JP5574780B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。

半導体装置の製造工程は、主に、ＦＡＢ（fabrication）工程、検査・調整工程及びアセンブリー工程に大別される。ＦＡＢ工程は、主にシリコン材質の半導体ウエハに対して成膜処理、フォトリソグラフィー処理、エッチング処理、ドーピング処理等を施して、半導体ウエハの表面に集積回路を形成する工程である。ＦＡＢ工程において集積回路に生じる電気的な不具合は、ＦＡＢ工程で発見することが難しい。そのため、その後の検査・調整工程において、電気的な不具合の有無を検査し、電気的な不具合がある場合には、集積回路のヒューズ配線をレーザによって切断することにより、集積回路を電気的に調整して、集積回路の不具合を修復する。

ＦＡＢの最終工程では、絶縁層を積層して、集積回路を絶縁層によって保護する。その後の検査・調整工程でヒューズ配線に対してレーザ照射できるようにするために、絶縁層にヒューズ開口を形成し、そのヒューズ開口を通じてヒューズ配線を露出させる。

アセンブリー工程は、半導体ウエハをチップに個片化し、チップをパッケージする工程である。アセンブリー工程として、いわゆるＷＬＰ（Wafer Level Package）法がある。ＷＬＰ法は、個片化する前の半導体ウエハに樹脂封止と配線形成を行った後に、チップサイズに切り出す方法である（例えば、特許文献１参照）。具体的には、以下のような工程を経て、半導体チップをパッケージする。即ち、まず、半導体ウエハの最表層のパッシベーション膜（６）の上に樹脂材料を塗布することによって、パッシベーション膜（６）の上に絶縁膜（７）を形成する。その後、シード層（９）を絶縁膜（７）の上に成長させる。その後、そのシード層（９）をレジスト（１６）によってマスキングした状態で、そのシード層（９）の上に配線（１０）を電解メッキ法により形成する。そのレジスト（１６）の除去後、ドライフィルム（１９）を貼り付けて、そのドライフィルム（１９）に開口（１２）を形成する。次に、ドライフィルム（１９）の開口（１２）内に柱状電極（１１）を電解メッキ法によって成長させる。そのドライフィルム（１９）の除去後、エポキシ樹脂を塗布して、エポキシ樹脂で配線（１０）及び柱状電極（１１）を覆い、そのエポキシ樹脂を硬化させる。エポキシ樹脂が硬化することで封止層（１４）になる。その後、封止層（１４）の表面を研削し、柱状電極（１１）を露出させる。次に、その柱状電極（１１）の表面にバンプ（１５）を形成し、最後に半導体ウエハを個片化する。

特開２００８−２１８７３１号公報

ところで、特許文献１に記載の技術では、ヒューズ開口がパッシベーション膜（６）に形成されている場合、絶縁膜（７）の表面が平坦にならず、絶縁膜（７）の表面はヒューズ開口の部分で凹んだ状態に形成される。そのため、シード層（９）を絶縁膜（７）の上に成膜する際や、配線（１０）をシード層（９）の上に形成する際に、その凹んだ部分で段切れが発生してしまう。そうすると、配線（１０）の抵抗上昇や断線が生じてしまう。接続パッドの開口サイズ（例えば５０μｍ×５０μｍ）は、ヒューズ開口の幅（例えば２０〜３０μｍ）より大きいので、接続パッド上のシード層（９）は段切れがおきにくい。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、ヒューズ開口に起因する凹部が形成されないようにすることである。

以上の課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、集積回路が設けられた集積回路層と、前記集積回路層に設けられたヒューズ配線と、前記集積回路層上に形成され、前記ヒューズ配線の上においてヒューズ開口が形成された絶縁層と、を有する半導体基板と、前記ヒューズ開口に埋め込まれた埋込樹脂と、前記絶縁層上及び前記埋込樹脂上に設けられた配線と、を備え、前記埋込樹脂が上から見て前記埋込樹脂と前記絶縁層を区切る外縁を有し、前記配線が前記外縁を横切るように設けられていることとした。

