CN101483218B - 一种温差电池的制作方法 - Google Patents
一种温差电池的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101483218B CN101483218B CN2009101051739A CN200910105173A CN101483218B CN 101483218 B CN101483218 B CN 101483218B CN 2009101051739 A CN2009101051739 A CN 2009101051739A CN 200910105173 A CN200910105173 A CN 200910105173A CN 101483218 B CN101483218 B CN 101483218B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type thermoelectric
- thin layer
- thermoelectric material
- insulating substrate
- material thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提出了一种温差电池的制作方法，在绝缘基片的两面分别镀制P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层，在镀制过程中，绝缘基片裸露一侧面，P型热电材料薄膜和N型热电材料薄膜都在此有沉积，而使P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层在该侧面处连接，形成PN结；无需再有专门连接P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层的过程，使得制造温差电池的工艺比较简单。由于薄膜热电材料的特性，制作出的温差电池的性能也大幅度提高。由于利用镀制过程中P型热电材料和N型热电材料都会在基片裸露侧边沉积成为连接P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层的一端，该端无焊接，该端作为热面端，则制成温差电池的热面工作温度也将大幅提高。
Description
技术领域
本发明涉及温差电技术领域，特别涉及一种温差电池的制作方法。
背景技术
温差电池就是利用温度差异制成的电池，由于塞贝克效应，使热能直接转化为电能的装置。温差电池的工作原理是，将两种不同的金属或两种不同类型的热电转换材料P型和N型半导体的一端结合并将其置于高温状态，另一端开路并给以低温。由于高温端的热激发作用较强，空穴和电子浓度也比低温端高，在这种载流子浓度梯度的驱动下，空穴和电子向低温端扩散，从而在低温开路端形成电势差；如果将许多对P型和N型热电转换材料连接起来组成模块，就可得到足够高的电压，形成一个温差发电机。
温差电池作为一种清洁能源，具有无噪音、无有害物质排放、可靠性高、寿命长等一系列优点，它能长期、安全、连续地提供稳定的电能输出。目前，主要是将热电材料线切割成片，再焊接，形成温差电池；制作微型温差电池的方法中，主要有两类，一类方法是：在同一个基片上涂敷感光胶，通过两次光刻的方法在感光胶上先后形成P型和N型微区，之后又先后在P型和N型微区内沉积P型和N型温差电材料。这种制造方法难度大，特别是在连接温差电单体的导电层制造工序中，需要把基片与其上已沉积好的温差电单体整个剥离；另一类方法是：P型温差电单体基片和N型温差电单体基片分开独立制造，使得在微型薄膜温差电池的制造过程中，连接P型和N型温差电单体的导电层的制造在基片与温差电单体不剥离的条件下就可以进行。利用上述方法制造温差电池的工艺复杂，都有连接P型和N型温差电单体的过程，温差电池的性能也受到了限制。
发明内容
本发明的目的是，针对上述现有技术存在的缺陷提供了一种温差电池的制作方法，该温差电池的性能得到了提高，且该制作工艺简单。
本发明的技术方案如下：
一种温差电池的制作方法，包括步骤：
将所述绝缘基片放入镀膜室内夹具上，所述夹具被设计为可以对基片进行翻转；
将绝缘基片的一侧面在镀制过程中裸露，其他侧面被遮挡，绝缘基片放置有一定的倾角，使在裸露的侧面镀上薄膜；
在所述绝缘基片的一面镀制P型热电材料薄膜层；
在所述绝缘基片的另一面镀制N型热电材料薄膜层；
所述P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层都在绝缘基片裸露的一侧面沉积连接起来；
分别从所述N型热电材料薄膜层和所述P型热电材料薄膜层引出电极，形成温差电池的主体结构。
其中，所述绝缘基片的厚度为：0.1mm至100mm，所述P型热电材料薄膜层的厚度为：1nm至10μm；所述N型热电材料薄膜层的厚度为：1nm至10μm。
其中，所述绝缘基片材料的形状是规则的矩形。
其中，所述绝缘基片裸露的侧面形状是平面或者是曲面。
本发明的有益效果为：
本发明提供的温差电池的制作方法是在绝缘基片的两面分别镀制P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层，在镀制过程中，绝缘基片裸露一侧面，P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层都在此有沉积，而使P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层在该侧面处连接，形成PN结；无需再有专门连接P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层的过程，使得制造温差电池的工艺比较简单。本发明采用镀制P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层来形成温差电偶，由于薄膜热电材料的特性，制作出的温差电池的性能也大幅度提高。由于利用镀制过程中P型热电材料和N型热电材料都会在基片裸露侧面沉积成为连接P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层的一端，因此，该端无焊接，该端作为热面端，则制成温差电池的热面工作温度也将大幅提高。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的温差电池的断面结构示意图；
