチ素子302aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。
このように、インバータ回路100による入力電流力率制御が成立しない期間がある場合には、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路100による電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300により電流制御を行うことで、インバータ回路100の直流コンデンサ105の直流電圧は一定に保たれ、また1周期を通して入力電流Iinの力率制御が継続され、入力電流Iinの力率は1に制御される。
次に、インバータ回路100およびコンバータ回路300の制御について以下に説明する。制御回路10によるコンバータ回路300の制御構成は、上記実施の形態1で示した図10と同様であり、インバータ回路100の制御構成は図12と同様である。この場合、電流制御期間(短絡期間、開放期間)算出器50の動作が異なり、その部分の制御ブロック図は上記実施の形態2で示した図14と同様である。
コンバータ回路300の出力制御では、上記実施の形態1と同様に、電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31と、新たに設定された短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とが生成されてゲート信号選定器38に入力される。
電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31とは、上記実施の形態1と同様に生成される。
電流制御判定器32では、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとインバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsubとから、インバータ回路100による入力電流力率制御の条件を満たすか否かを判定する。即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)を満たすか否かを判定し、成立しない条件を導出する。この実施の形態では、電圧Vsubが数式5の条件を満たさない。
電流制御期間算出器50は、電流制御判定器32の出力に基づいて、新たに短絡期間T、開放期間Kを決定し位相θ34、θ36を出力する。
電流制御期間算出器50では、電流制御開放期間算出器35が、まず上記数式3を満たすような開放期間Kを決定する位相θ36を出力し、電流制御開放期間算出器35が、短絡期間Tと開放期間Kとで直流コンデンサ105の充放電量が0となるように短絡期間Tを決定して位相θ34を出力する。このとき、決定された短絡期間Tにおいて電圧Vsubは上記数式2を満たしている。
そして、上記実施の形態1と同様に、指令値Vsubと電圧Vsubとの差21をPI制御した出力22を、電流制御短絡期間算出器33からの出力34に加算して位相θを微調整し、調整された位相θ37と電流制御開放期間算出器35からの位相θ36とをゲート信号選定器38に入力する。
ゲート信号選定器38では、電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31と、新たに設定された短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とを入力として、さらに、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとに基づいて、短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号24を用い、その他の期間ではゲート信号31を用いてコンバータ回路300へのゲート信号12として出力する。
インバータ回路100の出力制御では、上記実施の形態1と同様に、入力電流力率制御によるゲート信号47と、コンバータ回路300の制御で演算された、短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とがゲート信号作成器48に入力される。そして、ゲート信号作成器48では、さらに交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとが入力され、短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号47を用い、その他の期間では電圧0を出力させるゲート信号をインバータ回路100へのゲート信号11として出力する。
この実施の形態においても、上記実施の形態1と同様に、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、インバータ回路100による電流制御を交流電源の全位相において成立させる条件を満たさない場合でも、コンバータ回路300をPWM制御する期間を設け、インバータ回路100のPWM制御とコンバータ回路300のPWM制御とを切り替えて入力電流の力率が1になるように制御するため、電流制御を信頼性良く継続でき、インバータ回路100の直流電圧Vsubを低減できる。このため、電力変換装置の耐圧を上げることなく、交流電源電圧Vinおよび直流電圧Vdcの範囲を拡大でき、広い動作範囲で電流制御を実現でき、電力変換装置の小型化および電力損失低減が図れる。また電流制御を継続できることで装置の信頼性も向上する。
実施の形態4.
上記実施の形態1〜3では、インバータ回路100が交流電源1の全位相において電流制御を可能にする3条件(数式4〜数式6)の内のいずれか1つを満たさない場合を説明したが、この実施の形態では、数式4と数式5の2つの条件を満たさない場合について説明する。なお、主回路構成および制御回路10の構成は上記実施の形態1と同様で、図2〜図7を用いて示した基本の力行動作も上記実施の形態1と同様である。
図16は、この実施の形態4による電流制御切り替え動作を各部の波形図と共に説明する図である。この場合、交流電源1の位相θを含む領域で、インバータ回路100が電圧(−Vin)を出力して直流コンデンサ105を充電する動作も、また電圧(Vdc−Vin)を出力して直流コンデンサ105を放電する動作もできなくなる期間が存在する。このため、短絡期間Tと開放期間Kを決める新たな位相θと位相θを決定する。
短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。また直流コンデンサ105の電圧Vsubが、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π+θ、2π−θ≦θ≦2π、の短絡期間Tでは上記数式2を満たし、また、θ≦θ≦π−θ、π+θ≦θ≦2π−θ、の開放期間Kでは上記数式3を満たす。
即ち、電圧Vsubは、短絡期間Tでは交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、開放期間Kでは、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となる。
この場合、短絡期間Tで上記数式2を満たし、かつ開放期間Kで上記数式3を満たし、しかも、短絡期間Tと開放期間Kとで直流コンデンサ105の充放電量が0となるように上記数式Bを満たすように位相θと位相θを決定する。
