JP5551255B2 - ドライフィルムフォトレジスト - Google Patents
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Description
厚さ偏差=(|m−x-max|+|m−Xmin|)/2
樹脂保護層の厚さを均一にするために、厚さ偏差の下限値が低いほど好ましく、厚さ偏差が前記範囲を超過する場合、感光性樹脂層の部分別現像時間の差異により回路具現能力が低下し、露光の際に回路を形成するためのマスクのオフコンタクト(off contact)問題がある。
実施例1〜6および比較例1〜7
<実施例1>
(a)重量平均分子量22000、鹸化度87%のポリビニルアルコール(KURARAY社、PVA205)20g、およびブトキシエタノール溶媒100gにポリシリコン0.1gを溶かしたときの粒度が0μmであるポリシリコン(BYK社、BYK−349、乾燥後の固形分に対して0.25%)0.05gを蒸留水100gに入れ、80℃で6時間攪拌して 完全に溶かすことにより、樹脂保護層用組成物を製造した。これを厚さ16μmの支持体フィルム(ヘイズ2.3%、表面処理なし、ポリエチレンテレフタレートフィルム、FDFR−16μm、KOLON)上にコーティングバーを用いてコートした後、熱風オーブンを用いて80℃で10分間乾燥させて厚さ3μmおよび厚さ偏差0.4μmの樹脂保護層を形成した。この際、前記ポリシリコンを前記溶媒に6時間80℃の条件下で溶かしたときの粒度が0μmであるというのは、ポリシリコンが溶媒に略完全に溶解して粒子状が発見されていないことを意味し、別途言及しない限り、「粒度0μm」は上述と同一の意味を有する。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
下記のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
(a)UH−9200 series(Kolon)に使用された組成および含量で感光性樹脂組成物を製造した。具体的には、光開始剤類を溶媒としてのメチルエチルケトンとメチルアルコールに溶かした後、光重合性オリゴマー類とバインダーポリマーを添加して機械的攪拌器を用いて1時間混合することにより、感光性樹脂組成物を製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
次のとおり実施した以外は、実施例1と同一の方法でドライフィルムフォトレジストを製造した。
水溶性高分子の重量平均分子量は、GFC(Gel Filtration Chromatography; Varian GPC system)を用いて40℃の温度、Stationary Phase:(Plgel Mixed D)×2、Mobile Phase:THF、1.0mL/min、Injection:100μL、Detection:RI、40Cの条件下で、PS Standard(Polymer Standards Service社、Mp723000、219000、89300、52200、30300、7000、5000、2960)を0.1%の濃度でTHFに溶かして注入したものを基準物質として測定した。試料は0.2%の濃度でTHFに溶かした後、0.45μm PTFE syringe filterで濾過して注入した。
実施例1〜6および比較例2〜7によって製造されたドライフィルムフォトレジストの支持体フィルム(PET)上にテープを付けてから取り外して支持体フィルムと樹脂保護層の一部を剥がした後、そのドライフィルムフォトレジスト部分の断面に現れる樹脂保護層の厚さをAnritsu社のK351Cを用いて(測定範囲を0.1μmと設定)測定し、この際、20箇所の地点を任意に設定してその厚さを測定し、その測定値から本発明に係る式1の算術平均値によって樹脂保護層の平均厚さを求めた。
実施例1〜6および比較例2〜7によって製造されたドライフィルムフォトレジストを7cm×7cmのサイズに切った後、保護フィルムを剥がしてサイズ10cm×10cmの銅張積層板にラミネートした。その後、ラミネートされたドライフィルムフォトレジストの支持体フィルムを剥がした後、樹脂保護層を剥がし、剥がした樹脂保護層をSHIMADZU社のUV−3101PC(UV−VIS−NIR SCANNING SPECTROPHOTOMETER)を用いて355nm、405nmにおけるUV透過率を測定した。
実施例1〜6および比較例2〜7に使用された支持体フィルムを1cm×1cmのサイズに切った後、樹脂保護層と接する部分の表面粗さをAFM(Atomic Force Microscopy、PSIA社のM5AV)に100um scanning head(Park Scientific Instruments社)を用いて測定した。
<樹脂保護層間の粘着力>
幅3cm、長さ20cmのドライフィルムフォトレジスト試片の保護フィルムを除去した後、110℃で2m/minの速度、4kgf/cm2の圧力でFCCLにラミネートして2つのサンプルを作成した。その後、2つのサンプルの支持体フィルムを離型させ、樹脂保護層を互いに向かい合わせて110℃で2m/minの速度、4kgf/cm2の圧力でラミネートした。その後、接着されているサンプルを離型させながら、その開始点から5cm地点〜8cm地点まで100mm/minの速度で10N Load cellを用いて離型させるのに必要な力をUTM(4303 series、Instron社)を用いて測定した。
幅3cm、長さ20cmのドライフィルムフォトレジスト試片の保護フィルムを除去した後、110℃で2m/minの速度、4kgf /cm2の圧力で銅張積層板にラミネートした。その後、支持体フィルムを離型させながら、その開始点から5cm地点〜8cm地点まで100mm/minの速度で10N Load cellを用いて離型させるのに必要な力をUTM(4303 series、Instron社)を用いて測定した。
幅3cm、長さ20cmのドライフィルムフォトレジスト試片の保護フィルムを離型させながら、その開始点から5cm地点〜8cm地点まで100mm/minの時間で10N Load cellを用いて離型させるのに必要な力をUTM(4303 series、Instron社)を用いて測定した。