图2a和图2b为本发明实施例一提供的温差电池的制作过程图；
图3为本发明实施例二提供的温差电池的断面结构示意图；
图4a和图4b为本发明实施例二提供的温差电池的制作过程图。
具体实施方式
本发明提供了一种温差电池的制作方法，为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。
图1是本发明实施例一提供的温差电池的断面结构示意图，参照该图，本实施例一提供的温差电池包括：绝缘基片110，镀制在该绝缘基片一面的P型热电材料薄膜层120、镀制在该绝缘基片另一面的N型热电材料薄膜层130。从该P型热电材料薄膜层120和N型热电材料薄膜层130分别引出电极140、150。在绝缘基片110的一面镀制一层P型热电材料薄膜层120，形成如图2a所示的结构，然后在绝缘基片110的另一面镀制一层N型热电材料薄膜层130，形成如图2b所示的结构；P型热电材料薄膜层120和N型热电材料薄膜层130都在绝缘基片裸露的一侧面沉积连接起来。在图2b所示的结构上的P型热电材料薄膜层120和N型热电材料薄膜层130分别引出电极140、150，形成该温差电池。其中P型热电材料薄膜层120和N型热电材料薄膜层130在绝缘基片110的一侧面完全重叠连接。
图3是本发明实施例二提供的温差电池的断面结构示意图，参照该图，本实施例二提供的温差电池包括：绝缘基片210，镀制在该绝缘基片一面的P型热电材料薄膜层220、镀制在该绝缘基片另一面的N型热电材料薄膜层230。从该P型热电材料薄膜层220和N型热电材料薄膜层230分别引出电极240、250。在绝缘基片210的一面镀制一层P型热电材料薄膜层220，形成如图4a所示的结构，然后在绝缘基片210的另一面镀制一层N型热电材料薄膜层230，形成如图4b所示的结构。P型热电材料薄膜层220和N型热电材料薄膜层230都在绝缘基片裸露的一侧面沉积连接起来。在图4b所示的结构上的P型热电材料薄膜层220和N型热电材料薄膜层230分别引出电极240、250，形成该温差电池。其中P型热电材料薄膜层220和N型热电材料薄膜层230在绝缘基片210的一侧面刚好连接。
上述实施例中的温差电池的材料一般有金属和半导体两种。所述的P型和N型热电材料，也可以是两种不同的金属材料，即采用镀制两种不同的金属材料薄膜来形成温差电偶。绝缘基片材料的形状是规则的矩形、或者方形，或者是任意的不规则形状。
绝缘基片裸露的侧面形状可以是平面，也可以是曲面。
上述实施例提出的温差电池，制造过程简便易行，制造成本低，而且性能也大幅度提高。上述实施例提供的温差电池通过大量串联连接，可以在很小的温差下产生足够大的电压输出。
下面利用实施例三和实施例四来详细描述该温差电池制作方法的过程。
实施例三：
实施例三制作该温差电池使用的设备为三靶磁控溅射镀膜机。选用Sb、Bi与Te为靶材，靶材纯度为99.99％，Sb、Bi分别安置在两个直流溅射靶位，Te安置在射频溅射靶位。以普通钠钙玻璃作为基片，有机溶剂对该基片进行超声波清洗，然后放入镀膜室内的夹具上；该夹具被设计为可以对基片进行翻转，便于对基片进行两底面镀膜，将绝缘基片110的一侧面裸露，其他侧面遮挡住，基片110放置有一定的倾角，使在基片100裸露的侧面镀上Sb、Bi与Te薄膜。在室温条件下，分别采用直流溅射和射频溅射方法，在绝缘基片110的一面上镀制Sb与Te两层膜，在后面进行的热处理后，形成P型热电材料Sb2Te3薄膜层120，厚度为700nm，如图2a所示；然后通过调整靶材和翻转基片，分别采用直流溅射和射频溅射方法，在绝缘基片110的另一面上镀制Bi与Te两层膜，进行的热处理后，形成N型热电材料Bi2Te3薄膜层130，厚度为700nm，如图2b。完成在绝缘基片110的一面上镀制Sb与Te两层膜和在绝缘基片110的另一面上镀制Bi与Te两层膜后，在200℃下退火一定时间。沉积制备薄膜的本底真空度2.8×10-4Pa，工作真空6.1×10-1Pa。工作气体为99.99％的高纯Ar气，流量为50sccm。
完成绝缘基片110的一面上镀制Sb2Te3薄膜层120和另一面上镀制Bi2Te3薄膜层130的结构后，分别从Sb2Te3薄膜层120和Bi2Te3薄膜层130引出电极，就形成了如图1所示或如图3所示的温差电池的主体结构。
之后可进行划片、装架、封装等常规后续工艺步骤。
P型和N型热电材料薄膜层的制备技术，在本实施例中采用的是磁控溅射法，在其他的实施例中还可以采用热电材料薄膜制备的各种工艺。如：真空蒸发镀膜法、分子束外延法(MBE)、离子束溅射法、脉冲激光沉积 法、电化学原子层外延法(ECALE)、金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)和连续离子层吸附与反应法(SILAR)等。
制作过程中，可以先镀制P型热电材料薄膜120，后镀制N型热电材料薄膜130；也可以先镀制N型热电材料薄膜130，后镀制P型热电材料薄膜120。
实施例四：
实施例四使用设备为超高真空离子束溅射镀膜机，为离子束溅射法制备P型和N型热电材料薄膜层。选用塞贝克系数分别为P型和N型的金属Sb与Bi为靶材，靶材纯度为99.99％，分别将P型和N型的金属Sb与Bi的靶材安置在可转动选择溅射靶的靶位。以普通钠钙玻璃作为基片，使用有机溶剂对基片进行超声波清洗，然后放入镀膜室内夹具上；夹具被设计为可以对基片进行翻转，便于对基片进行两底面镀膜，将绝缘基片110的一侧面裸露，其他侧面遮挡住，基片110放置有一定的倾角，使在基片110裸露的侧面镀上Sb与Bi的交叠层。在室温条件下，采用离子束溅射方法，先在绝缘基片110的一面上镀制Sb薄膜层120，厚度为300nm，如图2a所示；然后通过调整靶材和翻转基片，在绝缘基片110的另一面上镀制Bi薄膜层130，厚度为300nm，如图2b所示。沉积制备薄膜的本底真空度为4.5×10-4Pa，工作真空为4.1×10-2Pa。工作气体为99.99％的高纯Ar气，流量为4sccm。离子束沉积的工艺参数为：屏极电压1KV，阳极电压75V，加速电压220V，阴极电压7V，阴极电流11A，束流14mA。
