JPS5936822B2 - 圧接形半導体装置 - Google Patents
圧接形半導体装置Info
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- JPS5936822B2 JPS5936822B2 JP589279A JP589279A JPS5936822B2 JP S5936822 B2 JPS5936822 B2 JP S5936822B2 JP 589279 A JP589279 A JP 589279A JP 589279 A JP589279 A JP 589279A JP S5936822 B2 JPS5936822 B2 JP S5936822B2
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電極構造を改良した圧接形半導体装置に関す
るものである。
るものである。
大電力用のダイオードまたはサイリスタ等は圧接電極構
造を有するものが主流となつてきた。
造を有するものが主流となつてきた。
このような圧接電極構造を有する大電力用のダイオード
またはサイリスタは半導体基板と電極との接続をろう材
等によつて行なわないので通電動作時にろう材の熱疲労
が起ることがなく高い信頼度を得ることができる。この
ような圧接形半導体装置には、銅製の陰極外部導出導体
と半導体基板との間に例えばモリブデン、タングステン
等の金属で形成された介在導体を設け、この介在導体を
介して前記陰極外部導出導体が半導体基板に形成された
アルミニウム等のオーム性接触層の表面に圧接される外
部導出導体間接接触形のものと、前記外部導出導体が直
接的に前記半導体基板上のオーム性接触層の表面に圧接
される外部導出導体直接接触形のものとがある。
またはサイリスタは半導体基板と電極との接続をろう材
等によつて行なわないので通電動作時にろう材の熱疲労
が起ることがなく高い信頼度を得ることができる。この
ような圧接形半導体装置には、銅製の陰極外部導出導体
と半導体基板との間に例えばモリブデン、タングステン
等の金属で形成された介在導体を設け、この介在導体を
介して前記陰極外部導出導体が半導体基板に形成された
アルミニウム等のオーム性接触層の表面に圧接される外
部導出導体間接接触形のものと、前記外部導出導体が直
接的に前記半導体基板上のオーム性接触層の表面に圧接
される外部導出導体直接接触形のものとがある。
第１図、第２図はこのような従来の２種類の圧接形ダイ
オードを示す断面図である。
オードを示す断面図である。
第１図の外部導出導体間接接触形圧接形ダイオードに於
て１は直径６３７！ｔｍのシリコン基板にガリウムやリ
ン等の不純物を熱拡散してＰ＋ＮＮ＋構造を形成してな
るダイオード基板、２はこのダイオード基板１をろう材
３を介して支持するモリブデン支持板であり前記ダイオ
ード基板１の陽極側主面１ａに接着される。
て１は直径６３７！ｔｍのシリコン基板にガリウムやリ
ン等の不純物を熱拡散してＰ＋ＮＮ＋構造を形成してな
るダイオード基板、２はこのダイオード基板１をろう材
３を介して支持するモリブデン支持板であり前記ダイオ
ード基板１の陽極側主面１ａに接着される。
４は前記ダイオード基板１の陽極側主面１ａとは逆の陰
極側主面１ｂにスパツタ法、化学的気層成長法、蒸着法
等の方法で形成され前記ダイオード基板１とオーム性接
触を成す厚さが１０μｍのアルミニユウム電極、５は前
記アルミニユウム電極４の表面に押圧される厚さが０．
５１１のモリブデン円板、タングステン円板等で作られ
た介在導体、６は前記ダイオード基板１を支持する支持
板２に圧接される銅製の陽極外部導出導体、７は前記ダ
イオード基板１に形成されたアルミニユウム電極４に介
在導体５を介して圧接される銅製の陰極外部導出導体で
ある。
極側主面１ｂにスパツタ法、化学的気層成長法、蒸着法
等の方法で形成され前記ダイオード基板１とオーム性接
触を成す厚さが１０μｍのアルミニユウム電極、５は前
記アルミニユウム電極４の表面に押圧される厚さが０．
５１１のモリブデン円板、タングステン円板等で作られ
た介在導体、６は前記ダイオード基板１を支持する支持
板２に圧接される銅製の陽極外部導出導体、７は前記ダ
イオード基板１に形成されたアルミニユウム電極４に介
在導体５を介して圧接される銅製の陰極外部導出導体で
ある。
これら二つの外部導出導体６，７には前記ダイオード基
板１を挟持するように互に逆方向に例えば２００ｋｆＩ
／Ｃｄの圧力が加えられる。第２図の外部導体直接接触
形圧接形ダイオードに於て１〜４および６，７は前記第
１図の対応する符号と同様の機能を有するが、前記介在
