JP2017183377A - 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 - Google Patents

量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 Download PDF

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Abstract

【課題】光源の温度変化を抑制し、光源から出射される光の波長の変動を抑制することができる量子干渉装置および原子発振器を提供すること、また、この量子干渉装置を備える信頼性に優れた電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】本発明の量子干渉装置は、アルカリ金属原子が封入されている原子セルと、前記原子セル内の前記アルカリ金属原子を励起する光を出射する光源と、前記原子セルを透過した前記光を検出する光検出部と、少なくとも前記光源を収容する内部空間を有するパッケージと、前記パッケージの内面と前記光源との間に配置され、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上である反射部と、を有することを特徴とする。【選択図】図2

Description

本発明は、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体に関するものである。
従来から、例えば、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金属の原子のエネルギー遷移に基づいて発振する発振器が知られている。
このような発振器として、特許文献1には、VCSEL(垂直共振器面発光レーザー)、セルおよび光検出器と、これらを収容するパッケージと、を備えた原子時計が開示されている。また、特許文献1に係る原子時計は、VCSELの温度を一定に保つため、VCSELに熱エネルギーを提供するヒーターブロックと、VCSELを囲む等温ゲージとを有している。
また、特許文献2には、VCSEL、セル、フォトダイオードおよび加熱素子とを有するデバイスと、デバイスを囲む架橋フレームと、デバイスと架橋フレームとを接続するデザーと、を備えた原子時計システムが開示されている。この特許文献2に係る原子時計システムは、熱伝導によるVCSELの温度変化の低減を図るため、デザーを熱伝導性の低い材料で構成している。また、特許文献2に係る原子時計システムは、熱伝導や対流による熱損失を最小限にするため、デバイス、架橋フレームおよびデザーを真空デバイス内に収容している。
特許第5785380号公報 特許第4972550号公報
しかし、特許文献1に係る原子時計および特許文献2に係る原子時計システムでは、熱伝導または対流によるVCSELの温度変化の低減を図っているが、輻射によるVCSELの温度変化に関する対策が十分になされていない。そのため、このような従来の発振器では、VCSELの温度変化によって生じるレーザー光の波長の変動を抑制することができないという問題があった。
本発明の目的は、光源の温度変化を抑制し、光源から出射される光の波長の変動を抑制することができる量子干渉装置および原子発振器を提供すること、また、この量子干渉装置を備える信頼性に優れた電子機器および移動体を提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の本発明により実現することが可能である。
本発明の量子干渉装置は、アルカリ金属原子が封入されている原子セルと、
前記原子セル内の前記アルカリ金属原子を励起する光を出射する光源と、
前記原子セルを透過した前記光を検出する光検出部と、
少なくとも前記光源を収容する内部空間を有するパッケージと、
前記パッケージの内面と前記光源との間に配置され、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上である反射部と、を有することを特徴とする。
このような量子干渉装置によれば、パッケージと光源との間の輻射による熱の伝達を抑制することができる。そのため、光源の温度変化を抑制することができ、その結果、光源から出射される光の波長の変動を抑制することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記反射部は、前記光源の外表面に設けられていることが好ましい。
これにより、光源からパッケージに輻射熱が伝達されることを効果的に低減することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記反射部は、前記パッケージの内面に設けられていることが好ましい。
これにより、光源の輻射熱を反射部で効率よく反射させ、光源の熱がパッケージに逃げるのを低減することができる。そのため、光源の温度変化を効果的に抑制することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記反射部は、前記光源に対して前記光が出射される側に設けられていることが好ましい。
これにより、光源の光が出射される部分は、温度変化の影響を特に受けやすいので、光源の温度変化を抑制する効果をより顕著に発揮することができ、その結果、光の波長の変動をより効果的に抑制することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記光源を支持する支持部を有し、
前記反射部は、前記支持部に対して前記光源側に設けられていることが好ましい。
これにより、パッケージと光源との間の輻射による熱の伝達を効果的に低減することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記内部空間は、大気圧よりも減圧されていることが好ましい。
これにより、内部空間における対流によって、光源の温度が変化することを低減することができる。
本発明の量子干渉装置では、前記原子セルおよび前記光源を一括して前記パッケージに対して支持している支持部材を有し、
前記支持部材の熱伝導率は、0.1W・m−1・K−1以上40.0W・m−1・K−1以下であることが好ましい。
これにより、光源とパッケージとの間の支持部材を介した熱伝導を抑制することができ、よって、光源の温度が変化することをより低減することができる。
本発明の原子発振器は、本発明の量子干渉装置を備えることを特徴とする。
これにより、光源の温度変化を抑制し、光源から出射される光の波長の変動を抑制することができる原子発振器を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の量子干渉装置を備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
本発明の移動体は、本発明の量子干渉装置を備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する移動体を提供することができる。
本発明の第1実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器を示す概略構成図である。 図1に示す原子発振器の概略構成を示す断面図である。 図2に示すA−A線断面図である。 図2に示す原子セルおよび接続部材を説明するための図である。 本発明の第2実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器が有する原子セルユニットを示す模式的断面図である。 本発明の第3実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器の概略構成を示す断面図である。 本発明の第4実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器の概略構成を示す断面図である。 本発明の第5実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器の概略構成を示す断面図である。 GPS衛星を利用した測位システムに本発明の量子干渉装置を備えた原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。 本発明の量子干渉装置を備えた原子発振器を備える移動体(自動車)の構成を示す斜視図である。
