JP2527834B2 - 陽極接合法 - Google Patents

陽極接合法

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、陽極接合法、特に、陽極接合法により導
体や半導体ウエハと無機絶縁物とを接合する方法に関す
るものである。
［従来の技術］ 第３図は従来の陽極接合法により接合される半導体ウ
エハ及び無機絶縁物等を概略的に示す断面図である。図
において、シリコン（Si）ウエハ等表面に集積回路を形
成し素子として機能するように製造された半導体ウエハ
（１）と、この半導体ウエハ（１）上に載置されたパイ
レックスガラス等の無機絶縁物（２）とは、これらを加
熱するヒーター等を備えた加熱装置（３）上に載置され
る。無機絶縁物（２）上には陰極端子（４）に接続され
た陰極（５）が押し当てられている。また、半導体ウエ
ハ（１）は陽極として作用し、これに陽極端子（６）が
電気的に接続されている。
従来の陽極接合法により接合される半導体ウエハ
（１）及び無機絶縁物（２）等は上述したように構成さ
れ、これらの接合は次のように行われる。まず、加熱装
置（３）上に載置された半導体ウエハ（１）及び無機絶
縁物（２）は、加熱装置（３）により200〜400℃に加熱
される。次いで、陽極端子（６）及び陰極端子（４）間
に300〜800Vの直流電圧を印加する。この直流電圧の印
加によって、無機絶縁物（２）中にイオンが移動し、陰
極（５）の直下を中心として静電引力による密着が同心
円状に広がって行き、酸素の拡散により半導体ウエハ
（１）と無機絶縁物（２）との界面に酸化膜が形成され
接合が行われる。
［発明が解決しようとする課題］ 上述したような陽極接合法は真空中で行われる場合が
多く、真空中では熱放散のためヒーター等の加熱温度と
接合界面、無機絶縁物（２）の表面層（ここでは陰極
（５）を設置する面を指す）では温度差が20〜50℃程度
生ずる。そのため、無機絶縁物（２）の内部に熱応力が
発生したり、また、無機絶縁物（２）全体を無機絶縁物
（２）中のイオンが移動できる温度まで上昇させるため
には、加熱装置（３）の温度を高めに設定する必要があ
る。従って、半導体ウエハ（１）と無機絶縁物（２）と
に反りや残留応力が発生する場合があった。また、電界
は陰極（５）に集中するので、残留応力は陰極（５）付
近で大きくなる。そこで、陰極（５）の面積を小さくし
接合後の残留応力の影響を受ける部分を最小限にするた
め、第４図に示すように半導体ウエハ（１）の外周部に
陰極（５）を設置する場合がある。しかし、この場合に
も陰極（５）の位置をピークとする応力分布を持つよう
になり均一な接合ができず、接合速度も非常に遅くなっ
てしまう問題点があった。そこで、接合速度を早くする
ために第５図に示すように、陰極（７）の面積を大きく
していた。この場合、陰極（７）は厚さ数mmの例えばス
テンレス製の電極であり、接合終了後に無機絶縁物
（２）から取り外している。しかし、陰極（７）と無機
絶縁物（２）との間に微小ギャップが多数発生する場合
がある。このような状態では電圧の印加が均一に行われ
ず、接合後の半導体ウエハ（１）と無機絶縁物（２）と
の間にボイドを生じたり接合が不均一となり、さらに反
り量が大きくなるという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになさ
れたもので、接合時間が非常に短くてすむと共に、接合
層にボイドが発生せず、かつ均一で小さな残留応力しか
発生させずに接合が行われる陽極接合法を得ることを目
的とする。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る陽極接合法は、無機絶縁物の接合面と
反対側の面の全面に、無機絶縁物と非常に密着力の強い
金属の薄膜を形成し、この金属薄膜を陰極とし半導体ウ
エハを陽極としてこれら両電極間に直流電圧を印加して
陽極接合を行うものである。
また、この発明の別の発明に係る陽極接合法は、無機
絶縁物の接合面と反対側の面の全面に、無機絶縁物と非
常に密着力の強い金属第１金属薄膜を形成し、さらにこ
の第１金属薄膜上に大気中で安定で電気伝導性も良好な
金属の第２金属薄膜を形成し、これら第１及び第２金属
薄膜を陰極とし半導体ウエハを陽極としてこれら両電極
間に直流電圧を印加して陽極接合を行うものである。
［作用］ この発明においては、金属薄膜が無機絶縁物に非常に
強く密着し微小なギャップを全て埋めるので、接合層に
ボイドが発生するのを防止する。
この発明の別の発明においては、第１金属薄膜が無機
絶縁物に非常に強く密着し微小なギャップを全て埋める
ので、接合層にボイドが発生するのを防止し、さらに、
