JP2022069676A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図8は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置1Aの構成を示す断面図である。図9は、半導体装置1Aを構成する、本発明の第2の実施形態に係る第2半導体チップ102Aの構成を示す断面図である。
10、50 半導体基板
11、51 層間絶縁膜
12、52 チップ電極
13、53 パッシベーション膜
14、54 最上層配線
21、61 下層絶縁膜
22、62 上層絶縁膜
34、74 チップ間接合電極
35 柱状電極
40、80 再配線
55 凹部
56 突出部
90 封止樹脂
91 外部接続端子
92 接合部材
101 第1半導体チップ
102、102A 第2半導体チップ
110 スクライブライン
120 溝
300 隙間
R11 内周領域
R12 外周領域
R21 内周領域
R22 外周領域
R23 第1外周領域
R24 最外周領域
R25 第2外周領域
Claims (11)
- 表面に複数の第1電極を有する第1半導体チップと、
前記第1半導体チップの前記表面と隙間を隔てて配置され、前記第1電極の各々に接続された複数の第2電極を表面に有する内周領域、及び前記内周領域を囲み、前記内周領域の厚さよりも薄い厚さを有する外周領域を有する第2半導体チップと、
前記第1半導体チップの前記表面と前記内周領域との間、及び前記第1半導体チップの前記表面と前記外周領域との間にそれぞれ充填された封止樹脂と、
を備え、
前記第2半導体チップは、前記内周領域において、半導体基板、前記半導体基板上に形成される第1絶縁膜、前記第1絶縁膜上に形成される第2絶縁膜、及び前記第2絶縁膜上に形成される第3絶縁膜を含み、前記外周領域において、前記第3絶縁膜を含まず、前記半導体基板及び前記第1絶縁膜を含む
半導体装置。 - 前記第1電極の各々と前記第2電極の各々とを接合する接合部材を含み、
前記接合部材の側面が、前記封止樹脂によって覆われている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体チップは、平面視において前記第2半導体チップを囲む複数の柱状電極を有し、
前記封止樹脂が、前記柱状電極の各々と前記第2半導体チップとの間に充填されている
請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - 前記外周領域は、前記内周領域の厚さよりも薄い厚さを有する第1外周領域と、前記第1外周領域を囲み、前記第1外周領域の厚さよりも薄い最外周領域と、
を含む請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記外周領域は、前記内周領域と前記第1外周領域との間に、前記内周領域の厚さよりも薄い厚さを有し且つ前記第1外周領域の厚さよりも厚い厚さを有する第2外周領域を更に含む
請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第2半導体チップは複数の配線層を有し、前記第2外周領域の前記第1絶縁膜上に配置される前記複数の配線層のうち最上層に配置される最上層配線は前記第1絶縁膜上に形成される前記第2絶縁膜に被覆され、前記第2外周領域の前記第2絶縁膜の表面は前記第2絶縁膜上に形成される前記第3絶縁膜から露出する
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第2半導体チップは、前記第2電極が設けられた面と交差する側面に、前記第2半導体チップの内周側に凹んだ凹部を有する
請求項5または請求項6に記載の半導体装置。 - 前記内周領域における前記第2半導体チップの厚さは、前記最外周領域における前記第2半導体チップの厚さの3倍以上である
請求項4から請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記封止樹脂の、前記第1半導体チップと前記第2半導体チップとの間に充填される部分と、前記柱状電極の各々と前記第2半導体チップとの間に充填される部分とが、互いに同じサイズのフィラーを含む
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第2半導体チップは、内周側から外周側に向けて、厚さが段階的に薄くなっている
請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 表面に複数の第1電極を有する第1半導体チップと、
前記第1半導体チップの前記表面と隙間を隔てて配置され、前記第1電極の各々に接続された複数の第2電極を表面に有する内周領域、及び前記内周領域を囲み、前記内周領域の厚さよりも薄い厚さを有する外周領域を有する第2半導体チップと、
前記第1半導体チップの前記表面と前記内周領域との間、及び前記第1半導体チップの前記表面と前記外周領域との間にそれぞれ充填された封止樹脂と、
を備え、
前記第2半導体チップは、前記外周領域において前記第2半導体チップの外周側に突き出した突出部を有する半導体基板を含み、
前記半導体基板の前記内周領域における厚さは、前記突出部の厚さの2倍以上である
半導体装置。
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