以下、本発明の量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
1.原子発振器
まず、本発明の量子干渉装置の一種である原子発振器について説明する。なお、以下では、本発明の量子干渉装置を原子発振器に適用した例を説明するが、本発明の量子干渉装置は、これに限定されず、原子発振器の他、例えば、磁気センサー、量子メモリー等にも適用可能である。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器を示す概略構成図である。
図1に示す原子発振器1は、アルカリ金属原子に対して特定の異なる波長の2つの共鳴光を同時に照射したときに当該2つの共鳴光がアルカリ金属に吸収されずに透過する現象が生じる量子干渉効果(CPT:Coherent Population Trapping)を利用した原子発振器である。なお、この量子干渉効果による現象は、電磁誘起透明化(EIT:Electromagnetically Induced Transparency)現象とも言う。
この原子発振器1は、図1に示すように、量子干渉効果を生じさせるパッケージ部10と、パッケージ部10を制御する制御部6と、を有する。ここで、パッケージ部10は、原子セル21と、光源22と、光学部品231、232と、光検出部24と、ヒーター25と、温度センサー26と、コイル27と、を有する。また、制御部6は、光源制御部61と、温度制御部62と、磁場制御部63と、を有する。まず、以下、原子発振器1の概略を説明する。
この原子発振器1では、光源22が光LLを光軸aに沿って光学部品231、232を介して原子セル21に照射し、原子セル21を透過した光LLを光検出部24が検出する。
原子セル21は光透過性を有し、原子セル21内には、アルカリ金属(金属原子)が封入されている。アルカリ金属は、互いに異なる2つの基底準位と励起準位とからなる3準位系のエネルギー準位を有する。また、原子セル21内のアルカリ金属は、ヒーター25により加熱され、ガス状態となっている。また、原子セル21内のアルカリ金属は、コイル27から所望の方向の磁場が印加され、ゼーマン分裂している。
光源22から出射された光LLは、周波数の異なる2種の光を含んでいる。これら2種の光は、周波数差が原子セル21内のアルカリ金属の2つの基底準位間のエネルギー差に相当する周波数に一致する共鳴光対となったとき、EIT現象を生じさせる。
光源制御部61は、光検出部24の検出結果に基づいて、EIT現象を生じさせるように、前述した光源22から出射される光LLに含まれる2種の光の周波数を制御する。また、光源制御部61は、光検出部24の検出結果に応じて、発振周波数が制御される電圧制御型水晶発振器(図示せず)を備えている。そして、この電圧制御型水晶発振器(VCXO)の出力信号は、原子発振器1のクロック信号として出力される。
また、温度制御部62は、原子セル21の温度を検出する温度センサー26の検出結果に基づいて、原子セル21内が所望の温度となるように、ヒーター25への通電を制御する。また、磁場制御部63は、コイル27が発生する磁場が一定となるように、コイル27への通電を制御する。
このような制御部6は、例えば、パッケージ部10が実装される基板上に実装されたICチップに設けられている。なお、制御部6がパッケージ部10に設けられていてもよい。
以上、原子発振器1の概略を説明した。以下、パッケージ部10について詳述する。
以下、本実施形態の原子発振器1の各部の構成について説明する。
図2は、図1に示す原子発振器の概略構成を示す断面図である。図3は、図2に示すA−A線断面図である。図4は、図2に示す原子セルおよび接続部材を説明するための図である。
なお、図2〜図4では、説明の便宜上、互いに直交する3つの軸であるx軸、y軸およびz軸を矢印で図示しており、その各矢印の先端側を「+(プラス)」、基端側を「−(マイナス)」とする。また、以下では、x軸に平行な方向を「x軸方向」、y軸に平行な方向を「y軸方向」、z軸に平行な方向を「z軸方向」という。また、以下では、説明の便宜上、図2および図3中の上側を「上」、下側を「下」という。
図2および図3に示すように、原子発振器1は、前述したような量子干渉効果を生じさせる原子セルユニット2と、原子セルユニット2を収納するパッケージ3と、パッケージ3内に収納され、原子セルユニット2をパッケージ3に対して支持する支持部材5と、パッケージ3の内面に設けられた反射部711、712とを備えている。なお、パッケージ3の外側には、必要に応じて、磁気シールドが設けられていてもよい。以下、パッケージ部10の各部を順次説明する。
〈原子セルユニット〉
原子セルユニット2は、原子セル21と、光源22と、光学部品231、232と、光検出部24と、ヒーター25と、温度センサー26と、支持部としての基板28と、接続部材29と、を含み、これらがユニット化されている。具体的には、基板28の上面(一方の面)に、光源22、ヒーター25、温度センサー26および接続部材29が搭載されており、原子セル21および光学部品231、232が接続部材29に保持されているとともに、光検出部24が接続部材29に接着剤30を介して接合されている。
[原子セル]
図2および図3に示すように、原子セル21は、柱状の貫通孔214を有する胴体部211と、その貫通孔214の両側の開口を封鎖する1対の光透過部212、213と、を有する。これにより、ガス状のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金属が封入される内部空間Sが形成されている。なお、内部空間Sには、必要に応じて、アルゴン、ネオン等の希ガス、窒素等の不活性ガスが緩衝ガスとしてアルカリ金属ガスとともに封入されていてもよい。なお、貫通孔214の横断面(光軸aに対して垂直な方向での断面)、すなわち、内部空間Sの横断面形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、四角形等の多角形等が挙げられる。
原子セル21の各光透過部212、213は、光源22からの光LLに対する透過性を有している。一方の光透過部212は、原子セル21内へ入射する光LLが透過する「入射側光透過部」であり、他方の光透過部213は、原子セル21内から出射した光LLが透過する「出射側光透過部」である。
光透過部212、213を構成する材料としては、前述したような光LLに対する透過性を有していれば、特に限定されないが、例えば、ガラス材料、水晶等が挙げられる。また、胴体部211を構成する材料は、特に限定されず、シリコン材料、セラミックス材料、金属材料、樹脂材料等であってもよく、光透過部212、213と同様にガラス材料、水晶等であってもよい。
そして、各光透過部212、213は、胴体部211に対して気密的に接合されている。これにより、原子セル21の内部空間Sを気密空間とすることができる。原子セル21の胴体部211と光透過部212、213との接合方法としては、これらの構成材料に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、接着剤による接合方法、直接接合法、陽極接合法等を用いることができる。
[光源]
光源22は、原子セル21中のアルカリ金属原子を励起する光LLを出射する光源22を有する。光源22は、光LLを出射する発光部222が原子セル21側を向くように基板28によって支持されている。