そして、図16に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力されて直流コンデンサ105を充電しコンバータ回路300を経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では全ての半導体スイッチ素子301a〜304aをオフして、交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力され、その出力はコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3を充電し交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100ではPWM制御により直流コンデンサ105を放電して電流制御を行う。
そして、θ≦θ≦θおよびπ−θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では交流側出力電圧を0に制御して直流コンデンサ105をスルーさせ、この間、直流コンデンサ105では充放電を行わない。交流電源1からの電流はインバータ回路100を経てコンバータ回路300に入力される。そして、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせ、半導体スイッチ素子302aをオンさせ、半導体スイッチ素子304aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。なお、電圧Vinが負極性の時は、半導体スイッチ素子304aをオンさせ、半導体スイッチ素子302aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。
このように、インバータ回路100による入力電流力率制御が成立しない期間がある場合には、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路100による電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300により電流制御を行うことで、インバータ回路100の直流コンデンサ105の直流電圧は一定に保たれ、また1周期を通して入力電流Iinの力率制御が継続され、入力電流Iinの力率は1に制御される。
次に、インバータ回路100およびコンバータ回路300の制御について以下に説明する。制御回路10によるコンバータ回路300の制御構成は、上記実施の形態1で示した図10と同様であり、インバータ回路100の制御構成は図12と同様である。
コンバータ回路300の出力制御では、上記実施の形態1と同様に、電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31と、新たに設定された短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とが生成されてゲート信号選定器38に入力される。
電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31とは、上記実施の形態1と同様に生成される。
電流制御判定器32では、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとインバータ回路100の直流コンデンサ105の電圧Vsubとから、インバータ回路100による入力電流力率制御の条件を満たすか否かを判定する。即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)を満たすか否かを判定し、成立しない条件を導出する。この実施の形態では、電圧Vsubが数式4と数式5の2つの条件を満たさない。
電流制御期間算出器50は、電流制御判定器32の出力に基づいて、新たに短絡期間T、開放期間Kを決定し位相θ34、θ36を出力する。
この場合、短絡期間Tで上記数式2を満たし、かつ開放期間Kで上記数式3を満たし、しかも、短絡期間Tと開放期間Kとで直流コンデンサ105の充放電量が0となるように位相θと位相θを決定する。この場合、上記数式Bから算出する。
そして、上記実施の形態1と同様に、指令値Vsubと電圧Vsubとの差21をPI制御した出力22を、電流制御短絡期間算出器33からの出力34に加算して位相θを微調整し、調整された位相θ37と電流制御開放期間算出器35からの位相θ36とをゲート信号選定器38に入力する。
ゲート信号選定器38では、電圧Vsub一定制御によるゲート信号24と、入力電流力率制御によるゲート信号31と、新たに設定された短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とを入力として、さらに、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとに基づいて、短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号24を用い、その他の期間ではゲート信号31を用いてコンバータ回路300へのゲート信号12として出力する。
インバータ回路100の出力制御では、上記実施の形態1と同様に、入力電流力率制御によるゲート信号47と、コンバータ回路300の制御で演算された、短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36とがゲート信号作成器48に入力される。そして、ゲート信号作成器48では、さらに交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとが入力され、短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号47を用い、その他の期間では電圧0を出力させるゲート信号をインバータ回路100へのゲート信号11として出力する。
この実施の形態においても、上記実施の形態1と同様に、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、インバータ回路100による電流制御を交流電源の全位相において成立させる条件を満たさない場合でも、コンバータ回路300をPWM制御する期間を設け、インバータ回路100のPWM制御とコンバータ回路300のPWM制御とを切り替えて入力電流の力率が1になるように制御するため、電流制御を信頼性良く継続でき、インバータ回路100の直流電圧Vsubを低減できる。このため、電力変換装置の耐圧を上げることなく、交流電源電圧Vinおよび直流電圧Vdcの範囲を拡大でき、広い動作範囲で電流制御を実現でき、電力変換装置の小型化および電力損失低減が図れる。また電流制御を継続できることで装置の信頼性も向上する。
実施の形態5.
上記実施の形態1〜4では、電力変換装置の力行動作のみ示したが、この実施の形態5では、電力変換装置は回生機能を備え、回生動作により交流電源1に電力を回生する。
なお、回路構成は図1と同様であり、また力行動作については上記実施の形態1と同様である。
図17〜図20は、回生動作における電流経路図を示す。
まず交流電源1の電圧Vinが正極性である0≦θ<πの場合について示す。
インバータ回路100では、半導体スイッチ素子101a、104aがオン、半導体スイッチ素子102a、103aがオフの時には、直流コンデンサ105を放電するように流れ、半導体スイッチ素子102a、103aがオン、半導体スイッチ素子101a、104aがオフの時には、直流コンデンサ105を充電するように流れる。また、半導体スイッチ素子101a、103aがオン、半導体スイッチ素子102a、104aがオフの時、および半導体スイッチ素子102a、104aがオン、半導体スイッチ素子101a、103aがオフの時には、直流コンデンサ105をスルーして電流が流れる。インバータ回路100は、このような4種の制御の組み合わせにて半導体スイッチ素子101a〜104aを制御して交流電源1の力率が概(−1)になるようにPWM制御により電流Iinを制御して出力することで直流コンデンサ105を充放電させ、交流側の発生電圧を交流電源1の出力である電圧Vinに重畳する。なお、各半導体スイッチ素子101a〜104aに流れる電流が、エミッタからコレクタへ流れる時は、その半導体スイッチ素子をオフして逆並列接続されたダイオード101b〜104bに電流を流しても良い。
