JP2847954B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2847954B2 JP2847954B2 JP2300886A JP30088690A JP2847954B2 JP 2847954 B2 JP2847954 B2 JP 2847954B2 JP 2300886 A JP2300886 A JP 2300886A JP 30088690 A JP30088690 A JP 30088690A JP 2847954 B2 JP2847954 B2 JP 2847954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- wiring pattern
- substrate
- flexible substrate
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造方法に関しては、第２図
（ａ）に示されるような方法が知られていた。第２図に
おいて、６の半導体素子の能動面上に形成された電極４
上に形成された金属突起３は、それに相対するように１
の基板上に形成された配線パターン２との間に電気的接
続を発現させるときに、７の半導体素子加圧用治具によ
って加圧を行い、絶縁樹脂５を金属突起３と配線パター
ン２との間から排除し、絶縁樹脂５の硬化メカニズムに
従った方法のエネルギーを加え、半導体素子と基板の電
気的接続を保ったまま、保持させる。次いで、第２図
（ｂ）に示すように、外部装置との接続部材である。可
撓性基板９上に、配線パターン２に少なくとも一部が相
対するように形成されている導体パターン８を、絶縁樹
脂５を用いて、配線パターン２との電気的導通を保ちな
がら基板１との保持をさせる。そのために、10の可撓性
基板加圧用治具によって、可撓性基板９と基板１の加圧
を行い、絶縁樹脂５を導体パターン８と、配線パターン
２との間から排除し絶縁樹脂５の硬化メカニズムに従っ
た方法のエネルギーを加えるという計２回の加圧操作が
必要となっていた。
（ａ）に示されるような方法が知られていた。第２図に
おいて、６の半導体素子の能動面上に形成された電極４
上に形成された金属突起３は、それに相対するように１
の基板上に形成された配線パターン２との間に電気的接
続を発現させるときに、７の半導体素子加圧用治具によ
って加圧を行い、絶縁樹脂５を金属突起３と配線パター
ン２との間から排除し、絶縁樹脂５の硬化メカニズムに
従った方法のエネルギーを加え、半導体素子と基板の電
気的接続を保ったまま、保持させる。次いで、第２図
（ｂ）に示すように、外部装置との接続部材である。可
撓性基板９上に、配線パターン２に少なくとも一部が相
対するように形成されている導体パターン８を、絶縁樹
脂５を用いて、配線パターン２との電気的導通を保ちな
がら基板１との保持をさせる。そのために、10の可撓性
基板加圧用治具によって、可撓性基板９と基板１の加圧
を行い、絶縁樹脂５を導体パターン８と、配線パターン
２との間から排除し絶縁樹脂５の硬化メカニズムに従っ
た方法のエネルギーを加えるという計２回の加圧操作が
必要となっていた。
しかし、従来の方法では、計２回の加圧操作が必要で
あるために、半導体装置の生産効率を上げることは不可
能であるという問題点を有していた。
あるために、半導体装置の生産効率を上げることは不可
能であるという問題点を有していた。
そこで、本発明の半導体装置の製造方法では、半導体
装置の加圧操作に関する生産効率を向上させる方法を提
供することを目的とする。
装置の加圧操作に関する生産効率を向上させる方法を提
供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置の製造
方法は、基板上に形成された配線パターンと半導体素子
の能動素子形成面上に形成された電極とを電気的に接続
するとともに、可撓性を有する基板に形成された導体パ
ターンと前記配線パターンとを電気的に接続する半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子と前記可撓性
を有する基板とを同時に加圧することによって、前記配
線パターンと前記電極、及び前記配線パターンと前記導
体パターンとを電気的接続することを特徴とする。
方法は、基板上に形成された配線パターンと半導体素子
の能動素子形成面上に形成された電極とを電気的に接続
するとともに、可撓性を有する基板に形成された導体パ
ターンと前記配線パターンとを電気的に接続する半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子と前記可撓性
を有する基板とを同時に加圧することによって、前記配
線パターンと前記電極、及び前記配線パターンと前記導
体パターンとを電気的接続することを特徴とする。
本発明では、半導体素子と基板を加圧するのと同時
に、可撓性基板と基板を加圧するようにしたので、半導
体素子と基板を加圧した後に、可撓性基板を加圧する２
段階の方法と比較して、加圧に要する時間が少なくて済
み、生産性が向上する。
に、可撓性基板と基板を加圧するようにしたので、半導
体素子と基板を加圧した後に、可撓性基板を加圧する２
段階の方法と比較して、加圧に要する時間が少なくて済
み、生産性が向上する。
以下に、本発明の実施例を、図を用いて詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明による半導体装置の製造方法を示し
た断面図である。第１図において、１は基板であり、少
なくとも表面が絶縁物で形成されており、ガラス、セラ
ミクス、ホウロウ、ガラスエポキシ等であることが多
い。その上に、２の配線パターンが形成されている。配
線パターンは、金、銀、クロム、ニッケル等の金属か、
ITO等の金属酸化物を蒸着、スパッタ、メッキ等で形成
し、フォト〜エッチング工程で目的のパターンにパター
ニングされることが多い。６は半導体素子であり、能動
面は基板の配線パターン形成面と対向して載置されてい
る。半導体素子６の能動素子形成面上には、Ti−Pd、Cr
等で蒸着、スパッタ等の手法を用いて電極４が形成さ
れ、その上にAu、ハンダ等の金属突起３が電気メッキ、
リフロー等で形成されている。１の基板上に形成されて
いる配線パターン２は、３の金属突起に１部が相対する
ように形成されており、３の金属突起によって、半導体
素子６上の電極４と、基板１の上の配線パターン２と電