光源22は、原子セル21中のアルカリ金属原子を励起し得る光LLを出射する機能を有する。この光源22としては、前述したような共鳴光対を含む光LLを出射し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、垂直共振器面発光レーザー(VCSEL)等の半導体レーザー等の発光素子を用いることが好ましい。
[光学部品]
複数の光学部品231、232は、それぞれ、前述した光源22と原子セル21との間における光LLの光路上に設けられている。本実施形態では、光源22側から原子セル21側へ、光学部品231、光学部品232がこの順に配置されている。
光学部品231は、減光フィルター(NDフィルター)である。これにより、原子セル21に入射する光LLの強度を調整(減少)させることができる。そのため、光源22の出力が大きい場合でも、原子セル21に入射する光LLを所望の光量とすることができる。
光学部品232は、1/4波長板である。これにより、光源22からの光LLを直線偏光から円偏光(右円偏光または左円偏光)に変換することができる。円偏光をした光LLを用いることにより、所望のEIT現象を発現する原子数を増大させ、所望のEIT信号の強度を大きくすることができる。その結果、原子発振器1の発振特性を向上させることができる。
また、本実施形態では、光源22と原子セル21との間には、波長板および減光フィルターの他に、レンズ、偏光板等の他の光学部品が配置されていてもよい。また、光源22からの励起光の強度によっては、光学部品231を省略することができる。また、光学部品231、232の並び順は、前述した順に限定されず、任意である。
[光検出部]
光検出部24は、原子セル21内を透過した光LLの強度を検出する機能を有する。この光検出部24は、接続部材29に対して、接着剤等を用いて接合されている。
光検出部24としては、上述したような光LLを検出し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、太陽電池、フォトダイオード等の光検出器(受光素子)を用いることができる。
[ヒーター]
ヒーター25は、通電により発熱する発熱抵抗体(加熱部)を有する。このヒーター25は、原子セル21の温度を調節する「温度調節手段(温度調節素子)」である。これにより、原子セルユニット2を所望の温度に維持し、原子発振器1の特性を優れたものとすることができる。
本実施形態では、前述したように、ヒーター25は、基板28上に設けられている。そして、ヒーター25からの熱は、基板28および接続部材29を介して、原子セル21に伝達される。これにより、原子セル21(より具体的には原子セル21中のアルカリ金属)が加熱され、原子セル21中のアルカリ金属を所望の濃度のガス状に維持することができる。
また、本実施形態では、ヒーター25からの熱は、基板28を介して光源22にも伝達される。これにより、光源22の温度制御を高精度に行うことができる。
このヒーター25は、原子セル21に対して離間している。これにより、ヒーター25への通電により生じた不要磁場が原子セル21内の金属原子に悪影響を与えるのを抑制することができる。
[温度センサー]
温度センサー26は、光源22、ヒーター25または原子セル21の温度を検出するものである。そして、この温度センサー26の検出結果に基づいて、前述したヒーター25の発熱量が制御される。これにより、原子セル21内のアルカリ金属原子を所望の温度に維持することができる。
本実施形態では、温度センサー26は、基板28上に設けられている。したがって、温度センサー26は、基板28を介して光源22またはヒーター25の温度を検出することとなる。あるいは、温度センサー26は、基板28および接続部材29を介して原子セル21の温度を検出することとなる。
なお、温度センサー26の設置位置は、これに限定されず、例えば、接続部材29上であってもよいし、ヒーター25上であってもよいし、原子セル21の外表面上であってもよい。
温度センサー26としては、特に限定されず、サーミスタ、熱電対等の公知の各種温度センサーを用いることができる。
[コイル]
図1に示すコイル27は、原子セル21内のアルカリ金属に磁場を印加する機能を有する。これにより、ゼーマン分裂により、原子セル21内のアルカリ金属原子の縮退している異なる複数のエネルギー準位間のギャップを拡げて、分解能を向上させることができる。その結果、原子発振器1の発振周波数の精度を高めることができる。
本実施形態では、コイル27は、ソレノイド型を構成するように原子セル21の外周に沿って巻回して設けられたコイルで構成されている。なお、コイル27は、ヘルムホルツ型を構成するように原子セル21を介して対向して設けられた1対のコイルで構成されていてもよい。
また、コイル27が発生する磁場は、直流磁場または交流磁場のいずれかの磁場であってもよいし、直流磁場と交流磁場とを重畳させた磁場であってもよい。
[接続部材]
図4に示すように、接続部材29は、原子セル21を挟んで設けられた1対の接続部材291、292で構成されている。図3に示すように、接続部材291、292は、光透過部212、213のそれぞれに接触している。また、接続部材291、292は、それぞれ、光LLの通過領域を避けるように形成されている。なお、接続部材291、292の形状は、少なくとも原子セル21、光源22および光検出部24の相対的な位置関係を固定し得るものであれば、図示のものに限定されない。また、接続部材291、292が一体化してもよいし、接続部材291、292がそれぞれ複数の部材で構成されていてもよい。
このように、接続部材29は、それぞれ、ヒーター25と各光透過部212、213とを熱的に接続している。これにより、ヒーター25からの熱を接続部材291、292による熱伝導により各光透過部212、213に伝達し、各光透過部212、213を加熱することができる。また、ヒーター25と原子セル21とを離間することができる。そのため、ヒーター25への通電により生じた不要磁場が原子セル21内のアルカリ金属原子に悪影響を与えるのを抑制することができる。また、ヒーター25の数を少なくすることができるため、例えば、ヒーター25への通電のための配線の数を少なくし、その結果、原子発振器1の小型化を図ることができる。
このような接続部材29の構成材料としては、熱伝導性に優れた材料、例えば、金属材料を用いることが好ましい。また、コイル27からの磁場を阻害しないよう、接続部材29の構成材料としては、非磁性の材料を用いることが好ましい。
[基板]
図2および図3に示すように、基板28は、前述した光源22、ヒーター25、温度センサー26および接続部材29等を支持する機能を有する。
また、基板28は、ヒーター25と接続部材29とを熱的に接続しており、ヒーター25からの熱を接続部材29へ伝達する機能を有する。これにより、ヒーター25が接続部材29に対して離間していても、ヒーター25からの熱を接続部材29へ伝達することができる。また、光源22が基板28に搭載されていることにより、基板28を介してヒーター25からの熱を光源22に伝達することができ、光源22の温度制御を高精度に行うことができる。
また、基板28は、光源22、ヒーター25、温度センサー26に電気的に接続される配線(図示せず)を有している。この配線は、基体31の上面に設けられた複数の内部端子(図示せず)に電気的に接続されている。
このような基板28の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、セラミックス材料、金属材料等が挙げられ、これらのうちの1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。なお、基板28を金属材料で構成した場合、基板28の表面には、基板28が有する配線の短絡防止等の目的で、必要に応じて、例えば、樹脂材料、金属酸化物、金属窒化物等で構成された絶縁層が設けられていてもよい。
また、後述するパッケージ3と同様、コイル27からの磁場を阻害しないよう、基板28の構成材料としては、非磁性の材料を用いることが好ましい。
