CN104570707A - 用于晶片级原子钟的系统和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了用于晶片级原子钟的系统和方法。在至少一个实施例中，一种晶片级设备包括：第一衬底；接合到所述第一衬底的室层，所述室层包括多个密封地隔离的室，其中针对所述多个密封地隔离的室中的每个室产生分离的测量；以及接合到所述室层的第二衬底，其中所述第一衬底和所述第二衬底包括用以控制分离的测量的电子器件，其中分离的测量被组合成单个测量。
Description
背景技术
芯片级原子钟（CSAC）包括气室（gas cell），所述气室包含诸如铷（Rb）的碱金属的蒸气。该室还典型地包含缓冲气体，诸如氩-氮缓冲气体混合物。典型地，经RF调制、偏振的光被照射到室中以询问（interrogate）蒸气来获取构成蒸气的原子的共振频率的测量。CSAC可以用在精确定时系统中以改进诸如手持GPS的位置定位设备的精度。尽管令人印象深刻地小，但是CSAC对于一些低剖面（low profile）应用而言太大。
发明内容
提供了用于晶片级（wafer scale）原子钟的系统和方法。在至少一个实施例中，一种晶片级设备包括：第一衬底；接合到所述第一衬底的室层，所述室层包括多个密封地隔离的室，其中针对所述多个密封地隔离的室中的每个室产生分离的测量；以及接合到所述室层的第二衬底，其中所述第一衬底和所述第二衬底包括用以控制分离的测量的电子器件，其中分离的测量被组合成单个测量。
附图说明
理解到附图仅仅描绘了示例性实施例并且并不因此将被认为在范围上是限制性的，将通过使用附图以附加特性和细节来描述这些示例性实施例，在附图中：
图1是在本公开中描述的一个实施例中的晶片级设备的横截面图；
图2是在本公开中描述的一个实施例中的示例性晶片级原子钟的横截面图；
图3是在本公开中描述的一个实施例中的用于晶片级设备的晶片级物理封装的横截面视图；以及
图4是图示了在本公开中描述的一个实施例中的用于制造晶片级设备的方法的流程图。
根据通常的实践，各种描述的特征未按比例绘制，而是绘制为强调与示例性实施例相关的特定特征。
具体实施方式
在以下详细描述中，对形成其一部分的附图进行参考，并且其中作为说明而示出特定的说明性实施例。然而，要理解的是，可以利用其它实施例，并且可以做出逻辑、机械以及电气上的改变。此外，在绘制的图和说明书中呈现的方法不要解释为限制可以用来执行单独步骤的顺序。因此，不将在限制性意义上理解以下详细描述。
本公开的实施例允许一种晶片级原子钟，其提供比在通常可用的CSAC设备的情况下可得到的剖面更低的剖面，同时实现精度并且产生改进，这通过使用多个减小尺寸的室，其中每个室包含共振材料，所述共振材料被测量以提供共振特征（signature）或其它类型的测量。此外，来自单独室的共振特征被一起平均以提供对于时钟信号的最终测量。由于包含振荡材料的室变得更小，振荡测量的精度可能降低。为了增加测量的精度，形成多个小室，其各自提供不同的测量。阵列的单独室可以被调谐以得到期望的独立灵敏性，从而使平均值对环境更鲁棒。不同的测量被平均，其中平均测量是对特定材料的振荡的更准确测量。另外，与产生自不同室的多数测量显著不同的共振特征（“异常值”）可以从平均值的计算中被排除。
图1是包含了室层102中所形成的多个室104的晶片级设备100的横截面图，其中所述多个室104各自包封以特定频率共振的材料。在一个示例性实现中，在室104内的气体混合物可以是温度稳定的并且经受稳定的磁场，并且然后被询问以提供诸如共振频率之类的测量。在一个示例性实现中，共振频率用于规定（discipline）由温度补偿的晶体振荡器（TCXO）提供的时钟振荡，其中晶片级设备100和TCXO共同起原子钟的作用。在另外的示例中，室104内的材料可以包含铷、铯等。为了在室层102中形成室104，在晶片层103内形成孔。例如，可以由硅材料形成的晶片层103可以具有穿过晶片层103而延伸的多个孔。晶片层103然后可以密封地结合到第一层106。当晶片层103接合到第一层106时，材料可以沉积到多个室104内。当材料沉积到多个室104内时，第二层108可以在晶片层103的与第一层106相对的侧上密封地接合到晶片层103。在至少一个实现中，第一层106和第二层108到晶片层103的结合将材料密封地封闭在多个室104内并形成室层102。在某些实施例中，第一衬底110和第二衬底112可以接合到室层102的相对侧以提供对于晶片级设备100的操作的功能和结构支持。
