CN106209097B - 电子器件、量子干涉装置、原子振荡器和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供电子器件、量子干涉装置、原子振荡器和电子设备,电子器件能够长期发挥优异的特性,量子干涉装置、振荡器具有上述电子器件。本发明的原子振荡器(1)具有:基体(31);原子室单元(2),其被配置在基体(31)上;盖体(32),其与基体(31)一起构成收纳原子室单元(2)的内部空间(S1);以及吸气材料(62),其在内部空间(S1)中与基体(31)之间具有空隙地被配置在基体(31)上。
Description
技术领域
本发明涉及电子器件、量子干涉装置、原子振荡器、心磁计、振荡器、电子设备、移动体和电子器件的制造方法。
背景技术
已知将功能部件收纳到气密密封的封装内的电子器件(例如,参照专利文献1)。
例如,专利文献1记载的蒸气室原子钟表物理封装具有:陶瓷主体和与陶瓷主体接合的陶瓷盖部,陶瓷主体和陶瓷盖部划分确定出收纳激光器、波片、蒸气室、加热器和光检测器等的空腔部。在这种封装中,通常通过对空腔部进行真空密封,实现例如加热器的节电化等特性的提高。
但是,在专利文献1记载的封装中,存在以下问题:由于在密封时或密封后从配置于空腔部的部件等随时间排出的不需要气体而导致空腔部的真空度下降,其结果,无法充分实现特性的提高。
专利文献1:日本特开2013-3139号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够长期发挥优异的特性的电子器件及其制造方法,并且,提供具有该电子器件的量子干涉装置、原子振荡器、心磁计、振荡器、电子设备以及移动体。
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的,能够作为下述的方式或应用例来实现。
[应用例1]
本发明的电子器件的特征在于,所述电子器件具有:基底部;功能部件,其被配置在所述基底部上;盖部,其与所述基底部一起构成收纳所述功能部件的内部空间;吸气材料,其在所述内部空间中与所述基底部之间具有空隙地被配置在所述基底部上。
根据这样的电子器件,能够利用吸气材料吸附去除并减少收纳功能部件的内部空间的不需要气体。尤其是,由于吸气材料被配置成相对于基底部具有间隙,所以在通过加热使吸气材料活化时,能够减少其热量对其他部分带来的不良影响(例如密封部和功能部件的损伤)。因此,能够将内部空间的真空度长期维持得较高,从而使电子器件的特性优异。
另外,在本说明书中,“被配置在基底部上”不仅包含直接安装到基底部的表面的情况,还包含经由其他部件安装到基底部的表面的情况。
[应用例2]
在本发明的电子器件中,优选的是,所述电子器件具有发热部,该发热部在所述内部空间中与所述基底部之间具有空隙地被配置在所述基底部上,能够加热所述吸气材料。
由此,能够使用发热部对吸气材料进行加热。此外,由于发热部被配置成相对于基底部具有间隙,所以能够减少发热部的热量对其他部分带来的不良影响(例如密封部和功能部件的损伤)。
[应用例3]
在本发明的电子器件中,优选的是,所述吸气材料和所述发热部被层叠。
由此,能够实现一种小型且能够容易地形成于基底部上的吸气材料和发热部。
[应用例4]
在本发明的电子器件中,优选的是,所述吸气材料有2层,所述发热部处于所述2层吸气材料之间。
由此,能够减小包含吸气材料和发热部的构造体的设置空间,同时增大吸气材料的表面积。
[应用例5]
在本发明的电子器件中,优选的是,所述电子器件具有导电性端子,该导电性端子将所述发热部和所述基底部连接。
由此,能够经由导电性端子向发热部供给电力而使发热部发热。
[应用例6]
在本发明的电子器件中,优选的是,所述导电性端子包含铜。
铜是导电性优异并且在金属之中比较柔软的金属。因此,通过使用铜构成导电性端子,能够经由导电性端子向发热部高效供给电力,并且,即使发热部伴随发热发生了热膨胀,也能够利用导电性端子来缓解发热部和基底部之间的应力。
[应用例7]
在本发明的电子器件中,优选的是,所述基底部或者所述盖部具有贯穿所述内部空间的内外的孔,所述孔被密封件塞住。
由此,在吸气材料的活化以前,能够提高内部空间的真空度,减少内部空间的不需要气体。因此,能够减小吸气材料的体积,伴随于此,能够实现电子器件的小型化。
[应用例8]
在本发明的电子器件中,优选的是,所述电子器件具有温度调节单元,该温度调节单元调节所述功能部件的温度。
由此,能够将功能部件维持到期望的温度,从而使电子器件的特性优异。
[应用例9]
本发明的量子干涉装置的特征在于,所述量子干涉装置具有本发明的电子器件。
根据这样的量子干涉装置,能够将内部空间的真空度长期维持得较高,从而使特性优异。
[应用例10]
在本发明的量子干涉装置中,优选的是,所述功能部件包含原子室单元,该原子室单元具有:原子室,其收纳金属原子;光源部,其射出使所述金属原子进行共振的光;以及受光部,其检测通过所述原子室后的所述光。
由此,能够高精度地进行原子室和光源部等的温度控制,并能够使量子干涉装置的特性优异。
[应用例11]
在本发明的量子干涉装置中,优选的是,所述量子干涉装置具有被配置在所述原子室单元和所述基底部之间的支撑部。
由此,能够减少原子室单元和外部之间的热传递,高精度地进行原子室和光源部等的温度控制。此外,在通过加热使吸气材料活化时,能够减少原子室单元和吸气材料之间的热传递,从而减少该热量对原子室单元造成的不良影响。
[应用例12]
在本发明的量子干涉装置中,优选的是,所述量子干涉装置具有发热部,该发热部在所述内部空间中与所述基底部之间具有空隙地被配置在所述基底部上,能够加热所述吸气材料,所述基底部和所述发热部之间的距离小于所述基底部和所述原子室之间的距离。
由此,能够减少从发热部向原子室单元的热传递。
[应用例13]
本发明的原子振荡器的特征在于,所述原子振荡器具有本发明的量子干涉装置。
根据这样的原子振荡器,能够将内部空间的真空度长期维持得较高,从而使特性优异。
[应用例14]
本发明的心磁计的特征在于,所述心磁计具有本发明的量子干涉装置。
根据这样的心磁计,能够将内部空间的真空度长期维持得较高,从而使特性优异。
[应用例15]
本发明的振荡器的特征在于,所述振荡器具有本发明的电子器件,所述功能部件是石英振子。
根据这样的石英振荡器,能够将内部空间的真空度长期维持得较高,从而使特性优异。
[应用例16]
本发明的电子设备的特征在于,所述电子设备具有本发明的电子器件。
根据这样的电子设备,由于电子器件长期具有优异的特性,所以能够发挥优异的可靠性。
[应用例17]
本发明的移动体的特征在于,所述移动体具有本发明的电子器件。
根据这样的移动体,由于电子器件长期具有优异的特性,所以能够发挥优异的可靠性。
[应用例18]
本发明的电子器件的制造方法的特征在于,包含以下工序:形成贯穿基底部和盖部中的一个的孔,并且在将功能部件和吸气材料配置在所述基底部上的状态下,利用所述基底部和所述盖部形成收纳所述功能部件和所述吸气材料的内部空间;利用密封件塞住所述孔来对所述内部空间进行密封;以及通过在与所述基底部之间具有空隙地配置所述吸气材料的状态下加热所述吸气材料,使所述吸气材料活化。
根据这样的电子器件的制造方法,能够利用吸气材料吸附去除并减少收纳功能部件的内部空间的不需要气体。尤其是,由于吸气材料被配置成相对于基底部具有间隙,所以在通过加热使吸气材料活化时,能够减少其热量对其他部分带来的不良影响(例如密封部和功能部件的损伤)。因此,在所得到的电子器件中,能够将内部空间的真空度长期维持得较高,从而使特性优异。
附图说明
图1是示出本发明第1实施方式的电子器件(原子振荡器)的概略图。
图2是用于说明碱金属的能量状态的图。
图3是示出来自光射出部的两种光的频率差与由光检测部检测的检测强度之间的关系的曲线图。