第２金属薄膜が電界を均一に与えるので、接合のバラツ
キがなく均等な接合が再現性良く得られる。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例により接合される半導体
ウエハ及び無機絶縁物等を概略的に示す断面図であり、
（１）〜（４）、（６）は上述した従来の陽極接合法に
おけるものと全く同一である。無機絶縁物（２）の接合
される面と反対側の全面には、無機絶縁物（２）と非常
に密着力の強い金属例えばクロム（Cr）、金（Au）等の
金属薄膜（８）が形成されている。この金属薄膜（８）
が陰極となるように、陰極端子（４）が押し当てられる
等により電気的に接続されている。なお、無機絶縁物
（２）としては、加熱によりイオンが移動するガラス例
えばパイレックスガラス（ダウコーニング社製商品名）
等が好適に使用できる。
この発明による陽極接合法は、まず、無機絶縁物
（２）の一方の面にスパッタリング等により例えばCr薄
膜を約500〜1500Å程度の厚さまで均一に形成する。次
に、このCr薄膜を形成した面と反対側の面を導体（ここ
では半導体ウエハ（１））と重ね合わせ、200〜300℃前
後の温度に加熱する。そして、半導体ウエハ（１）に陽
極端子（６）を、金属薄膜（８）に陰極端子（４）をそ
れぞれ電気的に接続し300〜500Vの直流電圧を印加す
る。これにより、例えば直径約10cm（４インチ）の半導
体ウエハ全面に、約２分以内に静電引力による密着が起
こる。さらに、この加熱、通電状態で約５〜15分保持す
ると、半導体ウエハ（１）と無機絶縁物（２）とは陽極
接合により強固でかつ均一に接合される。
なお、上述した実施例では、金属薄膜（８）を半導体
ウエハ（１）の接合を行う面と反対側の面に形成した
が、第２図に示すように金属薄膜（８）の代わりに、無
機絶縁物（２）と密着力の強い金属例えばチタン（T
i）、クロム（Cr）、ジルコニウム（Zr）等の第１金属
薄膜（９）を第１層として形成し、この第１金属薄膜
（９）の上に大気中で安定で（高温で酸化しない）、電
気伝導性の良い金属例えばニッケル（Ni）、コバルト
（Co）、モリブデン（Mo）、金属（Au）、銀（Ag）、白
金（Pt）等の第２金属薄膜（10）を第２層として形成
し、これらの第１及び第２金属薄膜（９）、（10）を陰
極として陽極接合を行ってもよい。この場合、パイレッ
クスガラスの一方の面に、スパッタリング等により例え
ばTi薄膜を約500Å程度の厚さで均一に形成し、このTi
薄膜の上に1000〜1500Å程度の厚さの例えばNi薄膜を形
成する。
金属薄膜（８）〜（10）の厚さは、無機絶縁物（２）
との密着性、電気伝導性が図れる厚さであればよく、適
宜所望の厚さが選択できる。また、金属薄膜（８）〜
（10）は、接合終了後に無機絶縁物（２）に形成したま
ま残しておいても、又は除去してもよい。
また、上述した実施例では無機絶縁物（２）としてパ
イレックスガラスを用いたが、ホウケイ酸ガラス等他の
ガラスであってもよい。さらに、無機絶縁物（２）とし
て半導体ウエハを用い、半導体ウエハ同士を接合しても
よく、上述と同様の効果を奏する。
［発明の効果］ この発明は、以上説明したとおり、無機絶縁物の接合
面と反対側の面の全面に、無機絶縁物と非常に密着力の
強い金属の薄膜を形成し、この金属薄膜を陰極とし半導
体ウエハを陽極としてこれら両電極間に直流電圧を印加
して陽極接合を行うので、非常に速い速度で接合を行う
ことができる。また、均一は蒸着面の金属薄膜を使用し
ているため、陰極と半導体ウエハとの間に微小ギャップ
がなく電界も均一にかかるので、接合のバラツキがなく
均等な接合が再現性良く得られる。また、電極端子を押
し当てるだけで済むので操作を自動化し易く、装置の構
造も簡単にすることができる。
さらに、接合が真空中で行われた場合にも、無機絶縁
物の表面層に金属薄膜が形成されているため熱放散を遮
蔽する効果もあり、接合温度を低くしても良好な接合が
可能であり、熱応力等の影響を小さくすることができ
る。従って、精度の高い半導体素子が製造でき、歩留ま
りも大幅に向上させることができる。また、第２金属薄
膜として用いたNi薄膜は、接合の際の加熱でその表面に
酸化膜を形成し、この酸化膜が半導体装置として組み立
てるアセンブリ工程で使用するダイボンド材（シリコー
ンゴム、エポキシ樹脂）等と強い接着力があり、さらに
高品質な半導体装置が製造できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による接合される半導体ウ
エハ及び無機絶縁物等を概略的に示す断面図、第２図は
この発明の他の実施例により接合される半導体ウエハ及