なお、基板28は、接続部材29の形状、ヒーター25の設置位置等によっては、省略することができる。この場合、ヒーター25を接続部材29に接触させる位置に設置すればよい。
〈パッケージ〉
図2および図3に示すように、パッケージ3は、原子セルユニット2および支持部材5を収納する機能を有する。なお、パッケージ3内には、前述した部品以外の部品が収納されていてもよい。
このパッケージ3は、板状の基体31(ベース部)と、有底筒状の蓋体32(蓋部)と、を備え、蓋体32の開口が基体31により封鎖されている。これにより、原子セルユニット2および支持部材5を収納する内部空間S1が形成されている。ここで、蓋体32は、原子セルユニット2および支持部材5に対して離間している。すなわち、蓋体32と原子セルユニット2および支持部材5との間には、空間が設けられている。これにより、かかる空間が断熱層として機能し、原子セルユニット2とパッケージ3との間の熱干渉を低減することができる。
基体31は、支持部材5を介して原子セルユニット2を支持している。
また、基体31は、例えば配線基板であり、基体31の下面には、複数の端子34が設けられている。この複数の端子34は、図示しない配線を介して、基体31の上面に設けられた複数の内部端子(図示せず)に電気的に接続されている。
この基体31の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、樹脂材料、セラミックス材料等を用いることができるが、セラミック材料を用いることが好ましい。これにより、配線基板を構成する基体31を実現しながら、内部空間S1の気密性を優れたものとすることができる。
このような基体31には、蓋体32が接合されている。基体31と蓋体32との接合方法としては、特に限定されないが、例えば、ろう接、シーム溶接、エネルギー線溶接(レーザー溶接、電子線溶接等)等を用いることができる。なお、基体31と蓋体32との間には、これらを接合するための接合部材が介在していてもよい。
また、基体31と蓋体32とは気密的に接合されている。すなわち、内部空間S1は、気密空間であり、大気圧よりも減圧されている。特に、本実施形態では、内部空間S1は、真空である。これにより、内部空間S1における対流によって、原子セルユニット2、特に光源22の温度が変化することを低減することができる。また、ヒーター25の消費電力を小さくすることができる。
このような蓋体32の構成材料としては、特に限定されず、例えば、樹脂材料、セラミックス材料等を用いることができる。
〈支持部材〉
支持部材5は、パッケージ3内に収納されており、パッケージ3の基体31に対して原子セルユニット2を支持する機能を有する。
また、支持部材5は、原子セルユニット2とパッケージ3との間の熱の伝達を抑制する機能を有する。これにより、原子セルユニット2の各部、特に原子セル21や光源22と、パッケージ3との熱伝達を低減し、原子セル21や光源22とパッケージ3の外部との間の熱干渉を抑制することができる。そのため、原子セル21や光源22等の温度制御を高精度に行うことができる。
この支持部材5は、図3に示すように、基体31の上面側に立設された複数の脚部51と、複数の脚部51の上端部に接続され、厚さ方向に貫通した複数の孔を有する板状の連結部52と、連結部52の上面側に立設され、基板28に接続された複数の柱部53と、を有する。
このように構成された支持部材5では、原子セルユニット2からの熱が、柱部53、連結部52および脚部51をこの順に通って、基体31へ伝達される。これにより、支持部材5を介した原子セルユニット2から基体31への熱の伝達経路を長くすることができる。そのため、原子セルユニット2、特に原子セル21や光源22とパッケージ3との間の熱の伝達をより低減することができる。
また、支持部材5の構成材料としては、熱伝導性が比較的低く、かつ、支持部材5が原子セルユニット2を支持する剛性を確保し得る材料であれば、特に限定されないが、例えば、樹脂材料、セラミックス材料等の非金属を用いることが好ましく、樹脂材料を用いることがより好ましい。支持部材5を主として樹脂材料で構成した場合、支持部材5の熱抵抗を高くすることができ、また、支持部材5の形状が複雑であっても、例えば射出成型等の公知の方法を用いて、支持部材5を容易に製造することができる。特に、支持部材5を主として樹脂材料で構成した場合、熱抵抗が大きい発泡体で構成された支持部材5を容易に形成することができる。
また、支持部材5の構成材料としては、コイル27からの磁場を阻害しないよう、非磁性の材料を用いることが好ましい。
このように、支持部材5は、原子セルユニット2とパッケージ3との間に配置されており、原子セル21および光源22を一括してパッケージ3の基体31に対して支持している。このため、原子セル21および光源22とパッケージ3との間の熱伝達を低減することができる。そして、支持部材5の光源22側からパッケージ3側への熱伝導率は、0.1W・m−1・K−1以上40.0W・m−1・K−1以下であることが好ましく、0.1W・m−1・K−1以上0.5W・m−1・K−1以下であることがより好ましい。これにより、原子セル21および光源22とパッケージ3との間の支持部材5を介した熱伝導を抑制することができ、原子セル21および光源22の温度が変化することを低減することができる。
〈反射部〉
図2に示すように、反射部711、712は、それぞれ、蓋体32の内面に設けられた膜状の部材である。この反射部711、712は、それぞれ、波長4μmの電磁波に対する反射率、すなわち遠赤外線に対する反射率(以下、「熱の反射率」ともいう)が50%以上であり、光源22の輻射熱を反射させることができる。そのため、パッケージ3と光源22との間の輻射による熱の伝達を抑制することができ、光源22の温度変化を抑制することができる。
図2および図3に示すように、反射部711は、蓋体32の内面の−x軸側の部分に設けられている。一方、図2に示すように、反射部712は、蓋体32の内面の+x軸側の部分に設けられている。
このように反射部711、712は、それぞれ、蓋体32の内面の光源22から見える部分に設けられている。本実施形態では、前述したように、接続部材291、292は、原子セル21を挟むようにして設けられており、接続部材291が+y軸に設けられ、接続部材292が−y軸側に設けられている。そのため、y軸方向においては、光源22と蓋体32との間に接続部材29が設けられているのに対し、x軸方向においては、光源22と蓋体32との間には接続部材29が設けられていない。このように、光源22とパッケージ3との間を遮る原子セルユニット2の構成部材が存在しない箇所に対応するように、蓋体32の内面に反射部711、712が設けられている。
また、反射部711、712は、それぞれ、光源22よりも+z軸側に設けられている。すなわち、反射部711、712は、それぞれ、光源22に対して光が出射される側に設けられている。
また、前述したように、反射部711、712の熱の反射率が50%以上であるが、熱の反射率は高い程、光源22の輻射熱を反射させる効果が高まるため、反射部711、712の熱の反射率は、75%以上であることが好ましく、90%以上であることがより好ましく、95%以上であることがさらに好ましい。
このような反射部711、712の構成材料としては、熱の反射率が50%以上であれば、特に限定されないが、金属材料を用いることが好ましい。これにより、反射部711、712の熱の反射率を高く、例えば75%以上にすることができ、反射部711、712による光源22の輻射熱を反射させる機能を好適に発揮することができる。
反射部711、712を金属材料で構成する場合、その金属材料としては、特に限定されないが、例えば、銅(熱の反射率97.93%)、銀(熱の反射率98.47%)、金(熱の反射率98.62%)、チタン(熱の反射率78.04%)、クロム(熱の反射率93.77%)、鉄(熱の反射率87.09%)、コバルト(熱の反射率87.75%)、ニッケル(熱の反射率92.38%)、アルミニウム(熱の反射率99.03%)、イリジウム(熱の反射率98.73%)、鉛(熱の反射率98.90%)等の金属またはこれらのうちの少なくとも1種を含む合金を用いることができる。これらの中でも、熱の反射率が高いという観点から、銅、銀、金、クロム、ニッケル、アルミニウム、イリジウム、鉛を用いることが好ましい。さらに化学安定性に優れているという観点から、金が好ましい。