導体５が使用されない点に於て第１図に示すダイオード
とは異なる。
板１を挟持するように互に逆方向に例えば２００ｋｆＩ
／Ｃｄの圧力が加えられる。第２図の外部導体直接接触
形圧接形ダイオードに於て１〜４および６，７は前記第
１図の対応する符号と同様の機能を有するが、前記介在
導体５が使用されない点に於て第１図に示すダイオード
とは異なる。
８は前記陰極外部導出導体のダイオード基板１側の主面
に設けられたニツケルメツキ層である。
に設けられたニツケルメツキ層である。
このニツケルメツキ層８は前記陰極外部導出導体７に加
えられる前記圧力によりダイオード基板１のアルミニユ
ウム電極４に押圧される。上記第１図、第２図に示す従
来の圧接形ダイオードをこの陰極および陽極の両方の外
部導出導体６，７に例えば２００ｋ９／ｄの圧力を加え
、かつ平均電流１５００Ａで接合温度が１５０℃になる
ような状態にして５０〜７００時間通電すると第１図に
示す圧接形ダイオードについては前記アルミニユウム電
極４と前記介在導体５とが、また第２図に示す圧接形ダ
イオードについては前記アルミニユウム電極４と前記ニ
ツケルメツキ層８とが各々部分的に接着することがあり
、この接着部分に生ずる局部応力によりダイオード基板
１にクラツク等が生じ耐圧劣化等の特性不良が生ずる。
えられる前記圧力によりダイオード基板１のアルミニユ
ウム電極４に押圧される。上記第１図、第２図に示す従
来の圧接形ダイオードをこの陰極および陽極の両方の外
部導出導体６，７に例えば２００ｋ９／ｄの圧力を加え
、かつ平均電流１５００Ａで接合温度が１５０℃になる
ような状態にして５０〜７００時間通電すると第１図に
示す圧接形ダイオードについては前記アルミニユウム電
極４と前記介在導体５とが、また第２図に示す圧接形ダ
イオードについては前記アルミニユウム電極４と前記ニ
ツケルメツキ層８とが各々部分的に接着することがあり
、この接着部分に生ずる局部応力によりダイオード基板
１にクラツク等が生じ耐圧劣化等の特性不良が生ずる。
このような接着現象は第１図の圧接形ダイオードについ
ては前記ダイオード基板１と介在導体５間、また第２図
の圧接形ダイオードについては前記ダイオード基板１と
陰極外部導出導体７間の各各の熱膨張係数の差によつて
、それらの金属の接触面が前記通電による温度サイクル
によう互にこすり合され二つの金属の原子が互に接近し
この状態で熱エネルギが与えられることにより起るもの
と考えられる。またモリブデン等の融点が１６００℃以
上の高融点金属とアルミニユウム等の融点が１６００℃
未満の低融点金属間またはニツケルとアルミニユウム等
いずれも融点が１６００℃未満の低融点金属間では溶着
温度が低融点金属側に引張られ、互に低温度で接着が起
クやすいことが確かめられているので、これも接着現象
の１つの原因と考えられている。さらにこのような接着
現象は上述の金属の組合せの他にモリブデン等の前記高
融点金属とこれらの金属よりも融点の低いチタン、ニツ
ケル、クロム、鉛、銀、白金シリサイド等の半導体基板
の表面電極用金属との間でも発生しうることがわかつて
いる。
ては前記ダイオード基板１と介在導体５間、また第２図
の圧接形ダイオードについては前記ダイオード基板１と
陰極外部導出導体７間の各各の熱膨張係数の差によつて
、それらの金属の接触面が前記通電による温度サイクル
によう互にこすり合され二つの金属の原子が互に接近し
この状態で熱エネルギが与えられることにより起るもの
と考えられる。またモリブデン等の融点が１６００℃以
上の高融点金属とアルミニユウム等の融点が１６００℃
未満の低融点金属間またはニツケルとアルミニユウム等
いずれも融点が１６００℃未満の低融点金属間では溶着
温度が低融点金属側に引張られ、互に低温度で接着が起
クやすいことが確かめられているので、これも接着現象
の１つの原因と考えられている。さらにこのような接着
現象は上述の金属の組合せの他にモリブデン等の前記高
融点金属とこれらの金属よりも融点の低いチタン、ニツ
ケル、クロム、鉛、銀、白金シリサイド等の半導体基板
の表面電極用金属との間でも発生しうることがわかつて
いる。
このような接着現象はダイオード基板１の面積が大きく
なる程、一様な圧接接触が困難となるため起ジやすく、
アルミニユウム電極４の圧接接触面面積が約３０ｄ以上
になるとこの傾向は顕著になる。またこのようなダイオ
ード基板１の大口径化にともないダイオード基板１中で
の少数キヤリアの寿命の面分布も一様にすることが困難
となジ、上記接着現象の原因となる。さらにこの・よう
な接着現象は圧接圧力にも影響され１００ｋｇγ未満の
低い圧接圧力では一様な圧接が困難となり発生しやすい
。この発明は上記従来の圧接形半導体装置の欠点を取除
くためになされたものであ９、通電動作時に接着現象を
生じない圧接形半導体装置を提供するものである。
なる程、一様な圧接接触が困難となるため起ジやすく、
アルミニユウム電極４の圧接接触面面積が約３０ｄ以上
になるとこの傾向は顕著になる。またこのようなダイオ
ード基板１の大口径化にともないダイオード基板１中で
の少数キヤリアの寿命の面分布も一様にすることが困難
となジ、上記接着現象の原因となる。さらにこの・よう
な接着現象は圧接圧力にも影響され１００ｋｇγ未満の
低い圧接圧力では一様な圧接が困難となり発生しやすい
。この発明は上記従来の圧接形半導体装置の欠点を取除
くためになされたものであ９、通電動作時に接着現象を
生じない圧接形半導体装置を提供するものである。
第３図はこの発明の一実施例になる圧接形ダイオードの
断面図である。
断面図である。
図中第１図と同一符号は相当部分を示すものであジ説明
は省略する。図に於て９は介在導体５が圧接されるアル
ミニユウム電極４の表面にモリブデン、タングステン、
バナジユウム、口ジニウム、イリジユウム、ニオブ、オ
スミユウム、ハフニウム等の融点が１６００℃以上の高
融点金属またはこれらの金属の一つを少なくとも含む合
金をスパツタ法によジ被着してなる厚さが０．５〜２μ
ｍの金属層である。この場合介在導体５の金属層９に圧
接される側の主面の表面粗さを０．５μｍ未満にしなけ
ればならない。また上記複数の高融点金属のうちその入
手の容易性や価格の観点より通常モリブデンまたはタン
グステンが使用される。上記一実施例によれば介在導体
５が圧接されるアルミニユウム電極４の表面には−Ｅ記
高融点金属で形成された金属層９を有するので前述のよ
うに陰極卦よび陽極の両方の外部導出導体６，７に例え
ば２００ｋｇ／ｄの押圧力を加え、かつ平均電流１５０
０Ａで接合温度が１５０℃になるような状態にして１０
００時間通電しても、前記ダイオード基板１と陰極外部
導出導体７間でこれらの熱膨張係数の差によつて金属層
９と介在導体５はこすり合されて鏡面になるが両方の金
属が共に上記高融点金属で形成されるためこれらが接着
することはなく。
は省略する。図に於て９は介在導体５が圧接されるアル
ミニユウム電極４の表面にモリブデン、タングステン、
バナジユウム、口ジニウム、イリジユウム、ニオブ、オ
スミユウム、ハフニウム等の融点が１６００℃以上の高
融点金属またはこれらの金属の一つを少なくとも含む合
金をスパツタ法によジ被着してなる厚さが０．５〜２μ
ｍの金属層である。この場合介在導体５の金属層９に圧
接される側の主面の表面粗さを０．５μｍ未満にしなけ
ればならない。また上記複数の高融点金属のうちその入
手の容易性や価格の観点より通常モリブデンまたはタン
グステンが使用される。上記一実施例によれば介在導体
５が圧接されるアルミニユウム電極４の表面には−Ｅ記
高融点金属で形成された金属層９を有するので前述のよ
うに陰極卦よび陽極の両方の外部導出導体６，７に例え
ば２００ｋｇ／ｄの押圧力を加え、かつ平均電流１５０
０Ａで接合温度が１５０℃になるような状態にして１０
００時間通電しても、前記ダイオード基板１と陰極外部
導出導体７間でこれらの熱膨張係数の差によつて金属層
９と介在導体５はこすり合されて鏡面になるが両方の金
属が共に上記高融点金属で形成されるためこれらが接着
することはなく。
したが゛つて前記従来の圧接形タイオートのように耐圧
不良等が発生することもなかつた。なお上記介在導体５
の表面粗さを０．５μｍ未満に形成するのは、この介在
導体５が圧接される上記金属層９にモリブデン等の高融
点でかつ蒸気圧が高くない金属を用いるため、厚く形成
することができず、このためもし上記介在導体５の圧接
面の表面粗さが０．５μｍを越えるものであれば、介在
導体５の表面部分が前記金属層９をつき破９直接的にア
ルミニユウム電極４と接触し上記効果を生じなくなるか
らである。上記説明では圧接圧力の２００１＜９／Ｃｄ
の圧接形ダイオードについて述べたが、これよね低い６
０ｋ１論〜９９ｋｇｊの圧接圧力の圧接形ダイオードに
この発明を応用した場合も前記効果と同様の効果を有す
る。
不良等が発生することもなかつた。なお上記介在導体５
の表面粗さを０．５μｍ未満に形成するのは、この介在
導体５が圧接される上記金属層９にモリブデン等の高融
点でかつ蒸気圧が高くない金属を用いるため、厚く形成
することができず、このためもし上記介在導体５の圧接
面の表面粗さが０．５μｍを越えるものであれば、介在
導体５の表面部分が前記金属層９をつき破９直接的にア
