JP2018042096A - 原子発振器、電子機器および移動体 - Google Patents

原子発振器、電子機器および移動体 Download PDF

Info

Publication number
JP2018042096A
JP2018042096A JP2016174575A JP2016174575A JP2018042096A JP 2018042096 A JP2018042096 A JP 2018042096A JP 2016174575 A JP2016174575 A JP 2016174575A JP 2016174575 A JP2016174575 A JP 2016174575A JP 2018042096 A JP2018042096 A JP 2018042096A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting element
light emitting
atomic
optical element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016174575A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6693353B2 (ja
JP2018042096A5 (ja
Inventor
義之 牧
Yoshiyuki Maki
義之 牧
幸治 珎道
Koji Chindo
幸治 珎道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2016174575A priority Critical patent/JP6693353B2/ja
Priority to CN201710711165.3A priority patent/CN107800430A/zh
Priority to US15/695,567 priority patent/US10333536B2/en
Publication of JP2018042096A publication Critical patent/JP2018042096A/ja
Publication of JP2018042096A5 publication Critical patent/JP2018042096A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6693353B2 publication Critical patent/JP6693353B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/26—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using energy levels of molecules, atoms, or subatomic particles as a frequency reference
    • G—PHYSICS
    • G04—HOROLOGY
    • G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
    • G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
    • G04F5/14—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks
    • G04F5/145—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks using Coherent Population Trapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0085—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for modulating the output, i.e. the laser beam is modulated outside the laser cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
    • H01S5/02415—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling by using a thermo-electric cooler [TEC], e.g. Peltier element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B17/00—Generation of oscillations using radiation source and detector, e.g. with interposed variable obturator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Ecology (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

【課題】発振特性を向上させることができる原子発振器を提供すること、また、かかる原子発振器を備える電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】アルカリ金属が封入されている原子セルと、前記原子セルに照射する光を出射する発光素子と、前記原子セルを透過した光を検出する受光素子と、前記原子セルと前記発光素子との間に配置されている光透過性の第１光学素子と、前記第１光学素子と前記原子セルとの間に配置されている光透過性の第２光学素子と、を備え、前記第１光学素子は、前記発光素子からの光を、前記発光素子側に向けて前記光の光軸に対して傾斜した第１方向に反射させ、前記第２光学素子は、前記発光素子からの光を、前記発光素子側に向けて前記光の光軸に対して前記第１方向とは異なる方向に傾斜した第２方向に反射させることを特徴とする原子発振器。【選択図】図７

Description

本発明は、原子発振器、電子機器および移動体に関するものである。
高い長期周波数安定度を有する発振器として、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金属原子のエネルギー遷移に基づいて発振する原子発振器が知られている（例えば、特許文献１参照）。
原子発振器は、例えば、特許文献１に開示されているように、気体状のアルカリ金属を封入したセル（原子セル）と、セルに照射する光を出射する半導体レーザー素子と、セルを透過した光を検出する光検出器と、を備えている。特許文献１に記載の原子発振器では、セルと半導体レーザー素子との間に、レンズおよび偏光子がそれぞれ光軸を法線とする面に沿って配置されている。
米国特許第６３２０４７２号明細書
特許文献１に記載の原子発振器では、半導体レーザー素子からの光がレンズおよび偏光子で反射して戻り光として半導体レーザー素子に入射し、半導体レーザー素子からの光の波長が変動してしまうという問題があった。かかる問題は、原子発振器の発振特性に悪影響を与える要因となる。
本発明の目的は、発振特性を向上させることができる原子発振器を提供すること、また、かかる原子発振器を備える電子機器および移動体を提供することにある。
上記目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の原子発振器は、アルカリ金属が封入されている原子セルと、
前記原子セルに照射する光を出射する発光素子と、
前記原子セルを透過した光を検出する受光素子と、
前記原子セルと前記発光素子との間に配置されている光透過性の第１光学素子と、
前記第１光学素子と前記原子セルとの間に配置されている光透過性の第２光学素子と、を備え、
前記第１光学素子は、前記発光素子からの光を、前記発光素子側に向けて前記光の光軸に対して傾斜した第１方向に反射させ、
前記第２光学素子は、前記発光素子からの光を、前記発光素子側に向けて前記光の光軸に対して前記第１方向とは異なる方向に傾斜した第２方向に反射させることを特徴とする。
このような原子発振器によれば、第１光学素子および第２光学素子のそれぞれが発光素子からの光を発光素子側に向けて光の光軸に対して傾斜した方向に反射させるため、発光素子への戻り光を少なくすることができる。特に、第２光学素子が発光素子からの光を光軸に対して第１光学素子での反射方向（第１方向）とは異なる方向に傾斜した方向（第２方向）に反射させるため、第２光学素子で反射した光が第１光学素子と第２発光素子との間で多重反射して発光素子への戻り光となることを低減することができる。その結果、発光素子への戻り光を効果的に少なくすることができる。これにより、発光素子からの光の波長の安定性を高めて、原子発振器の発振特性を向上させることができる。
本発明の原子発振器では、前記光の光軸に対する前記第２方向の傾斜角度は、前記光の光軸に対する前記第１方向の傾斜角度よりも大きいことが好ましい。
これにより、光反射率の大きい第２光学素子で反射した光が発光素子への戻り光となることを効果的に低減することができる。一方、発光素子からの光の光軸に対する第１方向の傾斜角度を第２方向の傾斜角度よりも小さくすることで、比較的簡単な構成で第１光学素子の必要な光学特性を発揮させることができる。
本発明の原子発振器は、アルカリ金属が封入されている原子セルと、
前記原子セルに照射する光を出射する発光素子と、
前記原子セルを透過した光を検出する受光素子と、
前記原子セルと前記発光素子との間に配置され、前記光の光軸を法線とする面に対して傾斜した第１面を有し、前記第１面が前記発光素子からの光を反射させる光透過性の第１光学素子と、
前記第１光学素子と前記原子セルとの間に配置され、前記光の光軸を法線とする面に対して前記第１面とは異なる方向に傾斜した第２面を有し、前記第２面が前記発光素子からの光を反射させる光透過性の第２光学素子と、を備えることを特徴とする。
このような原子発振器によれば、第１光学素子および第２光学素子のそれぞれが発光素子からの光を発光素子側に向けて光の光軸に対して傾斜した方向に反射させることができる。そのため、発光素子への戻り光を少なくすることができる。特に、第２光学素子が発光素子からの光を光軸に対して第１光学素子での反射方向（第１方向）とは異なる方向に傾斜した方向（第２方向）に反射させることができる。そのため、第２光学素子で反射した光が第１光学素子と第２発光素子との間で多重反射して発光素子への戻り光となることを低減することができる。その結果、発光素子への戻り光を効果的に少なくすることができる。これにより、発光素子からの光の波長の安定性を高めて、原子発振器の発振特性を向上させることができる。
本発明の原子発振器では、前記光の光軸を法線とする面に対する前記第２面の傾斜角度は、前記光の光軸を法線とする面に対する前記第１面の傾斜角度よりも大きいことが好ましい。
これにより、光反射率の大きい第２光学素子で反射した光が発光素子への戻り光となることを効果的に低減することができる。一方、発光素子からの光の光軸を法線とする面に対する第１面の傾斜角度を第２面の傾斜角度よりも小さくすることで、比較的簡単な構成で第１光学素子の必要な光学特性を発揮させることができる。
本発明の原子発振器では、前記第２光学素子は、反射型の減光フィルターであることが好ましい。
これにより、発光素子からの光を減光して原子セルに照射することができる。また、反射型の減光フィルターは、吸収型の減光フィルターのような光吸収に伴う温度上昇による問題が生じにくいという利点がある。
本発明の原子発振器では、前記原子セルと前記第２光学素子との間に配置されているレンズを備えることが好ましい。
これにより、発光素子からの光の放射角度を調整することができる。また、レンズを発光素子からの光の光軸に対して垂直な面に沿って配置しても、レンズでの反射光を第１光学素子および第２光学素子のそれぞれで反射して、当該反射光が発光素子への戻り光となるのを低減することができる。また、発光素子と第２光学素子との間に他のレンズを配置する必要がないため、そのように配置したレンズでの反射光が発光素子への戻り光となることもない。
本発明の原子発振器では、前記原子セルと前記第２光学素子との間に配置されている１／４波長板を備えることが好ましい。
これにより、発光素子からの光の偏光を直線偏光から円偏光に変換することができる。また、１／４波長板を発光素子からの光の光軸に対して垂直な面に沿って配置しても、１／４波長板での反射光を第１光学素子および第２光学素子のそれぞれで反射して、当該反射光が発光素子への戻り光となるのを低減することができる。また、発光素子と第２光学素子との間に他の１／４波長板を配置する必要がないため、そのように配置した１／４波長板での反射光が発光素子への戻り光となることもない。
本発明の原子発振器では、第１係合部を有し、前記第１光学素子を保持している第１保持部材と、
前記第１係合部に係合している第２係合部を有し、前記第２光学素子を保持している第２保持部材と、を備え、
前記第１係合部および前記第２係合部の係合により前記第１保持部材および前記第２保持部材の相対的な位置決めがなされていることが好ましい。
これにより、第１光学素子および第２光学素子の互いの位置決めを簡単かつ高精度に行うことができる。
本発明の原子発振器では、前記発光素子を収納しているパッケージを備え、
前記第１光学素子および前記第１保持部材が前記パッケージの少なくとも一部を構成していることが好ましい。
これにより、発光素子および第１光学素子の互いの位置決めも簡単かつ高精度に行うことができる。また、第１光学素子を比較的小さい傾斜角度で設置することができるため、パッケージが大型化することを低減することができる。
本発明の原子発振器では、前記第２光学素子の反射率は、前記第１光学素子の反射率よりも高いことが好ましい。
これにより、発光素子からの光の光軸に対する第１方向の傾斜角度を第２方向の傾斜角度よりも小さくしても、発光素子への戻り光の影響が少ない。
本発明の電子機器は、本発明の原子発振器を備えることを特徴とする。
このような電子機器によれば、原子発振器の優れた発振特性を利用して、電子機器の特性を向上させることができる。
本発明の移動体は、本発明の原子発振器を備えることを特徴とする。
このような移動体によれば、原子発振器の優れた発振特性を利用して、移動体の特性を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る原子発振器を示す概略図である。 図１に示す原子発振器の断面側面図である。 図２に示す原子発振器の平面図である。 図２および図３に示す原子発振器が備える発光素子モジュールの断面図である。 図４に示す発光素子モジュールの平面図である。 図４に示す発光素子モジュールが備えるリッドの平面図である。 図２に示す原子発振器が備える第１光学素子および第２光学素子を説明するための模式図である。 第１光学素子および第２光学素子を平行に配置した場合（比較例）を説明するための模式図である。 ＧＰＳ衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。 本発明の移動体の一例を示す図である。
以下、本発明の原子発振器、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
１．原子発振器
まず、本発明の原子発振器について説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る原子発振器を示す概略図である。
図１に示す原子発振器１０は、アルカリ金属原子に対して特定の異なる波長の２つの共鳴光を同時に照射したときに当該２つの共鳴光がアルカリ金属原子に吸収されずに透過する現象が生じる量子干渉効果（ＣＰＴ：Coherent Population Trapping）を利用した原子発振器である。なお、この量子干渉効果による現象は、電磁誘起透明化（ＥＩＴ：Electromagnetically Induced Transparency）現象とも言う。
この原子発振器１０は、図１に示すように、発光素子モジュール１と、原子セルユニット２０と、発光素子モジュール１と原子セルユニット２０との間に設けられている光学系ユニット３０と、発光素子モジュール１および原子セルユニット２０の作動を制御する制御ユニット５０と、を備える。以下、まず、原子発振器１０の概略について説明する。
発光素子モジュール１は、ペルチェ素子２と、発光素子３と、温度センサー４と、を備える。発光素子３は、周波数の異なる２種の光を含んでいる直線偏光の光ＬＬを出射する。また、温度センサー４は、発光素子３の温度を検出する。また、ペルチェ素子２は、発光素子３の温度を調節（発光素子３を加温または冷却）する。
光学系ユニット３０は、減光フィルター３０１と、レンズ３０２と、１／４波長板３０３と、を備える。減光フィルター３０１は、前述した発光素子３からの光ＬＬの強度を減少させる。また、レンズ３０２は、光ＬＬの放射角度を調整する（例えば光ＬＬを平行光とする）。また、１／４波長板３０３は、光ＬＬに含まれる周波数の異なる２種の光を直線偏光から円偏光（右円偏光または左円偏光）に変換する。
原子セルユニット２０は、原子セル２０１と、受光素子２０２と、ヒーター２０３と、温度センサー２０４と、コイル２０５と、を備える。
原子セル２０１は、光透過性を有し、原子セル２０１内には、アルカリ金属が封入されている。アルカリ金属原子は、互いに異なる２つの基底準位と励起準位とからなる３準位系のエネルギー準位を有する。原子セル２０１には、発光素子３からの光ＬＬが減光フィルター３０１、レンズ３０２および１／４波長板３０３を介して入射する。そして、受光素子２０２は、原子セル２０１を通過した光ＬＬを受光し、検出する。
ヒーター２０３は、原子セル２０１内のアルカリ金属を加熱し、そのアルカリ金属の少なくとも一部をガス状態とする。また、温度センサー２０４は、原子セル２０１の温度を検出する。コイル２０５は、原子セル２０１内のアルカリ金属に所定方向の磁場を印加し、そのアルカリ金属原子のエネルギー準位をゼーマン分裂させる。このようにアルカリ金属原子がゼーマン分裂した状態において、前述したような円偏光の共鳴光対がアルカリ金属原子に照射されると、アルカリ金属原子がゼーマン分裂した複数の準位のうち、所望のエネルギー準位のアルカリ金属原子の数を他のエネルギー準位のアルカリ金属原子の数に対して相対的に多くすることができる。そのため、所望のＥＩＴ現象を発現する原子数が増大し、所望のＥＩＴ信号が大きくなり、その結果、原子発振器１０の発振特性を向上させることができる。
制御ユニット５０は、温度制御部５０１と、光源制御部５０２と、磁場制御部５０３と、温度制御部５０４と、を備える。温度制御部５０１は、温度センサー２０４の検出結果に基づいて、原子セル２０１内が所望の温度となるように、ヒーター２０３への通電を制御する。また、磁場制御部５０３は、コイル２０５が発生する磁場が一定となるように、コイル２０５への通電を制御する。また、温度制御部５０４は、温度センサー４の検出結果に基づいて、発光素子３の温度が所望の温度（温度領域内）となるように、ペルチェ素子２への通電を制御する。
光源制御部５０２は、受光素子２０２の検出結果に基づいて、ＥＩＴ現象が生じるように、発光素子３からの光ＬＬに含まれる２種の光の周波数を制御する。ここで、これら２種の光が原子セル２０１内のアルカリ金属原子の２つの基底準位間のエネルギー差に相当する周波数差の共鳴光対となったとき、ＥＩＴ現象が生じる。また、光源制御部５０２は、前述した２種の光の周波数の制御に同期して安定化するように発振周波数が制御される電圧制御型水晶発振器（図示せず）を備えており、この電圧制御型水晶発振器（ＶＣＸＯ）の出力信号を原子発振器１０の出力信号（クロック信号）として出力する。
以上、原子発振器１０の概略について説明した。以下、図２および図３に基づいて、原子発振器１０のより具体的な構成について説明する。
図２は、図１に示す原子発振器の断面側面図である。図３は、図２に示す原子発振器の平面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図２中の上側を「上」、下側を「下」ともいう。
図２に示すように、原子発振器１０は、発光素子モジュール１と、原子セルユニット２０と、発光素子モジュール１を保持している光学系ユニット３０と、原子セルユニット２０および光学系ユニット３０を一括して支持している支持部材４０と、発光素子モジュール１および原子セルユニット２０に電気的に接続されている制御ユニット５０と、これらを収納しているパッケージ６０と、を備えている。
発光素子モジュール１は、ペルチェ素子２と、発光素子３と、温度センサー４と、これらを収納しているパッケージ５と、を有している。なお、発光素子モジュール１については、後に詳述する。
光学系ユニット３０は、減光フィルター３０１と、レンズ３０２と、１／４波長板３０３と、これらを保持しているホルダー３０４と、を有している。ここで、ホルダー３０４は、両端が開口した貫通孔３０５を有する。この貫通孔３０５は、光ＬＬの通過領域であり、貫通孔３０５内には、減光フィルター３０１、レンズ３０２および１／４波長板３０３がこの順で配置されている。図３に示すように、減光フィルター３０１は、光軸ａを法線とする面に対して傾斜した姿勢で、図示しない接着剤等によりホルダー３０４に対して固定されている。レンズ３０２および１／４波長板３０３は、それぞれ、光軸ａを法線とする面に沿った姿勢で、図示しない接着剤等によりホルダー３０４に対して固定されている。また、貫通孔３０５の減光フィルター３０１側（図２中の左側）の端部には、図示しない取付部材により発光素子モジュール１が取り付けられている。このようなホルダー３０４は、例えば、アルミニウム等の金属材料で構成されており、放熱性を有する。これにより、発光素子モジュール１の放熱を効率的に行うことができる。
なお、光学系ユニット３０は、発光素子３からの光ＬＬの強度、放射角度等によっては、減光フィルター３０１およびレンズ３０２のうちの少なくとも一方を省略することができる。また、光学系ユニット３０は、減光フィルター３０１、レンズ３０２および１／４波長板３０３以外の光学素子を有していてもよい。また、減光フィルター３０１、レンズ３０２および１／４波長板３０３の配置順は、図示の順に限定されず、任意である。
原子セルユニット２０は、原子セル２０１と、受光素子２０２と、ヒーター２０３と、温度センサー２０４と、コイル２０５と、これらを収納しているパッケージ２０６と、を備える。
原子セル２０１内には、ガス状のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金属が封入されている。また、原子セル２０１内には、必要に応じて、アルゴン、ネオン等の希ガス、窒素等の不活性ガスが緩衝ガスとしてアルカリ金属ガスとともに封入されていてもよい。
図示しないが、原子セル２０１は、例えば、柱状の貫通孔を有する胴体部と、その胴体部の貫通孔の両開口を封鎖して気密封止された内部空間を形成している１対の窓部と、を有する。ここで、１対の窓部のうち、一方の窓部には、原子セル２０１内へ入射する光ＬＬが透過し、他方の窓部には、原子セル２０１内から出射した光ＬＬが透過する。したがって、各窓部の構成材料としては、光ＬＬに対する透過性を有していればよく、特に限定されないが、例えば、ガラス材料、水晶等が挙げられる。一方、胴体部の構成材料としては、特に限定されず、金属材料、樹脂材料、ガラス材料、シリコン材料、水晶等が挙げられるが、加工性や各窓部との接合の観点から、ガラス材料、シリコン材料を用いるのが好ましい。また、胴体部と各窓部との接合方法としては、これらの構成材料に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、直接接合法、陽極接合法等を用いることができる。
受光素子２０２は、原子セル２０１に対して発光素子モジュール１とは反対側に配置されている。この受光素子２０２としては、原子セル２０１内を透過した光ＬＬ（共鳴光対）の強度を検出し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、太陽電池、フォトダイオード等の光検出器（受光素子）が挙げられる。
ヒーター２０３は、図示しないが、例えば、前述した原子セル２０１上に配置されているか、または、金属等の熱伝導性部材を介して原子セル２０１に接続されている。このヒーター２０３としては、原子セル２０１（より具体的には原子セル２０１内のアルカリ金属）を加熱することができれば、特に限定されないが、例えば、発熱抵抗体を有する各種ヒーター、ペルチェ素子等が挙げられる。
温度センサー２０４は、図示しないが、例えば、原子セル２０１またはヒーター２０３の近傍に配置されている。この温度センサー２０４としては、原子セル２０１またはヒーター２０３の温度を検出することができれば、特に限定されないが、例えば、サーミスタ、熱電対等の公知の各種温度センサーが挙げられる。
コイル２０５は、図示しないが、例えば、原子セル２０１の外周に沿って巻回して設けられているソレノイド型のコイル、または、原子セル２０１を介して対向するヘルムホルツ型の１対のコイルである。このコイル２０５は、原子セル２０１内に光ＬＬの光軸ａに沿った方向（平行な方向）の磁場を発生させる。これにより、原子セル２０１内のアルカリ金属原子の縮退している異なるエネルギー準位間のギャップをゼーマン分裂により拡げて、分解能を向上させ、ＥＩＴ信号の線幅を小さくすることができる。なお、コイル２０５が発生する磁場は、直流磁場または交流磁場のいずれかの磁場であってもよいし、直流磁場と交流磁場とを重畳させた磁場であってもよい。
パッケージ２０６は、図示しないが、例えば、板状の基体と、この基体に接合されている蓋体と、を備え、これらの間に、前述した原子セル２０１、受光素子２０２、ヒーター２０３、温度センサー２０４およびコイル２０５を収納している気密空間を形成している。ここで、基体は、原子セル２０１、受光素子２０２、ヒーター２０３、温度センサー２０４およびコイル２０５を直接的または間接的に支持している。また、基体の外表面には、受光素子２０２、ヒーター２０３、温度センサー２０４およびコイル２０５に電気的に接続されている複数の端子が設けられている。一方、蓋体は、一端部が開口した有底筒状をなし、その開口が基体により塞がれている。また、蓋体の他端部（底部）には、光ＬＬに対する透過性を有する窓部２０７が設けられている。
このようなパッケージ２０６の基体および蓋体の窓部以外の部分の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、セラミックス、金属等が挙げられる。また、窓部２０７の構成材料としては、例えば、ガラス材料等が挙げられる。また、基体と蓋体との接合方法としては、特に限定されないが、例えば、ろう接、シーム溶接、エネルギー線溶接（レーザー溶接、電子線溶接等）等が挙げられる。また、パッケージ２０６内は、大気圧よりも減圧されていることが好ましい。これにより、簡単かつ高精度に、原子セル２０１の温度を制御することができる。その結果、原子発振器１０の特性を向上させることができる。
支持部材４０は、板状をなし、その一方の面上には、前述した原子セルユニット２０および光学系ユニット３０が載置されている。この支持部材４０は、光学系ユニット３０のホルダー３０４の下面の形状に沿った設置面４０１を有する。この設置面４０１には、段差部４０２が形成されている。この段差部４０２は、ホルダー３０４の下面の段差部と係合して、ホルダー３０４が原子セルユニット２０側（図２中右側）へ移動するのを規制する。同様に、支持部材４０は、原子セルユニット２０のパッケージ２０６の下面の形状に沿った設置面４０３を有する。この設置面４０３には、段差部４０４が形成されている。この段差部４０４は、パッケージ２０６の端面（図２中左側の端面）と係合して、パッケージ２０６が光学系ユニット３０側（図２中左側）へ移動するのを規制する。
このように、支持部材４０により原子セルユニット２０および光学系ユニット３０の相対的な位置関係を規定することができる。そして、発光素子モジュール１がホルダー３０４に対して固定されているため、原子セルユニット２０および光学系ユニット３０に対する発光素子モジュール１の相対的な位置関係も規定されることとなる。ここで、パッケージ２０６およびホルダー３０４は、それぞれ、図示しないネジ等の固定部材により、支持部材４０に対して固定されている。また、支持部材４０は、図示しないネジ等の固定部材により、パッケージ６０に対して固定されている。また、支持部材４０は、例えば、アルミニウム等の金属材料で構成されており、放熱性を有する。これにより、発光素子モジュール１の放熱を効率的に行うことができる。
図３に示すように、制御ユニット５０は、回路基板５０５と、回路基板５０５上に設けられている２つのコネクター５０６ａ、５０６ｂと、発光素子モジュール１に接続されているリジット配線基板５０７ａと、原子セルユニット２０に接続されているリジット配線基板５０７ｂと、コネクター５０６ａとリジット配線基板５０７ａとを接続しているフレキシブル配線基板５０８ａと、コネクター５０６ｂとリジット配線基板５０７ｂとを接続しているフレキシブル配線基板５０８ｂと、回路基板５０５を貫通している複数のリードピン５０９と、を有する。
ここで、回路基板５０５には、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ（図示せず）が設けられ、このＩＣチップが前述した温度制御部５０１、光源制御部５０２、磁場制御部５０３および温度制御部５０４として機能する。また、回路基板５０５は、前述した支持部材４０が挿通されている貫通孔５０５１を有する。また、回路基板５０５は、複数のリードピン５０９を介してパッケージ６０に対して支持されている。複数のリードピン５０９は、それぞれ、パッケージ６０の内外を貫通しており、回路基板５０５に電気的に接続されている。
なお、回路基板５０５と発光素子モジュール１とを電気的に接続する構成、および、回路基板５０５と原子セルユニット２０とを電気的に接続する構成は、図示のコネクター５０６ａ、５０６ｂ、リジット配線基板５０７ａ、５０７ｂおよびフレキシブル配線基板５０８ａ、５０８ｂに限定されず、それぞれ、他の公知のコネクターおよび配線であってもよい。
パッケージ６０は、例えば、コバール等の金属材料で構成されており、磁気シールド性を有する。これにより、外部磁場が原子発振器１０の特性に悪影響を与えるのを低減することができる。なお、パッケージ６０内は、減圧されていてもよいし、大気圧であってもよい。
（発光素子モジュールの詳細な説明）
図４は、図２および図３に示す原子発振器が備える発光素子モジュールの断面図である。図５は、図４に示す発光素子モジュールの平面図である。図６は、図４に示す発光素子モジュールが備えるリッドの平面図である。図７は、図２に示す原子発振器が備える第１光学素子および第２光学素子を説明するための模式図である。図８は、第１光学素子および第２光学素子を平行に配置した場合を説明するための模式図である。なお、以下では、説明の便宜上、図４中の上側を「上」、下側を「下」ともいう。
発光素子モジュール１は、図４に示すように、ペルチェ素子２、発光素子３および温度センサー４と、これらを収納しているパッケージ５と、を有している。
パッケージ５は、上面に開放する凹部５１１を有するベース５１と、凹部５１１の開口（上部開口）を塞ぐリッド５２とを有し、ベース５１とリッド５２との間に、ペルチェ素子２、発光素子３および温度センサー４を収納している気密空間である内部空間Ｓを形成している。このようなパッケージ５内は、減圧（真空）状態であることが好ましい。これにより、パッケージ５の外部の温度変化がパッケージ５内の発光素子３や温度センサー４等に与える影響を低減し、パッケージ５内の発光素子３や温度センサー４等の温度変動を低減することができる。なお、パッケージ５内は、減圧状態でなくともよく、また、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入されていてもよい。
ベース５１の構成材料としては、特に限定されないが、絶縁性を有し、かつ、内部空間Ｓを気密空間とするのに適した材料、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物系セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物系セラミックス、炭化珪素等の炭化物系セラミックス等の各種セラミックスなどを用いることができる。
また、ベース５１は、凹部５１１の底面よりも上側であって、凹部５１１の底面の外周を囲むように形成されている段差部５１２を有している。この段差部５１２の上面には、図５に示すように、接続電極６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆが設けられている。これらの接続電極６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ（以下、「接続電極６２ａ〜６２ｆ」ともいう）は、それぞれ、ベース５１を貫通する図示しない貫通電極を介して、ベース５１の下面に設けられた外部実装電極６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ、６１ｅ、６１ｆ（以下、「外部実装電極６１ａ〜６１ｆ」ともいう）に電気的に接続されている。
接続電極６２ａ〜６２ｆおよび外部実装電極６１ａ〜６１ｆ等の構成材料としては、特に限定されず、例えば、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料が挙げられる。
また、ベース５１の上端面には、枠状（環状）のシールリング５３が設けられている。このシールリング５３は、例えば、コバール等の金属材料で構成され、ろう付け等によりベース５１に対して接合されている。このようなシールリング５３を介してベース５１にシーム溶接等によりリッド５２が接合されている。
図４および図６に示すように、リッド５２は、板状をなす本体部５４と、本体部５４上に設けられている筒状の突出部５５と、突出部５５の内側に形成された孔５５１（開口）を塞いでいる窓部５６と、を有している。
本体部５４は、突出部５５を支持している第１部分５４ａと、ベース５１（より具体的にはシールリング５３を介してベース５１）に接合されている第２部分５４ｂと、第１、第２部分５４ａ、５４ｂ間を繋いでいる第３部分５４ｃと、を有している。ここで、第２、第３部分５４ｂ、５４ｃの厚さｔ２、ｔ３は、それぞれ、第１部分５４ａの厚さｔ１よりも薄くなっている。また、第２部分５４ｂの厚さｔ２および第３部分５４ｃの厚さｔ３は、互いに等しい。本実施形態では、本体部５４の厚さｔ２、ｔ３の外周部を平面視でシールリング５３の内周縁５３１を境界として２つの部分に分けて捉えたとき、その２つの部分のうち、外側の部分が第２部分５４ｂであり、内側の部分が第３部分５４ｃであるとも言える。また、第１部分５４ａの外周部は、第３部分５４ｃに向けて厚さが連続的に薄くなっており、これにより、第１部分５４ａの上面および下面が第３部分５４ｃの上面および下面と連続的に繋がっている。また、第１部分５４ａには、その厚さ方向に貫通している孔５４１が形成されている。この孔５４１は、発光素子３からの光ＬＬの少なくとも一部を通過させる。このような本体部５４の構成材料としては、特に限定されないが、金属材料が好適に用いられ、その中でも、ベース５１の構成材料と線膨張係数が近似する金属材料を用いることが好ましい。したがって、例えば、ベース５１をセラミックス基板とした場合には、本体部５４の構成材料としてはコバール等の合金を用いることが好ましい。
突出部５５は、その内側に、前述した本体部５４の孔５４１に連通している孔５５１と、孔５５１に対して孔５４１とは反対側で孔５５１に連通している孔５５２と、を有している。これら孔５５１、５５２は、それぞれ、発光素子３からの光ＬＬの少なくとも一部を通過させる。ここで、孔５５２の幅（径）は、孔５５１の幅（径）よりも大きくなっており、これにより、孔５５１と孔５５２との間には、段差部５５３が形成されている。この段差部５５３は、前述した本体部５４の板面に対して傾斜角度θで傾斜している。また、図６に示すように、突出部５５の外周面には、円筒面に沿った１対の曲面部５５５と、この１対の曲面部５５５間に設けられている平坦な１対の平坦部５５４と、を有する。１対の平坦部５５４は、平面視で本体部５４の第１部分５４ａの外形に沿っており、これにより、前述した本体部５４の第３部分５４ｃを確保している。また、このような１対の平坦部５５４を設けることで、ベース５１とリッド５２との溶接が容易となる。また、１対の曲面部５５５を設けることで、突出部５５の必要な機械的強度を確保することができる。
このような突出部５５の構成材料としては、本体部５４の構成材料と異なっていてもよいが、本体部５４の構成材料と線膨張係数が近似する金属材料を用いることが好ましく、本体部５４の構成材料と同じであることがより好ましい。また、突出部５５は、本体部５４とは別体で形成され、公知の接合方法により接合してもよいし、金型等を用いて本体部５４と一体で（一括して）形成してもよい。
孔５５２の内部には、光ＬＬを透過する板状の部材で構成された窓部５６が設置されている。窓部５６は、前述した段差部５５３上に公知の接合法により接合され、前述した突出部５５の孔５５１の孔５５２側の開口を塞いでいる。ここで、前述したように段差部５５３が本体部５４の板面５４０に対して傾斜角度θで傾斜しているため、窓部５６の発光素子３側の面５６ａも、本体部５４の板面５４０に対して傾斜角度θで傾斜している。かかる傾斜角度θは、特に限定されないが、５度以上４５度以下であることが好ましく、５度以上２０度以下であることがより好ましい。これにより、比較的簡単な構成で窓部５６の必要な光学特性を発揮させつつ、発光素子３からの光ＬＬが窓部５６で反射して戻り光として発光素子３に入射して発光素子３の特性に悪影響を与えることを低減することができる。この窓部５６は、発光素子３からの光ＬＬに対する透過性を有する。このような窓部５６の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ガラス材料等が挙げられる。なお、窓部５６は、レンズ、減光フィルター等の光学部品であってもよい。
このようなリッド５２は、図４に示すように、本体部５４および突出部５５が前述した光学系ユニット３０のホルダー３０４に係合して位置決めされる。より具体的には、本体部５４の板面がホルダー３０４の位置決め面３０６に当接することで、発光素子３の光軸ａ方向でのリッド５２および発光素子モジュール１の位置決めがなされる。また、突出部５５がホルダー３０４の貫通孔３０５内に挿入された状態で突出部５５の側面（より具体的には、前述した１対の曲面部５５５）が貫通孔３０５の内壁面に当接することで、発光素子３の光軸ａに対して垂直な方向でのリッド５２および発光素子モジュール１の位置決めがなされる。また、このように本体部５４および突出部５５がホルダー３０４に接触することで、金属材料で構成されている放熱性のホルダー３０４からの放熱によりリッド５２の温度を低減することもできる。
このようなパッケージ５のベース５１の凹部５１１の底面には、ペルチェ素子２が配置されている。ペルチェ素子２は、ベース５１に対して例えば接着剤により固定されている。ペルチェ素子２は、図４に示すように、１対の基板２１、２２と、これらの基板２１、２２間に設けられている接合体２３と、を有する。基板２１、２２は、それぞれ、金属材料、セラミックス材料等の熱伝導性に優れる材料で構成されている。また、基板２１、２２の表面には、それぞれ、必要に応じて、絶縁膜が設けられている。このような基板２１の下面は、パッケージ５のベース５１に固定され、一方、基板２１の上面には、図５に示すように、１対の端子２４、２５が設けられている。また、基板２２は、１対の端子２４、２５を露出するように設けられている。そして、１対の端子２４、２５は、ワイヤー配線（ボンディングワイヤー）である配線８１ａ、８１ｂを介して、パッケージ５に設けられた接続電極６２ａ、６２ｂに電気的に接続されている。接合体２３は、１対の端子２４、２５からの通電によりペルチェ効果を生じる互いに異なる２種の金属または半導体の接合体を複数含んで構成されている。
このようなペルチェ素子２は、接合体２３で生じるペルチェ効果により、基板２１、２２のうち、一方の基板が発熱側、他方が吸熱側となる。ここで、ペルチェ素子２は、供給される電流の向きにより、基板２１が発熱側となるとともに基板２２が吸熱側となる状態と、基板２１が吸熱側となるとともに基板２２が発熱側となる状態と、を切り換えることができる。そのため、環境温度の範囲が広くても、発光素子３等を所望の温度（目標温度）に温度調節することができる。これにより、温度変化による悪影響（例えば光ＬＬの波長変動）をより低減することができる。ここで、発光素子３の目標温度（Ｔｖ）は、発光素子３の特性に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、３０℃以上４０℃以下程度である。発光素子３の温度をこの目標温度に保つべく、温度センサー４からの情報に基づいて、ペルチェ素子２を適時作動させ、発光素子３を加温したり冷却したりする。
また、ペルチェ素子２は、基板２２の上面に設けられている金属層２６を有する。この金属層２６は、例えば、アルミニウム、金、銀等の熱伝導性に優れる金属で構成されており、この金属層２６の上面には、発光素子３、温度センサー４および中継部材７１、７２が配置されている。
発光素子３は、例えば、垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）等の半導体レーザーである。半導体レーザーは、直流バイアス電流に高周波信号を重畳して（変調を掛けて）用いることにより、波長の異なる２種の光を出射させることができる。この発光素子３は、図示しない１対の端子を有しており、この１対の端子は、一方の端子が駆動信号用の端子であり、他方の端子が接地用の端子である。駆動信号用の端子は、配線８２ａ、中継部材７１および配線８２ｂを介して、パッケージ５に設けられた接続電極６２ｃに電気的に接続されている。一方、接地用の端子は、配線８２ｃ、金属層２６および配線８２ｄを介して、パッケージ５に設けられた接続電極６２ｄに電気的に接続されている。
温度センサー４は、例えば、サーミスタ、熱電対等の温度検出素子である。この温度センサー４は、図示しない１対の端子を有しており、この１対の端子は、一方の端子が検出信号用の端子であり、他方の端子が接地用の端子である。検出信号用の端子は、配線８３ａ、中継部材７２および配線８３ｂを介して、パッケージ５に設けられた接続電極６２ｅに電気的に接続されている。一方、接地用の端子は、金属層２６および配線８３ｃを介して、パッケージ５に設けられた接続電極６２ｆに電気的に接続されている。
配線８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄ、８３ａ、８３ｂ、８３ｃは、それぞれ、ワイヤー配線（ボンディングワイヤー）である。ここで、配線８２ｂが複数のワイヤー配線で構成されている。これにより、配線８２ｂの電気抵抗を小さくし、発光素子３に供給する駆動信号の損失を低減することができる。同様の観点から、配線８２ｃ、８２ｄもそれぞれ複数のワイヤー配線で構成されている。
中継部材７１は、絶縁性を有する基部７１１と、基部７１１の上面に設けられている導電性の配線層７１２と、を有している。基部７１１は、例えば、セラミックス材料で構成されている。この基部７１１の下面には、図示しない金属層が接合されているとともに、この金属層がろう材等の接合材（図示せず）を介して金属層２６に接合されている。また、配線層７１２は、前述した接続電極６２ａ〜６２ｆ等と同様の材料で構成されている。また、配線層７１２は、長手形状をなし、基部７１１の上面の一部に形成されている。これにより、配線層７１２と金属層２６との間の静電容量を小さくし、発光素子３に供給する駆動信号として高周波信号を用いても、駆動信号の損失を低減することができる。また、基部７１１の大きさをある程度確保し、その結果、中継部材７１を実装しやすくすることができる。
このような中継部材７１等を経由して、発光素子３と接続電極６２ｃ、６２ｄとの電気的な接続を行うことにより、配線８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄもペルチェ素子２により温度調節される。そのため、かかる配線８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄの温度変動が低減され、それに伴って、発光素子３の温度変動も低減することができる。
中継部材７２は、前述した中継部材７１と同様に構成することができる。ただし、温度センサー４には高周波信号を用いないため、中継部材７２が有する配線層は、基部の上面の全域にわたって設けられていてもよい。
このような中継部材７２等を経由して、温度センサー４と接続電極６２ｅ、６２ｆの電気的接続を行うことにより、配線８３ａ、８３ｂ、８３ｃもペルチェ素子２により温度調節される。そのため、かかる配線８３ａ、８３ｂ、８３ｃの温度変動が低減され、それに伴って、温度センサー４の温度変動も低減することができる。すなわち、温度センサー４が接続電極６２ｅ、６２ｆからの熱の影響を受け難くすることができる。そのため、温度センサー４の検出精度を高めることができ、その結果、発光素子３の温度を高精度に制御することができる。
以上説明した構成の原子発振器１０は、アルカリ金属が封入されている原子セル２０１と、原子セル２０１に照射する光ＬＬを出射する発光素子３と、原子セル２０１を透過した光ＬＬを検出する受光素子２０２と、原子セル２０１と発光素子３との間に配置されている光透過性の「第１光学素子」である窓部５６と、窓部５６と原子セル２０１との間に配置されている光透過性の「第２光学素子」である減光フィルター３０１と、を備える。
ここで、「第１光学素子」である窓部５６は、光ＬＬの光軸ａを法線とする面（板面５４０）に対して傾斜した第１面５６ａを有し、第１面５６ａが発光素子３からの光を第１光反射率で反射させる。これにより、「第１光学素子」である窓部５６は、第１光反射率を有し、図７に示すように、発光素子３からの光ＬＬを、発光素子３側に向けて光ＬＬの光軸ａに対して傾斜した第１方向αに反射させる。
一方、「第２光学素子」である減光フィルター３０１は、光ＬＬの光軸ａを法線とする面（板面５４０）に対して第１面５６ａとは反対側（異なる方向）に傾斜した第２面３０１ａを有し、第２面３０１ａが発光素子３からの光ＬＬを第１光反射率よりも高い第２光反射率で反射させる。これにより、「第２光学素子」である減光フィルター３０１は、第１光反射率よりも高い第２光反射率を有し、発光素子３からの光ＬＬを、発光素子３側に向けて光ＬＬの光軸ａに対して第１方向αとは反対側（異なる方向）に傾斜した第２方向βに反射させる。なお、第２面３０１ａおよび第２方向βの傾斜方向は、第１面５６ａおよび第１方向αの傾斜方向と異なっていればよく、図示の方向に限定されず、例えば、図示に傾斜方向を光軸ａまわりに３０°、６０°、９０°、１８０°２１０°回転した方向であってもよい。
このような原子発振器１０によれば、窓部５６（第１光学素子）および減光フィルター３０１（第２光学素子）のそれぞれが発光素子３からの光ＬＬを発光素子３側に向けて光ＬＬの光軸ａに対して傾斜した方向に反射させるため、発光素子３への戻り光を少なくすることができる。特に、減光フィルター３０１が発光素子３からの光ＬＬを光軸ａに対して窓部５６での反射方向（第１方向α）とは反対側（異なる方向）に傾斜した方向（第２方向β）に反射させるため、図８に示す比較例のように減光フィルター３０１Ｘで反射した光が窓部５６と減光フィルター３０１Ｘとの間で多重反射して発光素子３への戻り光となることを低減することができる。その結果、第２光反射率が第１光反射率よりも高くても、発光素子３への戻り光を効果的に少なくすることができる。これにより、発光素子３からの光ＬＬの波長の安定性を高めて、原子発振器１０の発振特性を向上させることができる。また、窓部５６のレンズ３０２側の面５６ｂ、および、減光フィルター３０１のレンズ３０２側の面３０１ｂにおいても、同様の作用効果を生じさせることができる。なお、図８に示す減光フィルター３０１Ｘは、第２面３０１ａを光ＬＬの光軸ａを法線とする面に対して第１面５６ａと同じ方向γに同じ角度θ３傾斜させた以外は、減光フィルター３０１と同様である。
ここで、光ＬＬの光軸ａを法線とする面に対する第２面３０１ａの傾斜角度θ２は、光ＬＬの光軸ａを法線とする面に対する第１面５６ａの傾斜角度θ１よりも大きい。したがって、光ＬＬの光軸ａに対する第２方向βの傾斜角度（２×θ２）は、光ＬＬの光軸ａに対する第１方向αの傾斜角度（２×θ１）よりも大きい。これにより、光反射率の大きい減光フィルター３０１で反射した光ＬＬが発光素子３への戻り光となることを効果的に低減することができ、戻り光が発光素子３に与える影響（例えば、温度上昇による光ＬＬの波長変動）を低減することができる。一方、発光素子３からの光ＬＬの光軸ａを法線とする面に対する第１面５６ａの傾斜角度θ１を第２面３０１ａの傾斜角度θ２よりも小さくすること（すなわち、発光素子３からの光ＬＬの光軸ａに対する第１方向αの傾斜角度を第２方向βの傾斜角度よりも小さくすること）で、比較的簡単な構成で窓部５６の必要な光学特性（例えば光ＬＬの十分な透過度）を発揮させることができる。ここで、第１光反射率が第２光反射率よりも低いため、発光素子３からの光ＬＬの光軸ａを法線とする面に対する第１面５６ａの傾斜角度θ１を第２面３０１ａの傾斜角度θ２よりも小さくしても、発光素子３への戻り光の影響が少ない。
また、傾斜角度θ１は、５度以上４５度以下であることが好ましく、５度以上２０度以下であることがより好ましい。これにより、比較的簡単な構成で窓部５６の必要な光学特性を発揮させつつ、発光素子３からの光ＬＬが窓部５６で反射して戻り光として発光素子３に入射して発光素子３の特性に悪影響を与えることを低減することができる。傾斜角度θ１と傾斜角度θ２との差（θ２−θ１）は、特に限定されないが、５度以上４０度以下であることが好ましく、１５度以上３５度以下であることがより好ましく、２０度以上３０度以下であることがさらに好ましい。これにより、窓部５６および減光フィルター３０１のそれぞれでの反射光が発光素子３への戻り光となるのを効果的に低減することができる。
また、光軸ａ上における窓部５６と減光フィルター３０１との間の距離Ｌ２は、光軸ａ上における発光素子３と窓部５６との間の距離Ｌ１よりも大きいことが好ましい。これにより、発光素子モジュール１の低背化を図りつつ、減光フィルター３０１での反射光が発光素子３への戻り光となるのを効果的に低減することができる。
また、「第２光学素子」である減光フィルター３０１は、反射型の減光フィルターであることが好ましい。これにより、発光素子３からの光ＬＬを減光して原子セル２０１に照射することができる。また、反射型の減光フィルターは、吸収型の減光フィルターのような光吸収に伴う温度上昇による問題が生じにくいという利点がある。そのため、減光フィルター３０１が反射型の減光フィルターであることにより、減光フィルター３０１で生じた熱が発光素子３へ伝達して発光素子３の温度変動により光ＬＬの波長が変動することも低減することができる。
さらに、原子発振器１０は、前述したように、原子セル２０１と「第２光学素子」である減光フィルター３０１との間に配置されているレンズ３０２を備える。これにより、発光素子３からの光ＬＬの放射角度を調整することができる。また、レンズ３０２を発光素子３からの光ＬＬの光軸ａに対して垂直な面に沿って配置しても、レンズ３０２での反射光を第１光学素子および第２光学素子のそれぞれで反射（例えば、窓部５６のレンズ３０２側の面５６ｂ、減光フィルター３０１のレンズ３０２側の面３０１ｂで反射）して、当該反射光が発光素子３への戻り光となるのを低減することができる。また、発光素子３と減光フィルター３０１との間に他のレンズを配置する必要がないため、そのように配置したレンズでの反射光が発光素子３への戻り光となることもない。
また、原子発振器１０は、前述したように、原子セル２０１と「第２光学素子」である減光フィルター３０１との間に配置されている１／４波長板３０３を備える。これにより、発光素子３からの光ＬＬの偏光を直線偏光から円偏光に変換することができる。また、前述したレンズ３０２での反射光と同様、１／４波長板３０３での反射光が発光素子３への戻り光となるのを低減することができる。また、発光素子３と減光フィルター３０１との間に他の１／４波長板を配置する必要がないため、そのように配置した１／４波長板での反射光が発光素子３への戻り光となることもない。
さらに、原子発振器１０は、「第１光学素子」である窓部５６を保持している「第１保持部材」であるリッド５２（より正確には、本体部５４および突出部５５からなる構造体）と、「第２光学素子」である減光フィルター３０１を保持している「第２保持部材」であるホルダー３０４と、を備える。そして、リッド５２は、「第１係合部」である本体部５４および突出部５５を有する。また、ホルダー３０４は、本体部５４および突出部５５にそれぞれ係合している「第２係合部」である貫通孔３０５および位置決め面３０６を有する。このような、本体部５４および位置決め面３０６の係合、突出部５５および貫通孔３０５の係合により、リッド５２およびホルダー３０４の相対的な位置決めがなされている。これにより、窓部５６および減光フィルター３０１の互いの位置決めを簡単かつ高精度に行うことができる。
また、原子発振器１０は、発光素子３を収納しているパッケージ５を備える。そして、「第１光学素子」である窓部５６および「第１保持部材」であるリッド５２がパッケージ５の一部を構成している。これにより、発光素子３および窓部５６の互いの位置決めも簡単かつ高精度に行うことができる。また、窓部５６を比較的小さい傾斜角度で設置することができるため、パッケージ５が大型化することを低減することができる。なお、パッケージ５（より正確には、パッケージ５から窓部５６を除いた構造体）を「第１保持部材」と捉えることも可能であり、この場合、第１保持部材がパッケージ５を構成していると言える。
２．電子機器
以上説明したような発光素子モジュール１および原子発振器１０は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、本発明の電子機器について説明する。
図９は、ＧＰＳ衛星を利用した測位システムに本発明の原子発振器を用いた場合の概略構成を示す図である。
図９に示す測位システム１１００は、ＧＰＳ衛星１２００と、基地局装置１３００と、ＧＰＳ受信装置１４００とで構成されている。
ＧＰＳ衛星１２００は、測位情報（ＧＰＳ信号）を送信する。
基地局装置１３００は、例えば電子基準点（ＧＰＳ連続観測局）に設置されたアンテナ１３０１を介してＧＰＳ衛星１２００からの測位情報を高精度に受信する受信装置１３０２と、この受信装置１３０２で受信した測位情報をアンテナ１３０３を介して送信する送信装置１３０４とを備える。
ここで、受信装置１３０２は、その基準周波数発振源として前述した本発明の原子発振器１０（発光素子モジュール１）を備える電子機器である。また、受信装置１３０２で受信された測位情報は、リアルタイムで送信装置１３０４により送信される。
ＧＰＳ受信装置１４００は、ＧＰＳ衛星１２００からの測位情報をアンテナ１４０１を介して受信する衛星受信部１４０２と、基地局装置１３００からの測位情報をアンテナ１４０３を介して受信する基地局受信部１４０４とを備える。
以上説明した測位システム１１００が備える「電子機器」である受信装置１３０２は、原子発振器１０を備える。これにより、原子発振器１０の優れた発振特性を利用して、受信装置１３０２の特性を向上させることができる。
以上のような測位システム１１００が備える「電子機器」である受信装置１３０２は、前述した発光素子モジュール１を備える。これにより、高温下であっても、ペルチェ素子２を用いて発光素子３の温度変動を低減することができる。
なお、本発明の電子機器は、前述したものに限定されず、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、パーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター）、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、地上デジタル放送、携帯電話基地局等に適用することができる。
３．移動体
図１０は、本発明の移動体の一例を示す図である。
この図において、移動体１５００は、車体１５０１と、４つの車輪１５０２とを有しており、車体１５０１に設けられた図示しない動力源（エンジン）によって車輪１５０２を回転させるように構成されている。このような移動体１５００には、原子発振器１０（発光素子モジュール１）が内蔵されている。
以上説明した移動体１５００は、原子発振器１０を備える。これにより、原子発振器１０の優れた発振特性を利用して、移動体１５００の特性を向上させることができる。
以上、本発明の原子発振器、電子機器および移動体について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。
また、前述した実施形態では、波長の異なる２種類の光による量子干渉効果を利用してセシウム等を共鳴遷移させる原子発振器に本発明を適用した場合について説明したが、本発明は、これに限定されず、光およびマイクロ波による二重共鳴現象を利用してルビジウム等を共鳴遷移させる原子発振器にも適用可能である。
１…発光素子モジュール、２…ペルチェ素子、３…発光素子、４…温度センサー、５…パッケージ、１０…原子発振器、２０…原子セルユニット、２１…基板、２２…基板、２３…接合体、２４…端子、２５…端子、２６…金属層、３０…光学系ユニット、４０…支持部材、５０…制御ユニット、５１…ベース、５２…リッド（第１保持部材）、５３…シールリング、５４…本体部、５４ａ…第１部分、５４ｂ…第２部分、５４ｃ…第３部分、５５…突出部、５６…窓部（第１光学素子）、５６ａ…第１面、５６ｂ…面、６０…パッケージ、６１ａ…外部実装電極、６１ｂ…外部実装電極、６１ｃ…外部実装電極、６１ｄ…外部実装電極、６１ｅ…外部実装電極、６１ｆ…外部実装電極、６２ａ…接続電極、６２ｂ…接続電極、６２ｃ…接続電極、６２ｄ…接続電極、６２ｅ…接続電極、６２ｆ…接続電極、７１…中継部材、７２…中継部材、８１ａ…配線、８１ｂ…配線、８２ａ…配線、８２ｂ…配線、８２ｃ…配線、８２ｄ…配線、８３ａ…配線、８３ｂ…配線、８３ｃ…配線、２０１…原子セル、２０２…受光素子、２０３…ヒーター、２０４…温度センサー、２０５…コイル、２０６…パッケージ、２０７…窓部、３０１…減光フィルター（第２光学素子）、３０１ａ…第２面、３０１ｂ…面、３０１Ｘ…減光フィルター、３０２…レンズ、３０３…１／４波長板、３０４…ホルダー（第２保持部材）、３０５…貫通孔、３０６…位置決め面、４０１…設置面、４０２…段差部、４０３…設置面、４０４…段差部、５０１…温度制御部、５０２…光源制御部、５０３…磁場制御部、５０４…温度制御部、５０５…回路基板、５０６ａ…コネクター、５０６ｂ…コネクター、５０７ａ…リジット配線基板、５０７ｂ…リジット配線基板、５０８ａ…フレキシブル配線基板、５０８ｂ…フレキシブル配線基板、５０９…リードピン、５１１…凹部、５１２…段差部、５３１…内周縁、５４０…板面、５４１…孔、５５１…孔、５５２…孔、５５３…段差部、５５４…平坦部、５５５…曲面部、７１１…基部、７１２…配線層、１１００…測位システム、１２００…ＧＰＳ衛星、１３００…基地局装置、１３０１…アンテナ、１３０２…受信装置、１３０３…アンテナ、１３０４…送信装置、１４００…ＧＰＳ受信装置、１４０１…アンテナ、１４０２…衛星受信部、１４０３…アンテナ、１４０４…基地局受信部、１５００…移動体、１５０１…車体、１５０２…車輪、５０５１…貫通孔、Ｌ１…距離、Ｌ２…距離、ＬＬ…光、Ｓ…内部空間、ａ…光軸、ｔ１…厚さ、ｔ２…厚さ、ｔ３…厚さ、α…第１方向、β…第２方向、γ…方向、θ…傾斜角度、θ１…傾斜角度、θ２…傾斜角度

Claims (12)

  1. アルカリ金属が封入されている原子セルと、
    前記原子セルに照射する光を出射する発光素子と、
    前記原子セルを透過した光を検出する受光素子と、
    前記原子セルと前記発光素子との間に配置されている光透過性の第１光学素子と、
    前記第１光学素子と前記原子セルとの間に配置されている光透過性の第２光学素子と、を備え、
    前記第１光学素子は、前記発光素子からの光を、前記発光素子側に向けて前記光の光軸に対して傾斜した第１方向に反射させ、
    前記第２光学素子は、前記発光素子からの光を、前記発光素子側に向けて前記光の光軸に対して前記第１方向とは異なる方向に傾斜した第２方向に反射させることを特徴とする原子発振器。
  2. 前記光の光軸に対する前記第２方向の傾斜角度は、前記光の光軸に対する前記第１方向の傾斜角度よりも大きい請求項１に記載の原子発振器。
  3. アルカリ金属が封入されている原子セルと、
    前記原子セルに照射する光を出射する発光素子と、
    前記原子セルを透過した光を検出する受光素子と、
    前記原子セルと前記発光素子との間に配置され、前記光の光軸を法線とする面に対して傾斜した第１面を有し、前記第１面が前記発光素子からの光を反射させる光透過性の第１光学素子と、
    前記第１光学素子と前記原子セルとの間に配置され、前記光の光軸を法線とする面に対して前記第１面とは異なる方向に傾斜した第２面を有し、前記第２面が前記発光素子からの光を反射させる光透過性の第２光学素子と、を備えることを特徴とする原子発振器。
  4. 前記光の光軸を法線とする面に対する前記第２面の傾斜角度は、前記光の光軸を法線とする面に対する前記第１面の傾斜角度よりも大きい請求項３に記載の原子発振器。
  5. 前記第２光学素子は、反射型の減光フィルターである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の原子発振器。
  6. 前記原子セルと前記第２光学素子との間に配置されているレンズを備える請求項１ないし５のいずれか１項に記載の原子発振器。
  7. 前記原子セルと前記第２光学素子との間に配置されている１／４波長板を備える請求項１ないし６のいずれか１項に記載の原子発振器。
  8. 第１係合部を有し、前記第１光学素子を保持している第１保持部材と、
    前記第１係合部に係合している第２係合部を有し、前記第２光学素子を保持している第２保持部材と、を備え、
    前記第１係合部および前記第２係合部の係合により前記第１保持部材および前記第２保持部材の相対的な位置決めがなされている請求項１ないし７のいずれか１項に記載の原子発振器。
  9. 前記発光素子を収納しているパッケージを備え、
    前記第１光学素子および前記第１保持部材が前記パッケージの少なくとも一部を構成している請求項８に記載の原子発振器。
  10. 前記第２光学素子の反射率は、前記第１光学素子の反射率よりも高い請求項１ないし９のいずれか１項に記載の原子発振器。
  11. 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の原子発振器を備えることを特徴とする電子機器。
  12. 請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の原子発振器を備えることを特徴とする移動体。
JP2016174575A 2016-09-07 2016-09-07 原子発振器および電子機器 Active JP6693353B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016174575A JP6693353B2 (ja) 2016-09-07 2016-09-07 原子発振器および電子機器
CN201710711165.3A CN107800430A (zh) 2016-09-07 2017-08-18 原子振荡器和电子设备
US15/695,567 US10333536B2 (en) 2016-09-07 2017-09-05 Atomic oscillator, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016174575A JP6693353B2 (ja) 2016-09-07 2016-09-07 原子発振器および電子機器