好ましくは、前記絶縁層が、前記集積回路層上に成膜され、酸化シリコン又は窒化シリコンからなるパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に成膜され、樹脂からなる絶縁膜と、を有し、前記ヒューズ開口が、前記絶縁膜の表面から前記パッシベーション膜と前記集積回路層との界面まで貫通するように前記絶縁膜及び前記パッシベーション膜に形成されていることとした。
好ましくは、前記埋込樹脂の表面と前記絶縁層の表面とが面一であることとした。
好ましくは、前記半導体装置が、前記配線に設けられた外部接続用電極と、前記外部接続用電極の周囲における前記絶縁層上に設けられ、前記配線を覆う封止層と、を備え、シード層を前記配線と同形状に形状加工してなる配線下地が前記絶縁層及び前記埋込樹脂と前記配線との間に挟まれた状態で、前記配線が前記絶縁層及び前記埋込樹脂上に形成されていることとした。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が設けられた集積回路層と、前記集積回路層に設けられたヒューズ配線と、を有する半導体ウエハの前記集積回路層上に設けられた絶縁層のうち前記ヒューズ配線上に形成されたヒューズ開口に埋込樹脂を埋め込むことによって、上から見て前記埋込樹脂と前記絶縁層を区切る前記埋込樹脂の外縁を形成し、配線の一部が前記ヒューズ開口に重なるとともに前記配線が前記埋込樹脂の外縁を横切るように、前記配線を前記絶縁層上及び前記埋込樹脂上に形成することとした。

好ましくは、前記半導体装置の製造方法において、前記絶縁層が、前記集積回路層上に成膜され、酸化シリコン又は窒化シリコンからなるパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜上に成膜され、樹脂からなる絶縁膜と、を有し、前記ヒューズ開口が、前記絶縁膜の表面から前記パッシベーション膜と前記集積回路層との界面まで貫通するように前記絶縁膜及び前記パッシベーション膜に形成され、前記絶縁膜、前記パッシベーション膜及び前記ヒューズ開口が前記埋込樹脂の埋込前に予め形成されていることとした。
好ましくは、前記埋込樹脂の表面と、前記絶縁層の表面とを面一にすることとした。
好ましくは、前記半導体装置の製造方法において、前記埋込樹脂は、液体吐出ヘッドから前記ヒューズ開口に向けてペースト状樹脂を吐出し、前記ペースト状樹脂によって前記ヒューズ開口を埋めて前記ペースト状樹脂を硬化させることにより形成することとした。
好ましくは、前記半導体装置の製造方法において、前記液体吐出ヘッドから吐出する前記ペースト状樹脂の量を調整することによって、前記ヒューズ開口に埋められた前記ペースト状樹脂が硬化してなる前記埋込樹脂の表面と前記絶縁層の表面とを面一にすることとした。
好ましくは、紫外線硬化樹脂を前記ペースト状樹脂に用い、前記ペースト状樹脂を紫外線により硬化させる。
好ましくは、前記半導体装置の製造方法において、前記配線を形成した後に、前記配線上に外部接続用電極を形成し、前記外部接続用電極の周囲における前記絶縁層上及び前記埋込樹脂上に封止層を形成し、前記封止層で前記配線を覆うこととした。

本発明によれば、埋込樹脂がヒューズ開口に埋め込まれているから、ヒューズ開口に起因する凹部が形成されない。

本発明の実施形態における半導体装置の斜視図。 同実施形態における半導体装置の要部の平面図。 図２に示されたIII−IIIに沿った面の断面図。 同実施形態における半導体装置の製造に用いるウエハの概略斜視図。 同実施形態における半導体装置の製造に用いるウエハの概略断面図。 同実施形態における半導体装置の製造に用いる液滴吐出装置をウエハとともに示した断面図。 同実施形態における半導体装置を製造する方法の一工程における断面図。 図７に続く工程における断面図。 図８に続く工程における断面図。 図９に続く工程における断面図。

