JP5529304B2 - イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
サの製造工程に関する。
ある。イメージセンサの種類は、大別して、撮像管と固体撮像素子とに分類される。撮像
管は、テレビをはじめとして、画像処理技術を駆使した計測、制御、認識などで広く常用
され、応用技術が発展してきている。固体イメージセンサは、大きくMOS(metal-oxid
e-semiconductor)型とCCD(charge coupled device)型とに分類される。
し、該ピン型フォトダイオードは、フォトダイオード領域のシリコン−シリコン酸化膜イ
ンターフェスに近く配置される浅いp型ドープ領域(すなわち、ピンニング層(pinning l
ayer))を使用してインターフェス状態を消滅することによって、低い暗電流を維持する
ためのものである。
体基板103に、活性領域と素子分離領域を画定する素子分離膜104を形成する。
及びゲート導電膜106を順に蒸着した後、選択的にエッチングしてゲート電極107を
形成する。
入して、フォトダイオードが形成される所定領域に第1の不純物領域108を形成する。
注入防止膜を形成させ、高濃度のp型不純物を注入させて、前記半導体基板103にフロ
ーティング拡散領域110を形成する。
ジとセルフアライメントされるようにp型不純物を注入して、第1の不純物領域108が
形成された前記半導体基板103内にピンニング層としての第2の不純物領域111を形
成する。
って、従来には、イオン注入及び焼きなまし工程により形成された。すなわち、極めて低
いエネルギーで基板の表面にイオン注入を行った後、基板に注入されたドーパントの活性
化のための焼きなまし工程が行われる。
高く、シリコン基板の表面で極めて浅く形成されなければならない。ピンニング層のドー
プ濃度が高くなければならない理由は、n型ドープ領域を完全に空乏させて、光生成効率
を極大化しなければならないためである。そして、ピンニング層が浅く形成されなければ
ならない理由は、短波長のシリコン層への透過率が非常に低いため、短波長(特に、青色
系の波長)に対した光感度を高めるためである。
イメージセンサが高集積化されるにともない、高濃度及び浅くピンニング層を形成するの
が困難となりつつある。
濃度であるため、焼きなましの際にドーパントの拡散によりピンニング層の深さ(厚さ)
が大きくなる。また、より高集積化された素子では、最小限のイオン注入エネルギーを使
用しても、所望のデザインルールにともなうピンニング層の深さを得ることができず、装
備を追加購入するか又は開発しなければならないという問題がある。
め、このような欠陥がシリコン表面でダングリングボンドとして作用して、ノイズを誘発
する原因となる。
、その目的は、高集積、高濃度及び浅いピンニング層のフォトダイオード及びその製造方
法を提供することにある。
小化するか又は除去することによって、ノイズの少ないフォトダイオード及びその製造方
法を提供することにある。
成された第1の導電型の半導体基板と、トレンチ底面の下部の前記半導体基板内に形成さ
れたフォトダイオード用第2の導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれたフォ
トダイオード用第1の導電型のエピタキシャル層とを備えたイメージセンサを提供する。
、第2の導電型の不純物領域を形成するステップと、前記所定領域の前記半導体基板をエ
ッチングすることによって、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第1の導電
型のエピタキシャル層を埋め込むステップとを含むことイメージセンサの製造方法を提供
する。
所定領域に形成された第2の導電型の不純物領域と、該不純物領域の上部に形成された第
1の導電型のエピタキシャル層とを備えたイメージセンサを提供する。
、第2の導電型の不純物領域を形成するステップと、前記所定領域を開放するマスクパタ
ーンを形成するステップと、前記マスクパターンの開放領域に、第1の導電型のエピタキ
シャル層を形成するステップとを含むイメージセンサの製造方法を提供する。
あるエピタキシャル層を、インシチュー状態にドープされたシリコンまたはシリコンゲル
マニウムエピタキシャル層で形成して、薄く、かつドープレベルが均一なp型不純物領域
を確保する。
問題となっているブルー(Blue)領域の光電変換効率を、設計の変更によりレイアウト(
Layout)の追加変更無しで実現可能であるため、実現容易性に優れている。
を厚く形成できるので、光電荷の発生が増大する。
窒化膜を、前記エピタキシャル層上から除去することによって、受光効率を増大させる。
ン注入工程によるダングリングボンド欠陥を解決して、ノイズを除去することができる。
図2は、本発明の第1の実施形態に係るイメージセンサを示した断面図である。
体基板403に、活性領域と素子分離領域を画定する素子分離膜404が形成される。
06が順に積層された構造のゲート電極407が形成される。そして、前記ゲート電極4
07は、両方の壁に形成されたスペーサ409を備える。
領域410が形成される。
半導体基板403にトレンチが形成され、該トレンチの底面の下部の前記基板内にフォト
ダイオード用不純物領域408が形成される。
412の領域を開放するシリコン窒化膜411が、前記基板の全体構造上に形成される。