図17に示すように、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子301a、304aをオン状態とする。平滑コンデンサ3の正極からの電流は、コンバータ回路300の半導体スイッチ素子301aを通りインバータ回路100に入力され、インバータ回路100からの電流はリアクトル2を経て交流電源1に回生され、さらに交流電源1の他方の端子からコンバータ回路300の半導体スイッチ素子304aを経て平滑コンデンサ3の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、上記の4種の制御の組み合わせによりPWM動作させることで直流コンデンサ105を充放電させ、電流制御を行う。直流コンデンサ105は平滑コンデンサ3からのエネルギで充電され、放電される場合(昇圧時)には、直流コンデンサ105からのエネルギは平滑コンデンサ3からのエネルギと共に交流電源1へ回生される。
交流電源1の電圧Vinのゼロクロス位相を中央として±θの位相範囲である短絡期間Tでは、図18に示すように、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子304aをオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。インバータ回路100内の直流コンデンサ105の正極からの電流はリアクトル2を経て交流電源1に回生され、さらに交流電源1の他方の端子からコンバータ回路300の半導体スイッチ素子304a、ダイオード302bを経てインバータ回路100に入力され直流コンデンサ105の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、直流コンデンサ105を放電する制御とスルーさせる制御の組み合わせによりPWM動作させることで直流コンデンサ105を放電させ、電流制御を行う。
次に、電圧Vinが負極性であるπ≦θ<2πの場合について示す。
インバータ回路100では、半導体スイッチ素子102a、103aがオン、半導体スイッチ素子101a、104aがオフの時には、直流コンデンサ105を放電するように流れ、半導体スイッチ素子101a、104aがオン、半導体スイッチ素子102a、103aがオフの時には、直流コンデンサ105を充電するように流れる。また、半導体スイッチ素子101a、103aがオン、半導体スイッチ素子102a、104aがオフの時、および半導体スイッチ素子102a、104aがオン、半導体スイッチ素子101a、103aがオフの時には、直流コンデンサ105をスルーして電流が流れる。インバータ回路100は、このような4種の制御の組み合わせにて半導体スイッチ素子101a〜104aを制御して交流電源1の力率が概(−1)になるようにPWM制御により電流Iinを制御して出力することで直流コンデンサ105を充放電させ、交流側の発生電圧を交流電源1の出力である電圧Vinに重畳する。
図19に示すように、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子302a、303aをオン状態とする。平滑コンデンサ3の正極からの電流は、コンバータ回路300の半導体スイッチ素子303aを経て交流電源1に回生され、さらに交流電源1の他方の端子からリアクトル2を経てインバータ回路100に入力され、インバータ回路100からの電流はコンバータ回路300の半導体スイッチ素子302aを経て平滑コンデンサ3の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、上記の4種の制御の組み合わせによりPWM動作させることで直流コンデンサ105を充放電させ、電流制御を行う。直流コンデンサ105は平滑コンデンサ3からのエネルギで充電され、放電される場合(昇圧時)には、直流コンデンサ105からのエネルギは平滑コンデンサ3からのエネルギと共に交流電源1へ回生される。
交流電源1の電圧Vinのゼロクロス位相を中央として±θの位相範囲である短絡期間Tでは、図20に示すように、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302aをオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。インバータ回路100内の正極からの電流はコンバータ回路300の半導体スイッチ素子302a、ダイオード304bを経て交流電源1に回生され、さらに交流電源1の他方の端子からリアクトル2を経てインバータ回路100に入力され直流コンデンサ105の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、直流コンデンサ105を放電する制御とスルーさせる制御の組み合わせによりPWM動作させることで直流コンデンサ105を放電させ、電流制御を行う。
なお、コンバータ回路300では、電圧Vinが正負、いずれの極性においても、短絡期間Tにおいて2つの半導体スイッチ素子302a、304aを短絡スイッチとしてオンさせても良く、また、他の2つの半導体スイッチ素子301a、303aを短絡スイッチとしてオンさせても良い。
以上のように回生動作においても、力行動作時と同様に、コンバータ回路300の動作では、コンバータ回路300の交流端子間を継続的に短絡させて平滑コンデンサ3をバイパスさせる短絡期間Tと、平滑コンデンサ3からの直流電力をコンバータ回路300に継続して入力する期間(以下、開放期間Kと称す)とがあり、短絡期間Tおよび開放期間Kのいずれにおいても、インバータ回路100のPWM動作により電流が制御される。
即ち、交流電源1の電圧位相θのゼロクロス位相(θ=0、π)±θにて、コンバータ回路300の制御を切り替えて、該ゼロクロス位相を中央として±θの短絡期間Tでのみ平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、インバータ回路100は、電圧Vinの逆極性にほぼ等しい電圧を発生させつつ、入力力率が概(−1)になるように電流Iinを制御して出力し、直流コンデンサ105は放電される。そして、短絡期間以外の開放期間Kでは、インバータ回路100は、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また入力力率が概(−1)になるように電流Iinを制御して出力する。このとき、電圧Vinの絶対値が平滑コンデンサ3の目標電圧Vdc以下の時、直流コンデンサ105は充電され、電圧Vinの絶対値が目標電圧Vdc以上の時は、直流コンデンサ105は放電される。
このような回生動作時においても、力行動作時と同様に、
短絡期間Tの位相θでは、
Vsub≧|Vp・sinθ| ・・・数式2
開放期間Kの位相θでは、
Vsub≧|Vdc−|Vp・sinθ|| ・・・数式3
が成り立つように直流コンデンサ105の電圧Vsubが設定されており、入力力率が概(−1)になるように電流Iinを制御するインバータ回路100の制御を交流電源1の全位相において行うためには、直流コンデンサ105の電圧Vsubは、力行動作時と同様に以下の3条件を満たす必要がある。
Vsub≧Vp・sinθ ・・・数式4
Vsub≧(Vdc−Vp・sinθ) ・・・数式5
Vsub≧(Vp−Vdc) ・・・数式6