得到绝缘基片110一面上镀制Sb薄膜层120和另一面上镀制Bi薄膜层130的结构后，分别从Sb薄膜层120和Bi薄膜层引出电极140、150，就形成了如图1或图3所示的温差电池的主体结构。
之后可进行划片、装架、封装等常规后续工艺步骤，完成本发明温差电池的制作。
在其他的实施例中，镀制过程中，P型和N型材料在绝缘基片裸露侧 面的沉积，也可以部分重叠。所述绝缘基片的厚度为：0.1mm至100mm，也可以选用更厚或更薄的基片。
上述实施例提供的温差电池制作方法，不仅制作过程简便易行，制作成本低，而且制作出的温差电池的性能也大幅度提高。制作出的单体温差电池通过大量串联连接，可以在很小的温差下产生足够大的电压输出。
热电现象本身是可逆的，半导体温差发电和半导体致冷是热电现象的两个方面，互相可逆。对于同一个PN结，若施加温差则可用来发电，若对其通电，则可用于在一端致冷。因此，本实施例的温差电池的主体结构，同时也就是温差电致冷器的主体结构。
应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (4)
1.一种温差电池的制作方法，其特征在于，包括步骤：
将所述绝缘基片放入镀膜室内夹具上，所述夹具被设计为可以对基片进行翻转；
将绝缘基片的一侧面在镀制过程中裸露，其他侧面被遮挡，绝缘基片放置有一定的倾角，使在裸露的侧面镀上薄膜；
在所述绝缘基片的一面镀制P型热电材料薄膜层；
在所述绝缘基片的另一面镀制N型热电材料薄膜层；
所述P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层都在绝缘基片裸露的一侧面沉积连接起来；
分别从所述N型热电材料薄膜层和所述P型热电材料薄膜层引出电极，形成温差电池的主体结构。
2.如权利要求1所述温差电池的制作方法，其特征在于，所述绝缘基片的厚度为：0.1mm至100mm，所述P型热电材料薄膜层的厚度为：1nm至10μm；所述N型热电材料薄膜层的厚度为：1nm至10μm。
3.如权利要求1所述温差电池的制作方法，其特征在于，所述绝缘基片材料的形状是规则的矩形。
4.如权利要求1所述温差电池的制作方法，其特征在于，所述绝缘基片裸露的侧面形状是平面或者是曲面。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101051739A CN101483218B (zh) | 2009-01-20 | 2009-01-20 | 一种温差电池的制作方法 |
| PCT/CN2009/075422 WO2010083706A1 (zh) | 2009-01-20 | 2009-12-09 | 一种温差电池及其制造方法 |
| JP2011545614A JP5554786B2 (ja) | 2009-01-20 | 2009-12-09 | 熱電発電機の製造方法 |
| US13/145,207 US8748208B2 (en) | 2009-01-20 | 2009-12-09 | Method for fabricating thermo-electric generator |
| EP09838673.3A EP2410584B1 (en) | 2009-01-20 | 2009-12-09 | Method for manufacturing thermoelectric cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009101051739A CN101483218B (zh) | 2009-01-20 | 2009-01-20 | 一种温差电池的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101483218A CN101483218A (zh) | 2009-07-15 |
| CN101483218B true CN101483218B (zh) | 2011-03-09 |
Family
ID=40880233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009101051739A Active CN101483218B (zh) | 2009-01-20 | 2009-01-20 | 一种温差电池的制作方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8748208B2 (zh) |
| EP (1) | EP2410584B1 (zh) |
| JP (1) | JP5554786B2 (zh) |
| CN (1) | CN101483218B (zh) |
| WO (1) | WO2010083706A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101483218B (zh) * | 2009-01-20 | 2011-03-09 | 深圳大学 | 一种温差电池的制作方法 |
| CN103096651B (zh) * | 2011-10-31 | 2016-06-08 | 镇江福科鑫电子科技有限公司 | 电子装置 |
| CN103325935B (zh) * | 2013-05-24 | 2015-10-28 | 深圳大学 | 一种柔性薄膜温差电池及其制作方法 |
| CN103604521B (zh) * | 2013-11-04 | 2016-01-06 | 深圳市彩煌实业发展有限公司 | 温敏探头及其制备方法 |