以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。

図１は、半導体装置１を示した斜視図である。図２は、この半導体装置１の要部を示した平面図である。図３は、図２に示されたIII−IIIに沿った面の矢視断面図である。図１〜図３に示すように、半導体装置１は半導体基板１１及びパッケージ２０を備え、そのパッケージ２０は配線下地２２、配線２３、ランド２４、柱状電極（外部接続用電極）２５、封止層２６及び半田バンプ２７等を備える。なお、図２では、柱状電極２５の把握を容易にするため、半田バンプ２７の図示を省略する。

半導体基板１１は半導体ウエハを個片化したものである。半導体基板１１がシリコン等からなり、半導体基板１１の表層には、集積回路層１２、パッシベーション膜１３及び絶縁膜１７が積層されている。絶縁膜１７の表面１７ｂが半導体基板１１の主面１１ａとなっており、絶縁膜１７がパッケージ２０の下地となっている。本実施形態においては、パッシベーション膜１３と絶縁膜１７の積層体が絶縁層３１である。

集積回路層１２には、集積回路が設けられている。集積回路層１２の表面には、複数の接続パッド１５が形成され、接続パッド１５が集積回路（例えば、メモリ回路）の配線１５ａに接続されている。集積回路層１２には、ヒューズ回路が設けられている。このヒューズ回路は、集積回路層１２に設けられた集積回路の電気的な不具合を修正したり、その集積回路の電気的な特性を調整したりするためのものである。集積回路層１２の表面に形成されたヒューズ配線１６は、ヒューズ回路の一部である。

集積回路層１２の上には、パッシベーション膜１３が成膜されている。パッシベーション膜１３は、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる。パッシベーション膜１３のうち接続パッド１５に重なる位置には、開口１３ａが形成されている。接続パッド１５の一部が開口１３ａ内に位置している。

パッシベーション膜１３の上には絶縁膜１７が成膜されている。絶縁膜１７は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の樹脂からなる。例えば、絶縁膜１７には、ポリイミド（ＰＩ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等の高機能プラスチック材料、エポキシ系、フェノール系、シリコン系等のプラスチック材料、又はこれらの複合材料等を用いることができる。絶縁膜１７のうち接続パッド１５に重なる位置には、開口１７ａが形成されている。接続パッド１５の一部が開口１７ａ内に位置している。

また、パッシベーション膜１３及び絶縁膜１７の積層体には、ヒューズ開口１３ｂが形成されている。そのヒューズ開口１３ｂが絶縁膜１７の表面１７ｂから集積回路層１２の表面にまで通じており、ヒューズ開口１３ｂ内では集積回路層１２の一部がパッシベーション膜１３によって覆われていない。三本のヒューズ配線１６がヒューズ開口１３ｂ内を横切っており、そのうちの一本が切断されることによって集積回路の修復又は調整がなされている。ヒューズ開口１３ｂ内を横切るヒューズ配線１６の本数は３本に限るものではなく、１本であってもよいし、複数本であってもよい。また、パッシベーション膜１３及び絶縁膜１７の積層体に形成されるヒューズ開口１３ｂの数は１つであってもよいし、複数であってもよい。なお、ヒューズ配線１６は、必要に応じて切断されるものである。

ヒューズ開口１３ｂ内には、埋込樹脂１４が埋め込まれている。埋込樹脂１４の表面１４ａと絶縁膜１７の表面１７ｂが面一になっている。埋込樹脂１４は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の樹脂からなる。耐熱性の観点から、埋込樹脂１４はエポキシ系樹脂からなり、更に好ましくはポリイミド系樹脂からなる。また、埋込樹脂１４は、熱硬化樹脂であってもよいし、紫外線硬化樹脂であってもよい。

絶縁膜１７の上には、配線下地２２が形成されている。配線下地２２は、シード層をパターニングしたものである。配線下地２２は、銅（Ｃｕ）の薄膜、チタン（Ｔｉ）の薄膜、チタンに銅を積層した薄膜その他の金属薄膜である。配線下地２２は、所定の形状に形成されている。配線下地２２はヒューズ開口１３ｂを横切るように設けられ、配線下地２２の一部が埋込樹脂１４上にある。