在本文描述的实施例中，多个室104可以足够小以形成为晶片的部分。在至少一个实现中，室层102近似30密耳厚。由于室104的小尺寸，可以从多个室104中的单个室产生的测量的精度受到室的小尺寸的负面影响。然而，由多个室104产生的多个测量的组合可以产生具有增加的精度的测量。由于室层102、第一层106和第二层108薄，设备100具有低剖面，这允许将晶片级设备100安装在具有受限空间要求的仪器中。
图2是示例性晶片级原子钟200的横截面图。以与图1中的设备100类似的方式，原子钟200包括多个室204，所述多个室204以与上文在图1中描述的多个室104类似的方式起作用。例如，原子钟200包括三个室204，其各自包括以共振频率共振的共振材料，其中材料的共振频率可以被检测以为其它系统提供参考时钟。为了制造原子钟200，原子钟200包括多个晶片层，这多个晶片层以与上文关于图1描述的晶片级设备100类似的方式接合在一起。例如，原子钟200包括电子器件层202。电子器件层202包括支持原子钟200的操作的电子器件。在至少一个实现中，电子器件层202是硅晶片，其具有形成于其中的基于CMOS的电子器件。
在另外的实现中，原子钟200包括光源层206。光源层206包括多个光源214，其中每个光源214将光发射到室层213中的多个室204之一中。例如，光源214可以包括单独的垂直空腔表面发射激光器（VCSEL），其中每个VCSEL将激光束发射到相关联的室204中。在至少一个实现中，光源层由GaA制造。此外，光源层206可以包括光检测器（photodetector）连同相关联的增益和采样设备，所述光检测器检测从多个室204反射出的光。在一个实现中，电子器件层202和光源层206二者各自都具有近似10密耳的厚度。
在某些实施例中，四分之一波长板层208被制造并接合到光源层206，使得四分之一波长板层208在光源层206与室层213之间。例如，四分之一波长板层208可以是诸如石英之类的双折射晶体材料的薄层。可替代地，四分之一波长板层208可以包括具有金属化图案的玻璃的层，所述金属化图案在玻璃表面上形成为四分之一波长板线阵列。从多个光源214发射的光在它进入室层213中的室204之前通过四分之一波长板层208中的平面四分之一波长板。当光通过四分之一波长板层208时，形成波干扰，其使得光变成圆偏振的。经偏振的光继续穿过室204中的气体混合物并且从光控制层212的表面被反射。经反射的光然后向后通过室204中的气体混合物并且通过四分之一波长板层208，其中光照射在也位于光源层206中的光检测器上。在某些实现中，图1中的第一衬底110包括电子器件层202、光源层206以及四分之一波长板层208。
如上文关于图1所陈述的，通过在硅晶片中形成室并将气体混合物密封地封闭在室内来制造室层213。在一个示例性实现中，为了形成室层213，在晶片层210内将室挖空。在至少一个实现中，晶片层210由硅晶片制造。当室被挖空时，晶片层210阳极地结合到第一玻璃层209以形成金属或液体可以被放置于其中的杯状储藏库。例如，第一玻璃层209阳极地结合到晶片层210的一侧，使得室204的一侧被封闭。当第一玻璃层209结合到晶片层210时，固体或液体被放置在室204内。例如，铷或铯被放置在室204内。当固体被放置在室204内时，第二玻璃层211在晶片层210的打开侧上结合到晶片层210以密封地封闭室204。例如，第二玻璃层211阳极地结合到晶片层210的与晶片层210结合到第一玻璃层209的侧所相对的侧。当室被形成时，晶片层210在存在真空的情况下结合到第二玻璃层211。可替代地，晶片层210在存在处于低压的缓冲气体的情况下结合到第二玻璃层211。当晶片层210在存在缓冲气体的情况下结合到第二玻璃层211时，缓冲气体起作用以防止从固体或液体脱气的原子以高速碰撞室204的壁。当晶片层210结合到第一玻璃层209和第二玻璃层208以形成室层213时，固体/液体材料由于缓冲气体的较低压和原子钟暴露于热中而变成气体。