| CN105322087A (zh) * | 2014-07-28 | 2016-02-10 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | BiTe基柔性薄膜温差电池 |
| JP2017011181A (ja) * | 2015-06-24 | 2017-01-12 | 積水化学工業株式会社 | 熱電変換材料シート及びそれを有する熱電変換デバイス |
| CN106252447B (zh) * | 2016-09-23 | 2019-03-05 | 华中科技大学 | 一种复合太阳能电池及其制备方法 |
| US10231364B2 (en) * | 2016-10-24 | 2019-03-12 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Fluidly cooled power electronics assemblies having a thermo-electric generator |
| CN110783448B (zh) * | 2019-07-30 | 2020-10-16 | 武汉理工大学 | 一种基于飞秒激光技术制造微型热电器件的方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05327033A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Hitachi Ltd | 熱電変換素子及び熱電発電装置 |
| JPH0735618A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-02-07 | Technova:Kk | 熱電変換素子 |
| JP2002151501A (ja) * | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Ebara Corp | 基板成膜方法 |
| JP4275399B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2009-06-10 | 株式会社東海理化電機製作所 | 熱電変換デバイス及び熱電変換デバイスユニット並びに熱電変換デバイスの製造方法 |
| US7629531B2 (en) * | 2003-05-19 | 2009-12-08 | Digital Angel Corporation | Low power thermoelectric generator |
| EP1737053B1 (en) * | 2004-03-25 | 2012-02-29 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module |
| US20070199587A1 (en) * | 2004-07-01 | 2007-08-30 | Koh Takahashi | Thermoelectric Conversion Module |
| CN101483218B (zh) * | 2009-01-20 | 2011-03-09 | 深圳大学 | 一种温差电池的制作方法 |
-
2009
- 2009-01-20 CN CN2009101051739A patent/CN101483218B/zh active Active
- 2009-12-09 US US13/145,207 patent/US8748208B2/en active Active
- 2009-12-09 WO PCT/CN2009/075422 patent/WO2010083706A1/zh active Application Filing
- 2009-12-09 JP JP2011545614A patent/JP5554786B2/ja active Active
- 2009-12-09 EP EP09838673.3A patent/EP2410584B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8748208B2 (en) | 2014-06-10 |
| WO2010083706A1 (zh) | 2010-07-29 |
| EP2410584B1 (en) | 2016-09-14 |
| EP2410584A4 (en) | 2014-01-22 |
| CN101483218A (zh) | 2009-07-15 |
| JP2012516031A (ja) | 2012-07-12 |
| JP5554786B2 (ja) | 2014-07-23 |
| US20120064656A1 (en) | 2012-03-15 |
| EP2410584A1 (en) | 2012-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101483218B (zh) | 一种温差电池的制作方法 | |
| US5393675A (en) | Process for RF sputtering of cadmium telluride photovoltaic cell | |
| US9379167B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
| CN101521259B (zh) | 一种薄膜温差电池及其制作方法 | |
| US20050072461A1 (en) | Pinhole porosity free insulating films on flexible metallic substrates for thin film applications | |
| WO2010119754A1 (ja) | 固体電解質電池の製造方法および固体電解質電池 | |
| CN103325935A (zh) | 一种柔性薄膜温差电池及其制作方法 | |