图4是图1所示的电子器件的概要结构的剖视图。
图5是示出图4所示的功能部件和吸气材料(getter material)的配置的俯视图。
图6是用于说明图5所示的吸气材料、发热部和导电性端子的图,图6的(a)是俯视图,图6的(b)是图6的(a)中的A-A线剖视图。
图7的(a)和(b)是用于说明图4所示的吸气材料的使用方法(电子器件的制造方法)的图。
图8是用于说明图4所示的吸气材料的使用方法(电子器件的制造方法)的图。
图9是用于说明本发明第2实施方式的吸气材料、发热部和导电性端子的图,图9的(a)是俯视图,图9的(b)是图9的(a)中的A-A线剖视图。
图10是示出本发明第3实施方式的电子器件(石英振荡器)的概略结构的剖视图。
图11的(a)和(b)是示出本发明第4实施方式的电子器件(心磁计)的概略结构的剖视图。
图12是示出在利用了GPS卫星的定位系统中使用本发明的振荡器的情况下的概略结构的图。
图13是示出具有本发明的振荡器的移动体(汽车)的结构的立体图。
标号说明
1:原子振荡器(电子器件);1A:石英振荡器(电子器件);2:原子室单元;2A:单元;3:封装;3A:封装;4:支撑部件;4A:支撑部件;5:控制部;6:吸气部件;6A:吸气部件;7:石英振子;8:IC芯片;9:磁传感器;10:心磁计(电子器件);11:激光光源;12:光纤;21:原子室;22:光射出部;24:光检测部;25:加热器;25A:加热器;26:温度传感器;26A:温度传感器;27:线圈;28:基板;28A:基板;29:连接部件;30:粘接剂;31:基体;32:盖体;32A:盖体;33:密封件;34:端子;41:脚部;42:连结部;43:柱部;51:激励光控制部;52:温度控制部;53:磁场控制部;61:发热部;62:吸气材料;62A:吸气材料;63:导电性端子;90:传感器元件;91:封装;92:偏振片;93a:反射镜;93b:反射镜;93c:反射镜;93d:反射镜;94a:反射镜;94b:反射镜;94c:反射镜;94d:反射镜;95:原子室;96:偏振光分离器;97:光检测器;98:光检测器;99:加热器;100:定位系统;121:光连接器;200:GPS卫星;211:主体部;212:透光部;213:透光部;231:光学部件;232:光学部件;291:连接部件;292:连接部件;300:基站装置;301:天线;302:接收装置;303:天线;304:发送装置;311:孔;400:GPS接收装置;401:天线;402:卫星接收部;403:天线;404:基站接收部;421:贯通孔;422:贯通孔;500:热板;1500:移动体;1501:车体;1502:车轮;a:第1方向;LL:激励光;m:磁向量;S:内部空间;S1:内部空间;S2:内部空间;S3:内部空间。
具体实施方式
以下,根据附图所示的实施方式,对本发明的电子器件、量子干涉装置、原子振荡器、心磁计、振荡器、电子设备、移动体以及电子器件的制造方法进行详细说明。
1.电子器件
<第1实施方式(原子振荡器)>
首先,对本发明的电子器件的第1实施方式进行说明。在本实施方式中,说明将本发明的电子器件应用于使用量子干涉效应的原子振荡器(量子干涉装置)的例子。
图1是示出本发明第1实施方式的电子器件(原子振荡器)的概略图。图2是用于说明碱金属的能量状态的图,图3是示出来自光射出部的两种光的频率差与由光检测部检测的检测强度之间的关系的曲线图。
图1所示的原子振荡器1是利用量子干涉效应的原子振荡器。
如图1所示,该原子振荡器1具有原子室21、光射出部22、光学部件231、232、光检测部24、加热器25(加热部)、温度传感器26、线圈27以及控制原子振荡器1的各部件的控制部5。
首先,简单说明原子振荡器1的原理。
如图1所示,在原子振荡器1中,光射出部22朝向原子室21射出激励光LL,由光检测部24对透过原子室21的激励光LL进行检测。
在原子室21内,封入有气态的碱金属(金属原子),如图2所示,碱金属具有三能级系统的能级,可得到能级不同的两个基态(基态1、2)和激发态这3个状态。这里,基态1能量是比基态2低的状态。
从光射出部22射出的激励光LL包含频率不同的两种共振光1、2,在对上述那样的气态的碱金属照射这两种共振光1、2时,共振光1、2在碱金属中的光吸收率(光透射率)根据共振光1的频率ω1与共振光2的频率ω2之差(ω1-ω2)而发生变化。
并且,在共振光1的频率ω1与共振光2的频率ω2之差(ω1-ω2)和相当于基态1与基态2之间的能量差的频率一致时,从基态1、2向激发态的激励分别停止。此时,共振光1、2均不被碱金属吸收而透过。将这样的现象称作CPT现象或者电磁感应透明现象(EIT:Electromagnetically Induced Transparency)。
例如,如果光射出部22将共振光1的频率ω1固定而使共振光2的频率ω2变化,则在共振光1的频率ω1与共振光2的频率ω2之差(ω1-ω2)和相当于基态1与基态2之间的能量差的频率ω0一致时,光检测部24的检测强度如图3所示那样,伴随上述的EIT现象急剧上升。将这样的陡峭信号检测为EIT信号。该EIT信号具有由碱金属的种类决定的固有值。因此,能够通过使用这样的EIT信号,构成振荡器。
以下,对本实施方式的原子振荡器1的各部件的结构进行说明。
图4是图1所示的电子器件的概要结构的剖视图。图5是示出图4所示的功能部件和吸气材料的配置的俯视图。图6是用于说明图5所示的吸气材料、发热部和导电性端子的图,图6的(a)是俯视图,图6的(b)是图6的(a)中的A-A线剖视图。另外,为了便于说明,以下将图4中的上侧称作“上”,将下侧称作“下”。
如图4所示,原子振荡器1(电子器件)具有:产生上述那样的量子干涉效应的原子室单元2(功能部件);收纳原子室单元2的封装3;支撑部件4(支撑部),其被收纳在封装3内,相对于封装3支撑原子室单元2;以及被收纳在封装3内的吸气部件6。另外,虽然未图示,但在封装3内或者封装3外,以围绕原子室单元2的方式配置有线圈27。此外,在封装3的外侧也可以根据需要设置有磁屏蔽罩。
此外,原子室单元2包含原子室21、光射出部22(光源部)、光学部件231和232、光检测部24(受光部)、加热器25(温度调节单元)、温度传感器26、基板28、连接部件29,并将这些部件单元化。具体而言,在基板28的上表面搭载有光射出部22、加热器25、温度传感器26和连接部件29,原子室21和光学部件231、232被连接部件29保持,并且光检测部24经由粘接剂30被接合到连接部件29。
以下,对原子振荡器1的各部件进行说明。
[原子室]
在原子室21内封入有气态的铷、铯、钠等碱金属。此外,在原子室21内,也可以根据需要,与碱金属气体一并封入有氩、氖等稀有气体、氮气等惰性气体作为缓冲气体。
如图4所示,原子室21具备:具有柱状的贯通孔的主体部211;以及封闭该贯通孔的两侧的开口的一对透光部212、213。由此,形成了封入有上述那样的碱金属的内部空间S。
这里,原子室21的各透光部212、213对来自光射出部22的激励光LL(共振光)具有透过性。而且,一个透光部212是使入射到原子室21内的激励光透过的“入射侧透光部”,另一个透光部213是使从原子室21内射出的激励光透过的“射出侧透光部”。
作为构成该透光部212、213的材料,只要如上述那样对激励光具有透过性,则不特别限定,例如可举出玻璃材料、石英等。
此外,构成原子室21的主体部211的材料没有特别限定,可以是硅材料、陶瓷材料、金属材料、树脂材料等,也可以与透光部212、213同样地是玻璃材料、石英等。
并且,将各透光部212、213与主体部211气密地接合。由此,能够使原子室21的内部空间S成为气密空间。