ルミニユウム電極４と接触し上記効果を生じなくなるか
らである。上記説明では圧接圧力の２００１＜９／Ｃｄ
の圧接形ダイオードについて述べたが、これよね低い６
０ｋ１論〜９９ｋｇｊの圧接圧力の圧接形ダイオードに
この発明を応用した場合も前記効果と同様の効果を有す
る。
また金属層９の圧接面面積が３０ｄ以上の人口径ダイオ
ード基板１を有する圧接形ダイオードでも上記同様の効
果を有する。第４図はこの発明の他の実施例になる圧接
形ダイオードの断面図であ９、１０は第３図に示す一実
施例のアルミニユウム電極４と金属層９からなる二層の
電極に代え、それ自体がオーム性接触の形成が可能なチ
タン、ニツケル、アルミニユウム、白金シリサイド等の
金属と、前記モリブデン、タングステン、バナジユウム
、口ジニウム、イリジユウム、ニオブ、オスミユウム、
ハフニユウム等の融点が１６００′Ｃ以上の高融点金属
から成る例えばモリブデン・チタン、バナジユウム・チ
タン、バナジユウムニツケル、タングステン・チタン等
の合金をスパツタ法等で直梓的にダイオード基板１の陰
極側主面１ｂ上に形成して成る合金電極である。
ード基板１を有する圧接形ダイオードでも上記同様の効
果を有する。第４図はこの発明の他の実施例になる圧接
形ダイオードの断面図であ９、１０は第３図に示す一実
施例のアルミニユウム電極４と金属層９からなる二層の
電極に代え、それ自体がオーム性接触の形成が可能なチ
タン、ニツケル、アルミニユウム、白金シリサイド等の
金属と、前記モリブデン、タングステン、バナジユウム
、口ジニウム、イリジユウム、ニオブ、オスミユウム、
ハフニユウム等の融点が１６００′Ｃ以上の高融点金属
から成る例えばモリブデン・チタン、バナジユウム・チ
タン、バナジユウムニツケル、タングステン・チタン等
の合金をスパツタ法等で直梓的にダイオード基板１の陰
極側主面１ｂ上に形成して成る合金電極である。
上記オーム性接触の形成が可能な金属と上記高融点金属
から成る合金電極１０はそれぞれの金属の特性を兼ね備
えているので、このような他の実施例も上記一実施例と
同様の効果を有する。第５図はこの発明の他の実施例に
なる圧接形ダイオードの断面図である。図中第２図と同
一符号は相当部分を示すものであり説明は省略する。図
に於て９ａはアルミニユウム電極４の表面にモリブデン
、タングステン、バナジユウム、口ジニウム、イリジユ
ウム、ニオブ、オスミユウム、ハフニユウム等の融点１
６００℃以上の高融点金属またはこれらの金属の一つを
少なくとも含む合金をスパツタ法により被着してなる厚
さが０．５〜２μｍの第１の金属層、９ｂは前記陰極外
部導出導体１７のダイオード基板１側の主面に前記第２
図に示すニツケルメツキ層８に代え形成された第２の金
属層であり、前記第１の金属層９ａと同様の金属から選
ばれる。第２の金属層９ｂの表面粗さも前記第３図のも
のと同様の理由により０．５ｓｎ未満にしなければなら
ない。また上記複数の高融点金属のうちその入手の容易
性や価格の観点よ）通常モリブデンまたはタングステン
が使用される。上記他の実施例によれば互に圧接される
アルミニユウム電極４と陰極外部導出導体７の各々の表
面に第１、第２の金属層９ａ，９ｂを形成したので、前
述のように陰極および陽極の両方の外部導出導体６，７
問に互に逆方向に例えば２００ｋ９／Ｃ７ｉｌの圧力を
加えかつ平均電流１５００Ａで接合温度が１５０℃にな
るような状態にして１０００時間通電しても、前記ダイ
オード基板１と陰極外部導出導体７間でこれらの熱膨張
係数の差によつて第１、第２の金属層９ａ，９ｂが互に
こすジ合されて鏡面になるがこの両方の金属層９ａ，９
ｂが共に融点が１６００℃以上の高融点金属で形成され
ているため、これらが接着することはなく、したがつて
前記一実施例と同様の効果を有する。第６図はこの発明
の他の実施例になる圧接形ダイオードの断面図であり、
１０は第５図に示す他の実施例のアルミニユウム電極４
と第１の金属層９ａからなる二層の電極に代え、それ自
体がオーム性接触の形成が可能なニツケルチタン、アル
ミニユウム、白金シリサイド等の金属と、前記モリブデ
ン、タングステン、バナジユウム、ロジユウム、イリジ
ユウム、ニオブ、オスミユウム、ハフニユウム等の高融
点が１６００℃以上の高融点金属から成る例えばモリブ
デン・チタン、バナジユウム・チタン、バナジユウム・
ニツケル、タングステン・チタン等の合金をスパツタ法
等で直接的にダイオード基板１の陰極側主面１ｂに形成
して成る合金電極である。上記オーム性接触の形成が可
能な金属と上記高融点金属から成る合金はそれぞれの金
属の特性を兼ね備えているので、このような他の実施例