また、反射部711、712を金属材料で構成する場合、反射部711、712は、1種の金属または合金で構成されていてもよいし、2種以上の金属または合金を積層して構成されていてもよい。また、反射部711、712の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、蒸着、スパッタリング等の気相成膜法を用いたり、別途用意された金属膜を接合したりすることが挙げられる。これにより、反射率のムラが低減された均質な反射部711、712を得ることができる。
以上、パッケージ部10の構成について説明した。
以上説明したような量子干渉装置の一種である原子発振器1は、アルカリ金属原子が封入されている原子セル21と、原子セル21内のアルカリ金属原子を励起する光LLを出射する光源22と、原子セル21を透過した光LLを検出する光検出部24と、少なくとも光源22を収容する内部空間S1を有するパッケージ3と、反射部711、712とを有する。そして、反射部711、712が、パッケージ3の内面と光源22との間に配置され、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上である。このような原子発振器1によれば、パッケージ3と光源22との間の輻射による熱の伝達を抑制することができる。そのため、光源22の温度変化を抑制することができ、その結果、光源22から出射される光LLの波長の変動を抑制することができる。
また、前述したように、反射部711、712は、それぞれ、パッケージ3の内面に設けられている。パッケージ3の内面に例えば前述した形成方法により反射部711、712を設置することにより、反射効率の良い反射部711、712を容易かつ確実に形成することができる。これにより、光源22の輻射熱を反射部711、712で効率よく反射させることができ、光源22の輻射熱がパッケージ3に逃げることを低減することができる。そのため、光源22の温度変化を効果的に抑制することができる。
また、前述したように、反射部711、712は、それぞれ、光源22に対して光LLが出射される側に設けられている。ここで、光源22の光LLが出射される部分、すなわち発光部222は、温度変化の影響を特に受けやすい。そのため、光源22の光LLが出射される側に反射部711、712を設けることで、光源22の温度変化を抑制する効果をより顕著に発揮することができる。その結果、光源22から出射される光LLの波長の変動をより効果的に抑制することができる。
また、前述したように、光源22とパッケージ3との間を遮る原子セルユニット2の構成部材が存在しない箇所に、反射部711、712が設けられている。これにより、光源22の熱がパッケージ3に逃げることをより効果的に低減することができる。そのため、光源22の温度変化を効果的に抑制することができる。
また、原子発振器1は、前述したように、内部空間S1を大気圧よりも減圧された状態とすることにより、内部空間S1における対流によって、光源22の温度が変化することを低減している。さらに、原子発振器1は、原子セルユニット2を支持部材5によりパッケージ3に対して支持する構成とすることで、光源22とパッケージ3との間の熱伝達を低減し、光源22の温度が変化することを低減している。そして、原子発振器1は、反射部711、712を設けることで、パッケージ3と光源22との間の輻射による熱の伝達を抑制し、光源22の温度が変化することを低減している。このようなことから、原子発振器1によれば、光源22から出射される光LLの波長の変動を抑制する効果を顕著に発揮することができる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態について説明する。
図5は、本発明の第2実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器が有する原子セルユニットを示す模式的断面図である。
本実施形態の原子発振器は、反射部の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。
なお、以下の説明では、第2実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図5において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図5に示すように、本実施形態の原子発振器1Aは、光源22の外表面に設けられている反射部72を有する。本実施形態では、光源22の基板28と接している面および発光部222を除く光源22の側面や上面といった外表面に設けられている。つまり発光部222からの出射される光LLを妨げないよう、光源22の外表面を覆うように反射部72が設けられていることで、光源22からパッケージ3に輻射熱が伝達されることを効果的に低減することができる。
なお、本実施形態のように、光源22の外表面に反射部72を設ける場合には、光源22上に設けられた図示しない配線の短絡を防ぐため、光源22と反射部72との間に、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜を設ければよい。
このような原子発振器1Aによっても、光源22の温度変化を抑制し、光源22から出射される光LLの波長の変動を抑制することができる。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図6は、本発明の第3実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の原子発振器は、原子セルユニット、支持部材および反射部の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。
なお、以下の説明では、第3実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図6において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図6に示すように、本実施形態の原子発振器1Bは、パッケージ3と、原子セルユニット2Bと、原子セルユニット2Bをパッケージ3に対して支持する支持部材8と、反射部731、732とを備えている。
原子セルユニット2Bは、原子セル21と、光源22と、光学部品231、232と、光検出部24と、スペーサー20とを含み、これらがユニット化されている。なお、図示しないが、原子セルユニット2Bの任意の箇所、例えば、スペーサー20上に、ヒーターおよび温度センサーが設けられている。
スペーサー20は、支持部としての基板201と、基板201の外周部に立設された枠部202とを有する。また、枠部202の上端部には、光学部品231、232が設けられている。このようにしてスペーサー20の上方が光学部品231、232によって封鎖されることで、基板201と枠部202との内側に空間S2が形成されている。また、光学部品232上には原子セル21が接続され、原子セル21の上面には光検出部24が図示しない接着材を介して接続されている。
また、基板201は、その中央部に厚さ方向に貫通する孔203を有している。基板201の下面には、孔203の下側の開口を塞ぐようにして光源22が設けられている。光源22は、発光部222が基板201側を向くようにして基板201に取り付けられている。これにより、光LLが孔203を通って原子セル21に向かって出射される。
また、基板201は、光源22に電気的に接続される配線(図示せず)を有している。
支持部材8は、枠体811と、2つのシート部材812、813と、脚部82とを有する。この支持部材8は、前述した原子セルユニット2Bをパッケージ3の基体31に対して支持する機能を有する。また、支持部材8は、原子セルユニット2Bとパッケージ3との間の熱伝達を低減する機能を有する。これにより、原子セル21や光源22等の温度制御を高精度に行うことができる。
枠体811は、Z軸方向から見たときに、原子セルユニット2Bに対して離間して設けられ、原子セルユニット2Bの外周を囲っている。枠体811の構成材料としては、熱伝導性が比較的低い材料であれば、特に限定されないが、例えば、樹脂材料、セラミックス材料等の非金属を用いることが好ましく、樹脂材料を用いることがより好ましい。枠体811を主として樹脂材料で構成した場合、枠体811の熱伝導性を低くすることができ、また、枠体811の形状が複雑であっても、例えば射出成型等の公知の方法を用いて、枠体811を容易に製造することができる。
シート部材812、813は、それぞれ、例えばフレキシブル配線基板である。シート部材812は、その中央部が光源22に接続され、外周部が枠体811の下面に接続されている。一方、シート部材813は、その中央部が光検出部24に接続され、外周部が枠体811の上面に接続されている。このようなシート部材812、813によれば、面方向での熱抵抗が高いため、枠体811と原子セルユニット2Bとの間の熱伝導を低減することができる。
また、シート部材812は、光源22に電気的に接続されている配線(図示せず)を有し、シート部材813は、光検出部24に電気的に接続されている配線(図示せず)を有する。この配線は、パッケージ3の内部端子(図示せず)に電気的に接続されている。
また、枠体811の下端部には、複数の脚部82が接続されている。この複数の脚部82は、枠体811を基体31に対して支持している。この複数の脚部82の構成材料としては、前述した枠体811の構成材料と同様の材料を用いることができる。また、複数の脚部82は、枠体811と一体形成してもよい。
図6に示すように、原子発振器1Bは、光源22を支持する支持部としての基板201を有し、反射部731、732が、パッケージ3の内面の光源22から見える部分に設けられている。具体的には、反射部731は、基体31の上面に設けられている。一方、反射部732は、蓋体32の内面の下側に設けられており、光源22よりも−z軸側に設けられている。このように、反射部731、732は、光源22を支持する支持部としての基板201に対して光源22側に設けられている。これにより、パッケージ3と光源22との間の輻射による熱の伝達を効果的に低減することができる。
このような原子発振器1Bによっても、光源22の温度変化を抑制し、光源22から出射される光LLの波長の変動を抑制することができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態について説明する。
図7は、本発明の第4実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の原子発振器は、反射部の構成が異なること以外は、前述した第3実施形態と同様である。
なお、以下の説明では、第4実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図7において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図7に示すように、本実施形態の原子発振器1Cは、光源22の外表面に設けられている反射部74を有する。具体的には、光源22の基板201と接している面および発光部222を除く光源22の外表面に設けられている。すなわち、本実施形態では、図示の通り光源22の側面および下面に設けられている。このように光源22の外表面を覆うように反射部74が設けられていることで、光源22からパッケージ3に輻射熱が伝達されることを効果的に低減することができる。また、反射部74が、光源22を支持する支持部としての基板201に対して光源22側に設けられていることで、パッケージ3と光源22との間の輻射による熱の伝達を効果的に低減することができる。
このような原子発振器1Cによっても、光源22の温度変化を抑制し、光源22から出射される光LLの波長の変動を抑制することができる。
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態について説明する。
図8は、本発明の第5実施形態に係る量子干渉装置を備えた原子発振器の概略構成を示す断面図である。
本実施形態の原子発振器は、原子セルユニット、光検出部、支持部材および反射部の構成が異なること以外は、前述した第1実施形態と同様である。
なお、以下の説明では、第5実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図8において、前述した実施形態と同様の構成については、同一符号を付している。
図8に示すように、本実施形態の原子発振器1Dは、原子セルユニット2Dと、光検出部24と、パッケージ3と、支持部材83とを備えている。また、原子セルユニット2Dは、原子セル21と、光源22と、光学部品231、232と、ヒーター25と、温度センサー26と、等温ゲージ85と、支持部としての基板28と、複数の柱部280と、を含み、これらがユニット化されている。
原子セルユニット2Dが有する複数の柱部280は、それぞれ、基板28の外周部に立設されており、その上端部が光学部品231に接続されている。
図8に示す等温ゲージ85は、箱状をなし、光源22、ヒーター25および温度センサー26を囲う空間S3を有するように基板28上に設けられている。
また、等温ゲージ85は、上方に開口した開口部851を有する。この開口部851を光LLが通過するように、光源22は等温ゲージ85内に配置されている。なお、開口部851に光透過性を有する部材を配置してもよい。
このような構成の等温ゲージ85は、ヒーター25と同じ温度になるように構成されている。これにより、光源22とヒーター25との温度差を低減することができ、光源22の温度制御を高精度に行うことができる。
等温ゲージ85の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、金属材料を用いることが好ましい。これにより、等温ゲージ85とヒーター25とを同じ温度にし易く、よって、光源22とヒーター25との温度差をより低減することができる。
また、等温ゲージ85の外形の幅をW1(図示せず)とし、ヒーター25の外形の幅をW2(図示せず)としたとき、W1/W2は、2以上10以下であることが好ましく、4以上8以下であることがより好ましい。また、等温ゲージ85の外形の高さをT1(図示せず)とし、ヒーター25の外形の高さをT2(図示せず)としたとき、T1/T2は、2以上10以下であることが好ましく、4以上8以下であることがより好ましい。これにより、等温ゲージ85内に光源22、ヒーター25および温度センサー26を配置するスペースを十分に確保しつつ、等温ゲージ85、光源22およびヒーター25の温度差をより低減することができ、等温ゲージ85、光源22およびヒーター25を熱的に同一とみなすことができる。
光検出部24は、パッケージ3の蓋体32に複数の柱状をなす接続部材240を介して支持されている。また、光検出部24は、図示しない配線を介して基体31の内部端子(図示せず)または基板28に電気的に接続されている。
支持部材83は、複数の脚部831で構成されている。複数の脚部831は、それぞれ、基体31に立設して設けられており、その上端部が基板28に接続されている。この複数の脚部831は、原子セルユニット2Dをパッケージ3の基体31に対して支持している。