| WO2001069657A2 (en) | Thermal diode for energy conversion | |
| KR20100102180A (ko) | 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법 | |
| AU2001268030A1 (en) | Thermal diode for energy conversion | |
| US20140110245A1 (en) | Non-bonded rotatable targets and their methods of sputtering | |
| Kushida et al. | Hundred-micron-sized all-solid-state Li secondary battery arrays embedded in a Si substrate | |
| US20130008380A1 (en) | Apparatus for fabricating ib-iiia-via2 compound semiconductor thin films | |
| JP2001156316A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| CN105200382B (zh) | 一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法 | |
| US9634221B2 (en) | Thin-film thermo-electric generator and fabrication method thereof | |
| JP2017034093A (ja) | 局所電極製造方法、局所電極製造装置、および太陽電池 | |
| US4149308A (en) | Method of forming an efficient electron emitter cold cathode | |
| CN105274484B (zh) | 一种Sb掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法 | |
| US9245758B2 (en) | Method for fabricating silicon-doped or boron-doped aluminum electrode | |
| US11798807B2 (en) | Process for producing an electrical contact on a silicon carbide substrate | |
| CN114561623A (zh) | 一种碲化铋材料表面处理方法 | |
| Salavei et al. | CdTe thin film solar cells by pulsed electron deposition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHENZHEN CAIHUANG INDUSTRIAL DEVELOPMENT CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SHENZHEN UNIV Effective date: 20110720 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 518060 NO. 3688, NANHAI AVENUE, NANSHAN DISTRICT, SHENZHEN CITY, GUANGDONG PROVINCE TO: 518000 CAIHUANG INDUSTRIAL PARK, HAORIZI AVENUE, QINGHU NEIGHBORHOOD COMMITTEE, LONGHUA SUBDISTRICT OFFICE, SHENZHEN CITY |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20110720 Address after: 518000, Shenzhen Longhua street, Clear Lake neighborhood committee, good day Avenue, color Huang industrial park Patentee after: Shenzhen Caihuang Industrial Development Co., Ltd. Address before: 518060 Nanhai Road, Guangdong, Shenzhen, No. 3688, No. Patentee before: Shenzhen University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180731 Address after: 518000 Guangdong Shenzhen Longhua New District Longhua Street Qing Hu community Qing Lake Village Choi Huang office building 101 Patentee after: Shenzhen color Huang power and Power Technology Co., Ltd. Address before: 518000 Longhua street, Shenzhen, Qing Lake neighborhood committee good days Avenue Choi Huang industrial park Patentee before: Shenzhen Caihuang Industrial Development Co., Ltd. |