JP5554786B2 - 熱電発電機の製造方法 - Google Patents
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Description
絶縁基板を堆積室において前記絶縁基板に対して反転可能に構成される治具に取り付ける工程と、
前記絶縁基板における一側面を堆積プロセスにおいて露出させ、他の側面を遮蔽し、前記絶縁基板を所定の傾角で配置する工程と、
前記絶縁基板の一方の面にP型熱電材料フィルム層を堆積する工程と、
前記絶縁基板の他方の面にN型熱電材料フィルム層を堆積する工程と、
前記P型熱電材料フィルム及び前記N型熱電材料フィルムをともに前記絶縁基板における露出している側面において沈着して接続する工程と、
前記N型熱電材料フィルム層及び前記P型熱電材料フィルム層からそれぞれ電極を引き出し、熱電池の主体構造を形成する工程と、
を備える。
実施例3において、当該熱電池を製造するための装置は3元マグネトロンスパッタリング装置である。Sb、Bi及びTeを用いてターゲット材とし、ターゲット材の純度が99.99%である。Sb及びBiは、それぞれ2つの直流スパッタリングターゲット部位に配置され、Teは高周波スパッタリングターゲット部位に配置されている。一般的なソーダ石灰ガラスを基板とし、有機溶媒で当該基板を超音波洗浄した後、堆積室における治具に取り付けた。当該治具は、基板に対して反転可能に構成され、基板に対して両底面の堆積を行うようにする。絶縁基板110の一側面を露出させ、他の側面を遮蔽した。基板110は、所定の傾角で配置されることによって、基板110における露出している側面にSb、Bi及びTeフィルムを堆積した。室温において、それぞれ直流スパッタリング法及び高周波スパッタリング法で絶縁基板110の一方の面にSbとTeの二層膜を堆積し、熱処理を行った後、図2aに示すように、厚さが700nmであるP型熱電材料のSb2Te3フィルム層120を形成した。その後、ターゲット材を調整して且つ基板を反転することによって、それぞれ直流スパッタリング法及び高周波スパッタリング法を用いて、絶縁基板110の他方の面にBiとTeの二層膜を堆積し、熱処理を行った後、図2bに示すように、厚さが700nmであるN型熱電材料のBi2Te3フィルム層130を形成した。絶縁基板110の一方の面にSbとTeの二層膜を、絶縁基板110の他方の面にBiとTeの二層膜を堆積した後、200℃において所定時間アニール処理した。沈着されたフィルムは、ベース真空度が2.8×10-4Pa、動作用真空度が6.1×10-1Paである。動作用ガスとして、純度が99.99%である高純度Arガスを用い、流量が50sccmである。
実施例4において、当該熱電池を製造するための装置は超高真空イオンビームスパッタ装置であり、イオンビームスパッタリング法でP型及びN型熱電材料フィルム層を製造する。ゼーベック係数がそれぞれP型及びN型である金属Sb及びBiをターゲット材として用いて、ターゲット材の純度が99.99%である。P型及びN型の金属Sb及びBiがそれぞれスパックリングターゲットを選択するように回転可能なターゲット部位に配置されている。一般的なソーダ石灰ガラスを基板とし、有機溶媒で基板を超音波洗浄した後、堆積室における治具に取り付けた。当該治具は、基板に対して反転可能に構成され、基板に対して両底面の堆積を行うようにする。絶縁基板110の一側面を露出させ、他の側面を遮蔽した。基板110は、所定の傾角で配置されることによって、基板110における露出している側面にSb及びBiのオーバーラップ層を堆積した。室温において、図2aに示すように、イオンビームスパックリング法で絶縁基板110の一方の面に、厚さが300nmであるSbフィルム層120を堆積した。その後、図2bに示すように、ターゲット材を調整して且つ基板を反転することによって、絶縁基板110の他方の面に、厚さが300nmであるBiフィルム層130を堆積した。沈着されたフィルムは、ベース真空度が4.5×10-4Pa、動作用真空度が4.1×10-2Paである。動作用ガスとして、純度が99.99%である高純度Arガスを用い、流量が4sccmである。イオンビーム沈着のプロセスパラメータは、プレート電圧が1KV、陽極電圧が75V、加速電圧が220V、陰極電圧が7V、陰極電流が11A、ビーム電流が14mAである。
Claims (4)
- 絶縁基板を堆積室において前記絶縁基板に対して反転可能に構成される治具に取り付ける工程と、
前記絶縁基板における一側面を堆積プロセスにおいて露出させ、他の側面を遮蔽し、前記絶縁基板を所定の傾角で配置する工程と、
前記絶縁基板の一方の面にP型熱電材料フィルム層を堆積する工程と、
前記絶縁基板の他方の面にN型熱電材料フィルム層を堆積する工程と、
前記P型熱電材料フィルム及び前記N型熱電材料フィルムをともに前記絶縁基板における露出している側面において沈着して接続する工程と、
前記N型熱電材料フィルム層及び前記P型熱電材料フィルム層からそれぞれ電極を引き出し、熱電池の主体構造を形成する工程と、
を備える、
ことを特徴とする熱電池の製造方法。 - 前記絶縁基板は厚さが0.1mm〜100mmであり、前記P型熱電材料フィルム層は厚さが1nm〜10μmであり、前記N型熱電材料フィルム層は厚さが1nm〜10μmである、
ことを特徴とする請求項1記載の熱電池の製造方法。 - 前記絶縁基板材料の形状は規則矩形又は方形である、
ことを特徴とする請求項1記載の熱電池の製造方法。 - 前記絶縁基板における露出している側面の形状は平面又は曲面である、
ことを特徴とする請求項1記載の熱電池の製造方法。
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