在另外的实施例中，原子钟200包括光控制层212。在至少一个实现中，光控制层212是金属化的反射器。当光控制层212是金属化的反射器时，光控制层212将离开室层213中的室204的光反射回室204中。可替代地，光控制层212是CMOS电子衬底，其包括光检测器、放大器以及采样设备。当光控制层212是CMOS电子衬底时，光检测器检测离开室204、入射在光检测器上的光。
在某些实施例中，原子钟200中的不同层，电子器件层202、光源层206、四分之一波长板层208、室层213以及光控制层212被分别制造并然后结合在一起作为堆叠的晶片以形成原子钟200。例如，不同的层通过热压缩、热声压缩、焊球凸起等接合在一起。在至少一个实现中，不同的层在不使用环氧树脂或包含有机物的焊料的情况下接合在一起。避免环氧树脂和具有有机物的焊料也避免了当某些结合材料超时暴露于真空时可能发生的脱气。在另外的实现中，吸气剂可以用于吸收由脱气材料产生的气体。当制造原子钟200时，原子钟200可以安装在晶片级物理封装内侧。
图3是用于晶片级设备100的晶片级物理封装300的横截面视图。物理封装300可以包括陶瓷外壳302，其限定空腔303以用于容纳晶片级物理封装300的部件，所述晶片级物理封装300包括上文在图1中描述的晶片级设备100（其可以是如上文在图2中所描述的原子钟200）。在空腔303中包括部件的陶瓷外壳302可以包括低温共烧陶瓷（LTCC）封装。晶片级物理封装300还可以包括第一非磁性（例如，陶瓷）盖304和第二非磁性盖305，它们被配置为包封陶瓷主体302的空腔303以形成闭合的封装，该闭合的封装包住空腔303及其中的部件。在示例中，盖304和305具有一般而言平面的形状。可替代地，高渗透性金属可以用于零件304和305从而形成密封/真空的包封，该包封形成晶片水平物理封装300周围的外部金属屏蔽的部分。
第一盖304和第二盖305可以安装在一个或多个间隔物318（例如，支柱（leg）结构、垫圈）的相对侧。此外，在空腔303内，第一支架310和第二支架312可以起到用于晶片级设备100的支持结构的作用。第一支架310和第二支架312被安装到间隔物318上的凸缘（flange）308。例如，焊料凸起306用于将第一支架310和第二支架接合到间隔物318上的凸缘308。因此，晶片级设备100在一端上附接到第一支架310并且在相对端上附接到第二支架312。当第一支架310和第二支架312由间隔物318上的凸缘308支持时，晶片级设备100可以布置在间隔物318的孔隙内。在示例中，间隔物318可以具有环形形状（例如，五边形的环形形状），其中限定了孔隙。间隔物318可以布置在晶片级设备100的周围，使得晶片级设备100在由间隔物318包封的孔隙内。
在至少一个实现中，第一盖304和第二盖305可以利用焊封而结合到间隔物318。在至少一个示例中，用于将盖304和305封到间隔物318的封闭操作和管芯附接在不使用焊剂（flux）的情况下实现，从而使得能够实现封闭封装中的低压，这可以使得能够实现较低功率操作。在示例中，盖304可以在真空中被封到主体302。物理封装300还可以包括吸气剂膜，其涂覆了第一盖304和第二盖305的内部表面的大部分。而且，吸气剂膜可以涂覆第一支架310和第二支架312的部分。为了以可以用于物理封装300的尺寸来生产支架310和312，支架310和312可以通过使用半导体制造工艺来制造。
在示例中，间隔物318还可以起作用以减少将第一支架310和第二支架312耦合到凸缘308以及将第一盖304和第二盖305耦合到间隔物318的（多个）接合上的疲劳。间隔物318可以通过由这样的材料构成来减少疲劳：所述材料具有介于盖304和305的热膨胀系数与支架310和312的热膨胀系数之间的热膨胀系数。因此，当盖304和305以及支架310和312由于温度改变而膨胀和收缩时，间隔物318可以吸收一些改变。在另一示例中，间隔物318可以由与盖304和305相同的材料形成。间隔物318还可以提供对于支架310和312的电接触，这继而提供至晶片级设备100的电接触。
第一支架310可以包括与盖304相对的第一侧321以及与第一侧321相反并且面对第二支架312的第二侧324。在示例中，晶片级设备100被安装到第二侧324。而且，第二支架312处于相对于第一支架310的翻转位置。即，第二支架312包括与盖305相对的第一侧322以及与第一侧321相反并且面对第一支架的第二侧323。