気的な接続が得られている。また、９の可撓性基板は、
ポリイミド、ポリエステル等で形成され、その上にCu等
で導体パターン８が形成されている。導体パターン８
は、配線パターン２の１部とは相対するように形成され
ており、導体体素子６上の電極４と外部との電気的接続
のために用いられている。５は、絶縁樹脂であって、加
熱あるいは、光等の外部エネルギーによって硬化あるい
は接着力を発現するメカニズムを持っており、半導体素
子６上の金属突起３と基板１上の配線パターン２、およ
び、可撓性基板９上の導体パターン８と配線パターン２
とを、12の一括加圧用治具で加圧することによって、各
々の間に存在する絶縁樹脂５を押しのけ、電気的な導通
がはかられた時に、前述の外部エネルギーを加え、絶縁
樹脂５を硬化又は接着させることで電気的接続と、機械
的接続を同時に保持させ続ける。このように、一括加圧
用治具を用いることで、半導体素子と基板、可撓性基板
と基板同時に、導通、接続保持をはかることができる。
一括加圧治具は、複数の半導体素子、可撓性基板を加圧
できるようになっていてもかまわない。さらに、半導体
素子６の厚さのバラツキ、３の金属突起の高さのバラツ
キ、可撓性基板９の厚さのバラツキ、一括加圧治具12の
平坦度のバラツキ等を吸収するために、半導体素子６、
可撓性基板９と、一括加圧治具12の間にテフロンシート
11を載置しても良い。テフロンシートに限らず、ポリイ
ミドのミート、シリコンゴムシートでもかまわない。
た断面図である。第１図において、１は基板であり、少
なくとも表面が絶縁物で形成されており、ガラス、セラ
ミクス、ホウロウ、ガラスエポキシ等であることが多
い。その上に、２の配線パターンが形成されている。配
線パターンは、金、銀、クロム、ニッケル等の金属か、
ITO等の金属酸化物を蒸着、スパッタ、メッキ等で形成
し、フォト〜エッチング工程で目的のパターンにパター
ニングされることが多い。６は半導体素子であり、能動
面は基板の配線パターン形成面と対向して載置されてい
る。半導体素子６の能動素子形成面上には、Ti−Pd、Cr
等で蒸着、スパッタ等の手法を用いて電極４が形成さ
れ、その上にAu、ハンダ等の金属突起３が電気メッキ、
リフロー等で形成されている。１の基板上に形成されて
いる配線パターン２は、３の金属突起に１部が相対する
ように形成されており、３の金属突起によって、半導体
素子６上の電極４と、基板１の上の配線パターン２と電
気的な接続が得られている。また、９の可撓性基板は、
ポリイミド、ポリエステル等で形成され、その上にCu等
で導体パターン８が形成されている。導体パターン８
は、配線パターン２の１部とは相対するように形成され
ており、導体体素子６上の電極４と外部との電気的接続
のために用いられている。５は、絶縁樹脂であって、加
熱あるいは、光等の外部エネルギーによって硬化あるい
は接着力を発現するメカニズムを持っており、半導体素
子６上の金属突起３と基板１上の配線パターン２、およ
び、可撓性基板９上の導体パターン８と配線パターン２
とを、12の一括加圧用治具で加圧することによって、各
々の間に存在する絶縁樹脂５を押しのけ、電気的な導通
がはかられた時に、前述の外部エネルギーを加え、絶縁
樹脂５を硬化又は接着させることで電気的接続と、機械
的接続を同時に保持させ続ける。このように、一括加圧
用治具を用いることで、半導体素子と基板、可撓性基板
と基板同時に、導通、接続保持をはかることができる。
一括加圧治具は、複数の半導体素子、可撓性基板を加圧
できるようになっていてもかまわない。さらに、半導体
素子６の厚さのバラツキ、３の金属突起の高さのバラツ
キ、可撓性基板９の厚さのバラツキ、一括加圧治具12の
平坦度のバラツキ等を吸収するために、半導体素子６、
可撓性基板９と、一括加圧治具12の間にテフロンシート
11を載置しても良い。テフロンシートに限らず、ポリイ
ミドのミート、シリコンゴムシートでもかまわない。
一括加圧用治具は、第２図に示すように、半導体素子
と可撓性基板との段差を含むような一体物でも良いし各
々を同時に加圧できるようなシリンダ等を用いて、二体
の加圧治具としても良い。材質としては、ステンレス、
CBN、SiN等の金属やセラミクスであることが多い。５の
絶縁樹脂の硬化又は接着に熱エネルギーを要する場合等
は、一括加圧用治具の中にヒーターのような発熱源を入
れ、加圧と同時に加熱用として用いても良い。前述の方
式によらず、例えば、金属突起がハンダ、配線パターン
がニッケル等で形成され、金属共晶で電気的、機械的保
持を行う場合でも、前述の手順と同様でかまわない。ま
た、絶縁樹脂中に導電性を有する物質を存在させ、さら
に接続信頼性を向上させる場合や、導電性を有する物質
を金属突起のかわりに存在させる場合も、手順は同様で
ある。
と可撓性基板との段差を含むような一体物でも良いし各
々を同時に加圧できるようなシリンダ等を用いて、二体
の加圧治具としても良い。材質としては、ステンレス、
CBN、SiN等の金属やセラミクスであることが多い。５の
絶縁樹脂の硬化又は接着に熱エネルギーを要する場合等
は、一括加圧用治具の中にヒーターのような発熱源を入
れ、加圧と同時に加熱用として用いても良い。前述の方
式によらず、例えば、金属突起がハンダ、配線パターン
がニッケル等で形成され、金属共晶で電気的、機械的保
持を行う場合でも、前述の手順と同様でかまわない。ま
た、絶縁樹脂中に導電性を有する物質を存在させ、さら
に接続信頼性を向上させる場合や、導電性を有する物質
を金属突起のかわりに存在させる場合も、手順は同様で
ある。
以上、説明したように本発明の半導体装置の製造方法
では、半導体素子、可撓性基板と基板を同時に加圧する
方法としたので、加圧に要する装置、治具が１組で済む
ため、その投資が少くて済むという効果を有する。さら
に、加圧回数も少なくて済むので、半導体装置の生産効
率が向上するという大きな効果も有する。
では、半導体素子、可撓性基板と基板を同時に加圧する
方法としたので、加圧に要する装置、治具が１組で済む
ため、その投資が少くて済むという効果を有する。さら
に、加圧回数も少なくて済むので、半導体装置の生産効
率が向上するという大きな効果も有する。
第１図は本発明による半導体装置の製造方法を示す断面
図であり、第２図は従来の半導体装置の製造方法を示す
断面図である。 １……基板 ２……配線パターン ３……金属突起 ４……電極 ５……絶縁樹脂 ６……半導体素子 ７……半導体素子加圧用治具 ８……導体パターン ９……可撓性基板 10……可撓性基板加圧用治具 11……テフロンシート 12……一括加圧用治具