直流コンデンサ105の電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)のいずれかを満たさない場合における電力変換装置の動作について、以下に説明する。この場合、インバータ回路100のPWM制御による電流制御を交流電源電圧の全位相で行うことはできず、インバータ回路100のPWM制御とコンバータ回路300のPWM制御とを切り替えて、入力力率が概(−1)になるように電流Iinを制御する。
図21は、電流制御切り替え動作の第1例を各部の波形図と共に説明する図である。この場合、上記数式1で求めた短絡期間Tを決める位相θにおいて、直流コンデンサ105の電圧Vsubが数式4を満たさず、Vsub<Vp・sinθとなる。そして、上記実施の形態1と同様に、短絡期間Tを決める新たな位相θを決定し、それに伴って開放期間Kを決める新たな位相θを決定する。
即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、短絡期間Tでは上記数式2を満たして交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、また、開放期間Kでは上記数式3を満たし、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となり、しかも、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。
そして、短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。
図21に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。インバータ回路100内の直流コンデンサ105の正極からの電流は交流電源1に回生され、さらにコンバータ回路300を経てインバータ回路100に入力され直流コンデンサ105の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を放電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では半導体スイッチ素子301a、304aをオン状態とし、他の半導体スイッチ素子302a、303aをオフ状態にして平滑コンデンサ3からの直流電力をコンバータ回路300に継続して入力する。平滑コンデンサ3の正極からの電流は、コンバータ回路300を経てインバータ回路100に入力され、インバータ回路100からの電流は交流電源1に回生され、さらにコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
なお、電圧Vinが負極性の時は、半導体スイッチ素子302a、303aをオン状態とし、他の半導体スイッチ素子301a、304aをオフ状態にする。
そして、θ≦θ≦θおよびπ−θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では、図9に示すように交流側出力電圧を0に制御して直流コンデンサ105をスルーさせ、この間、直流コンデンサ105では充放電を行わない。そして、コンバータ回路300では、PWM制御により、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また入力力率が概(−1)になるように電流Iinを制御して各半導体スイッチ素子301a〜304aをスイッチングする。
このように、インバータ回路100による電流力率制御が成立しない期間がある場合には、短絡期間Tで上記数式2を満たし、開放期間Kで上記数式3を満たし、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路100による電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300により電流制御を行うことで、インバータ回路100の直流コンデンサ105の直流電圧は一定に保たれ、また1周期を通して入力電流Iinの力率制御が継続され、入力電流Iinの力率は(−1)に制御される。
次に、電流制御切り替え動作の第2例を、図22に基づいて以下に説明する。この場合、電力変換装置は降圧動作をしており、数式6を満たさず、Vsub<(Vp−Vdc)となる。そして、上記実施の形態2と同様に、開放期間Kの一端を決める新たな位相θを決定し、それに伴って短絡期間Tを決める新たな位相θを決定する。この場合、位相θは開放期間Kの他端でもある。
即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、短絡期間Tでは上記数式2を満たして交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、また、開放期間Kでは上記数式3を満たし、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となり、しかも、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。
そして、短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。
そして、図22に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。インバータ回路100内の直流コンデンサ105の正極からの電流は交流電源1に回生され、さらにコンバータ回路300を経てインバータ回路100に入力され直流コンデンサ105の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を放電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では半導体スイッチ素子301a、304aをオン状態とし、他の半導体スイッチ素子302a、303aをオフ状態にして平滑コンデンサ3からの直流電力をコンバータ回路300に継続して入力する。平滑コンデンサ3の正極からの電流は、コンバータ回路300を経てインバータ回路100に入力され、インバータ回路100からの電流は交流電源1に回生され、さらにコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、電圧Vinが平滑コンデンサ3の電圧Vdc以下の時はPWM制御により直流コンデンサ105を充電して電流制御を行い、電圧Vinが平滑コンデンサ3の電圧Vdc以上の時はPWM制御により直流コンデンサ105を放電して電流制御を行う。
なお、電圧Vinが負極性の時は、半導体スイッチ素子302a、303aをオン状態とし、他の半導体スイッチ素子301a、304aをオフ状態にする。
そして、θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では交流側出力電圧を0に制御して直流コンデンサ105をスルーさせ、この間、直流コンデンサ105では充放電を行わない。交流電源1からの電流はインバータ回路100を経てコンバータ回路300に入力される。そして、コンバータ回路300では、PWM制御により、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また入力力率が概(−1)になるように電流Iinを制御して各半導体スイッチ素子301a〜304aをスイッチングする。
次に、電流制御切り替え動作の第3例を、図23に基づいて以下に説明する。この場合、上記数式1で求めた短絡期間Tを決める位相θにおいて、直流コンデンサ105の電圧Vsubが数式5を満たさず、Vsub<(Vdc−Vp・sinθ)となる。そして、上記実施の形態3と同様に、開放期間Kを決める新たな位相θを決定し、それに伴って短絡期間Tを決める新たな位相θを決定する。