在至少一个示例性实施例中，磁螺管线圈334可以绕间隔物318（例如在其之内）布置，使得磁线圈在晶片级设备100周围延伸。磁线圈334可以被配置为提供用于晶片级设备100的偏磁场。在示例中，磁线圈334可以集成到由多个陶瓷层形成的间隔物318中（例如，在其内部）。在另外的实现中，间隔物318可以具有形成在其中的凹部319，其中凹部319保持管芯或芯片级集成的电路封装。例如，安装在凹部319内的RF部件和微处理器可以允许时钟被保持在单个陶瓷内，其能够执行控制原子钟的操作和控制对来自多个室的测量的平均这二者的功能。
在至少一个实现中，第一盖304在第一盖304的外部部分上包括输入/输出（I/O）焊盘332。可替代地，I/O焊盘332位于第二盖305的外部部分上。作为另外的可替代方案，间隔物318可以延伸以提供足够空间来容纳从电路板直接到间隔物318的焊球或柱状螺栓附接。因此，物理封装300的一部分可以附接到电路板。在示例中，I/O焊盘332与晶片级设备100中存在的内部部件之间的互连可以路由通过物理封装300的主体。例如，支架310和312上的互连可以路由通过间隔物318至I/O焊盘332。因此，间隔物318可以包括在其内部或外部部分上的电迹线。
在示例中，为了制造物理封装300，支架310和312、间隔物318以及盖304和305可以形成并组合在一起。支架可以以晶片水平被创建和组装。一旦被创建，第一支架310可以安装到间隔物318的凸缘308。当第一支架310安装到间隔物318的凸缘308时，晶片级设备100可以安装到第一支架310，并且第二支架312可以安装到间隔物318的凸缘308和晶片级设备100以相对于间隔物318来固定晶片级设备100。当支架310和312二者都固定到间隔物318的凸缘308时，盖304和305安装到间隔物318。在至少一个实施例中，部件通过使用焊料、环氧树脂、热声结合或其它管芯附接方法来进行附接。
在至少一个实现中，温度调节设备被制造在第一支架310和第二支架312上以控制室204内的气体的温度。例如，温度调节设备可以包括加热元件、热电偶、惠斯通电桥等等。可替代地，温度调节设备可以被制造在光控制层212和/或电子器件层202内。温度调节设备连接到对温度调节设备所生成的功率进行控制的外部电子器件。此外，室层213中的每个室可以与不同的温度调节设备相关联，使得每个室的温度可以被单独控制。而且，热调谐可以用于信号量化、波形成以及数字化以应用于由物理封装300产生的信号的加密和硬件安全性。
在操作中，图2中的电子器件层202中的电子器件通过图3中的I/O焊盘332与外部系统通信。通过这些电通信，电子器件层202上的电子器件控制光从光源层206至分离的室204中的发射。光询问室204中的气体（例如，铷气体），并且来自气体的反射由光源层206中的光检测器或光控制层212中的光检测器来检测。由光检测器产生的电信号然后被放大和采样并通过I/O焊盘332被传输出物理封装300，其中外部系统确定室204内的气体的共振频率。
因为存在多个室，所以外部系统对与不同室相关联的不同共振频率测量一起进行平均以确定晶片级设备100的平均共振频率。通过平均来自不同室的不同测量，晶片级设备100可以产生比单个室所能产生的更准确的测量。例如，当存在N个室时，不同测量的平均可以提供等于 的精度改进。如果晶片级设备100包括100个室，则晶片级设备对于单个室将具有0.1的改进的精度。由于多个室的增加的精度，单独室可以更小，因此降低了物理封装300的剖面。物理封装300的降低的剖面允许物理封装300被安装在具有紧密空间限制的设备中。
在另外的实施例中，晶片级设备100还可以由抗辐射（radiation hardened）部分制造。例如，在不同层中的电子部件可以是抗辐射的。而且，当与特定室相关联的部件发生故障时，晶片级设备100可以将故障隔离至所述单个室，其中晶片级设备100仍然使用来自继续正确操作的室的测量进行操作。