図であり、第２図は従来の半導体装置の製造方法を示す
断面図である。 １……基板 ２……配線パターン ３……金属突起 ４……電極 ５……絶縁樹脂 ６……半導体素子 ７……半導体素子加圧用治具 ８……導体パターン ９……可撓性基板 10……可撓性基板加圧用治具 11……テフロンシート 12……一括加圧用治具
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成された配線パターンと半導体
素子の能動素子形成面上に形成された電極とを電気的に
接続するとともに、可撓性を有する基板に形成された導
体パターンと前記配線パターンとを電気的に接続する半
導体装置の製造方法において、 前記半導体素子と前記可撓性を有する基板とを同時に加
圧することによって、前記配線パターンと前記電極、及
び前記配線パターンと前記導体パターンとを電気的接続
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300886A JP2847954B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300886A JP2847954B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171950A JPH04171950A (ja) | 1992-06-19 |
| JP2847954B2 true JP2847954B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=17890306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2300886A Expired - Fee Related JP2847954B2 (ja) | 1990-11-06 | 1990-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2847954B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3835556B2 (ja) | 2003-10-27 | 2006-10-18 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
| CN102941727B (zh) * | 2012-11-16 | 2015-04-15 | 昆山市力格自动化设备有限公司 | 料带覆膜机构 |
-
1990
- 1990-11-06 JP JP2300886A patent/JP2847954B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04171950A (ja) | 1992-06-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3501832A (en) | Method of making electrical wiring and wiring connections for electrical components | |
| GB2090071A (en) | Bonding with a conductive adhesive | |
| JP2903697B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| JP2847954B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001308146A (ja) | チップキャリアに半導体チップを取り付けるための装置 | |
| JPH02285650A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02155257A (ja) | 半導体実装装置 | |
| JPH0671026B2 (ja) | 半導体実装方法 | |
| JPH01160029A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62132331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0521522A (ja) | 半導体チツプ実装方法 | |
| JPH034546A (ja) | 半導体実装装置 | |
| JPS62244143A (ja) | 半導体素子の電気的接続方法 | |
| JPH0519306B2 (ja) | ||
| JPH03228339A (ja) | ボンディングツール | |
| JPH04171954A (ja) | 半導体素子の剥離方法 | |
| JPS63227029A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10112474A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、接点の形成方法、および電子装置の製造方法 | |
| JPH06224258A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2523641B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3706519B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JPS61212030A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61198738A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63237427A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JPS63293840A (ja) | 実装体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071106 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091106 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |