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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は画像表示装置に関し、特に、データ信号のリフレッシュが必要な画像表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、パーソナルコンピュータ、テレビ受像機、携帯電話機、携帯情報端末などにおいて、静止画や動画を表示するため液晶表示装置が用いられている。
【0003】
図17は、そのような液晶表示装置の要部を示す回路図である。図17において、この液晶表示装置は、液晶セル70、走査線71、共通電位線72、データ信号線73および液晶駆動回路74を備え、液晶駆動回路74はN型TFT(Thin Film Transistor)75およびキャパシタ76を含む。
【0004】
N型TFT75は、データ信号線73とデータ保持ノードN75との間に接続され、そのゲートが走査線71に接続される。キャパシタ76は、データ保持ノードN75と共通電位線72との間に接続される。液晶セル70の一方電極はデータ保持ノードN75に接続され、その他方電極は基準電位VRを受ける。共通電位線72には共通電位VCが与えられる。走査線71は垂直走査回路(図示せず)によって駆動され、データ信号線73は水平走査回路(図示せず)によって駆動される。
【0005】
走査線71が「H」レベルにされると、N型TFT75が導通し、データ保持ノードN75がN型TFT75を介してデータ信号線73のレベルに充電される。液晶セル70は、たとえば、データ保持ノードN75が「H」レベルの場合はその光透過率が最大になり、データ保持ノードN75が「L」レベルの場合はその光透過率が最小になる。液晶セル70は複数行複数列に配列されて1枚の液晶パネルを構成し、液晶パネルには1つの画像が表示される。
【0006】
このような液晶表示装置では、N型TFT75が非導通にされている場合でも、データ保持ノードN75の電荷が徐々にリークし、データ保持ノードN75の電位が徐々に低下して液晶セル70の光透過率が変化してしまう。そこで、図18に示すように、所定時間ごとにデータ信号のリフレッシュすなわちデータ保持ノードN75へのデータ信号の再書込が行なわれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の液晶表示装置では、複数の走査線71を1本ずつ選択し、1本の走査線71が選択されている間にその走査線71に対応する各データ保持ノードN75にデータ信号を再書込する必要があったので、データ信号のリフレッシュのための制御が複雑になるという問題があった。
【0008】
それゆえに、この発明の主たる目的は、データ信号のリフレッシュを容易に行なうことが可能な画像表示装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
この発明に係る画像表示装置では、複数行複数列に配置され、各々が、データ保持ノードに書き込まれたデータ信号の電位に応じた明るさの画素を表示する複数の画素表示回路と、画像信号に従って各画素表示回路のデータ保持ノードにデータ信号を書込むデータ書込回路と、各画素表示回路に対応して設けられ、リフレッシュ信号に応答して対応の画素表示回路のデータ保持ノードに書き込まれたデータ信号のリフレッシュを行なうリフレッシュ回路を備えたものである。ここで、データ信号は、第1および第2の電位のうちのいずれかの電位を有する。リフレッシュ回路は、一方電極がデータ保持ノードの電位を受け、他方電極がリフレッシュ信号を受け、一方電極および他方電極間の電位差に応じて容量値が変化するキャパシタを含み、データ保持ノードの電位が第1および第2の電位間の予め定められた第3の電位よりも第1の電位側にある場合はリフレッシュ信号に応答してデータ保持ノードの電位を第1の電位にし、データ保持ノードの電位が第3の電位よりも第2の電位側にある場合はリフレッシュ信号に応答してデータ保持ノードの電位を維持する。したがって、リフレッシュ信号を与えればリフレッシュ回路によってデータ信号がリフレッシュされるので、データ信号のリフレッシュを容易に行なうことができる。
【0010】
また、データ保持ノードの電位に応じてキャパシタの容量値が変化することを利用して、データ信号のリフレッシュを行なうか否かを選択することができる。
【0011】
また好ましくは、キャパシタは、ゲート電極が一方電極にされ、第1および第2の電極のうちの少なくとも一方の電極が他方電極にされるNチャネル電界効果トランジスタを含む。この場合は、キャパシタの一方電極および他方電極間に正電圧が印加されると、キャパシタの容量値が大きくなる。
【0012】
また好ましくは、キャパシタは、ゲート電極が他方電極にされ、第1および第2の電極のうちの少なくとも一方の電極が一方電極にされるPチャネル電界効果トランジスタを含む。この場合は、キャパシタの他方電極および一方電極間に負電圧が印加されると、キャパシタの容量値が大きくなる。
【0013】
また好ましくは、リフレッシュ回路は、さらに、キャパシタの一方電極とデータ保持ノードとの間に接続され、ゲート電極が第1の駆動電位を受ける第1の電界効果トランジスタと、第1の電極が第2の駆動電位を受け、その第2の電極がデータ保持ノードに接続され、ゲート電極がキャパシタの一方電極に接続される第2の電界効果トランジスタとを含む。この場合はリフレッシュ信号に応答してキャパシタの一方電極の電位が所定電位を超えたときは第2の電界効果トランジスタが導通してデータ信号がリフレッシュされ、リフレッシュ信号に応答してキャパシタの一方電極の電位が所定電位を超えなかったときは第2の電界効果トランジスタは導通せず、データ信号はリフレッシュされない。