物理封装300还可以实现为如在2011年12月15日提交的序列号为13/327,417（申请人案号H0031730）的、题为“vapor cell atomic clock physics package”的共同未决的美国专利申请中所描述的那样，通过引用将该美国专利申请在其整体上并入本文。
图4是图示了根据至少一个实施例的用于制造晶片级设备的方法400的流程图。方法400在402处继续进行，其中制造第一衬底。例如，第一衬底可以包括帮助晶片级设备运行的多个层。在至少一个实现中，第一衬底包括电子器件层，其提供接入以在晶片级设备上进行控制。第一衬底还包括光源层，其可以将光发射到不同室中。此外，第一衬底包括四分之一波长板层，其可以改变光源层所发射的光的偏振。
方法400在404处继续进行，其中制造室层，其中所述室层包括多个室。在某些实施例中，制造室层包括形成第一玻璃层和形成晶片层，其中晶片层具有形成在其中的多个室，而且，所述多个室从晶片层的第一侧延伸到晶片层的相对的第二侧。制造晶片层还包括形成第二玻璃层、将第一玻璃层结合到晶片层的第一侧、在多个室中沉积物质、以及将第二玻璃层结合到晶片层的相对的第二侧。
方法400在406处继续进行，其中制造第二衬底。在至少一个示例性实现中，第二衬底是在第二衬底的一侧上包括金属反射器的层。可替代地，第二衬底包括光检测器、增益电子器件以及采样电子器件。方法400在408处继续进行，其中室层接合到第一衬底。例如，第一衬底接合到室层，使得从第一衬底中的光源层发射的光传到多个室中的室中。方法400在408处继续进行，其中第二衬底接合到室层。例如，第二层接合到室层，使得第二衬底要么检测通过多个室的光要么将通过多个室的光反射回到室中。在某些实施例中，第一和第二衬底包括电连接以将测量传送到外部设备，其中外部设备被配置来为分离的测量而计算平均。
示例实施例
示例1包括晶片级设备，所述晶片级设备包括：第一衬底；接合到所述第一衬底的室层，所述室层包括多个密封地隔离的室，其中针对所述多个密封地隔离的室中的每个室产生分离的测量；以及接合到所述室层的第二衬底，其中所述第一衬底和所述第二衬底包括用以控制分离的测量的电子器件，其中分离的测量被组合成单个测量。
示例2包括示例1所述的晶片级设备，其中第一衬底包括：电子器件层；以及接合到所述第一电子器件层的光源层，其中所述第一电子器件层中的电子器件控制光从所述光源层中的至少一个光源的发射，其中所述至少一个光源询问所述多个密封地隔离的室中分离的室中的物质。
示例3包括示例2所述的晶片级设备，其中，所述物质包括以下中的至少一个：碱性原子；以及一个或多个缓冲气体。
示例4包括示例2-3中任一个所述的晶片级设备，其中所述第一衬底还包括四分之一波长板层和至少一个加热元件以及至少一个热电偶中的至少一个，所述四分之一波长板层被配置为在从所述多个光源发射的光进入所述多个密封地隔离的室之前使所述光圆偏振，其中所述至少一个加热元件和所述至少一个热电偶使得能够实现对所述多个密封地隔离的室中单独室的单独温度调节。
示例5包括示例2-4中任一个所述的晶片级设备，其中所述第二衬底包括：金属化的反射器，用以将从所述至少一个光源发射的通过所述多个密封地隔离的室的光反射回到所述多个密封地隔离的室中。
示例6包括示例2-5中任一个所述的晶片级设备，其中所述光源层还包括多个光检测器，用以检测从所述多个密封地隔离的室反射的光。
示例7包括示例2-6中任一个所述的晶片级设备，其中所述第二衬底包括以下中的至少一个：多个光检测器，用以检测从所述至少一个光源发射的通过所述多个密封地隔离的室的光；以及至少一个温度调节设备，其被配置为使得能够实现对所述多个密封地隔离的室中单独室的单独温度调节。
示例8包括示例1-7中任一个所述的晶片级设备，其中所述第一衬底、所述室层以及所述第二衬底通过以下中的至少一个而接合在一起：热压缩结合；氧化物结合；热声压缩；以及焊料凸起。
示例9包括示例1-8中任一个所述的晶片级设备，其中所述单个测量包括分离的测量的平均，其中分离的测量中为异常值的测量从平均计算中移除。
示例10包括示例1-9中任一个所述的晶片级设备，其中所述晶片级设备被安装在密封地封闭的封装内。
示例11包括示例10所述的晶片级设备，其中所述密封地封闭的封装由以下中的至少一个构成：低温共烧陶瓷；用于发送和接收电通信的输入/输出焊盘；在所述晶片级设备周围的高渗透性磁屏蔽包封；被配置为控制所述晶片级设备的操作的控制电路；以及被配置为使得能够实现对所述多个密封地隔离的室中单独室的单独温度调节的至少一个温度调节设备。