配線下地２２上には、配線２３が積層されている。配線２３は、銅メッキその他の金属メッキからなる。平面視して、配線２３が所定の形状にパターニングされており、配線２３の平面形状と配線下地２２の平面形状がほぼ同じである。配線２３は、配線下地２２よりも厚い。配線２３がヒューズ開口１３ｂを横切るように設けられ、配線２３の一部が配線下地２２を介して埋込樹脂１４に重なっている。なお、配線２３及び配線下地２２がヒューズ開口１３ｂから外れ、配線２３及び配線下地２２が埋込樹脂１４上に形成されていなくてもよい。

配線下地２２及び配線２３の端部が島状に設けられ、その端部がランド２４となっている。そのランド２４の上には、柱状電極２５が形成されている。平面視して、柱状電極２５の全体がランド２４の外縁の内側に配置され、ランド２４の外縁寄り部分が柱状電極２５の外周面から外にはみ出ている。柱状電極２５の高さ（厚さ）は、配線２３及びランド２４の厚さよりも大きい。柱状電極２５は、銅その他の金属からなる。

絶縁膜１７上には、封止層２６が積層されている。配線２３が封止層２６によって覆われている。封止層２６の表面は柱状電極２５の頭頂面と面一、若しくは柱状電極２５の頭頂面が封止層２６の表面よりやや低く形成され、柱状電極２５の頭頂面が封止層２６によって覆われていない。封止層２６は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂からなり、好ましくは、フィラー（例えば、ガラスフィラー）を含有した熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）からなる。封止層２６は、柱状電極２５をその側面から保護する。また、封止層２６は、配線２３をそれらの上から保護する。封止層２６は遮光性を有する。

半田バンプ２７が柱状電極２５の頭頂面に形成されている。半田バンプ２７が柱状電極２５の頭頂面に結合することによって、半田バンプ２７と柱状電極２５が相互に電気的に接続している。なお、半田バンプ２７が無くてもよい。

半導体装置１の製造方法について図４〜図１０を参照して説明する。図４は、半導体装置１の製造に用いる半導体ウエハ５０の概略斜視図であり、図５は、半導体ウエハ５０の要部の概略断面図である。図６〜図１０は半導体装置１の製造工程を示した図面である。

半導体装置１を製造するに際しては、図４、図５に示された個片化前の半導体ウエハ５０を用いる。図４、図５に示すように、半導体ウエハ５０は、分割予定線としての格子状のダイシングストリート（境界線）５２によって複数のチップ領域５１に区画されている。これらチップ領域５１がマトリクス状に配列されている。半導体ウエハ５０の表層の集積回路層１２には、チップ領域５１ごとに集積回路が形成されている。半導体ウエハ５０の表層にパッシベーション膜１３及び絶縁膜１７が積層され、集積回路層１２がパッシベーション膜１３によって覆われ、パッシベーション膜１３が絶縁膜１７によって覆われている。その絶縁膜１７の表面１７ｂが半導体ウエハ５０の主面５０ａとなっている。パッシベーション膜１３及び絶縁膜１７の積層体には、複数のヒューズ開口１３ｂが形成されている。１つのチップ領域５１につき１又は複数のヒューズ開口１３ｂが形成されている。１つのヒューズ開口１３ｂにつき１本又は複数本のヒューズ配線１６が横切り、ヒューズ配線１６がヒューズ開口１３ｂによって露出している。なお、図示は省略するが、集積回路層１２には複数の接続パッド１５が設けられ、パッシベーション膜１３のうち接続パッド１５に重なる位置には、開口１３ａが形成され、絶縁膜１７のうち接続パッド１５に重なる位置には、開口１７ａが形成されている。そのため、接続パッド１５が開口１３ａ，１７ａ内において露出している。

まずは、パッケージ２０の下地処理を行う。パッケージ２０の下地処理に際しては、図６に示す液体吐出装置８０を用いる。液体吐出装置８０はワークテーブル８１と液体吐出ヘッド８２とを有するものである。液体吐出ヘッド８２がワークテーブル８１の上方に設けられている。液体吐出ヘッド８２とワークテーブル８１のどちらか一方又は両方が水平方向に移動する。液体吐出ヘッド８２は、ペースト状の樹脂を下方のワークテーブル８１に向けて吐出するものであり、具体的には、液滴吐出ヘッド（所謂、インクジェットヘッド）又はディスペンサヘッドである。液滴吐出ヘッドは、ペースト状樹脂６０を液滴として吐出するものである。

この液体吐出装置８０の初期設定を行い、半導体ウエハ５０をワークテーブル８１の上に載置する。そして、液体吐出ヘッド８２とワークテーブル８１のどちらか一方又は両方を水平方向に移動させる。液体吐出ヘッド８２やワークテーブル８１の移動中に、液体吐出ヘッド８２がヒューズ開口１３ｂの上に位置したら、液体吐出ヘッド８２によってヒューズ開口１３ｂに向けてペースト状樹脂（例えば、エポキシ系樹脂又はポリイミド系樹脂）６０を吐出し、ヒューズ開口１３ｂ内にペースト状樹脂６０を注入する。ここで、液体吐出装置８０の制御装置には、各ヒューズ開口１３ｂの位置に関する情報と、各ヒューズ開口１３ｂの体積に関する情報がプログラミングされている。そのため、その制御装置によって液体吐出ヘッド８２及びワークテーブル８１が自動制御されることによって、各ヒューズ開口１３ｂに最適な量のペースト状樹脂６０が各ヒューズ開口１３ｂ内に満たされる。

全てのヒューズ開口１３ｂ内にペースト状樹脂６０が充填されたら、ヒューズ開口１３ｂ内のペースト状樹脂６０の脱泡処理及びレベリング処理を行う。その後、ペースト状樹脂６０を硬化させる。ヒューズ開口１３ｂ内のペースト状樹脂６０が硬化することで、埋込樹脂１４になる。以上によって、埋込樹脂１４の表面１４ａと絶縁膜１７の表面１７ｂとが面一になり、ヒューズ開口１３ｂによる段差が解消される。なお、ペースト状樹脂６０の硬化は、加熱によって行ってもよいし、紫外線によって行ってもよい。

下地処理が終了したら、図７に示すように、無電解メッキ法若しくは気相成長法（例えば、スパッタ法）又はこれらの組合せによって、絶縁膜１７の上全体にシード層６１を積層する。シード層６１は開口１３ａ，１７ａ内においてパッド１５上にも積層され、更に開口１３ａ，１７ａの内壁面にも積層される。シード層６１は、銅（Ｃｕ）の薄膜、チタン（Ｔｉ）の薄膜、チタンに銅を積層した薄膜その他の金属薄膜である。ヒューズ開口１３ｂによる段差が埋込樹脂１４によって解消されているから、段切れがシード層６１に発生することを防止することができる。
なお、シード層６１を形成する前に、ポリイミド等の絶縁性樹脂膜を絶縁膜１７及び埋込樹脂１４上の一面に成膜し、その絶縁性樹脂膜をパターニングすることによって、その絶縁性樹脂膜のうちパッド１５に重なる部分に開口を形成してもよい。その絶縁性樹脂膜の形成後に、シード層６１を形成することになる。

次に、シード層６１の上にレジストをパターニングし、そのレジストをマスクとしてそのレジストによってシード層６１の一部を被覆した状態で、シード層６１を柱状電極として電解メッキを行う。これにより、シード層６１の上であってレジストの開口内に、配線２３を成長させる。ここで、配線２３をシード層６１よりも厚く成長させる。ヒューズ開口１３ｂによる段差が埋込樹脂１４によって解消されており、シード層６１に段切れが無いから、配線２３の断線を防止することができる。特に、配線２３をヒューズ開口１３ｂ内の埋込樹脂１４の上に形成する場合に有効であり、配線２３をヒューズ開口１３ｂから避けて設計する必要が無くなる。そのため、配線２３の設計自由度が増す。
配線２３の形成後、レジストを除去する。

次に、図８に示すように、配線２３よりも厚いドライフィルムレジスト６３をシード層６１及び配線２３の上の一面に貼り付ける。そして、そのドライフィルムレジスト６３の露光・現像をすることによって、ドライフィルムレジスト６３に開口６３ａを形成する。開口６３ａの形成位置はランド２４の上であり、開口６３ａとランド２４を略同心状に配置する。ここで、平面視して、開口６３ａの面積をランド２４の面積よりも小さくし、ランド２４の外縁寄り部がドライフィルムレジスト６３によって覆われている。
次に、残留したドライフィルムレジスト６３をマスクとしてそのドライフィルムレジスト６３でシード層６１及び配線２３を被覆した状態で、シード層６１及び配線２３を柱状電極として電解メッキを行う。これにより、ドライフィルムレジスト６３の開口６３ａ内において、柱状電極２５をランド２４の上に成長させる。ここで、柱状電極２５を配線２３よりも厚く成長させる。
柱状電極２５の形成後、ドライフィルムレジスト６３を除去する。

次に、図９に示すように、シード層６１を形状加工することによって、シード層６１から配線下地２２を形成する。具体的には、シード層６１のうち配線２３及び柱状電極２５に重なっていない部分をエッチングにより除去することにより、シード層６１から配線２３を加工する。このとき、配線２３及び柱状電極２５の表面が一部エッチングされるが、配線２３及び柱状電極２５がシード層６１と比較して充分に厚いため、配線２３及び柱状電極２５は残留する。
次に、絶縁膜１７の上に封止樹脂を塗布し、その封止樹脂を硬化させて封止層２６とする。封止層２６を積層することによって、配線２３を封止層２６によって覆う。この際、柱状電極２５全体が封止層２６に埋め込まれた状態となっており、柱状電極２５が露出していない。なお、プリプレグを絶縁膜１７に貼り付けて、そのプリプレグを硬化させて封止層２６としてもよい。

次に、図１０に示すように、封止層２６の表面を研削することにより、封止層２６の表面が柱状電極２５の頭頂面と略面一となるように柱状電極２５の頭頂面を露出させる。この時、柱状電極２５の頭頂面も研削され、柱状電極２５の頭頂面が平坦になる。

次に、半田バンプ２７を柱状電極２５の頭頂面に形成する。
次に、ダイシングストリート５２（図４参照）に沿って半導体ウエハ５０、絶縁膜１７及び封止層２６をダイシングし、複数の半導体装置１に分割する。なお、半田バンプ２７の形成はダイシング処理の後に行ってもよいし、半田バンプ２７を形成しなくてもよい。

以上のように、本実施形態によれば、液体吐出装置８０によってヒューズ開口１３ｂを狙って、そのヒューズ開口１３ｂに向けてペースト状樹脂６０を吐出しているから、低コストで埋込樹脂１４を形成することができる。つまり、埋込樹脂１４を形成するのにフォトリソグラフィー工程を行う必要が無く、低コスト化を実現することができる。
また、ヒューズ開口１３ｂが埋込樹脂１４によって埋められており、絶縁膜１７の表面１７ｂと埋込樹脂１４の表面１４ａが略面一になっているから、封止層２６を形成する際に半導体ウエハ５０に反りが発生することを防止することができる。
また、シード層６１に段切れが発生しないから、シード層６１の抵抗上昇を抑えることができ、電解メッキによる配線２３の形成を容易に行うことができる。

なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、配線２３のパターニングは、フルアディティブ法であってもよいし、セミアディティブ法であってもよいし、サブトラクティブ法であってもよい。配線２３のパターニング方法によっては配線下地２２がなくてもよい。
また、上記実施形態では、集積回路層１２の上に積層された絶縁層３１がパッシベーション膜１３と絶縁膜１７の積層体であったが、パッシベーション膜１３のみの単層であってもよいし、絶縁膜１７のみの単層であってもよい。また、絶縁膜１７の上に別の絶縁膜やパッシベーション膜が成膜され、集積回路層１２の上に積層された絶縁層３１が三層以上の積層体であってもよい。また、パッシベーション膜１３と絶縁膜１７の積層順が逆であってもよい。何れの場合でも、集積回路層１２の上に積層された絶縁層３１には、ヒューズ開口１３ｂが形成され、ヒューズ配線１６がそのヒューズ開口１３ｂ内を横切っている。

１ 半導体装置
１１ 半導体基板
１３ パッシベーション膜
１３ｂ ヒューズ開口
１４ 埋込樹脂
１４ａ 表面
１６ ヒューズ配線
１７ 絶縁膜
１７ｂ 表面
２０ パッケージ
２３ 配線
２４ ランド
２５ 柱状電極（外部接続用電極）
２６ 封止層
３１ 絶縁層
５０ 半導体ウエハ
６０ ペースト状樹脂
８０ 液体吐出装置
８１ ワークテーブル
８２ 液体吐出ヘッド

Claims (11)

1. 集積回路が設けられた集積回路層と、前記集積回路層に設けられたヒューズ配線と、前記集積回路層上に形成され、前記ヒューズ配線の上においてヒューズ開口が形成された絶縁層と、を有する半導体基板と、
   前記ヒューズ開口に埋め込まれた埋込樹脂と、
   前記絶縁層上及び前記埋込樹脂上に設けられた配線と、
   を備え、
   前記埋込樹脂が上から見て前記埋込樹脂と前記絶縁層を区切る外縁を有し、
   前記配線が前記外縁を横切るように設けられていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記絶縁層が、
   前記集積回路層上に成膜され、酸化シリコン又は窒化シリコンからなるパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜上に成膜され、樹脂からなる絶縁膜と、を有し、
   前記ヒューズ開口が、前記絶縁膜の表面から前記パッシベーション膜と前記集積回路層との界面まで貫通するように前記絶縁膜及び前記パッシベーション膜に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記埋込樹脂の表面と前記絶縁層の表面とが面一であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記配線に設けられた外部接続用電極と、
   前記外部接続用電極の周囲における前記絶縁層上に設けられ、前記配線を覆う封止層と、を備え、
   シード層を前記配線と同形状に形状加工してなる配線下地が前記絶縁層及び前記埋込樹脂と前記配線との間に挟まれた状態で、前記配線が前記絶縁層及び前記埋込樹脂上に形成されていることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体装置。
5. 集積回路が設けられた集積回路層と、前記集積回路層に設けられたヒューズ配線と、を有する半導体ウエハの前記集積回路層上に設けられた絶縁層のうち前記ヒューズ配線上に形成されたヒューズ開口に埋込樹脂を埋め込むことによって、上から見て前記埋込樹脂と前記絶縁層を区切る前記埋込樹脂の外縁を形成し、
   配線の一部が前記ヒューズ開口に重なるとともに前記配線が前記埋込樹脂の外縁を横切るように、前記配線を前記絶縁層上及び前記埋込樹脂上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記絶縁層が、
   前記集積回路層上に成膜され、酸化シリコン又は窒化シリコンからなるパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜上に成膜され、樹脂からなる絶縁膜と、を有し、
   前記ヒューズ開口が、前記絶縁膜の表面から前記パッシベーション膜と前記集積回路層との界面まで貫通するように前記絶縁膜及び前記パッシベーション膜に形成され、
   前記絶縁膜、前記パッシベーション膜及び前記ヒューズ開口が前記埋込樹脂の埋込前に予め形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記埋込樹脂の表面と、前記絶縁層の表面とを面一にすることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記埋込樹脂は、液体吐出ヘッドから前記ヒューズ開口に向けてペースト状樹脂を吐出し、前記ペースト状樹脂によって前記ヒューズ開口を埋めて前記ペースト状樹脂を硬化させることにより形成することを特徴とする請求項５から７の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記液体吐出ヘッドから吐出する前記ペースト状樹脂の量を調整することによって、前記ヒューズ開口に埋められた前記ペースト状樹脂が硬化してなる前記埋込樹脂の表面と前記絶縁層の表面とを面一にすることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
10. 紫外線硬化樹脂を前記ペースト状樹脂に用い、前記ペースト状樹脂を紫外線により硬化させることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記配線を形成した後に、
    前記配線上に外部接続用電極を形成し、
    前記外部接続用電極の周囲における前記絶縁層上及び前記埋込樹脂上に封止層を形成し、前記封止層で前記配線を覆う、
    ことを特徴とする請求項５から１０の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。

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