JP5623876B2 - 陽極接合気相セル内の圧力均一性を増強する製造技術 - Google Patents
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Description
米国空軍とのFA8650−01−C−1125による政府との契約条項により与えられるように、米国政府は本発明に関して一定の権利を有する。
図1は、一実施形態によるCSAC100を示し、これは、本アプローチにより製造された気相セルを採用することができる。CSAC100は物理パッケージ102を含み、物理パッケージ102は、CSAC100の様々な機械的および電子的部品を収容する。これらの部品は、物理パッケージ102を組み立てる前に、ウェハレベルで微小電気機械システム(MEMS)装置として製造できる。一般に、パッケージ102内のCSAC部品は、垂直共振器面発光レーザー(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL)のようなレーザーダイ110、レーザーダイ110に光学連通する4分の1波プレート(quarter wave plate, QWP)120、QWP120に光学連通する気相セル130、および気相セル130に光学連通する光学検出器140を有する。
1つのアプローチにおいて、陽極接合中にガスがウェハの外周へ逃げるための通路を提供するために、シリコンウェハの表面に通気チャネルが形成される。このアプローチは、図3に示されており、図3は、CSACで使用される気相セルを製造するためのウェハ300を示している。ウェハ300は、複数の気相セルダイ302を含み、気相セルダイ302を囲む通気チャネル304に相互接続される。気相セルダイ302および通気チャネル304は、ウェハ300の内側表面領域306に位置する。通気チャネル304は、気相セル302を形成するのに用いたプロセスと同様のプロセスで形成することができる。
Claims (4)
- 気相セルを製造する方法であって、
内部表面領域および外周部を備える第1ウェハに複数の気相セルダイを形成するステップと、
前記第1ウェハに複数の相互接続される通気チャネルを形成するステップと、を有し、前記通気チャネルは、各気相セルダイからのガスが前記第1ウェハの前記外周部の外側に移動するための、少なくとも1つの通路を提供し、
前記方法はさらに、前記第1ウェハの一方の側部に第2ウェハを陽極接合するステップと、
前記第1ウェハの反対の側部に第3ウェハを陽極接合するステップと、を有し、前記通気チャネルは、前記第1ウェハの前記内部表面領域に向かうガスが、前記第1ウェハに前記第2ウェハおよび前記第3ウェハを陽極接合するときに、前記第1ウェハの前記外周部の外側のガスと、実質的に連続的に圧力平衡状態になることを可能にする、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、陽極接合の間、前記第1ウェハの温度を所定の速度で上昇させ、温度が上昇するときにガス圧を所定の速度で上昇させる、方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記気相セルダイの各々は、第1チャンバ、第2チャンバ、および前記第1チャンバと前記第2チャンバとの間の少なくとも1つの接続通路、を備える基板を有する、方法。
- 気相セルを製造するためのウェハ構造であって、前記ウェハ構造は、
複数の気相セルダイを有する第1ウェハを有し、前記第1ウェハは内側表面領域および外周部を備え、
前記ウェハ構造は、前記第1ウェハ内に、相互接続される複数の通気チャネルを有し、前記通気チャネルは、前記第1ウェハの陽極接合中に、前記気相セルの各々から前記第1ウェハの前記外周部の外側にガスが移動するための少なくとも1つの通路を提供し、
前記通気チャネルは、第2ウェハを前記第1ウェハの一方の側部に、および、第3ウェハを前記第1ウェハの反対側の側部に陽極接合する間、前記第1ウェハの前記内側表面領域に向かうガスが、前記第1ウェハの前記外周部の外側のガスと、実質的に連続的な圧力平衡となることを可能にする、ウェハ構造。
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US6570459B1 (en) | 2001-10-29 | 2003-05-27 | Northrop Grumman Corporation | Physics package apparatus for an atomic clock |
US20050007118A1 (en) | 2003-04-09 | 2005-01-13 | John Kitching | Micromachined alkali-atom vapor cells and method of fabrication |
WO2005054147A1 (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-16 | Bondtech Inc. | 接合方法及びこの方法により作成されるデバイス並びに接合装置 |
US7400207B2 (en) | 2004-01-06 | 2008-07-15 | Sarnoff Corporation | Anodically bonded cell, method for making same and systems incorporating same |
US7292111B2 (en) | 2004-04-26 | 2007-11-06 | Northrop Grumman Corporation | Middle layer of die structure that comprises a cavity that holds an alkali metal |
WO2006036268A2 (en) | 2004-07-16 | 2006-04-06 | Sarnoff Corporation | Chip-scale atomic clock (csac) and method for making same |
US7666485B2 (en) | 2005-06-06 | 2010-02-23 | Cornell University | Alkali metal-wax micropackets for alkali metal handling |
US7931794B2 (en) | 2005-11-03 | 2011-04-26 | Princeton University | Method and system for electrolytic fabrication of atomic clock cells |
JP4800851B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2011-10-26 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜形成方法及び装置 |
US20080164606A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Christoffer Graae Greisen | Spacers for wafer bonding |
US8151600B2 (en) * | 2007-05-03 | 2012-04-10 | The Regents Of The University Of California | Self-inflated micro-glass blowing |
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JP2009212416A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Epson Toyocom Corp | ガスセルの製造方法及びガスセル |
JP2009215099A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 陽極接合方法及び液滴吐出ヘッドの製造方法 |
JP2009283526A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Epson Toyocom Corp | ガスセルの製造方法及びガスセル |
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US8707734B2 (en) * | 2009-10-19 | 2014-04-29 | The Regents Of The University Of Michigan | Method of embedding material in a glass substrate |
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