示例12包括晶片级原子钟，所述原子钟包括：电子器件层；接合到所述第一电子器件层的光源层，其中所述第一电子器件层中的电子器件控制光从所述光源层中至少一个光源的发射；接合到所述光源层的室层，所述室层包括多个室，其中所述至少一个光源将光发射到所述多个室中分离的室中；以及接合到所述室层的光控制层，其中所述多个室内的光入射在所述光控制层上。
示例13包括示例12所述的晶片级原子钟，其中所述室层包括：第一玻璃层；具有形成于其中的所述多个室的晶片层，其中所述多个室从所述晶片层的第一侧延伸到所述晶片层的相对的第二侧，其中所述第一玻璃层结合到所述晶片层的第一侧，其中物质沉积在所述多个室中的每个室中；以及第二玻璃层，其结合到所述相对的第二侧，其中所述多个室中分离的室被密封地隔离。
示例14包括示例13所述的晶片级原子钟，其中所述第一玻璃层阳极地结合到所述晶片层，并且所述第二玻璃层阳极地结合到所述晶片层。
示例15包括示例12-14中任一个所述的晶片级原子钟，其中所述至少一个光源从分离的室获取分离的测量，其中分离的测量一起被平均以提供单个测量。
示例16包括示例12-15中任一个所述的晶片级原子钟，其中所述光控制层包括反射表面，所述反射表面将通过所述多个室的光反射回到所述多个室中。
示例17包括示例12-16中任一个所述的晶片级原子钟，其中所述光源层包括多个光检测器，用以检测朝所述光源层而反射回的光。
示例18包括示例12-17中任一个所述的晶片级原子钟，其中所述光控制层包括光检测器，用以检测通过所述多个室的光。
示例19包括用于制造晶片级设备的方法，所述方法包括：制造第一衬底；制造室层，其中所述室层包括多个室；制造第二衬底；将所述室层接合到所述第一衬底，使得所述第一衬底能够为所述多个室中的每个室提供分离的测量；以及将所述第二衬底接合到所述室层，其中所述第一衬底和所述第二衬底包括用以控制分离的测量的电子器件，其中分离的测量被平均以形成单个测量。
示例20包括示例19所述的方法，其中制造室层包括：形成第一玻璃层；形成晶片层，所述晶片层具有形成在其中的所述多个室，其中所述多个室从所述晶片层的第一侧延伸到所述晶片层的相对的第二侧；形成第二玻璃层；将所述第一玻璃层结合到所述晶片层的所述第一侧；在所述多个室中沉积物质；以及将所述第二玻璃层结合到所述晶片层的所述相对的第二侧。
尽管本文已经说明和描述了特定实施例，但是本领域普通技术人员将意识到，被设计来实现相同目的的任何布置可以替代所示出的特定实施例。因此，显然地意图仅由权利要求及其等同物来限定本发明。
Claims (3)
1.一种晶片级设备（100），所述晶片级设备（100）包括：
第一衬底（110）；
室层（102），其接合到所述第一衬底，所述室层包括多个密封地隔离的室（104），其中针对所述多个密封地隔离的室（104）中的每个室产生分离的测量；以及
第二衬底（112），其接合到所述室层（102），其中所述第一衬底（110）和所述第二衬底（112）包括用以控制分离的测量的电子器件，其中分离的测量被组合成单个测量。
2.如权利要求1所述的晶片级设备（100），其中所述第一衬底（110）包括：
电子器件层（202）；以及
光源层（206），其接合到第一电子器件层（202），其中所述第一电子器件层（202）中的电子器件控制光从所述光源层（206）中的至少一个光源（214）的发射，其中所述至少一个光源（214）询问所述多个密封地隔离的室（104）中分离的室中的物质。
3.一种用于制造晶片级设备（100）的方法，所述方法包括：
制造第一衬底（110）；
制造室层（102），其中所述室层（102）包括多个室（104）；
制造第二衬底（112）；
将所述室层（102）接合到所述第一衬底（110），使得所述第一衬底（110）能够为所述多个室（104）中的每个室提供分离的测量；以及
将所述第二衬底（112）接合到所述室层（102），其中所述第一衬底（110）和所述第二衬底（112）包括用以控制分离的测量的电子器件，
其中分离的测量被平均以形成单个测量。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150429 |