即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、短絡期間Tでは上記数式2を満たして交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、また、開放期間Kでは上記数式3を満たし、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となり、しかも、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。
そして、短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。
そして、図23に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。インバータ回路100内の直流コンデンサ105の正極からの電流は交流電源1に回生され、さらにコンバータ回路300を経てインバータ回路100に入力され直流コンデンサ105の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を放電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では半導体スイッチ素子301a、304aをオン状態とし、他の半導体スイッチ素子302a、303aをオフ状態にして平滑コンデンサ3からの直流電力をコンバータ回路300に継続して入力する。平滑コンデンサ3の正極からの電流は、コンバータ回路300を経てインバータ回路100に入力され、インバータ回路100からの電流は交流電源1に回生され、さらにコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
なお、電圧Vinが負極性の時は、半導体スイッチ素子302a、303aをオン状態とし、他の半導体スイッチ素子301a、304aをオフ状態にする。
そして、θ≦θ≦θおよびπ−θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では、交流側出力電圧を0に制御して直流コンデンサ105をスルーさせ、この間、直流コンデンサ105では充放電を行わない。そして、コンバータ回路300では、PWM制御により、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また入力力率が概(−1)になるように電流Iinを制御して各半導体スイッチ素子301a〜304aをスイッチングする。
次に、電流制御切り替え動作の第4例を、図24に基づいて以下に説明する。この場合、上記数式1で求めた短絡期間Tを決める位相θにおいて、直流コンデンサ105の電圧Vsubが数式4と数式5の2つの条件を満たさない。即ち、Vsub<Vp・sinθであって、Vsub<(Vdc−Vp・sinθ)となる。そして、上記実施の形態4と同様に、短絡期間Tと開放期間Kを決める新たな位相θと位相θを決定する。
即ち、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、短絡期間Tでは上記数式2を満たして交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、また、開放期間Kでは上記数式3を満たし、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となり、しかも、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。
そして、短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。
そして、図24に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。インバータ回路100内の直流コンデンサ105の正極からの電流は交流電源1に回生され、さらにコンバータ回路300を経てインバータ回路100に入力され直流コンデンサ105の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を放電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では半導体スイッチ素子301a、304aをオン状態とし、他の半導体スイッチ素子302a、303aをオフ状態にして平滑コンデンサ3からの直流電力をコンバータ回路300に継続して入力する。平滑コンデンサ3の正極からの電流は、コンバータ回路300を経てインバータ回路100に入力され、インバータ回路100からの電流は交流電源1に回生され、さらにコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3の負極に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
なお、電圧Vinが負極性の時は、半導体スイッチ素子302a、303aをオン状態とし、他の半導体スイッチ素子301a、304aをオフ状態にする。
そして、θ≦θ≦θおよびπ−θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では、交流側出力電圧を0に制御して直流コンデンサ105をスルーさせ、この間、直流コンデンサ105では充放電を行わない。そして、コンバータ回路300では、PWM制御により、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また入力力率が概(−1)になるように電流Iinを制御して各半導体スイッチ素子301a〜304aをスイッチングする。
以上のように、電力変換装置の回生動作において、電流制御切り替え動作の第1例〜第4例のいずれの場合も、インバータ回路100による電流力率制御が成立しない期間がある場合には、短絡期間Tで上記数式2を満たし、開放期間Kで上記数式3を満たし、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路100による電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300により電流制御を行う。これによって、インバータ回路100の直流コンデンサ105の直流電圧は一定に保たれ、また1周期を通して入力電流Iinの力率制御が継続され、入力電流Iinの力率は(−1)に制御される。
また、制御回路10によるコンバータ回路300の制御構成は、上記実施の形態1で示した図10と同様であり、特に、上記第1例の場合は図11、上記第2例、第3例の場合は図14と同様である。インバータ回路100の制御構成は図12と同様である。但し、交流電源1の力率が、力行動作時には概1に、回生動作時には概(−1)になるように電流Iinを制御する。そして、コンバータ回路300へのゲート信号12およびインバータ回路100へのゲート信号11は、図21〜図24に対応したものとなる。
この実施の形態では、制御回路10が、平滑コンデンサ3の電力を交流電源1に回生する回生機能を備える。そして、直流コンデンサ105の電圧Vsubが、インバータ回路100による電流制御を交流電源の全位相において成立させる条件を満たさない場合でも、コンバータ回路300をPWM制御する期間を設け、インバータ回路100のPWM制御とコンバータ回路300のPWM制御とを切り替えて入力電流の力率が(−1)になるように制御する。
このため、力行時だけでなく回生時にも、交流電源1の1周期を通して電流制御を信頼性良く継続でき、インバータ回路100の直流電圧Vsubを低減できる。これにより、電力変換装置の耐圧を上げることなく、交流電源電圧Vinおよび直流電圧Vdcの範囲を拡大でき、広い動作範囲で電流制御を実現でき、電力変換装置の小型化および電力損失低減が図れる。また電流制御を継続できることで装置の信頼性も向上する。
実施の形態6.