インシチュー(In-Situ)でドープされたことが好ましい。
SiGe)であり、前記半導体基板403と接触されることが好ましい。
た断面図である。
うに、p+型基板201にpエピタキシャル層202が形成された半導体基板203に、
活性領域と素子分離領域を画定する素子分離膜204を形成する。
由は、第1に、低濃度のpエピタキシャル層202が存在するので、フォトダイオードの
空乏領域(Depletion region)を大きくて深く増大させることができるため、光電荷を集
積するためのフォトダイオードの能力を増強させることができ、第2に、p型エピタキシ
ャル層202の下部に、高濃度のp+型基板201を備えると、隣接する単位画素に電荷
が拡散される前に、この電荷が速く再結合されるため、光電荷のランダムな拡散を減少さ
せて、光電荷の伝達機能の変化を減少させることができるためである。
素子の高集積化によって素子間に電気的に分離させる領域を縮小させ得るSTI工程によ
り形成される。
びゲート導電膜206を順に蒸着した後、選択的にエッチングして、ゲート電極207を
形成する。
入して、フォトダイオードが形成される所定の領域に不純物領域208を形成する。
を含む前記半導体基板203上に順に蒸着した後、ドライエッチングにより形成されるこ
とが好ましい。
止膜を形成させ、高濃度のp型不純物を注入させて、前記半導体基板203にフローティ
ング拡散領域210を形成する。
ンタクト孔の形成時に、エッチング停止膜としてシリコン窒化膜211を蒸着する。
放されるように選択的エッチングを行う。
前記半導体基板203をエッチングすることによって、前記不純物領域208上にトレン
チを形成する。
はシリコンゲルマニウム(SiGe)で形成され、不純物がインシチューでドープされる
ことが好ましい。
い。
ソースには、DCS(Di-Chloro-Silane)、SiH4及びSi2H6のうちのいずれかを
用い、Geソースには、GeH4を用いて、500℃〜900℃の範囲の工程温度におい
てSEG(Selective Epitaxial Growing)法で形成する。
の工程温度においてSEG法で形成することが好ましい。
×1018cm−3〜5×1021cm−3のドープ濃度でインシチューされることが好
ましい。
図4は、本発明の第2の実施形態に係るイメージセンサを示した断面図である。
体基板503に、活性領域と素子分離領域を画定する素子分離膜504が形成される。
06が順に積層された構造のゲート電極507が形成される。そして、前記ゲート電極5
07は、両方の壁に形成されたスペーサ509を備える。
領域510が形成される。
半導体基板503に、不純物領域508が形成され、前記不純物が形成された前記半導体
基板503の表面に、ピンニング層としてエピタキシャル層512が形成される。
00Åの範囲の厚さ及びp型不純物がインシチューでドープされたことが好ましい。
た断面図である。
うに、p+型基板301にpエピタキシャル層302が形成された半導体基板303に、
活性領域と素子分離領域を画定する素子分離膜304を形成する。
理由は、第1に、低濃度のpエピタキシャル層302が存在するので、フォトダイオード
の空乏領域を大きくて深く増大させることができて、光電荷を集積するためのフォトダイ
オードの能力(ability)を増強させることができ、第2に、p型エピタキシャル層302
の下部に高濃度のp+型基板301を有すれば、隣接する単位画素に電荷が拡散される前
に、この電荷が速く再結合されるため、光電荷のランダム拡散を減少させて、光電荷の伝
達機能の変化を減少させることができるためである。
よって素子間に電気的に分離させる領域を縮小させ得るSTI工程により形成される。
及びゲート導電膜306を順に蒸着した後、選択的にエッチングすることによって、ゲー
ト電極307を形成する。
入することによって、フォトダイオードが形成される所定領域に不純物領域308を形成
する。
を含む前記半導体基板303上に順に蒸着した後、ドライエッチングにより形成すること
が好ましい。
止膜を形成させ、高濃度のp型不純物を注入させて、前記半導体基板303にフローティ
ング拡散領域310を形成する。
ーン311を蒸着する。
311を除去する。
前記HClエッチング工程は、500℃〜5000℃の範囲の工程温度、0.1Torr
〜760Torrの範囲の工程圧力で行われることが好ましい。
露出された前記半導体基板303の前記所定領域にエピタキシャル層312を形成する。
シリコンゲルマニウム(SiGe)で形成され、前記半導体基板303と接触されること
が好ましい。
され、前記不純物は、B2H6のソースガスを用いて、1×1018cm−3〜5×10
21cm−3のドープ濃度でインシチューされることが好ましい。
ソースには、DCS、SiH4及びSi2H6のうちのいずれかを用い、Geソースには
、GeH4を用いて、500℃〜900℃の範囲の工程温度においてSEG法で形成する
。
の範囲の工程温度においてSEG法で形成することが好ましい。
いて、1×1018cm−3〜5×1021cm−3のドープ濃度でインシチューされる
ことが好ましい。
なるフォトダイオードの上部のp型不純物領域であるエピタキシャル層を、インシチュー
状態にドープされたシリコンまたはシリコンゲルマニウムエピタキシャル層で形成して、
薄く、かつドープレベルが均一なp型不純物領域を確保する。