【0014】
また好ましくは、第2の駆動電位は第1の電位に等しい。リフレッシュ信号は第1および第2の電位のうちのいずれかの電位を有する。リフレッシュ信号は、リフレッシュ回路にデータ信号のリフレッシュを行なわせるときに、第2の電位から第1の電位に変化する。この場合は、第2の電界効果トランジスタが導通したことに応じてデータ信号は第1の電位にリフレッシュされる。
【0015】
また好ましくは、リフレッシュ回路は、さらに、第2の駆動電位のノードと第2の電界効果トランジスタの第1の電極との間に介挿され、ゲート電極がリフレッシュ信号を受ける第3の電界効果トランジスタを含む。この場合は、第2の駆動電位のノードからデータ保持ノードへのリーク電流の低減化を図ることができる。
【0016】
また好ましくは、第2の駆動電位は第1の電位に等しい。リフレッシュ信号は、第1の電位と第3の電界効果トランジスタのしきい値電圧との和の第4の電位と、第2の電位とのうちのいずれかの電位を有する。リフレッシュ信号は、リフレッシュ回路にデータ信号のリフレッシュを行なわせるときに、第2の電位から第4の電位に変化する。この場合は、第2および第3の電界効果トランジスタが導通したことに応じてデータ信号は第1の電位にリフレッシュされる。また、第3の電界効果トランジスタにおいて電圧降下が発生するのを防止することができる。
【0017】
また好ましくは、第2の駆動電位は、リフレッシュ信号が第4の電位にされる期間を含む所定期間だけ第1の電位にされる。この場合は、第2の駆動電位のノードからデータ保持ノードへのリーク電流の一層の低減化を図ることができる。
【0018】
また好ましくは、リフレッシュ回路は、さらに、第2の駆動電位のノードと第2の電界効果トランジスタの第1の電極との間に介挿され、ゲート電極がリフレッシュ信号に同期した制御信号を受ける第3の電界効果トランジスタを含む。この場合は、第2の駆動電位のノードからデータ保持ノードへのリーク電流の低減化を図ることができる。
【0019】
また好ましくは、第2の駆動電位は第1の電位に等しい。リフレッシュ信号は、第1の電位と、第2の電位を第1の電位側に予め定められた第1の電圧だけレベルシフトさせた第4の電位とのうちのいずれかの電位を有する。リフレッシュ信号は、リフレッシュ回路にデータ信号のリフレッシュを行なわせるときに、第4の電位から第1の電位に変化する。制御信号は、第1の電位と第3のトランジスタのしきい値電圧との和の第5の電位と、第2の電位を第1の電位と反対側に予め定められた第2の電圧だけレベルシフトさせた第6の電位とのうちのいずれかの電位を有する。制御信号は、リフレッシュ回路にデータ信号のリフレッシュを行なわせるときに、第6の電位から第5の電位に変化する。この場合は、第2および第3の電界効果トランジスタが導通したことに応じてデータ信号は第1の電位にリフレッシュされる。また、データ信号のリフレッシュを行わない場合におけるデータ保持ノードの電位変動を小さく抑えることができる。
【0020】
また好ましくは、第2の駆動電位は、リフレッシュ信号および制御信号の各々が第1の電位にされる期間を含む所定期間だけ第1の電位にされる。この場合は、第2の駆動電位のノードからデータ保持ノードへのリーク電流の一層の低減化を図ることができる。
【0021】
また好ましくは、さらに、データ保持ノードと基準電位のノードとの間に接続されたキャパシタが設けられる。この場合は、データ保持ノードの電位がキャパシタによって保持されるので、データ保持ノードの電位変化が小さくなる。
【0022】
また好ましくは、各画素表示回路は、一方電極がデータ保持ノードに接続され、他方電極が駆動電位を受け、光透過率がデータ保持ノードの電位に応じて変化する液晶セルを含む。この場合は、液晶セルの光透過率によって画素の明るさが変化する。
【0023】
また好ましくは、各画素表示回路は、ゲート電極がデータ保持ノードに接続され、第1の電極が基準電位を受ける電界効果トランジスタと、一方電極が電界効果トランジスタの第2の電極に接続され、他方電極が駆動電位を受け、光透過率が電界効果トランジスタの導通/非導通に応じて変化する液晶セルを含む。この場合は、データ保持ノードの電位が電界効果トランジスタのしきい値電位を超えるか否かによって電界効果トランジスタが導通または非導通状態になり、液晶セルの光透過率が最大または最小になる。
【0024】
また好ましくは、各画素表示回路は、ゲート電極がデータ保持ノードに接続され、第1の電極が第1の駆動電位を受ける電界効果トランジスタと、リセット信号に応答して所定のノードに第2の駆動電位を与え、セット信号に応答して電界効果トランジスタの第2の電極と所定のノードとを接続する切換回路と、一方電極が所定のノードに接続され、他方電極が基準電位を受け、光透過率が所定のノードの電位に応じて変化する液晶セルを含む。この場合は、データ保持ノードにデータ信号を書込んだ後は、リセット信号およびセット信号を交互に入力することにより所定のノードを第1または第2の駆動電位にすることができ、液晶セルの光透過率を最大または最小にすることができる。
【0025】