も前記一実施例と同様の効果を有する。なお上記説明で
は圧接形ダイオードについて述べたが、この発明はこれ
に限定されるものではなく例えば圧接形サイリスタ、圧
接形トランジスタ等の電力用圧接形半導体装置全般に適
用できる。
から成る合金電極１０はそれぞれの金属の特性を兼ね備
えているので、このような他の実施例も上記一実施例と
同様の効果を有する。第５図はこの発明の他の実施例に
なる圧接形ダイオードの断面図である。図中第２図と同
一符号は相当部分を示すものであり説明は省略する。図
に於て９ａはアルミニユウム電極４の表面にモリブデン
、タングステン、バナジユウム、口ジニウム、イリジユ
ウム、ニオブ、オスミユウム、ハフニユウム等の融点１
６００℃以上の高融点金属またはこれらの金属の一つを
少なくとも含む合金をスパツタ法により被着してなる厚
さが０．５〜２μｍの第１の金属層、９ｂは前記陰極外
部導出導体１７のダイオード基板１側の主面に前記第２
図に示すニツケルメツキ層８に代え形成された第２の金
属層であり、前記第１の金属層９ａと同様の金属から選
ばれる。第２の金属層９ｂの表面粗さも前記第３図のも
のと同様の理由により０．５ｓｎ未満にしなければなら
ない。また上記複数の高融点金属のうちその入手の容易
性や価格の観点よ）通常モリブデンまたはタングステン
が使用される。上記他の実施例によれば互に圧接される
アルミニユウム電極４と陰極外部導出導体７の各々の表
面に第１、第２の金属層９ａ，９ｂを形成したので、前
述のように陰極および陽極の両方の外部導出導体６，７
問に互に逆方向に例えば２００ｋ９／Ｃ７ｉｌの圧力を
加えかつ平均電流１５００Ａで接合温度が１５０℃にな
るような状態にして１０００時間通電しても、前記ダイ
オード基板１と陰極外部導出導体７間でこれらの熱膨張
係数の差によつて第１、第２の金属層９ａ，９ｂが互に
こすジ合されて鏡面になるがこの両方の金属層９ａ，９
ｂが共に融点が１６００℃以上の高融点金属で形成され
ているため、これらが接着することはなく、したがつて
前記一実施例と同様の効果を有する。第６図はこの発明
の他の実施例になる圧接形ダイオードの断面図であり、
１０は第５図に示す他の実施例のアルミニユウム電極４
と第１の金属層９ａからなる二層の電極に代え、それ自
体がオーム性接触の形成が可能なニツケルチタン、アル
ミニユウム、白金シリサイド等の金属と、前記モリブデ
ン、タングステン、バナジユウム、ロジユウム、イリジ
ユウム、ニオブ、オスミユウム、ハフニユウム等の高融
点が１６００℃以上の高融点金属から成る例えばモリブ
デン・チタン、バナジユウム・チタン、バナジユウム・
ニツケル、タングステン・チタン等の合金をスパツタ法
等で直接的にダイオード基板１の陰極側主面１ｂに形成
して成る合金電極である。上記オーム性接触の形成が可
能な金属と上記高融点金属から成る合金はそれぞれの金
属の特性を兼ね備えているので、このような他の実施例
も前記一実施例と同様の効果を有する。なお上記説明で
は圧接形ダイオードについて述べたが、この発明はこれ
に限定されるものではなく例えば圧接形サイリスタ、圧
接形トランジスタ等の電力用圧接形半導体装置全般に適
用できる。
以上のようにこの発明は圧接形半導体装置に於て、半導
体基板の主面に被着された電極の少なくとも表面とこの
電極に圧接される金属層とを高融点金属またはこの金属
を含む合金で形成したものであるので、通電動作時に前
記電極と前記金属層の接着現象が発生せず、したがつて
この接着現象による耐圧劣化等が生じないという優れた
効果を有する。
体基板の主面に被着された電極の少なくとも表面とこの
電極に圧接される金属層とを高融点金属またはこの金属
を含む合金で形成したものであるので、通電動作時に前
記電極と前記金属層の接着現象が発生せず、したがつて
この接着現象による耐圧劣化等が生じないという優れた
効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は従来の圧接形ダイオードを示す断面図
、第３図はこの発明の一実施例になる圧接形ダイオード
を示す断面図、第４図〜第６図はこの発明の他の実施例
になる圧接形ダイオードを示す断面図である。 図中同一符号は相当部分を示すものである。１はダイオ
ード基板、４はアルミニ１ウム電極、５は介在導体、９
は金属層、９ａは第１の金属層、９ｂは第２の金属層、
１０は合金電極。
、第３図はこの発明の一実施例になる圧接形ダイオード
を示す断面図、第４図〜第６図はこの発明の他の実施例
になる圧接形ダイオードを示す断面図である。 図中同一符号は相当部分を示すものである。１はダイオ
ード基板、４はアルミニ１ウム電極、５は介在導体、９