上記実施の形態1〜5では、コンバータ回路300がPWM制御により電流制御を行う場合に、インバータ回路100は0を出力していたが、この実施の形態6では、コンバータ回路300がPWM制御により電流制御を行う場合に、インバータ回路100が電源電圧Vinと逆極性の電圧を出力する。なお、主回路構成は上記実施の形態1と同様で、図2〜図7を用いて示した基本の力行動作も上記実施の形態1と同様である。
直流コンデンサ105の電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)の数式4、数式5のいずれか一方または双方を満たさない場合を、図25に基づいて以下に説明する。なお、ここでは力行動作について説明する。
この場合、交流電源1の位相θを含む領域で、インバータ回路100が電圧(−Vin)を出力して直流コンデンサ105を充電する動作、および電圧(Vdc−Vin)を出力して直流コンデンサ105を放電する動作の一方あるいは双方ができなくなる期間が存在する。このため、短絡期間Tと開放期間Kを決める新たな位相θと位相θを決定する。
短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。また直流コンデンサ105の電圧Vsubが、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π+θ、2π−θ≦θ≦2π、の短絡期間Tでは上記数式2を満たし、また、θ≦θ≦π−θ、π+θ≦θ≦2π−θ、の開放期間Kでは上記数式3を満たす。
即ち、電圧Vsubは、短絡期間Tでは交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、開放期間Kでは、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となる。
そして、短絡期間T、開放期間K以外の期間で、コンバータ回路300がPWM制御により電流制御を行い、その期間では、インバータ回路100が電源電圧Vinと逆極性の電圧を出力する。
このため、制御回路10では、短絡期間Tで上記数式2を満たし、かつ開放期間Kで上記数式3を満たし、しかも、短絡期間Tと開放期間Kとコンバータ回路300がPWM制御する期間とを合わせた1周期(あるいは半周期、1/4周期)で、直流コンデンサ105の充放電量が0となるように位相θと位相θを決定する。この場合、以下の数式Dを満たすように位相θと位相θを決定する。
Figure 0005631499
そして、図25に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力されて直流コンデンサ105を充電しコンバータ回路300を経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では全ての半導体スイッチ素子301a〜304aをオフして、交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力され、その出力はコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3を充電し交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100ではPWM制御により直流コンデンサ105を放電して電流制御を行う。
そして、θ≦θ≦θおよびπ−θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では、半導体スイッチ素子101a、104aをオン状態にして半導体スイッチ素子102a、103aをオフ状態にする。交流電源1からの電流はインバータ回路100の直流コンデンサ105を充電してコンバータ回路300に入力される。そして、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせ、半導体スイッチ素子302aをオンさせ、半導体スイッチ素子304aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。
なお、電圧Vinが負極性の時は、インバータ回路100では、半導体スイッチ素子102a、103aをオン状態にして半導体スイッチ素子101a、104aをオフ状態にして直流コンデンサ105を充電する。そして、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子304aをオンさせ、半導体スイッチ素子302aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。
このように、インバータ回路100による入力電流力率制御が成立しない期間がある場合には、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路100による電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300により電流制御を行うと共に、インバータ回路100が電源電圧Vinと逆極性の電圧を出力する。
次に、直流コンデンサ105の電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)の数式6を満たさない場合を、図26に基づいて以下に説明する。即ち、電力変換装置は降圧動作をしており、Vsub<(Vp−Vdc)となる。
この場合、交流電源1のピーク電圧時を含む期間で、インバータ回路100が電圧(Vin−Vdc)を出力して直流コンデンサ105を充電する動作ができなくなる期間が存在する。このため、開放期間Kの一端を決める新たな位相θを決定し、それに伴って短絡期間Tを決める新たな位相θを決定する。この場合、位相θは開放期間Kの他端でもある。
短絡期間Tおよび開放期間Kでは、インバータ回路100のPWM制御により電流制御を行い、それ以外の期間ではコンバータ回路300をPWM制御する。また直流コンデンサ105の電圧Vsubが、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π+θ、2π−θ≦θ≦2π、の短絡期間Tでは上記数式2を満たし、また、θ≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π−θ、π+θ≦θ≦π+θ、2π−θ≦θ≦2π−θ、の開放期間Kでは上記数式3を満たす。
即ち、電圧Vsubは、短絡期間Tでは交流電源1の電圧Vinの大きさ以上であり、開放期間Kでは、平滑コンデンサ3の電圧Vdc(目標電圧Vdc)と電圧Vinの大きさとの差分以上となる。
そして、短絡期間T、開放期間K以外の期間で、コンバータ回路300がPWM制御により電流制御を行い、その期間では、インバータ回路100が電源電圧Vinと逆極性の電圧を出力する。