幅3cm、長さ20cmのドライフィルムフォトレジスト試片の保護フィルムを除去し、110℃で4kgf /cm2の条件下に2m/minの速度でラミネートした後、支持体フィルムを除去した。ここに幅4cm、幅25cm、厚さ19μmのPETフィルム(FDFR、Kolon社)を110℃、4kgf/cm2の条件下に2m/minの速度でラミネートした後、前記PETフィルムを離型させ始め、その開始点から5cm地点〜8cm地点まで100mm/minの速度で10N load cellを用いて離型させるのに必要な力をUTM(4303 series、Instron社)を用いて測定した。
実施例1〜6および比較例1〜7で製造されたドライフィルムフォトレジストを次のような方法でプリント基板に形成した後、ドライフィルムフォトレジストの特性を評価した。
銅張積層板(CCL)にブラシ前処理機を用いて新しい銅面を形成し、適切な表面粗さを形成する。その後、5%硫酸溶液で酸処理した後、水洗、乾燥を行ってラミネーターに投入した。ラミネーターとしてHakuto Mach 610iを用いて110℃で4kgf/cm2の圧力、2m/minの速度で、実施例1〜6および比較例1〜7で製造されたドライフィルムフォトレジストを銅張積層板にラミネートした。この際、予熱は行っていない。その後、UV露光機(Perkin Elmer OB−7120、5KW平行光)で照射して露光を行った。露光を済ませたプリント基板を現像機を通過させて現像した。
実施例1〜6および比較例1〜7によって製造されたドライフィルムフォトレジストを7cm×7cmのサイズに切った後、保護フィルムを剥がしてサイズ10cm×10cmの銅張積層板にラミネートした。その後、ラミネートされたドライフィルムフォトレジストの支持体フィルムを剥がした後、樹脂保護層を剥がし、ヘイズメーター(日本電色社、NDH−2000)を用いて、前記剥がした樹脂保護層のヘイズを測定した。
樹脂保護層を含まない場合、前記(a)のようにドライフィルムフォトレジストを銅張積層板にラミネートしたプリント基板を温度30℃の条件で圧力1.5kgf/cm2で現像液(1% Na2CO3水溶液)を噴射するファン型ノズルと基板間の間隔が15cmの現像機に通過させ、ラミネートされた部位が現像液によって完全に洗い流されて除去される時間を測定し、これを感光性樹脂層のみの最小現像時間(以下、「Smin」という)とした。また、感光性樹脂層のみの実際現像時間(以下、「Sdel」という)は、感光性樹脂層のみの最小現像時間(Smin)の2倍の時間に算定した。
露光の際、実施例1〜6および比較例2〜7の場合には樹脂保護層上に、比較例1の場合には支持体フィルム上にそれぞれ感度器(21段Stouffer Step Tablet)を位置させた後、感度5段、6段、7段を得るための露光量を光量計(UV−351、ORC社製)を用いて測定した。その測定値は下記表4に示した。この際、感度は現像の後に基板に残っている感光性レジストの最大単位個数で評価した。
Kolon Test Artworkを用いて解像度、細線密着力、および1/1(Line/Space)解像度を測定して回路物性を評価した。
光沢度測定器(Gloss Meter Reading)を用いてKS定義(KS M ISO 2813:2007)に従って光沢測定角度20°および60°で光沢度を測定した。
前記方法によって光沢度を測定するために、まず、銅張積層板に樹脂保護層のあるドライフィルムフォトレジストをラミネートし、露光および現像した後、光沢度を測定した。この際、前記露光および現像は、上述した特性評価上で実施した方法で行った。その結果を下記表5に示した。
実施例1および比較例1のドライフィルムフォトレジストを適用したプリント基板に対して、前述したように露光および現像工程を施した後、表面を電子顕微鏡で撮影してそれぞれ図2〜図3に示した。
Claims (9)
- 順次積層された支持体フィルム、樹脂保護層および感光性樹脂層を含んでなり、
前記樹脂保護層が重量平均分子量5000〜300000の水溶性高分子と、前記水溶性高分子100重量部に対して0.25〜1重量部の含量のポリシリコーンを含み、
前記樹脂保護層のヘイズが3.0%以下であり、前記樹脂保護層の1μm当たりの現像時間が10秒以下であり、前記樹脂保護層の厚さが10μm以下であり、厚さ偏差が1μm以下であることを特徴とする、ドライフィルムフォトレジスト。 - 前記水溶性高分子は鹸化度75〜97%のポリビニルアルコールを含むことを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムフォトレジスト。
- 前記ポリシリコーンは、水、アルコール類およびこれらの混合物の中から選ばれたいずれか一つの溶媒100gに6時間80℃の条件下でポリシリコーン0.1gを溶解させたときの粒度が1μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムフォトレジスト。
- 前記樹脂保護層のUV透過率が355nmと405nmでそれぞれ70%以上であることを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムフォトレジスト。
- 前記支持体フィルムおよび前記樹脂保護層間の粘着力が0.0005〜0.01N/cmであることを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムフォトレジスト。
- 前記支持体フィルムを除去したドライフィルムフォトレジストにおける樹脂保護層の一面と、他の支持体フィルムを除去したドライフィルムフォトレジトにおける樹脂保護層の一面とが接するように、110℃で2m/minの速度、4kgf/cm2の圧力で積層を行った後、ドライフィルムフォトレジストをさらに分離させるときの、前記樹脂保護層の一面と他の樹脂保護層の一面間の粘着力が0.01N/cm以下であることを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムフォトレジスト。
- 前記感光性樹脂層は現像後の光沢度が20°で15以上、60°で60以上であることを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムフォトレジスト。
- 前記樹脂保護層と接する支持体フィルムの表面粗さRaは0.01以下であることを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムフォトレジスト。
- 前記感光性樹脂層の一面に保護フィルムをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムフォトレジスト。
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