は金属層、９ａは第１の金属層、９ｂは第２の金属層、
１０は合金電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板と、この半導体基板の主面に被着された
電極と、この電極に圧接される外部導出導体と、この外
部導出導体と前記電極との間に介在する金属層とを備え
たものにおいて、前記電極の少なくとも表面と前記金属
層とを高融点金属またはこの金属を含む合金で形成した
ことを特徴とする圧接形半導体装置。 ２ 高融点金属はモリブデン、タングステン、バナジユ
ウム、ロジユウム、イリジユウム、ニオブ、オスミユウ
ムまたはハフニユウムであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の圧接形半導体装置。 ３ 金属層は電極とこの電極を押圧する外部導出導体と
で挾持される介在導体であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の圧接形半導体装置。 ４ 金属層は電極を押圧する外部導出導体の電極側の主
面に形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の圧接形半導体装置。 ５ 電極は半導体基板の主面にアルミニウム、ニッケル
、チタン、白金シリサイド等の金属で形成されたオーム
性接触層とこのオーム性接触層上にモリブデン、タング
ステン、バナジユウム、ロジユウム、イリジユウム、ニ
オブ、オスミユウム、ハフニユウム等の金属またはこの
金属を含む合金で形成された表面層から成ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の圧接形半導体装置。 ６ 電極はモリブデン、タングステン、バナジユウム、
ロジユウム、イリジユウム、ニオブ、オスミユウム、ハ
フニユウム等の金属とチタン、ニッケル、アルミニウム
、白金シリサイド等の半導体基板とオーム性接触が可能
な金属との合金で形成されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の圧接形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP589279A JPS5936822B2 (ja) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | 圧接形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP589279A JPS5936822B2 (ja) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | 圧接形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5598835A JPS5598835A (en) | 1980-07-28 |
| JPS5936822B2 true JPS5936822B2 (ja) | 1984-09-06 |
Family
ID=11623540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP589279A Expired JPS5936822B2 (ja) | 1979-01-19 | 1979-01-19 | 圧接形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936822B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180137A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Hitachi Ltd | Semicondudtor device |
| JPS60145657A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPS61105849A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1979
- 1979-01-19 JP JP589279A patent/JPS5936822B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5598835A (en) | 1980-07-28 |
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