このため、制御回路10では、短絡期間Tで上記数式2を満たし、かつ開放期間Kで上記数式3を満たし、しかも、短絡期間Tと開放期間Kとコンバータ回路300がPWM制御する期間とを合わせた1周期(あるいは半周期、1/4周期)で、直流コンデンサ105の充放電量が0となるように位相θと位相θを決定する。この場合、以下の数式Eを満たすように位相θと位相θを決定する。
Figure 0005631499
そして、図26に示すように、0≦θ≦θ、π−θ≦θ≦πの短絡期間Tにおいて、コンバータ回路300では、短絡スイッチとなる半導体スイッチ素子302a、304aを継続してオン状態として平滑コンデンサ3をバイパスさせる。このとき、コンバータ回路300内の他の半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせる。交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力されて直流コンデンサ105を充電しコンバータ回路300を経て交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、PWM制御により直流コンデンサ105を充電させて電流制御を行う。
またθ≦θ≦θ、π−θ≦θ≦π−θの開放期間Kにおいて、コンバータ回路300では全ての半導体スイッチ素子301a〜304aをオフして、交流電源1からの電流はインバータ回路100に入力され、その出力はコンバータ回路300を経て平滑コンデンサ3を充電し交流電源1に戻る。このとき、インバータ回路100では、電圧Vinが平滑コンデンサ3の電圧Vdc以下の時はPWM制御により直流コンデンサ105を放電して電流制御を行い、電圧Vinが平滑コンデンサ3の電圧Vdc以上の時はPWM制御により直流コンデンサ105を充電して電流制御を行う。
そして、θ≦θ≦π−θの期間において、インバータ回路100では、半導体スイッチ素子101a、104aをオン状態にして半導体スイッチ素子102a、103aをオフ状態にする。交流電源1からの電流はインバータ回路100の直流コンデンサ105を充電してコンバータ回路300に入力される。そして、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子301a、303aをオフさせ、半導体スイッチ素子302aをオンさせ、半導体スイッチ素子304aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。
なお、電圧Vinが負極性の時は、インバータ回路100では、半導体スイッチ素子102a、103aをオン状態にして半導体スイッチ素子101a、104aをオフ状態にして直流コンデンサ105を充電する。そして、コンバータ回路300では、半導体スイッチ素子304aをオンさせ、半導体スイッチ素子302aを用いてPWM制御により電流を制御して平滑コンデンサ3を充電する。
この場合も、図25で示した場合と同様に、インバータ回路100による入力電流力率制御が成立しない期間がある場合に、インバータ回路100の直流コンデンサ105の充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路100による電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300により電流制御を行うと共に、インバータ回路100が電源電圧Vinと逆極性の電圧を出力する。
制御回路10によるコンバータ回路300の制御構成は、上記実施の形態1で示した図10、図14と同様である。コンバータ回路300へのゲート信号12は、図25、図26に対応したものとなる。
インバータ回路100の出力制御について以下に示す。図27は、制御回路10によるインバータ回路100の出力制御における制御ブロック図である。図27に示すように、インバータ回路100の基本の出力制御では、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcを目標電圧Vdcに維持し、また交流電源1の力率が概1になるように電流Iinを制御する。
まず、平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcと目標電圧Vdcとの差40をフィードバック量として、PI制御した出力を振幅目標値41として、この振幅目標値41に基づいて、交流電源同期周波数から、電圧Vinに同期した正弦波の電流指令Iin42を生成する。次に、電流指令値Iin42と検出された電流Iinとの差43をフィードバック量として、PI制御した出力をインバータ回路100の発生電圧の目標値となる電圧指令44とする。この時、コンバータ回路300の交流端子間を短絡させる短絡期間Tの制御と短絡期間外の制御との切り替え時に同期したフィードフォワード補正電圧ΔVを加算して電圧指令44を補正する。そして、補正後の電圧指令45を用いて、PWM制御46によりインバータ回路100の各半導体スイッチ素子101a〜104aへのゲート信号47を生成し、ゲート信号作成器51に入力する。
そしてゲート信号作成器51では、入力電流力率制御によるゲート信号47と、コンバータ回路300の制御で演算された、短絡期間T、開放期間Kを決定する位相θ37、θ36と、直流コンデンサ105の電圧Vsubと、電圧電源電圧Vinの極性53とを入力し、さらに、交流電源1の電圧Vinと平滑コンデンサ3の直流電圧Vdcとに基づいて、インバータ回路100へのゲート信号11を出力する。短絡期間Tと開放期間Kではゲート信号47を用い、その他の期間では電圧Vsubを出力させるゲート信号を用いて、インバータ回路100へのゲート信号11として出力する。
この実施の形態では、インバータ回路100の直流コンデンサ105の直流電圧は一定に保たれ、また1周期を通して入力電流Iinの力率制御が継続され、入力電流Iinの力率は1に制御される。さらに、コンバータ回路300により電流制御を行う期間では、インバータ回路100が電源電圧Vinと逆極性の電圧を出力するため、コンバータ回路300でのスイッチング電圧は電源電圧Vinとインバータ回路100の出力電圧Vsubとの差電圧となる。従って、上記実施の形態1〜4と比べてそのスイッチング電圧は減少し、コンバータ回路300でのスイッチング損失が低減される。またリアクトル2での印加電圧も、電源電圧Vinとインバータ回路100の出力電圧Vsubとの差電圧となるので低減する。この場合リアクトル2の鉄損を低減できるほか、印加電圧の低減分だけリアクトル容量を低減することができる。
なお、この実施の形態においても力行/回生の双方向制御を行う電力変換装置に適用でき、同様の効果が得られる。
実施の形態7.
