JP5549614B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明になる液晶表示装置の第1の実施の形態の一画素の等価回路図を示す。同図中、図11と同一構成部分には同一符号を付してある。本実施の形態の液晶表示装置は、特許文献1記載の液晶表示装置と同様に、2本のデータ線(列信号線)を一組とする複数組のデータ線と、複数本のゲート線(行走査線)との各交差部にそれぞれ画素をマトリクス状に配置し、それらの各画素において正極性映像信号と負極性映像信号とを2つの保持容量に別々にサンプリング保持した後、それらの保持電圧を交互に画素電極に印加して液晶表示素子を交流駆動する液晶表示装置であるが、特許文献1記載の液晶表示装置と比較して画素の構成が異なり、図1に示す等価回路で表わされる構成とされている。
図7は、本発明になる液晶表示装置の第2の実施の形態の一画素の等価回路図を示す。同図中、図11と同一構成部分には同一符号を付してある。本実施の形態の液晶表示装置は、特許文献1記載の液晶表示装置と同様に、2本のデータ線(列信号線)を一組とする複数組のデータ線と、複数本のゲート線(行走査線)との各交差部にそれぞれ画素をマトリクス状に配置し、それらの各画素において正極性映像信号と負極性映像信号とを2つの保持容量に別々にサンプリング保持した後、それらの保持電圧を交互に画素電極に印加して液晶表示素子を交流駆動する液晶表示装置であるが、特許文献1記載の液晶表示装置と比較して画素の構成が異なり、図7に示す等価回路で表わされる構成とされている。
130、150 イオン注入用開口部
Tr1、Tr2 画素選択用NMOSトランジスタ
Tr5、Tr6 極性切り替えのスイッチング用NMOSトランジスタ
Tr7 定電流負荷PMOSトランジスタ
Tr13、Tr14、Tr23、Tr24 ソースフォロワ用PMOSトランジスタ
Tr21、Tr22 画素選択用PMOSトランジスタ
Tr25、Tr26 極性切り替えのスイッチング用PMOSトランジスタ
Cs1、Cs2 保持容量
PE 画素電極
CE 共通電極
LCM 液晶層
LC 液晶表示素子
Di+、Di- 列信号線(データ線)
Gj 行走査線(ゲート線)
Claims (5)
- 2本のデータ線を一組とする複数組のデータ線と複数本の行走査線とがそれぞれ交差する交差部に設けられた複数の画素のそれぞれが、
対向する画素電極と共通電極との間に液晶層が挟持された表示素子と、
一組の前記2本のデータ線のうち一方のデータ線を介して供給される正極性映像信号を第1の画素選択用トランジスタによりサンプリングして一定期間第1の保持容量に保持する第1のサンプリング及び保持手段と、
一組の前記2本のデータ線のうち他方のデータ線を介して供給される、前記正極性映像信号とは逆極性の負極性映像信号を第2の画素選択用トランジスタによりサンプリングして一定期間第2の保持容量に保持する第2のサンプリング及び保持手段と、
前記第1の保持容量にゲートが接続された第1のソースフォロワ用トランジスタと、
前記第2の保持容量にゲートが接続された第2のソースフォロワ用トランジスタと、
前記第1のソースフォロワ用トランジスタのソースを通して出力される前記第1の保持容量の正極性の保持電圧と、前記第2のソースフォロワ用トランジスタのソースを通して出力される前記第2の保持容量の負極性の保持電圧とを、垂直走査周期より短い所定の周期で切り替えて前記画素電極に交互に印加すると共に、その出力電圧範囲に前記第1及び第2のソースフォロワ用トランジスタの入出力特性の線形領域が入るように設定された第1及び第2のスイッチング用トランジスタと、
前記第1及び第2のスイッチング用トランジスタを通して前記第1及び第2のソースフォロワ用トランジスタにそれぞれ定電流を供給する定電流負荷トランジスタと
を備え、
前記第1及び第2のソースフォロワ用トランジスタは、その閾値電圧が前記定電流負荷トランジスタの閾値電圧とは異なるようにイオン注入により設定されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第1及び第2のソースフォロワ用トランジスタは、前記閾値電圧の設定によりノーマリーオン状態に設定されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2の画素選択用トランジスタと前記第1及び第2のスイッチング用トランジスタとはそれぞれNチャネルMOS型トランジスタであり、前記第1及び第2のソースフォロワ用トランジスタと前記定電流負荷トランジスタとはそれぞれPチャネルMOS型トランジスタであることを特徴とする請求項1又は2記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2の画素選択用トランジスタ、前記第1及び第2のソースフォロワ用トランジスタ、前記第1及び第2のスイッチング用トランジスタ、及び前記定電流負荷トランジスタはPチャネルMOS型トランジスタであり、前記第1及び第2の画素選択用トランジスタ並びに前記第1及び第2のスイッチング用トランジスタのそれぞれの閾値電圧は、前記第1及び第2のソースフォロワ用トランジスタの閾値電圧と共に前記イオン注入により前記定電流負荷トランジスタの閾値電圧とは異なる電圧値にそれぞれ設定されていることを特徴とする請求項1又は2記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2の画素選択用トランジスタ並びに前記第1及び第2のスイッチング用トランジスタのそれぞれの閾値電圧は、前記第1及び第2のソースフォロワ用トランジスタの閾値電圧と同一の値であることを特徴とする請求項4記載の液晶表示装置。
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