図8に示すように、反射部751、752は、パッケージ3の内面の等温ゲージ85から見える部分に設けられている。具体的には、反射部751は、基体31の上面に設けられている。一方、反射部752は、蓋体32の内面の下側に設けられている。ここで、等温ゲージ85と光源22とは熱的に同一であるとみなすことができるため、上記のように等温ゲージ85から見える部分に反射部751、752が設けられていることで、等温ゲージ85の輻射熱を反射させることができる。その結果、光源22の温度変化を抑制する効果をより顕著に発揮することができる。
このような原子発振器1Dによっても、光源22の温度変化を抑制し、光源22から出射される光LLの波長の変動を抑制することができる。
2.電子機器
以上説明したような本発明の量子干渉装置を備えた原子発振器1、1A、1B、1Cまたは1Dは、各種電子機器に組み込むことができる。
以下、本発明の量子干渉装置を備えた原子発振器を備える電子機器の一例について説明する。
図9は、GPS衛星を利用した測位システムに本発明の量子干渉装置を備えた原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。
図9に示す測位システム100は、GPS衛星200と、基地局装置300と、GPS受信装置400とで構成されている。
GPS衛星200は、測位情報(GPS信号)を送信する。
基地局装置300は、例えば電子基準点(GPS連続観測局)に設置されたアンテナ301を介してGPS衛星200からの測位情報を高精度に受信する受信装置302と、この受信装置302で受信した測位情報を、アンテナ303を介して送信する送信装置304と、を備える。
ここで、受信装置302は、その基準周波数発振源として前述した本発明の原子発振器1、1A、1B、1Cまたは1Dを備える電子装置である。このような受信装置302は、優れた信頼性を有する。また、受信装置302で受信された測位情報は、リアルタイムで送信装置304により送信される。
GPS受信装置400は、GPS衛星200からの測位情報を、アンテナ401を介して受信する衛星受信部402と、基地局装置300からの測位情報を、アンテナ403を介して受信する基地局受信部404と、を備える。
このような電子機器の一例である受信装置302は、本発明の量子干渉装置の一種である原子発振器1、1A、1B、1Cまたは1Dを備えているので、優れた信頼性を発揮することができる。
なお、本発明の電子機器は、前述したものに限定されず、例えば、スマートホン、タブレット端末、時計、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、パーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター)、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、地上デジタル放送、携帯電話基地局等に適用することができる。
3.移動体
また、前述したような本発明の量子干渉装置を備えた原子発振器1、1A、1B、1Cまたは1Dは、各種移動体に組み込むことができる。
以下、本発明の移動体の一例について説明する。
図10は、本発明の量子干渉装置を備えた原子発振器を備える移動体(自動車)の構成を示す斜視図である。
図10に示す移動体1500は、車体1501と、4つの車輪1502と、を有しており、車体1501に設けられた図示しない動力源(エンジン)によって車輪1502を回転させるように構成されている。このような移動体1500には、原子発振器1、1A、1B、1Cまたは1Dが内蔵されている。そして、原子発振器1、1A、1B、1Cまたは1Dからの発振信号に基づいて、例えば、図示しない制御部が動力源の駆動を制御する。
このような移動体は、本発明の量子干渉装置の一種である原子発振器1、1A、1B、1Cまたは1Dを備えているので、優れた信頼性を発揮することができる。
以上、本発明の量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、例えば、前述した実施形態の各部の構成は、同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、前述した実施形態では、本発明の量子干渉装置は、電磁誘起透明化現象(EIT)を利用した原子発振器を例に説明したが、本発明の量子干渉装置はこれに限定されず、例えば、二重共鳴法を利用した原子発振器、水晶発振器以外の発振器等に適用することも可能である。
1…原子発振器、1A…原子発振器、1B…原子発振器、1C…原子発振器、1D…原子発振器、2…原子セルユニット、2B…原子セルユニット、2D…原子セルユニット、3…パッケージ、5…支持部材、6…制御部、8…支持部材、10…パッケージ部、20…スペーサー、21…原子セル、22…光源、24…光検出部、25…ヒーター、26…温度センサー、27…コイル、28…基板、29…接続部材、30…接着剤、31…基体、32…蓋体、34…端子、51…脚部、52…連結部、53…柱部、61…光源制御部、62…温度制御部、63…磁場制御部、72…反射部、74…反射部、82…脚部、83…支持部材、85…等温ゲージ、100…測位システム、200…GPS衛星、201…基板、202…枠部、203…孔、211…胴体部、212…光透過部、213…光透過部、214…貫通孔、222…発光部、231…光学部品、232…光学部品、240…接続部材、280…柱部、291…接続部材、292…接続部材、300…基地局装置、301…アンテナ、302…受信装置、303…アンテナ、304…送信装置、400…GPS受信装置、401…アンテナ、402…衛星受信部、403…アンテナ、404…基地局受信部、711…反射部、712…反射部、731…反射部、732…反射部、751…反射部、752…反射部、811…枠体、812…シート部材、813…シート部材、831…脚部、851…開口部、1500…移動体、1501…車体、1502…車輪、LL…光、S…内部空間、S1…内部空間、S2…空間、S3…空間、a…光軸

Claims (10)

  1. アルカリ金属原子が封入されている原子セルと、
    前記原子セル内の前記アルカリ金属原子を励起する光を出射する光源と、
    前記原子セルを透過した前記光を検出する光検出部と、
    少なくとも前記光源を収容する内部空間を有するパッケージと、
    前記パッケージの内面と前記光源との間に配置され、波長4μmの電磁波に対する反射率が50%以上である反射部と、を有することを特徴とする量子干渉装置。
  2. 前記反射部は、前記光源の外表面に設けられている請求項1に記載の量子干渉装置。
  3. 前記反射部は、前記パッケージの内面に設けられている請求項1に記載の量子干渉装置。
  4. 前記反射部は、前記光源に対して前記光が出射される側に設けられている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
  5. 前記光源を支持する支持部を有し、
    前記反射部は、前記支持部に対して前記光源側に設けられている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
  6. 前記内部空間は、大気圧よりも減圧されている請求項1ないし5のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
  7. 前記原子セルおよび前記光源を一括して前記パッケージに対して支持している支持部材を有し、
    前記支持部材の熱伝導率は、0.1W・m−1・K−1以上40.0W・m−1・K−1以下である請求項1ないし6のいずれか1項に記載の量子干渉装置。
  8. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする原子発振器。
  9. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする電子機器。