上記各実施の形態では、インバータ回路100は1つの単相インバータで構成されたものを示したが、複数個の単相インバータの交流側を直列接続してインバータ回路を構成しても良い。この場合、直列接続した複数の単相インバータの各直流コンデンサの電圧の総和を電圧Vsubと考え、電圧Vsubが上記3条件(数式4〜数式6)を満たすか否かで、インバータ回路による電流制御の交流電源全位相における成立可否を判定する。
そして、インバータ回路100による入力電流力率制御が成立しない期間がある場合には、インバータ回路の各直流コンデンサの充放電量が0になるように、短絡期間Tと開放期間Kを再設定する。そして、短絡期間Tと開放期間Kとではインバータ回路をPWM制御して電流制御を行い、それ以外の期間では、コンバータ回路300をPWM制御して電流制御を行うことで、インバータ回路100の直流コンデンサ105の直流電圧は一定に保たれ、また1周期を通して入力電流Iinの力率制御が継続され、入力電流Iinの力率は1に制御される。この場合、コンバータ回路300をPWM制御する間は、インバータ回路の各単相インバータの出力電圧は全て0とする。あるいは、上記実施の形態6を適用して、1以上の単相インバータの出力電圧を電源電圧Vinと逆極性にして動作させても良い。
この場合も、上記実施の形態1〜4および上記実施の形態6と同様の効果が得られる。さらに、力行/回生の双方向制御を行う電力変換装置にも適用でき、上記実施の形態5と同様の効果が得られる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
この発明は、単相インバータの交流側の出力を電源出力に重畳し、所望の直流電圧を得る装置に関するものであり、電力変換分野に広く適用できる。

Claims (10)

  1. 複数の半導体スイッチ素子および直流コンデンサを有し、交流電源の第1の端子に直列接続されるインバータ回路と、
    直流母線間に複数の半導体スイッチ素子を有し、一方の交流端子が上記インバータ回路に直列接続され、他方の交流端子が上記交流電源の第2の端子に接続され、上記直流母線間に直流電力を出力するコンバータ回路と、
    上記直流母線間に接続され上記コンバータ回路の出力を平滑する平滑コンデンサと、
    上記インバータ回路の上記直流コンデンサの電圧を設定された電圧指令値に追従させ、上記平滑コンデンサの電圧を目標電圧に追従させ、上記交流電源からの電流である入力電流の力率が1となるように、上記インバータ回路および上記コンバータ回路を制御する制御回路とを備え、
    上記制御回路は、
    上記交流電源のゼロクロス位相を含む期間で上記コンバータ回路の上記交流端子間を継続的に短絡させて上記平滑コンデンサをバイパスさせる短絡期間と、上記コンバータ回路の直流出力を継続して上記平滑コンデンサに出力する開放期間とを有して上記インバータ回路の上記直流コンデンサの電圧を設定された電圧指令値に追従させると共に、上記短絡期間および上記開放期間において上記インバータ回路をPWM制御し、
    上記直流コンデンサの電圧に応じて上記コンバータ回路をPWM制御する期間を設け、上記インバータ回路のPWM制御と上記コンバータ回路のPWM制御とを切り替えて上記入力電流の力率が1になるように制御する電力変換装置。
  2. 上記制御回路は、上記インバータ回路の上記直流コンデンサの電圧が、上記短絡期間では交流電源電圧の大きさ以上であり、上記開放期間では上記平滑コンデンサの電圧と上記交流電源電圧の大きさとの差分以上であるように、上記短絡期間および上記開放期間を決定する請求項1に記載の電力変換装置。
  3. 上記制御回路は、上記コンバータ回路をPWM制御する期間に上記インバータ回路の交流側出力電圧を0に制御し、上記短絡期間と上記開放期間とを合わせて上記インバータ回路の上記直流コンデンサの充放電量をほぼ0にする請求項1または2に記載の電力変換装置。
  4. 上記制御回路は、上記コンバータ回路をPWM制御する期間に、上記インバータ回路を上記交流電源電圧と逆極性の電圧を交流側に継続して出力させ、上記短絡期間、上記開放期間および上記コンバータ回路のPWM制御期間を合わせた1周期で、上記インバータ回路の上記直流コンデンサの充放電量をほぼ0にする請求項1または2に記載の電力変換装置。
  5. 上記制御回路は、上記平滑コンデンサからの電力を上記交流電源に回生する回生機能を備え、該回生時には上記入力電流の力率が(−1)となるように、上記インバータ回路および上記コンバータ回路を制御する請求項1または2に記載の電力変換装置。
  6. 上記制御回路は、上記平滑コンデンサからの電力を上記交流電源に回生する回生機能を備え、該回生時には上記入力電流の力率が(−1)となるように、上記インバータ回路および上記コンバータ回路を制御する請求項3に記載の電力変換装置。
  7. 上記制御回路は、上記平滑コンデンサからの電力を上記交流電源に回生する回生機能を備え、該回生時には上記入力電流の力率が(−1)となるように、上記インバータ回路および上記コンバータ回路を制御する請求項4に記載の電力変換装置。
  8. 上記制御回路は、上記平滑コンデンサへ電力を出力する力行時では、上記インバータ回路の上記直流コンデンサを上記短絡期間において充電し、上記平滑コンデンサからの電力回生時では、上記インバータ回路の上記直流コンデンサを上記短絡期間において放電するように、上記インバータ回路および上記コンバータ回路を制御する請求項5に記載の電力変換装置。
  9. 上記制御回路は、上記平滑コンデンサへ電力を出力する力行時では、上記インバータ回路の上記直流コンデンサを上記短絡期間において充電し、上記平滑コンデンサからの電力回生時では、上記インバータ回路の上記直流コンデンサを上記短絡期間において放電するように、上記インバータ回路および上記コンバータ回路を制御する請求項6に記載の電力変換装置。
  10. 上記制御回路は、上記平滑コンデンサへ電力を出力する力行時では、上記インバータ回路の上記直流コンデンサを上記短絡期間において充電し、上記平滑コンデンサからの電力回生時では、上記インバータ回路の上記直流コンデンサを上記短絡期間において放電するように、上記インバータ回路および上記コンバータ回路を制御する請求項7に記載の電力変換装置。
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