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018042096A true JP2018042096A (ja) 2018-03-15
JP2018042096A5 JP2018042096A5 (ja) 2019-07-25
JP6693353B2 JP6693353B2 (ja) 2020-05-13

Family

ID=61282152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016174575A Active JP6693353B2 (ja) 2016-09-07 2016-09-07 原子発振器および電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10333536B2 (ja)
JP (1) JP6693353B2 (ja)
CN (1) CN107800430A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3376021B1 (en) * 2017-03-16 2022-05-04 Ricoh Company, Ltd. Laser device and internal combustion engine
JP2019193238A (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 セイコーエプソン株式会社 原子発振器および周波数信号生成システム
JP2020162054A (ja) * 2019-03-27 2020-10-01 セイコーエプソン株式会社 原子発振器および周波数信号生成システム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320472B1 (en) 1999-01-26 2001-11-20 Kernco, Inc. Atomic frequency standard
US8237514B2 (en) * 2009-02-06 2012-08-07 Seiko Epson Corporation Quantum interference device, atomic oscillator, and magnetic sensor
US8242851B2 (en) 2010-02-04 2012-08-14 Honeywell International Inc. Processes for stabilizing a VCSEL in a chip-scale atomic clock
JP5924155B2 (ja) * 2012-06-25 2016-05-25 セイコーエプソン株式会社 原子発振器および電子機器
JP6264876B2 (ja) * 2013-12-20 2018-01-24 セイコーエプソン株式会社 量子干渉装置、原子発振器、および電子機器
CN105515580B (zh) * 2014-10-14 2020-07-14 精工爱普生株式会社 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体

Also Published As

Publication number Publication date
JP6693353B2 (ja) 2020-05-13
US20180069559A1 (en) 2018-03-08
US10333536B2 (en) 2019-06-25
CN107800430A (zh) 2018-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10069504B2 (en) Quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object
JP6838326B2 (ja) 発光素子モジュール、原子発振器、電子機器および移動体
US10396810B2 (en) Quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object
JP6209840B2 (ja) 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
US9342269B2 (en) Quantum interference unit, quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object
JP6179327B2 (ja) 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP6672615B2 (ja) 電子デバイス、量子干渉装置、原子発振器および電子機器
JP6409267B2 (ja) 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP6693353B2 (ja) 原子発振器および電子機器
US10270458B2 (en) Quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and vehicle
JP2014183484A (ja) 電子デバイス、量子干渉装置、原子発振器、電子機器、移動体および電子デバイスの製造方法
JP6728850B2 (ja) 量子干渉装置、原子発振器および電子機器
US10096970B2 (en) Light-emitting element module, atomic oscillator, and electronic apparatus
US20180219554A1 (en) Atomic oscillator and electronic apparatus
JP6337464B2 (ja) 量子干渉装置、原子発振器、および電子機器
JP2019092023A (ja) 原子発振器、信号生成システムおよび電子機器
US10348318B2 (en) Light-emitting element module, atomic oscillator, and electronic apparatus
JP2018125362A (ja) 原子発振器、電子機器および移動体
JP6237096B2 (ja) 量子干渉装置、原子発振器、および電子機器
JP6926519B2 (ja) 発光素子モジュール、原子発振器、電子機器および移動体
JP2018125625A (ja) 原子発振器、電子機器および移動体
JP6750355B2 (ja) 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体
JP2019161569A (ja) 原子発振器、信号生成システムおよび電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20180910

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20190402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190617

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190617

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200227

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200317

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200330

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6693353

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250