作为原子室21的主体部211与透光部212、213的接合方法,根据它们的构成材料来决定,没有特别限定,例如能够使用利用粘接剂的接合方法、直接接合法、阳极接合法等。
[光射出部]
光射出部22具有射出对原子室21中的碱金属原子进行激励的激励光LL的功能。
更具体而言,光射出部22射出上述那样的频率不同的两种光(共振光1以及共振光2)作为激励光。共振光1的频率ω1能够将原子室21中的碱金属从上述基态1激励(共振)成激发态。此外,共振光2的频率ω2能够将原子室21中的碱金属从上述基态2激励(共振)成激发态。
作为该光射出部22,只要能够射出上述那样的激励光,则没有特别限定,例如,能够使用垂直谐振器面发光激光器(VCSEL)等半导体激光器等。
[光学部件]
如图4所示,多个光学部件231、232分别被设置于上述光射出部22与原子室21之间的激励光的光路上。在本实施方式中,从光射出部22侧到原子室21侧,依次配置有光学部件231、光学部件232。
光学部件231为λ/4波片。由此,能够将来自光射出部22的激励光LL从线偏振光转换为圆偏振光(右旋圆偏振光或者左旋圆偏振光)。
在原子室21内的碱金属原子由于线圈27的磁场而产生塞曼分裂的状态下,如果向碱金属原子照射线偏振光的激励光,则由于激励光与碱金属原子的相互作用,碱金属原子均匀地分散存在于塞曼分裂后的多个能级。其结果是,由于期望能级的碱金属原子的数量与其它能级的碱金属原子的数量相比,相对较少,因此显现期望的EIT现象的原子数减少,期望的EIT信号的强度减小,结果导致原子振荡器1的振荡特性的下降。
与此相对,在原子室21内的碱金属原子由于线圈27的磁场而产生塞曼分裂的状态下,如果向碱金属原子照射圆偏振的激励光,则由于激励光与碱金属原子的相互作用,能够使碱金属原子进行塞曼分裂后的多个能级中的、期望的能级的碱金属原子的数量相比其它能级的碱金属原子的数量相对地变多。因此,显现期望的EIT现象的原子数增加,期望的EIT信号的强度增大,其结果是,能够提高原子振荡器1的振荡特性。
另外,线圈27可以是电磁线圈,也可以是亥姆霍兹(Helmholtz)线圈。此外,线圈27产生的磁场可以是直流磁场或交流磁场中的任意一种磁场,也可以是叠加直流磁场和交流磁场而成的磁场。
光学部件232为减光滤光片(ND滤光片)。由此,能够调整(减小)入射到原子室21的激励光LL的强度。因此,即使在光射出部22的输出较大的情况下,也能够使入射到原子室21的激励光成为期望的光量。在本实施方式中,利用光学部件232调整通过了上述光学部件231后的具有规定方向的偏振的激励光LL的强度。
另外,在光射出部22与原子室21之间,除了波片和减光滤光片以外,还可以配置透镜、偏振片等其它光学部件。此外,根据来自光射出部22的激励光的强度,能够省略光学部件232。
[光检测部]
光检测部24具有对透过原子室21内的激励光LL(共振光1、2)的强度进行检测的功能。
作为该光检测部24,只要能够检测上述那样的激励光LL,则没有特别限定,例如,能够使用太阳能电池、光电二极管等光检测器(受光元件)。
[加热器]
加热器25具有因通电而发热的发热电阻体(加热部)。该加热器25是对原子室21的温度进行调节的“温度调节单元(温度调节元件)”。由此,能够将作为功能部件的原子室单元2维持到期望的温度,使原子振荡器1的特性优异。
在本实施方式中,如上所述,加热器25被设置在基板28上。并且,来自加热器25的热量经由基板28和连接部件29被传递至原子室21。由此,原子室21(更具体而言,原子室21中的碱金属)被加热,能够将原子室21中的碱金属维持成期望浓度的气态。此外,在本实施方式中,来自加热器25的热量还经由基板28被传递至光射出部22。
该加热器25与原子室21隔开。由此,能够抑制因加热器25中的通电产生的不需要磁场给原子室21内的金属原子带来不良影响。
[温度传感器]
温度传感器26对加热器25或者原子室21的温度进行检测。进而,根据该温度传感器26的检测结果,控制上述加热器25的发热量。由此,能够将原子室21内的碱金属原子维持到期望的温度。
在本实施方式中,如上所述,温度传感器26被设置在基板28上。因此,温度传感器26经由基板28检测加热器25的温度。或者,温度传感器26经由基板28和连接部件29,检测原子室21的温度。
另外,温度传感器26的设置位置没有特别限定,例如可以在连接部件29上,可以在加热器25上,也可以在原子室21的外表面上。
作为温度传感器26,没有特别限定,能够使用热敏电阻、热电偶等公知的各种温度传感器。
[连接部件]
连接部件29将加热器25和原子室21的各透光部212、213热连接。由此,能够借助由连接部件29进行的热传导将来自加热器25的热量传递至各透光部212、213,对各透光部212、213进行加热。此外,能够使加热器25和原子室21隔开。因此,能够抑制因加热器25中的通电产生的不需要磁场给原子室21内的碱金属原子带来不良影响。此外,由于能够减少加热器25的数量,因此例如能够减少用于加热器25中的通电的布线数量,其结果,实现原子振荡器1(量子干涉装置)的小型化。
如图4所示,连接部件29由夹着原子室21设置的一对连接部件291、292构成。由此,能够使得连接部件29相对于原子室21的设置容易,并且使热量从连接部件29均匀地传递至原子室21的各透光部212、213。
一对连接部件291、292例如从原子室21的彼此相对的一对侧面的两侧以夹着原子室21的方式嵌合。并且,透光部212、213与连接部件291、292接触并被热连接。此外,连接部件291、292分别形成为避开激励光LL的通过区域。
另外,可以在连接部件291、292与透光部212之间、以及连接部件291、292与透光部213之间中的至少一方形成间隙,在该情况下,优选在该间隙中填充具有热传导性的粘接剂。由此,能够将透光部212、213和连接部件291、292热连接。作为该粘接剂,例如可举出金属糊料、含有导热性填充剂的树脂类粘接剂或硅树脂类粘接剂等。
此外,将连接部件291、292分别配置成在连接部件291、292与原子室21的主体部211之间形成间隙。由此,能够抑制连接部件291、292与原子室21的主体部211之间的热量的传递,从连接部件291、292向各透光部212、213高效地进行热量的传递。
作为这样的连接部件29的构成材料,只要是导热系数比构成原子室21的材料大的材料即可,优选使用热传导性优异的材料、例如金属材料。此外,与后述的封装3同样,为了不阻碍来自线圈27的磁场,作为连接部件29的构成材料,优选使用非磁性材料。
[基板]
基板28具有支撑上述光射出部22、加热器25、温度传感器26和连接部件29等的功能。此外,基板28具有将来自加热器25的热量传递至连接部件29的功能。由此,即使加热器25相对于连接部件29隔开,也能够将来自加热器25的热量传递至连接部件29。
这里,基板28将加热器25和连接部件29热连接。通过这样将加热器25和连接部件29搭载到基板28,能够提高加热器25的设置的自由度。
此外,通过将光射出部22搭载到基板28,能够利用来自加热器25的热量对基板28上的光射出部22进行温度调节。
此外,基板28具有与光射出部22、加热器25、温度传感器26电连接的布线(未图示)。
作为这样的基板28的构成材料,虽然没有特别限定,但是例如可举出陶瓷材料、金属材料等,能够单独使用这些材料中的1种或组合使用两种以上的材料。另外,在由金属材料构成基板28的表面的情况下,还能够提高基板28的表面的热反射率,抑制来自基板28的热辐射。此外,在由金属材料构成基板28的情况下,出于防止基板28具有的布线的短路等目的,可以根据需要,在基板28的表面设置例如由树脂材料、金属氧化物、金属氮化物等构成的绝缘层。
此外,与后述的封装3同样,为了不阻碍来自线圈27的磁场,作为基板28的构成材料,优选使用非磁性材料。
另外,基板28能够根据连接部件29的形状、加热器25的设置位置等而省略。在该情况下,将加热器25设置到与连接部件29接触的位置即可。
(封装)
如图4所示,封装3具有收纳原子室单元2和支撑部件4的功能。另外,可以在封装3内收纳除上述部件以外的部件。
如图4所示,该封装3具有板状的基体31(基底部)和有底筒状的盖体32(盖部),盖体32的开口由基体31封闭。由此,形成了收纳原子室单元2和支撑部件4的内部空间。这里,盖体32与原子室单元2以及支撑部件4隔开。即,在盖体32与原子室单元2以及支撑部件4之间设置有空间。由此,上述空间作为隔热层发挥功能,能够减少原子室单元2与封装3的外部之间的热干扰。
基体31经由支撑部件4支撑原子室单元2。
此外,基体31例如是布线基板,在基体31的下表面设有多个端子34。虽然未图示,但是该多个端子34经由贯穿基体31的布线,与设置于基体31的上表面的包含后述的导电性端子63的多个端子电连接。并且,在基体31上,分别经由未图示的布线(例如挠性布线基板或接合线等)电连接有上述光射出部22和基板28等。
此外,在基体31上形成有沿其厚度方向贯穿(贯穿内部空间S1的内外)的孔311(密封孔)。该孔311被例如由AuGe等金属构成的密封件33气密地塞住。由此,和在后述的吸气部件6的吸气材料62的活化以前、与基体31和盖体32的接合同时进行密封的情况相比,能够提高内部空间S1的真空度,减少内部空间S1的不需要气体。因此,能够减小吸气材料62的体积,伴随于此,能够实现原子振荡器1的小型化。另外,这种密封孔也可以设置于盖体32。
虽然作为该基体31的构成材料,没有特别限定,例如能够使用树脂材料、陶瓷材料等,优选使用陶瓷材料。由此,能够在实现构成布线基板的基体31的同时,使内部空间S1的气密性优异。
在这样的基体31上,接合有盖体32。作为基体31与盖体32的接合方法,没有特别限定,例如能够使用钎焊、缝焊、能量线焊接(激光焊接、电子线焊接等)等。另外,在基体31与盖体32之间,可以夹设有用于对它们进行接合的接合部件。
此外,优选将基体31和盖体32气密地接合。即,封装3内优选为气密空间。由此,能够使封装3内为减压状态,其结果是,能够提高原子振荡器1的特性。
尤其是,封装3内优选为减压状态(真空)。由此,能够抑制经由封装3内的空间的热量的传递。因此,能够抑制连接部件29与封装3的外部之间的热干涉。此外,能够更有效地抑制原子室单元2与封装3的外部之间的热量的传递。此外,在使用上述加热器25将原子室21的温度维持到规定温度时,能够减小加热器25的功耗。
作为这种盖体32的构成材料,没有特别限定,例如能够使用树脂材料、陶瓷材料、金属材料等,但是优选使用可伐合金、42合金、不锈钢等金属材料。由此,能够在实现具有磁屏蔽性的盖体32的同时,使内部空间S1的气密性优异。此外,在将线圈27配置于封装3的外部的情况下,能够使用SUS304等非磁性材料作为盖体32的构成材料。由此,由于能够减小内部空间S1的容积,所以能够使内部空间S1的气密性优异,并且能够减少加热器25的功耗。
[支撑部件]
支撑部件4(支撑部)被收纳在封装3内,并具有相对于封装3(更具体而言,构成封装3的一部分的基体31)支撑原子室单元2的功能。
此外,支撑部件4具有抑制原子室单元2与封装3的外部之间的热量传递的功能。由此,能够抑制原子室单元2的各部件与外部之间的热干扰。
如图5所示,该支撑部件4具有:多个(在本实施方式中为4个)脚部41(柱部)和多个(在本实施方式中为4个)柱部43;以及分别将多个脚部41间和多个柱部43间彼此连结的连结部42。
该多个脚部41配置于俯视时原子室单元2的外侧。
各脚部41呈四棱柱状,在与基体31的内侧的面垂直的方向上延伸。另外,脚部41不限定于上述的形状,例如可以呈筒状,也可以是横截面形状呈圆形。
这样的各脚部41的下端部利用例如粘接剂与封装3的基体31接合。另一方面,多个脚部41的上端部(另一端部)之间经由连结部42彼此连结。
连结部42整体呈板状,在连结部42形成有沿其厚度方向贯穿的多个贯通孔421和多个贯通孔422。由此,能够确保连结部42的刚性,并抑制连结部42中的热量的传递。
多个贯通孔421配置成在俯视时具有位于脚部41和柱部43之间的部分。由此,能够增大经由连结部42的脚部41和柱部43之间的热阻。
此外,多个贯通孔422设置于俯视时与原子室单元2重合的位置。由此,能够进一步增大整个连结部42的热阻。
在本实施方式中,各贯通孔421、422的俯视形状呈四边形。此外,该俯视形状不限于此,例如也可以是三角形、五边形等其他多边形、圆形、不规则形状等。
多个柱部43竖立设置于连结部42的上表面侧,通过连结部42将多个柱部43的下端部之间连结起来。
该多个柱部43配置于俯视时的原子室单元2的内侧。在本实施方式中,以与呈正方形的原子室21的角部对应的方式设有4个柱部43。柱部43的横截面呈四边形。另外,柱部43不限定于上述形状,例如可以呈筒状,也可以是横截面形状呈圆形。
在这样的各柱部43的上端部(连结部42相反侧的端部)接合(连接)有原子室单元2(更具体而言是基板28)。由此,通过支撑部件4支撑原子室单元2。
在这样构成的支撑部件4中,来自原子室单元2的热量依次通过柱部43、连结部42、脚部41后被传递至基体31。由此,能够增长经由支撑部件4的、从原子室单元2向基体31的热量的传递路径。
此外,作为支撑部件4的构成材料,只要是热传导性比较低、且可确保支撑部件4支撑原子室单元2的刚性的材料,则没有特别限定,但是优选使用例如树脂材料、陶瓷材料等非金属,更优选使用树脂材料。在主要由树脂材料构成支撑部件4的情况下,能够增大支撑部件4的热阻,并且即使支撑部件4的形状复杂,也能够使用例如注塑成型等公知的方法容易地制造支撑部件4。特别是在主要由树脂材料构成支撑部件4的情况下,能够容易地形成由热阻较大的发泡体构成的支撑部件4。
此外,为了不阻碍来自线圈27的磁场,作为支撑部件4的构成材料,优选使用非磁性材料。
根据以上这样的支撑部件4,由于配置于原子室单元2和基体31之间,所以能够减少原子室单元2和外部之间的热传递,高精度进行原子室21和光射出部22等的温度控制。此外,在通过加热使后述的吸气部件6的吸气材料62活化时,能够减少原子室单元2和吸气材料62之间的热传递,从而减少该热量对原子室单元2带来的不良影响。
[控制部]
图1所示的控制部5具有分别控制加热器25、线圈27和光射出部22的功能。
这样的控制部5具有:激励光控制部51,其控制光射出部22的共振光1、2的频率;温度控制部52,其控制原子室21中的碱金属的温度;以及磁场控制部53,其控制施加到原子室21的磁场。
激励光控制部51根据上述光检测部24的检测结果,控制从光射出部22射出的共振光1、2的频率。更具体而言,激励光控制部51以频率差(ω1-ω2)成为上述碱金属的固有频率ω0的方式,控制从光射出部22射出的共振光1、2的频率。此外,激励光控制部51控制从光射出部22射出的共振光1、2的中心频率。
这里,虽然未图示,但激励光控制部51具有压控型石英振荡器(振荡电路),其根据光检测部24的检测结果,对该压控型石英振荡器的振荡频率进行同步/调整,并将该压控型石英振荡器的输出信号作为原子振荡器1的输出信号进行输出。
例如,虽然未图示,但激励光控制部51具有对来自该压控型石英振荡器的输出信号进行频率倍增的倍增器,将通过该倍增器倍增后的信号(高频信号)叠加到直流偏置电流,并作为驱动信号输入到光射出部22。由此,通过以在光检测部24中能检测到EIT信号的方式对压控型石英振荡器进行控制,从压控型石英振荡器输出期望的频率的信号。例如,当设来自原子振荡器1的输出信号的期望的频率为f时,该倍频器的倍频率为ω0/(2×f)。由此,在压控型石英振荡器的振荡频率为f时,使用来自倍增器的信号对由半导体激光器等发光元件构成的光射出部22进行调制,能够使其射出频率差(ω1-ω2)为ω0的两种光。
并且,温度控制部52根据温度传感器26的检测结果控制对加热器25的通电。由此,能够将原子室21维持到期望的温度范围内。
此外,磁场控制部53以使线圈27产生的磁场恒定的方式,控制对线圈27的通电。
这样的控制部5例如被设置于安装在基板上的IC芯片中,该基板安装有封装3。另外,控制部5可以设置于封装3内(例如基体31上)。
[吸气部件]
吸气部件6在封装3的内部空间S1中被配置在基体31上。在本实施方式中,如图5所示,吸气部件6配置于在俯视时从原子室单元2远离的位置。该吸气部件6具有吸附去除内部空间S1的不需要气体的功能。
如图6所示,吸气部件6由发热部61、设置于发热部61上的吸气材料62、以及对吸气材料62支撑发热部61的一对导电性端子63构成。
发热部61由带状的发热电阻体构成,具有因通电而发热的功能。该发热部61能够通过其发热对吸气材料62进行加热。作为构成发热部61的具体材料,没有特别限定,但是可举出例如氧化铟锡(ITO)、碳系材料、钛酸钡系陶瓷(BaTiO3)、Fe-Cr-Al(Fe-Cr-Al合金)、Ni-Cr(Ni-Cr合金)等。
此外,基体31和发热部61之间的距离优选小于基体31和原子室21之间的距离。由此,能够减少从发热部61向原子室单元2的热传递。
在这样的发热部61的一个面(上表面)上呈层状地设有吸气材料62。该吸气材料62具有吸附或者吸收内部空间S1的不需要气体(例如氮气、氧气等)的功能(吸附功能)。在本实施方式中,吸气材料62是与发热部61相同的宽度和长度,形成在发热部61的一个面(导电性端子63相反侧的面)的整个区域内。由此,能够尽可能地增大吸气材料62的表面积,提高吸气材料62的吸附功能。
作为该吸气材料62,只要具有该功能,则没有特别限定,例如可举出包含钛、钡、钽、锆、铝、钒、铟、钙中的至少1个的合金或者Al-Zr-V-Fe系合金。
另一方面,发热部61的另一个面(下表面)经由一对导电性端子63被支撑于封装3的基体31。由此,发热部61在从基体31远离的状态下被一对导电性端子63支撑。这里,一对导电性端子63与发热部61的两端部连接,相对于封装3的基体31固定并支撑发热部61的两端部。由此,发热部61和吸气材料62与基体31之间形成有间隙(空隙)。这样,发热部61和吸气材料62在内部空间S1中与基体31之间具有间隙(例如0.1mm以上3mm以下的程度)地配置于基体31上。
作为各导电性端子63的构成材料,只要具有导电性,则没有特别限定,例如能够使用ITO(氧化铟锡)、ZnO(氧化锌)等透明电极材料、金(Au)、金合金、铂(Pt)、铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、铬(Cr)、铬合金、铜(Cu)、钼(Mo)、铌(Nb)、钨(W)、铁(Fe)、钛(Ti)、钴(Co)、锌(Zn)、锆(Zr)等金属材料、硅(Si)等半导体材料,但是优选使用金属材料(特别是铜)。铜是导电性优异并且在金属之中比较柔软的金属。因此,通过使用铜构成导电性端子63,能够经由导电性端子63向发热部61高效供给电力,并且,即使发热部61伴随发热发生了热膨胀,也能够利用导电性端子63来缓和发热部61和基体31之间的应力。
根据以上所说明的吸气部件6,能够利用吸气材料62吸附去除并减少收纳原子室单元2的内部空间S1的不需要气体。尤其是,由于吸气材料62被配置成相对于基体31具有间隙,所以在通过加热使吸气材料62活化时,能够减少其热量对其他部分带来的不良影响(例如基体31和盖体32之间的密封部和原子室单元2的损伤等)。因此,能够将内部空间S1的真空度长期维持得较高,使原子振荡器1的特性优异。
在本实施方式中,由于收纳在封装内的功能部件包含原子室单元2,所以能够高精度进行原子室21和光射出部22等的温度控制,能够使原子振荡器1(量子干涉装置)的特性优异。
尤其是,能够使用发热部61对吸气材料62进行加热。此外,由于发热部61被配置成相对于基体31具有间隙(空隙),所以能够减少发热部61的热量对其他部分带来的不良影响(例如基体31和盖体32之间的密封部和原子室单元2的损伤等)。
此外,吸气材料62和发热部61分别呈层状,并层叠,所以能够实现小型且可容易地形成在基体31上的吸气部件6(吸气材料62和发热部61)。
此外,一对导电性端子63将发热部61和基体31连接,所以能够经由一对导电性端子63向发热部61供给电力而使发热部61发热。因此,在将封装3密封后,能够容易地使吸气材料62活化。
根据以上所说明的原子振荡器1,能够将内部空间S1的真空度长期维持得较高,从而使特性优异。
(电子器件的制造方法)
以下,以制造上述原子振荡器1的情况为例,对本发明的电子器件的制造方法进行说明。
图7和图8是用于说明图4所示的吸气材料的使用方法(电子器件的制造方法)的图。
原子振荡器1的制造方法具有:[1]形成内部空间S1的工序;[2]利用密封件33塞住孔311的工序;[3]使吸气材料62活化的工序。以下,依次说明各工序。
[1]形成内部空间S1的工序
首先,如图7的(a)所示,在基体31上配置原子室单元2和吸气部件6,将基体31和盖体32接合,由基体31和盖体32形成收纳原子室单元2和吸气部件6的内部空间S1。这里,在基体31中形成有贯穿的孔311。
对于吸气部件6的形成,能够使用例如与公知的布线形成工艺同样的方法来形成。
[2]利用密封件33塞住孔311的工序
接着,如图7的(b)所示,利用密封件33塞住孔311来密封内部空间S1。
更详细说明的话,例如,将由AuGe等金属构成的锡球载置于孔311内,通过利用激光将该锡球熔融来形成密封件33。此时,通过在真空下(减压下)进行密封件33的形成,获得被真空密封的内部空间S1。
此外,例如图7的(b)所示,一边通过热板500对基体31和盖体32进行加热一边进行密封件33的形成。由此,能够对孔311的内壁面进行加热,提高密封件33相对于孔311的内壁面的密接性,使密封特性优异。另外,可以对孔311的内壁面实施用于提高密封件33的密接性的金属化加工等。
[3]使吸气材料62活化的工序
接着,如图8所示,经由设于基体31的外表面的端子34和吸气部件6的导电性端子,对吸气部件6的发热部61进行通电。由此,通过使发热部61发热,对吸气材料62进行加热使其活化。此时,发热部61和吸气材料62配置成与基体31之间具有间隙。由此,能够减少来自发热部61和吸气材料62的热量对其他部分带来的不良影响(例如密封部和功能部件的损伤)。
根据以上所说明的原子振荡器1的制造方法,能够利用吸气材料62吸附去除并减少收纳原子室单元2的内部空间S1的不需要气体。尤其是,由于发热部61和吸气材料62被配置成相对于基体31具有间隙,所以在通过加热使吸气材料62活化时,能够减少其热量对其他部分带来的不良影响(例如密封部和功能部件的损伤)。因此,在所得到的原子振荡器1中,能够将内部空间S1的真空度长期维持得较高,从而使特性优异。
<第2实施方式>
接着,说明本发明的第2实施方式。
图9是用于说明本发明第2实施方式的吸气材料、发热部以及导电性端子的图,图9的(a)是俯视图,图9的(b)是图9的(a)中的A-A线剖视图。
本实施方式除了吸气部件的吸气材料的配置不同以外,与上述第1实施方式相同。
另外,在以下的说明中,关于第2实施方式,以与上述实施方式的不同之处为中心进行说明,关于相同事项省略其说明。此外,在图9中,对与上述实施方式相同的结构标注相同标号。
如图9所示,本实施方式的吸气部件6A由发热部61、设置于发热部61上的一对吸气材料62A、以及对每个吸气材料62A支撑发热部61的一对导电性端子63构成。这里,具有2层吸气材料62A,在2层吸气材料62A之间具有发热部61。由此,能够减小作为包含吸气材料62A和发热部61的构造体的吸气部件6A的设置空间,并且增大吸气材料62A的表面积,使吸气部件6A的吸附功能优异。
此外,在本实施方式中,吸气材料62A的长度短于发热部61的长度,吸气材料62A配置于俯视时的一对导电性端子63之间。由此,能够偏向发热部61的温度最高的部分侧地配置吸气材料62A,从而高效地进行发热部61对吸气材料62A的加热。
<第3实施方式(石英振荡器)>
接着,说明本发明的第3实施方式。
图10是示出本发明第3实施方式的电子器件(石英振荡器)的概略结构的剖视图。
本实施方式除了将本发明的电子器件应用于石英振荡器以外,与上述第1实施方式相同。
另外,在以下的说明中,关于第3实施方式,以与上述实施方式的不同之处为中心进行说明,关于相同事项省略其说明。此外,在图10中,对与上述实施方式相同的结构标注相同标号。
如图10所示,石英振荡器1A(电子器件)具有:单元2A(功能部件),其在基板28A上搭载石英振子7、加热器25A和温度传感器26A而成;封装3A,其收纳单元2A;支撑部件4A(支撑部),其被纳在封装3A内,相对于封装3A支撑单元2A;以及吸气部件6,其被收纳在封装3A内。
封装3A具有基体31(基底部)和有底筒状的盖体32A(盖部),盖体32A的开口由基体31封闭。由此,形成了收纳单元2A、支撑部件4A和吸气部件6的内部空间S2。此外,在内部空间S2中,在基体31上设有IC芯片8(功能部件)。IC芯片8具有:用于与石英振子7一起构成振荡电路的驱动电路、和用于使用了加热器25A和温度传感器26A的温度控制的温度控制电路等。
在单元2A中,基板28A例如是布线基板,在基板28A的上表面上搭载有加热器25A和温度传感器26A,另一方面,在基板28A的下表面上搭载有石英振子7。在该单元2A中,根据温度传感器26A的检测温度来驱动加热器25A,将石英振子7的温度保持到规定温度。
作为石英振子7,没有特别限定,例如能够使用SC切或AT切的石英振子、SAW(Surface Acoustic Wave:表面声波)谐振器等。
这样的单元2A的基板28A经由支撑部件4A被支撑于封装3A的基体31。
根据以上所说明的石英振荡器1A,由于吸气材料62在内部空间S2中被配置成相对于基体31具有间隙,所以能够长期较高地维持内部空间S2的真空度,从而使特性优异。
<第4实施方式(心磁计)>
接着,说明本发明的第4实施方式。
图11是示出本发明第4实施方式的电子器件(心磁计)的概略结构的剖视图。
本实施方式除了将本发明的电子器件应用于心磁计以外,与上述第1实施方式相同。
另外,在以下的说明中,关于第4实施方式,以与上述实施方式的不同之处为中心进行说明,关于相同事项省略其说明。此外,在图11中,对与上述实施方式相同的结构标注相同标号。
图11所示的心磁计10具有磁传感器9、和经由光纤12与磁传感器9连接的激光光源11。
激光光源11输出例如与铯的吸收线对应的波长的激励光LL。激励光LL的波长例如是相当于D1线的894nm。此外,激光光源11是可调谐激光,从激光光源11输出的激励光LL是具有固定光量的连续光。
这样的激光光源11经由光纤12与磁传感器9连接。并且,来自激光光源11的激励光LL经由光纤12被提供给磁传感器9。在光纤12的磁传感器9侧的端部设有与磁传感器9连接的光连接器121。
磁传感器9是被称作光泵磁力仪和光泵原子磁传感器的传感器。该磁传感器9具有封装91、配置于封装91内的偏振片92、反射镜93a~93d、94a~94d、多个传感器元件90、吸气部件6、和设置于封装91的外表面的多个加热器99。
经由光连接器121供给到磁传感器9的、在+X轴方向上行进的激励光LL在偏振片92中通过。通过偏振片92后的激励光LL成为线偏振光,沿着+X轴方向,依次通过作为半反射镜的反射镜93a、93b、93c,并入射到作为反射镜的反射镜93d。此时,反射镜93a、93b、93c分别朝向-Y轴方向反射激励光LL的一部分。并且,反射镜93d朝向-Y轴方向反射入射来的所有激励光LL。
这样,利用反射镜93a、93b、93c、93d,将激励光LL分支为4个光路。这里,以分支出的4个光路的激励光LL的光强度彼此相同的方式,设定各反射镜93a、93b、93c、93d的反射率。
由反射镜93a、93b、93c、93d反射后的激励光LL沿着-Y轴方向,依次通过作为半反射镜的反射镜94a、94b、94c,并入射到作为反射镜的反射镜94d。此时,反射镜94a、94b、94c分别朝向+Z轴方向反射激励光LL的一部分。并且,反射镜94d朝向+Z轴方向反射入射来的所有激励光LL。
这样,利用反射镜94a、94b、94c、94d将1个光路的激励光LL分支为4个光路。其结果,激励光LL被分支为总计16个光路。这里,以分支出的4个光路的激励光LL的光强度彼此相同的方式,设定各反射镜94a、94b、94c、94d的反射率。
这样被反射镜93a、93b、93c、93d、94a、94b、94c、94d分支为16个光路的激励光LL分别入射到独立的传感器元件90。所以,与分支出的16个激励光LL对应地设置16个传感器元件90。
各传感器元件90具有原子室95、偏振光分离器96和光检测器97、98。
原子室95呈4行4列的矩阵状地排列有16个,并配置于上述各反射镜94a、94b、94c、94d的+Z轴方向侧的激励光LL的各光路中。因此,由反射镜94a、94b、94c、94d反射后的激励光LL入射到原子室95。各原子室95与上述第1实施方式的原子室21同样构成。
在这样的各原子室95的+Z轴方向侧设置有偏振光分离器96,通过原子室95后的激励光LL入射到偏振光分离器96。偏振光分离器96是将入射来的激励光LL分离为彼此垂直的2个偏振光成分的元件。作为该偏振光分离器96,例如能够使用渥拉斯顿棱镜或偏振光束分离器。
在这样的偏振光分离器96的+Z轴方向侧设置有光检测器97,在偏振光分离器96的-Y轴方向侧设置有光检测器98。通过偏振光分离器96后的激励光LL(一个偏振光成分)入射到光检测器97,由偏振光分离器96反射后的激励光LL(另一个偏振光成分)入射到光检测器98。光检测器97、98分别输出与入射来的激励光LL的光量对应的电流。该光检测器97、98优选分别由非磁性材料构成。由此,能够防止从光检测器97、98产生磁场并对测量带来影响。
封装91收纳偏振片92、反射镜93a~93d、94a~94d、多个传感器元件90和吸气部件6。虽然未图示,但该封装91具有:基底部,其配置有偏振片92、反射镜93a~93d、94a~94d、多个传感器元件90和吸气部件6;以及盖部,其与基底部一起构成(划分形成)收纳基底部上的部件的内部空间S3。
此外,在封装91的外表面的X轴方向的两个面和Y轴方向的两个面设有加热器99。加热器99优选为不产生磁场的构造,例如优选使用使蒸气或热风在流道中通过来进行加热的方式的加热器。另外,作为原子室95的加热方法,不限于使用加热器99的方法,例如可以采用通过高频电压对原子室95进行感应加热的方法。
如上所说明地构成的心磁计10例如如下进行使用。
在使用时,以被检体相对于磁传感器9位于-Z轴方向侧的方式配置磁传感器。由此,被检体发出的磁向量m从-Z轴方向侧朝+Z轴方向侧地通过磁传感器9的原子室95。
这里,通过被照射线偏振光的激励光LL,原子室95内的铯气体(铯原子)被激励且磁矩的取向对齐。在该状态下,在磁向量m通过原子室95后,铯原子的磁矩通过磁向量m的磁场而进动。将该进动称作拉莫尔进动。拉莫尔进动的大小与磁向量m的强度具有正的相关。此外,拉莫尔进动使激励光LL的偏振面旋转。拉莫尔进动的大小和激励光LL的偏振面的旋转角的变化量具有正的相关。因此,磁向量m的强度和激励光LL的偏振面的旋转角的变化量具有正的相关。这种磁传感器9被配置成,磁向量m在沿着Z轴方向的第1方向a的灵敏度较高,与第1方向a垂直的成分的灵敏度较低。
光检测器97、98通过检测垂直的2个成分的线偏振光的强度,检测激励光LL的偏振面的旋转角。并且,磁传感器9根据激励光LL的偏振面的旋转角的变化,检测磁向量m的强度。
根据以上所说明的心磁计10,能够将内部空间的真空度长期维持得较高,从而使特性优异。
另外,传感器元件90的个数和配置不限于上述个数和配置,例如,可以为3行以下也可以为5行以上。传感器元件90的个数越多,越能够提高空间分辨率。
2.电子设备
以上所说明的本发明的振荡器可组装到各种电子设备中。这样的具有本发明的振荡器的电子设备具有优异的可靠性。
以下,对具有本发明的振荡器的电子设备的一例进行说明。
图12是示出在利用了GPS卫星的定位系统中使用本发明的振荡器的情况下的概略结构的图。
图12所示的定位系统100由GPS卫星200、基站装置300和GPS接收装置400构成。
GPS卫星200发送定位信息(GPS信号)。
基站装置300具有:接收装置302,其例如经由设置于电子基准点(GPS连续观测站)的天线301,高精度地接收来自GPS卫星200的定位信息;以及发送装置304,其经由天线303发送由该接收装置302接收到的定位信息。
这里,接收装置302是具有上述本发明的原子振荡器1作为其基准频率振荡源的电子装置。这样的接收装置302具有优异的可靠性。此外,由接收装置302接收到的定位信息被发送装置304实时地发送。
GPS接收装置400具有:卫星接收部402,其经由天线401接收来自GPS卫星200的定位信息;以及基站接收部404,其经由天线403接收来自基站装置300的定位信息。
3.移动体
此外,上述那样的本发明的振荡器能够组装到各种移动体。这样的具有本发明的振荡器的移动体具有优异的可靠性。
下面,对本发明的移动体的一例进行说明。
图13是示出具有本发明的振荡器的移动体(汽车)的结构的立体图。
图13所示的移动体1500构成为具有车体1501和4个车轮1502,通过设置于车体1501的未图示的动力源(发动机)使车轮1502旋转。在这样的移动体1500中内置有原子振荡器1。并且,例如,未图示的控制部根据来自原子振荡器1的振荡信号控制动力源的驱动。
另外,本发明的电子设备不限于上述电子设备,例如还能够应用于智能手机、平板终端、钟表、移动电话机、数字静态照相机、喷墨式排出装置(例如喷墨打印机)、个人计算机(移动型个人计算机、膝上型个人计算机)、电视、摄像机、录像机、车载导航装置、寻呼机、电子记事本(还包含带通信功能的)、电子辞典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、视频电话、防盗用电视监视器、电子双筒望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、地面数字广播、移动电话基站等。
以上,根据图示的实施方式对本发明的电子器件、量子干涉装置、原子振荡器、心磁计、振荡器、电子设备、移动体和电子器件的制造方法进行了说明,但是本发明不限于此,例如能够将上述实施方式的各部件的结构置换为发挥相同功能的任意结构,此外,还能够附加任意结构。
此外,上述实施方式的封装内的结构为一例,不限于此,封装内的各部件的结构可以适当变更。
此外,在上述实施方式中,以将本发明的电子器件分别应用于利用量子干涉效应的原子振荡器、石英振荡器、心磁计(磁传感器)的情况为例子进行了说明,但是只要是在进行了气密密封的封装内收纳功能部件的电子器件,则不限定于此,例如,还能够应用于除了利用双共振法的原子振荡器、石英振荡器以外的振荡器等。
Claims (10)
1.一种电子器件,其特征在于,所述电子器件具有:
基底部;
功能部件,其被配置在所述基底部上;
盖部,其与所述基底部一起构成收纳所述功能部件的内部空间;
吸气材料,其在所述内部空间中与所述基底部之间具有空隙地被配置在所述基底部上;以及
发热部,其在所述内部空间中与所述基底部之间具有空隙地被配置在所述基底部上,能够加热所述吸气材料,
所述基底部或者所述盖部具有贯穿所述内部空间的内外的孔,在将所述基底部和所述盖部接合后、且所述吸气材料的活化前,利用密封件塞住所述孔。
2.根据权利要求1所述的电子器件,其中,
所述吸气材料和所述发热部被层叠。
3.根据权利要求2所述的电子器件,其中,
所述吸气材料有2层,所述发热部处于2层的所述吸气材料之间。
4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的电子器件,其中,
所述电子器件具有导电性端子,该导电性端子将所述发热部和所述基底部连接。
5.根据权利要求4所述的电子器件,其中,
所述发热部经由所述导电性端子被支撑于所述基底部。
6.根据权利要求1~3中的任意一项所述的电子器件,其中,
所述电子器件具有温度调节单元,该温度调节单元调节所述功能部件的温度。
7.一种量子干涉装置,其特征在于,
所述量子干涉装置具有权利要求1~4中的任意一项所述的电子器件,
所述功能部件包含原子室单元,该原子室单元具有:原子室,其收纳金属原子;光源部,其射出使所述金属原子进行共振的光;以及受光部,其检测通过所述原子室后的所述光。
8.根据权利要求7所述的量子干涉装置,其中,
所述量子干涉装置具有发热部,该发热部在所述内部空间中与所述基底部之间具有空隙地被配置在所述基底部上,能够加热所述吸气材料,
所述基底部和所述发热部之间的距离小于所述基底部和所述原子室之间的距离。
9.一种原子振荡器,其特征在于,
所述原子振荡器具有权利要求7所述的量子干涉装置。
10.一种电子设备,其特征在于,
所述电子设备具有权利要求1~4中的任意一项所述的电子器件。
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---|---|---|---|---|
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US10145909B2 (en) * | 2014-11-17 | 2018-12-04 | Seiko Epson Corporation | Magnetism measuring device, gas cell, manufacturing method of magnetism measuring device, and manufacturing method of gas cell |
JP7081224B2 (ja) | 2018-03-08 | 2022-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器および周波数信号生成システム |
JP7063018B2 (ja) | 2018-03-08 | 2022-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器および周波数信号生成システム |
JP2019193238A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器および周波数信号生成システム |
JP7375331B2 (ja) * | 2019-04-26 | 2023-11-08 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスおよび電子機器 |
JP7486737B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-05-20 | 日本電子株式会社 | 磁場補償モジュール、物理パッケージシステム、光格子時計用物理パッケージシステム、原子時計用物理パッケージシステム、原子干渉計用物理パッケージシステム、及び、量子情報処理デバイス用物理パッケージシステム |