また好ましくは、各画素表示回路は、ゲート電極がデータ保持ノードに接続された電界効果トランジスタと、駆動電位のノードと基準電位のノードとの間に電界効果トランジスタと直列接続され、光強度が電界効果トランジスタに流れる電流に応じて変化する発光素子を含む。この場合は、発光素子の光強度によって画素の明るさが変化する。
【0026】
また好ましくは、データ書込回路は、それぞれ複数行に対応して設けられた複数の走査線と、それぞれ複数列に対応して設けられた複数のデータ信号線と、各画素表示回路に対応して設けられ、対応の画素表示回路のデータ保持ノードと対応のデータ信号線との間に接続され、ゲート電極が対応の走査線に接続された電界効果トランジスタと、複数の走査線を順次選択し、選択した走査線を選択レベルにしてその走査線に対応する各電界効果トランジスタを導通させる垂直走査回路と、垂直走査回路によって1本の走査線が選択されている間に複数のデータ信号線を順次選択し、画像信号に従って、選択したデータ信号線に第1および第2の電位のうちのいずれかの電位を与える水平走査回路とを含む。この場合は、2次元の画像を表示することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1によるカラー液晶表示装置1の全体構成を示す回路ブロック図である。図1において、このカラー液晶表示装置1は、液晶パネル2、垂直走査回路8および水平走査回路11を備え、外部から与えられた電源電位VDDおよび接地電圧VSSによって駆動される。
【0028】
液晶パネル2は、複数行複数列に配置された複数の液晶セル3と、各行に対応して設けられた走査線5および共通電位線6と、各列に対応して設けられたデータ信号線7とを含む。
【0029】
液晶セル3は、各行において3つずつ予めグループ化されている。各グループの3つの液晶セル2には、それぞれR,G,Bのカラーフィルタが設けられている。各グループの3つの液晶セル3は、1つの画素4を構成している。
【0030】
各共通電位線6には、外部から共通電位VCが与えられる。また、液晶パネル2には、外部からリフレッシュ信号REFおよび駆動電位V1,V2,V3が与えられる。
【0031】
垂直走査回路8は、シフトレジスタ回路9およびバッファ回路10を含む。シフトレジスタ回路9は、外部から与えられた水平および垂直同期信号SN1に同期して、液晶パネル2の複数の走査線5を順次選択するための信号を生成する。バッファ回路10は、シフトレジスタ回路9の出力信号をバッファ処理して選択された走査線5に与える。したがって、液晶パネル2の複数の走査線5は、所定時間ずつ順次選択レベルの「H」レベルにされる。走査線5が選択レベルの「H」レベルにされると、その走査線5に対応する各画素4が活性化される。
【0032】
水平走査回路11は、シフトレジスタ回路12、バッファ回路14および複数のスイッチ14を含む。複数のスイッチ14は、それぞれ複数のデータ信号線7に対応して設けられ、液晶セル2のグループに対応して予め3つずつグループ化されている。各グループの3つのスイッチ14の一方電極はそれぞれR,G,Bのデータ信号DR,DG,DBを受け、それらの他方電極はそれぞれ対応の3つのデータ信号線7に接続される。シフトレジスタ回路12は、外部から与えられた水平同期信号SN2に同期して、複数のスイッチグループを所定時間ずつ順次選択するための信号を生成する。バッファ回路10は、シフトレジスタ回路12の出力信号をバッファ処理し、選択されたグループの各スイッチ14の制御端子に与えて各スイッチ14を導通させる。したがって、データ信号DR,DG,DBは、選択された行の複数の画素4に順次与えられる。
【0033】
垂直走査回路8および水平走査回路11によって液晶パネル2の全画素4が走査されると、液晶パネル2には1つの画像が表示される。
【0034】
図2は、各液晶セル3に対応して設けられた液晶駆動回路20の構成を示す回路図である。図2において、この液晶駆動回路20は、エンハンスメント型N型TFT21〜24とキャパシタ25,26とを含み、対応の液晶セル3、走査線5、共通電位線6およびデータ信号線7に接続されるとともに、リフレッシュ信号REFおよび駆動電位V1,V2を受ける。図2では、R,G,BのうちのRに対応する液晶駆動回路20が示されている。
【0035】
N型TFT21は、対応のデータ信号線7とデータ保持ノードN21との間に接続され、そのゲートが対応の走査線5に接続される。キャパシタ26は、データ保持ノードN21と共通電位線6との間に接続される。N型TFT24は、対応の液晶セル3の一方電極と共通電位線6との間に接続され、そのゲートはデータ保持ノードN21に接続される。液晶セル3の他方電極は駆動電位V3を受ける。
【0036】
走査線5が選択レベルの「H」レベルにされるとN型TFT21が導通し、データ保持ノードN21がデータ信号線7の電位に充電される。走査線5が非選択レベルの「L」レベルにされるとN型TFT21が非導通になり、データ保持ノードN21の電位はキャパシタ26によって保持される。
【0037】
データ保持ノードN21が「H」レベルの場合は、N型TFT24が導通して液晶セル3の電極間に駆動電圧V3−VCが印加され、液晶セル3の光透過率がたとえば最大になる。データ保持ノードN21が「L」レベルの場合は、N型TFT24が非導通になって液晶セル3の電極間に駆動電圧は印加されず、液晶セル3の光透過率がたとえば最小になる。
【0038】
データ保持ノードN21の電荷が徐々にリークしてデータ保持ノードN21の電位が徐々に低下するので、所定の時間ごとにデータ信号のリフレッシュ(再書込)をする必要がある。N型TFT22,23およびキャパシタ25は、リフレッシュ回路を構成している。
