JP5601026B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図7〜図15は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。ここでは、ポリシリコン抵抗素子を形成する抵抗素子形成領域と、n型MOSトランジスタを形成するトランジスタ形成領域とを示している。
図16〜図19は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図16〜図19において、図7〜図15と同一物には同一符号を付している。
前記半導体基板のトランジスタ形成領域にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上に半導体膜を形成するとともに、前記ゲート絶縁膜の上に半導体からなるゲートを形成する工程と、
前記ゲートをマスクとして前記トランジスタ形成領域の前記半導体基板に導電性不純物をイオン注入してソース及びドレインとなる不純物領域を形成する工程と、
前記半導体膜、前記不純物領域及び前記ゲートを覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記トランジスタ形成領域の前記第2の絶縁膜の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとし、前記抵抗素子形成領域の前記第2の絶縁膜を透過する条件で前記半導体膜に導電性不純物をイオン注入する工程と、
前記レジスト膜をアッシングにより除去する工程と、
前記抵抗素子形成領域の前記第2の絶縁膜を残し、前記トランジスタ形成領域の前記第2の絶縁膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体基板のトランジスタ形成領域にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上に半導体膜を形成するとともに、前記ゲート絶縁膜の上に半導体からなるゲートを形成する工程と、
前記抵抗素子形成領域の前記半導体膜、並びに前記トランジスタ形成領域の基板表面及び前記ゲートを覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記トランジスタ形成領域の前記第2の絶縁膜の上に第1のレジスト膜を形成する工程と、
前記第1のレジスト膜をマスクとして前記第2の絶縁膜を透過する条件で前記半導体膜に導電性不純物をイオン注入する工程と、
前記第1のレジスト膜をアッシングにより除去する工程と、
前記抵抗素子形成領域の前記第2の絶縁膜の上に第2のレジスト膜を形成する工程と、
前記トランジスタ形成領域の前記第2の絶縁膜をエッチバックして前記ゲートの側部にサイドウォールを形成する工程と、
前記第2のレジスト膜を除去する工程と、
前記ゲート及び前記サイドウォールをマスクとして前記トランジスタ形成領域の前記半導体基板に導電性不純物をイオン注入してソース及びドレインとなる不純物領域を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Claims (6)
- 半導体基板の抵抗素子形成領域に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板のトランジスタ形成領域にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上に半導体膜を形成するとともに、前記ゲート絶縁膜の上に半導体からなるゲートを形成する工程と、
前記ゲートをマスクとして前記トランジスタ形成領域の前記半導体基板に導電性不純物をイオン注入してソース及びドレインとなる不純物領域を形成する工程と、
前記半導体膜、前記不純物領域及び前記ゲートを覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記トランジスタ形成領域の前記第2の絶縁膜の上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとし、前記抵抗素子形成領域の前記第2の絶縁膜を透過する条件で前記半導体膜に導電性不純物をイオン注入する工程と、
前記レジスト膜をアッシングにより除去する工程と、
前記抵抗素子形成領域の前記第2の絶縁膜を残し、前記トランジスタ形成領域の前記第2の絶縁膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜に導入する導電性不純物がP(リン)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体膜に導入するPのドーズ量が5.0×1015cm-2以上であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の抵抗素子形成領域に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体基板のトランジスタ形成領域にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の上に半導体膜を形成するとともに、前記ゲート絶縁膜の上に半導体からなるゲートを形成する工程と、
前記抵抗素子形成領域の前記半導体膜、並びに前記トランジスタ形成領域の基板表面及び前記ゲートを覆う第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記トランジスタ形成領域の前記第2の絶縁膜の上に第1のレジスト膜を形成する工程と、
前記第1のレジスト膜をマスクとして前記第2の絶縁膜を透過する条件で前記半導体膜に導電性不純物をイオン注入する工程と、
前記第1のレジスト膜をアッシングにより除去する工程と、
前記抵抗素子形成領域の前記第2の絶縁膜の上に第2のレジスト膜を形成する工程と、
前記トランジスタ形成領域の前記第2の絶縁膜をエッチバックして前記ゲートの側部にサイドウォールを形成する工程と、
前記第2のレジスト膜を除去する工程と、
前記ゲート及び前記サイドウォールをマスクとして前記トランジスタ形成領域の前記半導体基板に導電性不純物をイオン注入してソース及びドレインとなる不純物領域を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜に導入する導電性不純物がP(リン)であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Pのドーズ量が5.0×1015cm-2以上であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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