CN111973167A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-24 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 可穿戴设备、光学装置、光学模组及其封装方法 |
WO2023139895A1 (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-27 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 原子ビーム生成装置、物理パッケージ、光格子時計用物理パッケージ、原子時計用物理パッケージ、原子干渉計用物理パッケージ、量子情報処理デバイス用物理パッケージ、及び、物理パッケージシステム |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1698007A (zh) * | 2003-03-10 | 2005-11-16 | 精工爱普生株式会社 | 光学部件定位夹具以及光学装置的制造装置 |
JP2006124207A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 燃料改質器収納用容器および燃料改質装置 |
CN101800545A (zh) * | 2009-02-06 | 2010-08-11 | 爱普生拓优科梦株式会社 | 量子干涉装置、原子振荡器以及磁传感器 |
JP2012013671A (ja) * | 2010-02-04 | 2012-01-19 | Honeywell Internatl Inc | アルカリ気相セルのための装置および方法 |
CA2822484A1 (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-20 | Institut National D'optique | Mems-based getter microdevice |
CN104518794A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 精工爱普生株式会社 | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 |
CN104570707A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 霍尼韦尔国际公司 | 用于晶片级原子钟的系统和方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010251702A (ja) | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | 電子部品、パッケージおよび赤外線センサ |
JP5534398B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2014-06-25 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | パッケージ及びパッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器、並びに電波時計 |
US8067991B2 (en) * | 2010-02-04 | 2011-11-29 | Honeywell International Inc. | Chip-scale atomic clock with two thermal zones |
JP5640490B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 原子発振器 |
US8624682B2 (en) | 2011-06-13 | 2014-01-07 | Honeywell International Inc. | Vapor cell atomic clock physics package |
JP2013254916A (ja) | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Panasonic Corp | 電子部品およびその製造方法 |
US9169974B2 (en) * | 2013-07-23 | 2015-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Multiple-cavity vapor cell structure for micro-fabricated atomic clocks, magnetometers, and other devices |
-
2015
- 2015-05-28 JP JP2015108932A patent/JP6672615B2/ja active Active
-
2016
- 2016-05-20 US US15/160,223 patent/US10187073B2/en active Active
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1698007A (zh) * | 2003-03-10 | 2005-11-16 | 精工爱普生株式会社 | 光学部件定位夹具以及光学装置的制造装置 |
JP2006124207A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 燃料改質器収納用容器および燃料改質装置 |
CN101800545A (zh) * | 2009-02-06 | 2010-08-11 | 爱普生拓优科梦株式会社 | 量子干涉装置、原子振荡器以及磁传感器 |
JP2012013671A (ja) * | 2010-02-04 | 2012-01-19 | Honeywell Internatl Inc | アルカリ気相セルのための装置および方法 |
CA2822484A1 (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-20 | Institut National D'optique | Mems-based getter microdevice |
CN104518794A (zh) * | 2013-09-30 | 2015-04-15 | 精工爱普生株式会社 | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 |
CN104570707A (zh) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | 霍尼韦尔国际公司 | 用于晶片级原子钟的系统和方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
被动型氢原子钟吸气剂泵的应用研究;杨浩 等;《真空科学与技术学报》;20140415;第32卷(第4期);第337-340页 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6672615B2 (ja) | 2020-03-25 |
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