  10. 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の量子干渉装置を備えることを特徴とする移動体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022113717A1 (ja) * 2020-11-25 2022-06-02 日本電子株式会社 低速原子ビーム生成装置、物理パッケージ、光格子時計用物理パッケージ、原子時計用物理パッケージ、原子干渉計用物理パッケージ、量子情報処理デバイス用物理パッケージ、及び、物理パッケージシステム

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101852338B1 (ko) * 2017-01-02 2018-04-27 한국표준과학연구원 칩 스케일 원자시계의 물리적 모듈
CN109787629A (zh) * 2017-11-14 2019-05-21 精工爱普生株式会社 原子振荡器和频率信号生成系统
CN107911116A (zh) * 2017-12-19 2018-04-13 江汉大学 一种激光频标信号源
CN111629649A (zh) * 2018-03-12 2020-09-04 奥林巴斯株式会社 内窥镜和内窥镜系统
CN108807564B (zh) * 2018-06-22 2019-12-13 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种辐射光伏同位素电池封装结构
CN110672556A (zh) * 2019-08-30 2020-01-10 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种高热稳定性多普勒差分干涉仪热控装置
CN112485822B (zh) * 2020-11-12 2021-07-20 中国科学院精密测量科学与技术创新研究院 原子干涉仪中原子团轨迹的测量方法及测量装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6888871B1 (en) 2000-07-12 2005-05-03 Princeton Optronics, Inc. VCSEL and VCSEL array having integrated microlenses for use in a semiconductor laser pumped solid state laser system
US7064835B2 (en) * 2003-09-02 2006-06-20 Symmetricom, Inc. Miniature gas cell with folded optics
WO2006017345A2 (en) 2004-07-13 2006-02-16 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Apparatus for suspending a chip-scale device and atomic clock system
JP4292583B2 (ja) * 2005-12-21 2009-07-08 セイコーエプソン株式会社 原子周波数取得装置および原子時計
JP4605508B2 (ja) * 2005-12-28 2011-01-05 セイコーエプソン株式会社 原子周波数取得装置および原子時計
US7786808B2 (en) * 2007-01-31 2010-08-31 Teledyne Scientific & Imaging, Llc Micro-structured optic apparatus
JP2009129955A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Epson Toyocom Corp 光学系及び原子発振器
JP5375279B2 (ja) * 2008-06-18 2013-12-25 セイコーエプソン株式会社 原子発振器
JP5256999B2 (ja) * 2008-10-29 2013-08-07 セイコーエプソン株式会社 原子発振器の物理部
US8816783B2 (en) * 2009-09-04 2014-08-26 Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. Device for an atomic clock
US8299860B2 (en) 2010-02-04 2012-10-30 Honeywell International Inc. Fabrication techniques to enhance pressure uniformity in anodically bonded vapor cells
US8218590B2 (en) 2010-02-04 2012-07-10 Honeywell International Inc. Designs and processes for thermally stabilizing a vertical cavity surface emitting laser (vcsel) in a chip-scale atomic clock
US8242851B2 (en) 2010-02-04 2012-08-14 Honeywell International Inc. Processes for stabilizing a VCSEL in a chip-scale atomic clock
US8067991B2 (en) 2010-02-04 2011-11-29 Honeywell International Inc. Chip-scale atomic clock with two thermal zones
US20110187464A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Honeywell International Inc. Apparatus and methods for alkali vapor cells
US8941442B2 (en) 2010-02-04 2015-01-27 Honeywell International Inc. Fabrication techniques to enhance pressure uniformity in anodically bonded vapor cells
JP6209840B2 (ja) * 2013-03-27 2017-10-11 セイコーエプソン株式会社 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP6295571B2 (ja) 2013-09-30 2018-03-20 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP6409267B2 (ja) * 2013-10-15 2018-10-24 セイコーエプソン株式会社 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP6303481B2 (ja) 2013-12-20 2018-04-04 セイコーエプソン株式会社 発光素子モジュール、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP2015142240A (ja) * 2014-01-28 2015-08-03 セイコーエプソン株式会社 量子干渉ユニット、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022113717A1 (ja) * 2020-11-25 2022-06-02 日本電子株式会社 低速原子ビーム生成装置、物理パッケージ、光格子時計用物理パッケージ、原子時計用物理パッケージ、原子干渉計用物理パッケージ、量子情報処理デバイス用物理パッケージ、及び、物理パッケージシステム

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