JPS5846671A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5846671A JPS5846671A JP14390981A JP14390981A JPS5846671A JP S5846671 A JPS5846671 A JP S5846671A JP 14390981 A JP14390981 A JP 14390981A JP 14390981 A JP14390981 A JP 14390981A JP S5846671 A JPS5846671 A JP S5846671A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置に係シ、特に電力用の半導体装置
における圧接電極の改良構造に関する。
における圧接電極の改良構造に関する。
圧接によシミ極が導出される半導体装置の一例のサイリ
スタに第１図、第２図に示される構造のものがある。図
において、 （１）、 （２）は銅で円板状に形成され
た夫々陽極導出部材、陰極導出部材で、円筒型のセラミ
ックスの電気絶縁部材（３）の両端に固着され、かつこ
の電気絶縁部材は側面に制御電極導出部材（４）を突出
して気密の外囲器を形成する。
スタに第１図、第２図に示される構造のものがある。図
において、 （１）、 （２）は銅で円板状に形成され
た夫々陽極導出部材、陰極導出部材で、円筒型のセラミ
ックスの電気絶縁部材（３）の両端に固着され、かつこ
の電気絶縁部材は側面に制御電極導出部材（４）を突出
して気密の外囲器を形成する。
そして、この外囲器の内部には半導体はレット（５）（
以降ゴレットと略称する）がその１主面の陽極電極（５
Ａ）をタングステンの補強板（６）を介して陽極導出部
材（１）に、また他主面の陰極電極（５Ｋ）をモリブデ
ンの薄板（７）を介して陰極導出部材（２）Ｋ夫々圧接
されて内装されている。また、はレットには第４図にも
示されるように陰極電極（５Ｋ）に並設され九制御電極
（５Ｇ）が制御電極導出部材（４）によって導出されて
いる。（なお、（５Ｇつは補助制御電極である）前記制
御電極導出部材（４）は電気絶縁部材（３）を貫通する
部分で固定され、外囲器内の部分は第一３図にも示され
るように例えばピアノ線の、ような弾性の金属棒（４ａ
）で形成されるとともに制御電極と接する部分は平面状
に形成され、少くとも前記電極と接する部分には厚さ約
１０μｍの銀層（４ｂ）が被着されて、金属棒部分の電
気抵抗ならびに制御電極との接触抵抗を低減するよう罠
なっている。なお、上記タングステンの補強板（６）は
はレット（５）を補強するため陽極電極のアルミニウム
層を介して合金化させ固着し九ものであり、モリブデン
板（７）は銅（陰極導出部材）とアルミニウム（陰極電
極）とが直接に加圧接触されかつ、通電による温度上昇
で合金化されいわゆる熱疲労してベレットのクラックに
よる永久破壊を防止するものである。さらに、ベレット
の周縁にシリコンゴムを被覆した不動態ｒ＊１（８）が
ＰＮ接合面の露出部を保＾するために設けられている。
以降ゴレットと略称する）がその１主面の陽極電極（５
Ａ）をタングステンの補強板（６）を介して陽極導出部
材（１）に、また他主面の陰極電極（５Ｋ）をモリブデ
ンの薄板（７）を介して陰極導出部材（２）Ｋ夫々圧接
されて内装されている。また、はレットには第４図にも
示されるように陰極電極（５Ｋ）に並設され九制御電極
（５Ｇ）が制御電極導出部材（４）によって導出されて
いる。（なお、（５Ｇつは補助制御電極である）前記制
御電極導出部材（４）は電気絶縁部材（３）を貫通する
部分で固定され、外囲器内の部分は第一３図にも示され
るように例えばピアノ線の、ような弾性の金属棒（４ａ
）で形成されるとともに制御電極と接する部分は平面状
に形成され、少くとも前記電極と接する部分には厚さ約
１０μｍの銀層（４ｂ）が被着されて、金属棒部分の電
気抵抗ならびに制御電極との接触抵抗を低減するよう罠
なっている。なお、上記タングステンの補強板（６）は
はレット（５）を補強するため陽極電極のアルミニウム
層を介して合金化させ固着し九ものであり、モリブデン
板（７）は銅（陰極導出部材）とアルミニウム（陰極電
極）とが直接に加圧接触されかつ、通電による温度上昇
で合金化されいわゆる熱疲労してベレットのクラックに
よる永久破壊を防止するものである。さらに、ベレット
の周縁にシリコンゴムを被覆した不動態ｒ＊１（８）が
ＰＮ接合面の露出部を保＾するために設けられている。
斜上の制御電極導出は金属棒（４ａ）の弾性により加圧
接触をはかつているが、１長期にわたって使用されてい
ると各部の熱膨張係数の相違によって金属棒の先端部と
制御電極層（５Ｇ）と擦過し、電極層が削り取られる現
象が認められる。この現象は制御電極層と接する金属棒
の先端が第３図に示されるように平面部を備えて形成さ
れていても発生し、平面部を有しない場合にはさらに甚
だしい。この結果、制御電流（ゲート電流）が流れにく
くなり、最後には制御が不能になるという重大な欠点が
ある。
接触をはかつているが、１長期にわたって使用されてい
ると各部の熱膨張係数の相違によって金属棒の先端部と
制御電極層（５Ｇ）と擦過し、電極層が削り取られる現
象が認められる。この現象は制御電極層と接する金属棒
の先端が第３図に示されるように平面部を備えて形成さ
れていても発生し、平面部を有しない場合にはさらに甚
だしい。この結果、制御電流（ゲート電流）が流れにく
くなり、最後には制御が不能になるという重大な欠点が
ある。
この発明は従来の欠点を改良するだめのもので、半導体
ベレットの制御電極を圧接により導出する構造の改良に
関する。
ベレットの制御電極を圧接により導出する構造の改良に
関する。
この発明にかかる電力用の半導体装置は半導体ベレット
の制御電極に電極導出部材を加圧接触させて電極導出を
行なうものであって、半導体はレットの制御電極の表層
が例えばモリブデンのような硬質の金属層で形成されて
いることを特徴とする。以下にこの発明を１実施例につ
き図面を参照して詳細にｒ６を関する。
の制御電極に電極導出部材を加圧接触させて電極導出を
行なうものであって、半導体はレットの制御電極の表層
が例えばモリブデンのような硬質の金属層で形成されて
いることを特徴とする。以下にこの発明を１実施例につ
き図面を参照して詳細にｒ６を関する。
斜上の如く、１実施例Ｆｉハレソトにおける制御電極の
構造にあるのでこれを第５図に示すとともに、はレット
の他の部分は変らないので図面に同じ符号を付けて示し
説明を省略する。図における（１５（）＞ Ｈ制御電極
で、ベレット側のアルミニウム層部（１５Ｇム）と露出
面（表層）側のモリブデン層（硬質の金属層）部（１５
０１）とからなっている。上記アルミニウム層とモリブ
デン層とは製造工程において、はレットの１主面に蒸着
したアルミニウムｍＫ１例の板厚が１００μｍのモリブ
デン板を載置し、約７００℃にて１５分間加熱を施して
アルミニウム・モリブデン合金を形成させ固着を達成し
ている。（アルミニウム・モリブデン合金についてＵ次
Ｏ文献カアル。Ｆ、Ｌｉｈｌ、 Ｅ、Ｎａｃｈｔｉｇａ
ｌｌ、 Ｈ。
構造にあるのでこれを第５図に示すとともに、はレット
の他の部分は変らないので図面に同じ符号を付けて示し
説明を省略する。図における（１５（）＞ Ｈ制御電極
で、ベレット側のアルミニウム層部（１５Ｇム）と露出
面（表層）側のモリブデン層（硬質の金属層）部（１５
０１）とからなっている。上記アルミニウム層とモリブ
デン層とは製造工程において、はレットの１主面に蒸着
したアルミニウムｍＫ１例の板厚が１００μｍのモリブ
デン板を載置し、約７００℃にて１５分間加熱を施して
アルミニウム・モリブデン合金を形成させ固着を達成し
ている。（アルミニウム・モリブデン合金についてＵ次
Ｏ文献カアル。Ｆ、Ｌｉｈｌ、 Ｅ、Ｎａｃｈｔｉｇａ
ｌｌ、 Ｈ。
０ｆｆｅｎｂａｒｔｌ、 Ｖｅｒｔｒａｇａｎｄｅｒ
Ｃ： ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅｒＬｅｉｃｈｔｍ
ｅｔａｌｌｔａｇｕｎｇ、 １９６１ ｉｎ Ｌｅｏ
ｂｅｎ）次にアルミニウム層を被着したのち陰極電極の
形状に成形を施して陰極電極（５Ｋ）を形成する。その
後の工程は従来と同様にして電極の圧接導出を達成する
。
Ｃ： ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅｒＬｅｉｃｈｔｍ
ｅｔａｌｌｔａｇｕｎｇ、 １９６１ ｉｎ Ｌｅｏ
ｂｅｎ）次にアルミニウム層を被着したのち陰極電極の
形状に成形を施して陰極電極（５Ｋ）を形成する。その
後の工程は従来と同様にして電極の圧接導出を達成する
。
この発明によれば半導体ベレットの制御電極の表層がモ
リブデンのような硬質金属層で形成されているので、こ
れに圧接する電極導出部材によって電極が損傷を受ける
ことがなく、長期にわたって制御特性が良好に保持でき
る顕著な利点がある。
リブデンのような硬質金属層で形成されているので、こ
れに圧接する電極導出部材によって電極が損傷を受ける
ことがなく、長期にわたって制御特性が良好に保持でき
る顕著な利点がある。
なお、この発明は゛実施例に限定されることなく、トラ
イアック、逆導通サイリスタ、ＧＴＯ等のサイリスタ、
電力用トランジスタ（ジャイアンツトランジスタ、ＧＴ
ｒ）等に広ぐ適用できる。
イアック、逆導通サイリスタ、ＧＴＯ等のサイリスタ、
電力用トランジスタ（ジャイアンツトランジスタ、ＧＴ
ｒ）等に広ぐ適用できる。
第１図ないし第４図は従来のサイリスタにかかり第１図
は側面図、第２図は断面図、第３図は制御電極導出部材
の断面図、第４図は補強板を付けたベレットの断面図、
第５図はこの発明の１実施例にかかるサイリスタの補強
板を付けたはレットの断面図である。 １ 陽極導出部材 ２ 陰極導出部材 ４ 制御電極導出部材 ５ −！：レット １５０ 制御電極 １５Ｇ＾ 制御電極のアルミニウム層部１５Ｇ
Ｂ 制御電極のモリブデン層部代理人 弁理
士 井 上 −男 竿１図 ？ １ 竿２図 ？ 第 ５ 図 ｔ／７
は側面図、第２図は断面図、第３図は制御電極導出部材
の断面図、第４図は補強板を付けたベレットの断面図、
第５図はこの発明の１実施例にかかるサイリスタの補強
板を付けたはレットの断面図である。 １ 陽極導出部材 ２ 陰極導出部材 ４ 制御電極導出部材 ５ −！：レット １５０ 制御電極 １５Ｇ＾ 制御電極のアルミニウム層部１５Ｇ
Ｂ 制御電極のモリブデン層部代理人 弁理
士 井 上 −男 竿１図 ？ １ 竿２図 ？ 第 ５ 図 ｔ／７
Claims (1)
- 半導体イレットの制御電極に電極導出部材を加圧接触さ
せて電極導出を行なう電力用の半導体装置において、半
導体はレットの制御電極の表層が硬質の金属層で形成さ
れていることを特徴とする電力用の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14390981A JPS5846671A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14390981A JPS5846671A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846671A true JPS5846671A (ja) | 1983-03-18 |
Family
ID=15349895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14390981A Pending JPS5846671A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846671A (ja) |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP14390981A patent/JPS5846671A/ja active Pending
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