【0039】
N型TFT22は、ノードN22とデータ保持ノードN21との間に接続され、そのゲートは駆動電位V2を受ける。駆動電位V2は、データ信号DRの「H」レベルVHにN型TFTのしきい値電圧VTNを加えた電位VH+VTNに設定されている。したがって、N型TFT22のしきい値電圧VTNによる電圧降下は発生せず、ノードN21とN22の電位は同じになる。
【0040】
N型TFT23のドレインは駆動電位V1を受け、そのソースはデータ保持ノードN21に接続され、そのゲートはノードN22に接続される。駆動電位V1は、データ信号DRの「H」レベルVH以上の所定の電位に設定される。ここでは、V1=VHとする。ノードN21とN22の電位が等しい場合はN型TFT23は非導通になっている。ノードN22の電位がVH+VTN以上に高くなると、N型TFT23が導通してデータ保持ノードN21がV1=VHにされる。
【0041】
キャパシタ25は、N型TFT(エンハンスメント型)構造のキャパシタであり、そのゲートはノードN22に接続され、そのソースはリフレッシュ信号REFを受ける。キャパシタ25のゲート−ソース間電圧がN型TFTのしきい値電圧VTNよりも高い場合は、キャパシタ25は所定の容量値を有する。キャパシタ25のゲート−ソース間電圧がN型TFTのしきい値電圧VTNよりも低い場合は、キャパシタ25の容量値は寄生容量分の微小な値になる。
【0042】
図3は、キャパシタ25の構成を示す断面図である。図3において、ガラス基板30の表面の所定領域に真性ポリシリコン膜31が形成される。次いで、真性ポリシリコン膜31の一部を覆うようにしてゲート絶縁膜32が形成され、さらにゲート絶縁膜32上にゲート電極33が積層される。真性ポリシリコン膜31のうちのゲート絶縁膜32およびゲート電極33で覆われていない部分にN型不純物が注入されてソース領域31sが形成される。次に、全領域を覆うようにして層間絶縁膜34が形成され、層間絶縁膜34の表面からゲート電極33の表面に向けてコンタクトホールCH1が開孔され、層間絶縁膜34の表面からソース領域31sの表面に向けてコンタクトホールCH2が開孔される。次いで、コンタクトホールCH1,CH2を覆うようにしてそれぞれアルミ電極35,36が形成される。アルミ電極35(ゲート)はノードN22に接続され、アルミ電極(ソース)36はリフレッシュ信号REFを受ける。
【0043】
ゲート−ソース間のN型TFTにしきい値電圧VTNよりも高い電圧が印加されると、ゲート電極33の下の真性ポリシリコン膜31の表面にN型チャネル層が形成され、ゲート−ソース間に所定の容量値が発生する。
【0044】
ゲート−ソース間の電圧がN型TFTのしきい値電圧VTNよりも低い場合は、真性ポリシリコン膜31の表面にN型チャネル層が形成されないので、ゲート−ソース間の容量値は寄生容量分の微小な値になる。
【0045】
なお、通常のTFTと同様に真性ポリシリコン膜の表面中央部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成するとともにゲート電極の両側に不純物を注入してソース領域およびドレイン領域を形成したうえで、ゲート電極を一方のアルミ電極に接続するとともにソース領域およびドレイン領域を他方のアルミ電極に共通接続してキャパシタを構成しても良い。
【0046】
図4は、データ信号DRが「H」レベルVHの場合における液晶駆動回路20の動作を示すタイムチャートである。図4において、初期状態では、走査線5の電位V5は「L」レベルにされ、データ信号DRは「L」レベルVLにされ、ノードN21,N22は「L」レベルVLにリセットされ、リフレッシュ信号REFは「L」レベルにされている。
【0047】
ある時刻t0においてデータ信号DRが「L」レベルVLから「H」レベルVHに立上げられ、次いで時刻t1において走査線5の電位V5が「L」レベルから「H」レベルに立上げられる。これにより、N型TFT21が導通し、ノードN21,N22が「L」レベルVLから「H」レベルVHに立上げられる。所定時間後に走査線5の電位V5が「L」レベルに立下げられ、次いでデータ信号DRも「L」レベルに立下げられる。走査線5の電位V5が「L」レベルに立上げられると、N型TFT21が非導通になり、ノードN21,N22の電位はキャパシタ26によって保持される。データ保持ノードN22の電位VHはN型TFT24のしきい値電位VTNよりも高いので、N型TFT24が導通し、液晶セル3の電極間に駆動電圧V3−VCが印加され、液晶セル3の光透過率がたとえば最大になる。
【0048】
この状態で放置すると、リーク電流によってノードN21,N22の電位が徐々に低下する。ノードN21の電位がN型TFT24のしきい値電位VTNよりも低下すると、N型TFT24が非導通になって液晶セル3の光透過率が最大値から最小値に変化してしまう。そこで、ノードN21,N22の電位がN型TFT24のしきい値電位VTNよりも低下する前の所定の時刻t2にデータ信号のリフレッシュを行なう。
【0049】
時刻t2では、ノードN21,N22の電位はN型TFTのしきい値電位VTNよりも高いので、キャパシタ25の真性ポリシリコン膜31にはN型チャネル層が発生しており、キャパシタ25は所定の容量値を有する。時刻t2においてリフレッシュ信号REFが「L」レベルVLから「H」レベルVHに立上げられると、容量結合によってノードN22の電位が昇圧電位VP(≧VH+VTN)に昇圧され、N型TFT23が導通してノードN21が駆動電位V1=VHに立上げられる。これにより、データ保持ノードN21の電位VHがリフレッシュされたことになる。時刻t3においてリフレッシュ信号REFが「H」レベルVHから「L」レベルVLに立下げられると、容量結合によってノードN21,N22の電位が立下げられるが、キャパシタ26の容量値はキャパシタ25の容量値よりも十分に大きいので、ノードN21,N22の電位は「H」レベルVHに維持される。
【0050】
図5は、データ信号DRが「L」レベルVLの場合における液晶駆動回路20の動作を示すタイムチャートである。図5において、データ信号DRは「L」レベルVLに固定される。したがって、時刻t1において走査線5の電位V5が所定時間だけ「H」レベルに立上げられ、N型TFT21が所定時間だけ導通しても、ノードN21,N22は「L」レベルVLに保持される。
【0051】
時刻t1から所定時間経過後の時刻t2では、ノードN21,N22の電位はN型TFTのしきい値電位VTNよりも低いので、キャパシタ25の真性ポリシリコン膜31にはN型チャネル層は発生しておらず、キャパシタ25の容量値は寄生容量分の微小な値になっている。したがって、時刻t2においてリフレッシュ信号REFが「L」レベルVLから「H」レベルVHに立上げられても、ノードN21,N22はほぼ「L」レベルVLに保持される。したがって、この場合はデータ保持ノードN21の電位のリフレッシュは行われない。時刻t3においてリフレッシュ信号REFが「H」レベルVHから「L」レベルVLに立下げられても、キャパシタ25の容量値は小さいので、ノードN21,N22は「L」レベルVLに保持される。
【0052】
この実施の形態1では、データ信号のリフレッシュ時に走査線5およびデータ信号線7を駆動する必要がないので、リフレッシュ制御を容易に行なうことができる。また、データ信号のリフレッシュ時に垂直走査回路8および水平走査回路11を動作させる必要がないので、消費電力の低減化を図ることができる。
【0053】
図6の変更例では、N型TFT構造のキャパシタ25がP型TFT(エンハンスメント型)構造のキャパシタ37で置換される。キャパシタ37は、図7に示すように、キャパシタ25のN型ソース領域31sをP型ソース領域31s′で置換したものである。キャパシタ37のゲートはリフレッシュ信号REFを受け、そのソースはノードN22に接続される。この変更例でも、実施の形態1と同じ効果が得られる。
【0054】
[実施の形態2]
実施の形態1では、ノードN21,N22が「L」レベルVLの場合はN型TFT23は非導通になると説明した。しかし、N型TFT23の特性のばらつきにより、ゲート−ソース間電圧が0VでもN型TFT23に微小な電流(オフ電流)が流れる場合がある。この場合は、微小な電流によってノードN21,N22の電位が徐々に上昇し、ノードN21,N22がN型TFT24のしきい値電圧VTNを超えてしまうこともあり得る。この実施の形態2では、この問題の解決を図る。
【0055】
図8は、この発明の実施の形態2によるカラー液晶表示装置の液晶駆動回路40の構成を示す回路図であって、図2と対比される図である。図8を参照して、この液晶駆動回路40が図2の液晶駆動回路20と異なる点は、N型TFT41が追加されている点と、リフレッシュ信号REFの代わりにリフレッシュ信号REF′が与えられている点である。N型TFT41のドレインは駆動電位V1を受け、そのソースはN型TFT23のドレイン(ノードN23)に接続され、そのゲートはリフレッシュ信号REF′を受ける。リフレッシュ信号REF′がリフレッシュ信号REFと異なる点は、図9に示すように、その「H」レベルがVHではなくVH+VTN以上の所定電位VH′である点である。
【0056】
図8において、ノードN21,N22が「L」レベルの場合においてリフレッシュ信号REF′を「L」レベルVL(0V)にしたときは、N型TFT23,41に微小なオフ電流が流れてノードN21,N23の電位が徐々に上昇する。しかし、ノードN23の電位が上昇すると、N型TFT41のゲート−ソース間の電圧が負電圧になるため、N型TFT41にオフ電流が流れなくなってノードN21,N23の電位上昇が停止する。
【0057】
リフレッシュ信号REF′を「H」レベルVH′にしたときは、N型TFT41が導通する。このとき、リフレッシュ信号REF′の「H」レベルVH′をVH+VTN以上にしたので、N型TFT41のしきい値電圧VTNによる電圧降下は生じることはない。
【0058】
なお、N型TFT構造のキャパシタ25を図6および図7で示したP型TFT構造のキャパシタ37で置換してもよいことは言うまでもない。
【0059】
また、データ保持ノードN21が「L」レベルの場合においてリフレッシュ信号REF′が「L」レベルから「H」レベルに立上げられたときに、キャパシタ25の微小な容量値によってノードN21,N22の電位が若干上昇する。このときのノードN21,N22の電位上昇をより小さくするためには、キャパシタ25の真性ポリシリコン膜31にN型チャネル層が発生し難い条件にしてキャパシタ25の容量値を最小にする必要がある。そこで、リフレッシュ信号REF′の「L」レベルをVL(0V)ではなく正の電位のVL′(たとえば1V)にし、キャパシタ25のゲート−ソース間電圧を負電圧に維持してもよい。
【0060】
また、図10の変更例では、液晶駆動回路40のN型TFT41のドレインに、駆動電位V1の代わりにリフレッシュ信号REF1が与えられる。リフレッシュ信号REF1は、図11に示すように、リフレッシュ信号REF′が「H」レベルVH′になる期間(時刻t2〜t3)およびその前後の所定時間のみ「H」レベルVHにされ、それ以外の期間は「L」レベルVLにされる信号である。したがって、N型TFT23,41のリーク電流をより小さくすることができる。なお、この変更例でも、N型TFT構造のキャパシタ25を図6および図7に示したP型TFT構造のキャパシタ37で置換してもよいことは言うまでもない。
【0061】
また、図12の変更例では、液晶駆動回路40のN型TFT41のゲートとキャパシタ25のソースとが切離され、キャパシタ25のソースにリフレッシュ信号REF″が与えられ、N型TFT41のゲートにリフレッシュ信号REF2が与えられ、N型TFT41のドレインにリフレッシュ信号REF1が与えられる。図13に示すように、信号REF″の「L」レベルはVL=0Vではなく正電位VL″=VL+ΔV1であり、信号REF″の「H」レベルはVHである。ΔV1は、たとえば1Vである。これにより、ノードN21,N22が「L」レベルの場合のキャパシタ25の容量値をより小さくすることができる。また、信号REF2の「L」レベルはVL=0Vではなく負電位VL′=VL−ΔV2であり、信号REF2の「H」レベルはVH′である。ΔV2は、たとえば1Vである。これにより、信号REF2が「L」レベルVL′の場合におけるN型TFT41のリーク電流をより小さくすることができる。
【0062】
[実施の形態3]
図14は、この発明の実施の形態3によるカラー液晶表示装置の要部を示す回路図であって、図2と対比される図である。
【0063】
図14において、このカラー液晶表示装置が実施の形態1のカラー液晶表示装置1と異なる点は、液晶駆動回路20が液晶駆動回路50で置換され、セット線54およびリセット線55が追加され、駆動電位VC′および基準電位VLCが導入されている点である。セット線54およびリセット線55は、たとえば垂直走査回路によって駆動される。
【0064】
液晶駆動回路50は、液晶駆動回路20にN型TFT51,52およびキャパシタ53を追加したものである。キャパシタ26は、ノードN21とN24の間に接続される。ノードN24は、外部から与えられた駆動電位VC′=VLを受ける。データ保持ノードN21の電位は、キャパシタ26によって保持される。
【0065】
N型TFT24,51は、ノードN24とN51との間に直列接続される。N型TFT24のゲートは、データ保持ノードN21に接続される。N型TFT51のゲートは、セット線54介してセット信号STを受ける。
【0066】
セット信号STが非選択レベルの「L」レベルの場合は、N型TFT51は非導通になる。セット信号STが選択レベルの「H」レベルにされると、N型TFT51が導通する。データ保持ノードN21が「L」レベルの場合は、N型TFT24は非導通になり、ノードN51は駆動電位V3のまま変化しない。データ保持ノードN21が「H」レベルの場合は、N型TFT24は導通し、ノードN51は駆動電位VC′にセットされる。
【0067】
N型TFT52のドレインは駆動電位V3=VHを受け、そのソースはノードN51に接続され、そのゲートはリセット線55を介してリセット信号RSTを受ける。キャパシタ53は、ノードN51と共通電位線6との間に接続される。
【0068】
リセット信号RSTが非選択レベルの「L」レベルの場合は、N型TFT52は非導通になり、ノードN51の電位はそのまま保持される。リセット信号RSTが選択レベルの「H」レベルにされると、N型TFT52が導通し、ノードN51は駆動電位V3にリセットされる。
【0069】
液晶セル3の一方電位はノードN51に接続され、その他方電極は基準電位VLC=VLを受ける。ノードN51が駆動電位V3にリセットされた場合は、液晶セル3の光透過率はたとえば最大になり、ノードN51が駆動電位VC′にセットされた場合は液晶セル3の光透過率はたとえば最小になる。
【0070】
次に、このカラー液晶表示装置の動作について説明する。データ書込期間は、走査線5が選択レベルの「H」レベルにされてN型TFT21が導通し、データ信号線7の電位がデータ保持ノードN21に書込まれる。走査線5が非選択レベルの「L」レベルにされると、N型TFT21が非導通になり、データ保持ノードN21の電位はキャパシタ26によって保持される。
【0071】
データ保持期間は、所定時間T1ごとにリセット信号RSTおよびセット信号STを所定時間T2(T2<T1)ずつ順次「H」レベルにする。これにより、データ保持ノードN21が「H」レベルの場合はノードN51が駆動電位VC′にセットされ、データ保持ノードN21が「L」レベルの場合はノードN51が駆動電位V3にリセットされる。
【0072】
データ保持ノードN21の電位はリーク電流によって徐々に変化するので、データ保持期間においては所定時間T3(T3>T1)ごとにデータのリフレッシュを行なう必要がある。データ信号のリフレッシュは、N型TFT22,23およびキャパシタ25を用いて行なわれる。データ信号のリフレッシュ方法は実施の形態1と同じであるので、その説明は繰返さない。
【0073】
この実施の形態3でも、実施の形態1と同じ効果が得られる。
【0074】
[実施の形態4]
図15は、この発明の実施の形態4によるカラー液晶表示装置の液晶駆動回路60を示す回路図であって、図2と対比される図である。