び無機絶縁物等を概略的に示す断面図、第３図〜第５図
は従来の陽極接合法により接合される半導体ウエハ及び
無機絶縁物等を概略的に示す断面図である。 図において、（１）は半導体ウエハ、（２）は無機絶縁
物、（３）は加熱装置、（４）は陰極端子、（６）は陽
極端子、（８）は金属薄膜、（９）は第１金属薄膜、
（10）は第２金属薄膜である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】無機絶縁物の一方の面にこの無機絶縁物と
    密着力の強い金属の薄膜を形成し、 加熱装置上に半導体ウエハを載置し、この半導体ウエハ
    上に上記無機絶縁物をその他方の面が接するように載置
    し、 上記加熱装置により上記無機絶縁物及び上記半導体ウエ
    ハを加熱しながら、上記金属薄膜を陰極とし上記半導体
    ウエハを陽極としてこれら両電極間に直流電圧を印加す
    ることにより、上記半導体ウエハと上記無機絶縁物との
    接合を行うことを特徴とする陽極接合法。
  2. 【請求項２】無機絶縁物の一方の面にこの無機絶縁物と
    密着力の強い金属の第１金属薄膜を形成し、 この第１金属薄膜の上に大気中で安定で電気伝導性の良
    い金属の第２金属薄膜を形成し、 加熱装置上に半導体ウエハを載置し、この半導体ウエハ
    上に上記無機絶縁物をその他方の面が接するように載置
    し、 上記加熱装置により上記無機絶縁物及び上記半導体ウエ
    ハを加熱しながら、上記第１及び第２金属薄膜を陰極と
    し上記半導体ウエハを陽極としてこれら両電極間に直流
    電圧を印加することにより、上記半導体ウエハと上記無
    機絶縁物との接合を行うことを特徴とする陽極接合法。
JP2190484A 1990-07-20 1990-07-20 陽極接合法 Expired - Lifetime JP2527834B2 (ja)

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JP2190484A JP2527834B2 (ja) 1990-07-20 1990-07-20 陽極接合法

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JPH0478122A JPH0478122A (ja) 1992-03-12
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05169666A (ja) * 1991-12-25 1993-07-09 Rohm Co Ltd インクジェットプリントヘッドの製造方法
JPH05235312A (ja) * 1992-02-19 1993-09-10 Fujitsu Ltd 半導体基板及びその製造方法
JP3300060B2 (ja) * 1992-10-22 2002-07-08 キヤノン株式会社 加速度センサー及びその製造方法
US6127629A (en) * 1994-10-03 2000-10-03 Ford Global Technologies, Inc. Hermetically sealed microelectronic device and method of forming same
US5835220A (en) * 1995-10-27 1998-11-10 Nkk Corporation Method and apparatus for detecting surface flaws
KR100279053B1 (ko) * 1998-01-09 2001-02-01 박호군 실리콘 박막을 이용한 유리 기판쌍의 정전 열접합 방법
US6475326B2 (en) * 2000-12-13 2002-11-05 Applied Materials, Inc. Anodic bonding of a stack of conductive and glass layers
US6660614B2 (en) 2001-05-04 2003-12-09 New Mexico Tech Research Foundation Method for anodically bonding glass and semiconducting material together
JP3978153B2 (ja) 2003-06-12 2007-09-19 富士フイルム株式会社 光干渉基材、標的検出用基材、並びに、標的検出装置及び標的検出方法
US7115182B2 (en) * 2004-06-15 2006-10-03 Agency For Science, Technology And Research Anodic bonding process for ceramics
US20070034676A1 (en) * 2005-08-11 2007-02-15 Honeywell International Inc. Electric field assisted solder bonding
JP4813246B2 (ja) * 2006-04-28 2011-11-09 ユニヴァーシティ オブ サウサンプトン ガラス物品への部材の接合方法
TW201027594A (en) * 2009-01-07 2010-07-16 Advanced Optoelectronic Tech Method for bonding two matertials
US8299860B2 (en) * 2010-02-04 2012-10-30 Honeywell International Inc. Fabrication techniques to enhance pressure uniformity in anodically bonded vapor cells
CN103130180B (zh) * 2011-12-02 2015-10-28 中国科学院微电子研究所 一种晶圆级阳极键合方法
JP2015129684A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 株式会社アルバック 金属セラミック接合体、隔膜真空計、金属とセラミックとの接合方法、および、隔膜真空計の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3316628A (en) * 1964-12-30 1967-05-02 United Aircraft Corp Bonding of semiconductor devices to substrates
GB1138401A (en) * 1965-05-06 1969-01-01 Mallory & Co Inc P R Bonding
US3783218A (en) * 1972-01-12 1974-01-01 Gen Electric Electrostatic bonding process
US4384899A (en) * 1981-11-09 1983-05-24 Motorola Inc. Bonding method adaptable for manufacturing capacitive pressure sensing elements
US4452624A (en) * 1982-12-21 1984-06-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for bonding insulator to insulator
US4527428A (en) * 1982-12-30 1985-07-09 Hitachi, Ltd. Semiconductor pressure transducer
JPS59174549A (ja) * 1983-03-18 1984-10-03 Yokogawa Hokushin Electric Corp 金属とガラスの接合方法
US4746893A (en) * 1985-01-31 1988-05-24 Motorola, Inc. Pressure transducer with sealed conductors
JPS6272178A (ja) * 1985-09-26 1987-04-02 Nippon Denso Co Ltd 半導体圧力検出装置およびその製造方法
US4815472A (en) * 1987-06-01 1989-03-28 The Regents Of The University Of Michigan Multipoint pressure-sensing catheter system
US4881410A (en) * 1987-06-01 1989-11-21 The Regents Of The University Of Michigan Ultraminiature pressure sensor and method of making same

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JPH0478122A (ja) 1992-03-12
US5141148A (en) 1992-08-25

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