【0075】
図15を参照して、この液晶駆動回路60が図2の液晶駆動回路20と異なる点は、N型TFT24が削除されている点である。液晶セル3の一方電極は、データ保持ノードN21に直接接続される。
【0076】
データ保持ノードN21が「H」レベルVHの場合は、液晶セル3の電極間電圧が0Vにあって液晶セル3の光透過率はたとえば最小になる。データ保持ノードN21が「L」レベルの場合は、液晶セル3の電極間電圧がVHになって液晶セル3の光透過率はたとえば最大になる。データ保持ノードN21の電位は、N型TFT22,23およびキャパシタ25を用いてリフレッシュされる。
【0077】
この実施の形態4でも、実施の形態1と同じ効果が得られる。
【0078】
[実施の形態5]
図16は、この発明の実施の形態5による画像表示装置の要部を示す回路図であって、図2と対比される図である。
【0079】
図16を参照して、この画像表示装置が実施の形態1のカラー液晶表示装置1と異なる点は、液晶セル3が有機EL(electroluminescence)素子61で置換されている点である。有機EL素子61は、電源電位VDDのノードと駆動回路20のN型TFT24のドレインとの間に接続される。
【0080】
データ保持ノードN21が「H」レベルの場合は、N型TFT24が導通し、有機EL素子61に電流が流れて有機EL素子61が発光する。データ保持ノードN21が「L」レベルの場合は、N型TFT24が非導通になって有機EL素子61に電流が流れず、有機EL素子61は発光しない。データ保持ノードN21の電位は、N型TFT22,23およびキャパシタ25によってリフレッシュされる。
【0081】
この実施の形態5でも、実施の形態1と同じ効果が得られる。
【0082】
なお、有機EL素子61をN型TFT24のソースと共通電位線6との間に介挿し、N型TFT24のドレインに電源電位VDDを与えても同じ効果が得られる。
【0083】
また、有機EL素子61の代わりに、他の表示素子を用いてもよい。
【0084】
また、以上の実施の形態および変更例を適宜組合わせてもよいことは言うまでもない。
【0085】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1によるカラー液晶表示装置の全体構成を示す回路ブロック図である。
【図2】 図1に示した各液晶セルに対応して設けられる液晶駆動回路の構成を示す回路図である。
【図3】 図2に示したキャパシタ25の構成を示す断面図である。
【図4】 図2に示した液晶駆動回路の動作を説明するためのタイムチャートである。
【図5】 図2に示した液晶駆動回路の動作を説明するための他のタイムチャートである。
【図6】 実施の形態1の変更例を示す回路図である。
【図7】 図6に示したキャパシタ37の構成を示す断面図である。
【図8】 この発明の実施の形態2によるカラー液晶表示装置の要部を示す回路図である。
【図9】 図8に示した液晶駆動回路の動作を説明するためのタイムチャートである。
【図10】 実施の形態2の変更例を示す回路図である。
【図11】 図10に示した液晶駆動回路の動作を説明するためのタイムチャートである。
【図12】 実施の形態2の他の変更例を示す回路図である。
【図13】 図12に示した液晶駆動回路の動作を説明するためのタイムチャートである。
【図14】 この発明の実施の形態3によるカラー液晶表示装置の要部を示す回路図である。
【図15】 この発明の実施の形態4によるカラー液晶表示装置の要部を示す回路図である。
【図16】 この発明の実施の形態5による画像表示装置の要部を示す回路図である。
【図17】 従来の液晶表示装置の要部を示す回路図である。
【図18】 従来の液晶表示装置の問題点を説明するためのタイムチャートである。
Claims (17)
- 画像表示装置であって、
複数行複数列に配置され、各々が、データ保持ノードに書き込まれたデータ信号の電位に応じた明るさの画素を表示する複数の画素表示回路、
画像信号に従って各画素表示回路の前記データ保持ノードに前記データ信号を書込むデータ書込回路、および
各画素表示回路に対応して設けられ、リフレッシュ信号に応答して対応の画素表示回路の前記データ保持ノードに書き込まれた前記データ信号のリフレッシュを行なうリフレッシュ回路を備え、
前記データ信号は、第1および第2の電位のうちのいずれかの電位を有し、
前記リフレッシュ回路は、一方電極が前記データ保持ノードの電位を受け、他方電極が前記リフレッシュ信号を受け、前記一方電極および他方電極間の電位差に応じて容量値が変化するキャパシタを含み、前記データ保持ノードの電位が前記第1および第2の電位間の予め定められた第3の電位よりも前記第1の電位側にある場合は前記リフレッシュ信号に応答して前記データ保持ノードの電位を前記第1の電位にし、前記データ保持ノードの電位が前記第3の電位よりも前記第2の電位側にある場合は前記リフレッシュ信号に応答して前記データ保持ノードの電位を維持する、画像表示装置。 - 前記キャパシタは、ゲート電極が前記一方電極にされ、第1および第2の電極のうちの少なくとも一方の電極が前記他方電極にされるNチャネル電界効果トランジスタを含む、請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記キャパシタは、ゲート電極が前記他方電極にされ、第1および第2の電極のうちの少なくとも一方の電極が前記一方電極にされるPチャネル電界効果トランジスタを含む、請求項1に記載の画像表示装置。
- 前記リフレッシュ回路は、
さらに、前記キャパシタの一方電極と前記データ保持ノードとの間に接続され、ゲート電極が第1の駆動電位を受ける第1の電界効果トランジスタ、および
第1の電極が第2の駆動電位を受け、第2の電極が前記データ保持ノードに接続され、ゲート電極が前記キャパシタの一方電極に接続される第2の電界効果トランジスタを含む、請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記第2の駆動電位は前記第1の電位に等しく、
前記リフレッシュ信号は前記第1および第2の電位のうちのいずれかの電位を有し、
前記リフレッシュ信号は、前記リフレッシュ回路に前記データ信号のリフレッシュを行なわせるときに、前記第2の電位から前記第1の電位に変化する、請求項4に記載の画像表示装置。 - 前記リフレッシュ回路は、さらに、前記第2の駆動電位のノードと前記第2の電界効果トランジスタの第1の電極との間に介挿され、ゲート電極が前記リフレッシュ信号を受ける第3の電界効果トランジスタを含む、請求項4に記載の画像表示装置。
- 前記第2の駆動電位は前記第1の電位に等しく、
前記リフレッシュ信号は、前記第1の電位と前記第3の電界効果トランジスタのしきい値電圧との和の第4の電位と、前記第2の電位とのうちのいずれかの電位を有し、
前記リフレッシュ信号は、前記リフレッシュ回路に前記データ信号のリフレッシュを行なわせるときに、前記第2の電位から前記第4の電位に変化する、請求項6に記載の画像表示装置。 - 前記第2の駆動電位は、前記リフレッシュ信号が前記第4の電位にされる期間を含む所定期間だけ前記第1の電位にされる、請求項7に記載の画像表示装置。
- 前記リフレッシュ回路は、さらに、前記第2の駆動電位のノードと前記第2の電界効果トランジスタの第1の電極との間に介挿され、ゲート電極が前記リフレッシュ信号に同期した制御信号を受ける第3の電界効果トランジスタを含む、請求項4に記載の画像表示装置。
- 前記第2の駆動電位は前記第1の電位に等しく、
前記リフレッシュ信号は、前記第1の電位と、前記第2の電位を前記第1の電位側に予め定められた第1の電圧だけレベルシフトさせた第4の電位とのうちのいずれかの電位を有し、
前記リフレッシュ信号は、前記リフレッシュ回路に前記データ信号のリフレッシュを行なわせるときに、前記第4の電位から前記第1の電位に変化し、
前記制御信号は、前記第1の電位と前記第3のトランジスタのしきい値電圧との和の第5の電位と、前記第2の電位を前記第1の電位と反対側に予め定められた第2の電圧だけレベルシフトさせた第6の電位とのうちのいずれかの電位を有し、
前記制御信号は、前記リフレッシュ回路に前記データ信号のリフレッシュを行なわせるときに、前記第6の電位から前記第5の電位に変化する、請求項9に記載の画像表示装置。 - 前記第2の駆動電位は、前記リフレッシュ信号および前記制御信号の各々が前記第1の電位にされる期間を含む所定期間だけ前記第1の電位にされる、請求項10に記載の画像表示装置。
- さらに、前記データ保持ノードと基準電位のノードとの間に接続されたキャパシタを備える、請求項1に記載の画像表示装置。
- 各画素表示回路は、一方電極が前記データ保持ノードに接続され、他方電極が駆動電位を受け、光透過率が前記データ保持ノードの電位に応じて変化する液晶セルを含む、請求項1に記載の画像表示装置。
- 各画素表示回路は、
ゲート電極が前記データ保持ノードに接続され、第1の電極が基準電位を受ける電界効果トランジスタ、および
一方電極が前記電界効果トランジスタの第2の電極に接続され、他方電極が駆動電位を受け、光透過率が前記電界効果トランジスタの導通/非導通に応じて変化する液晶セルを含む、請求項1に記載の画像表示装置。 - 各画素表示回路は、
ゲート電極が前記データ保持ノードに接続され、第1の電極が第1の駆動電位を受ける電界効果トランジスタ、
リセット信号に応答して所定のノードに第2の駆動電位を与え、セット信号に応答して前記電界効果トランジスタの第2の電極と前記所定のノードとを接続する切換回路、および
一方電極が前記所定のノードに接続され、他方電極が基準電位を受け、光透過率が前記所定のノードの電位に応じて変化する液晶セルを含む、請求項1に記載の画像表示装置。 - 各画素表示回路は、
ゲート電極が前記データ保持ノードに接続された電界効果トランジスタ、および
駆動電位のノードと基準電位のノードとの間に前記電界効果トランジスタと直列接続され、光強度が前記電界効果トランジスタに流れる電流に応じて変化する発光素子を含む、請求項1に記載の画像表示装置。 - 前記データ書込回路は、
それぞれ前記複数行に対応して設けられた複数の走査線、
それぞれ前記複数列に対応して設けられた複数のデータ信号線、
各画素表示回路に対応して設けられ、対応の画素表示回路のデータ保持ノードと対応のデータ信号線との間に接続され、ゲート電極が対応の走査線に接続された電界効果トランジスタ、
前記複数の走査線を順次選択し、選択した走査線を選択レベルにしてその走査線に対応する各電界効果トランジスタを導通させる垂直走査回路、および
前記垂直走査回路によって1本の走査線が選択されている間に前記複数のデータ信号線を順次選択し、前記画像信号に従って、選択したデータ信号線に前記第1および第2の電位のうちのいずれかの電位を与える水平走査回路を含む、請求項1に記載の画像表示装置。
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