計の変更によりレイアウト(Layout)の追加変更無しで実現可能であるため、実現容易性
に優れている。
窒化膜211を、前記エピタキシャル層212上から除去することによって、受光効率を
増大させる。
想の範囲から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲
に属する。
402 pエピタキシャル層
403 半導体基板
404 素子分離膜
405 ゲート絶縁膜
406 ゲート導電膜
407 ゲート電極
408 不純物領域
409 スペーサ
410 フローティング拡散領域
411 シリコン窒化膜
Claims (12)
- 活性領域と素子分離領域とを画定するために、基板内に第1のトレンチを形成するステップと、
前記活性領域の上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極の一方の側にある前記活性領域内にフローティング拡散領域を形成するステップと、
前記ゲート電極の別の側にある前記活性領域内に不純物領域を形成するステップと、
前記不純物領域の所定領域と前記活性領域の所定領域とを開放するステップと、
エピタキシャル層の成長の際にインシチュー(in-situ)で導電性不純物をドープして、前記不純物と前記基板との開放した前記所定領域の上に前記エピタキシャル層を形成するステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記エピタキシャル層を形成するステップは、50Å〜500Åの範囲の厚さに前記エピタキシャル層を形成することを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エピタキシャル層を形成するステップは、シリコン(Si)を含む前記エピタキシャル層を形成するために、500℃〜900℃の範囲の工程温度においてSEG法を用いることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エピタキシャル層を形成するステップは、B2H6のソースガスのドープ濃度が1×1018cm−3〜5×1021cm−3の状態下で前記エピタキシャル層を成長させることを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エピタキシャル層を形成するステップは、
シリコン(Si)ソースとして、DCS(Di-Chloro-Silane)、SiH4及びSi2H6のうちのいずれかを選択し、
ゲルマニウム(Ge)ソースとしてGeH4を選択し、
シリコンゲルマニウム(SiGe)を含む前記エピタキシャル層を成長させるために、選択された前記シリコンソースと前記ゲルマニウムソースとを用いることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第2の不純物領域の所定領域と前記活性領域の所定領域とを開放するマスクパターンを形成するステップをさらに含み、
前記エピタキシャル層を形成するステップは、前記第2の不純物領域の開放した前記所定領域と前記活性領域の開放した前記所定領域とに接触する前記エピタキシャル層を形成することを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたピンニングされたフォトダイオードと、
前記半導体基板に形成されたフローティング拡散領域と、
前記ピンニングされたフォトダイオードと前記フローティング拡散領域との間に配置されたゲート電極と
を備えてなり、
前記ピンニングされたフォトダイオードは、前記半導体基板内に形成された不純物領域と、成長の際にインシチュー(in-situ)で導電性不純物をドープしたエピタキシャルピンニング層とを含んでおり、
前記ゲート電極は、前記不純物領域から前記フローティング拡散領域への電荷の移動を制御するように構成されていることを特徴とするイメージセンサ。 - 前記エピタキシャルピンニング層が、50Å〜500Åの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサ。
- 前記エピタキシャルピンニング層が、前記半導体基板と前記不純物領域とに接触されていることを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサ。
- イメージセンサの製造方法であって、
半導体基板上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極の一側面まで、前記半導体基板内にフローティング拡散領域を形成するステップと、
前記ゲート電極の別の側面まで、前記半導体基板内にピン型フォトダイオードを形成するステップと
を含んでなり、
前記ピン型フォトダイオードを形成するステップは、
前記ゲート電極の一側面まで、前記半導体基板内に不純物領域を形成することと、
ドープされたエピタキシャル層を得るために、インシチュー(in-situ)でドープした導電性不純物のドープ濃度の状態下で、前記不純物領域の上にエピタキシャルピンニング層を成長させることと
を含むものであるイメージセンサの製造方法。 - 前記ピン型フォトダイオードを形成するステップは、前記不純物領域の所定領域と前記半導体基板の前記活性領域の所定領域とを開放マスクパターンを形成することをさらに含み、
前記エピタキシャルピンニング層を成長させることは、前記不純物領域の開放した前記所定領域と前記活性領域の開放した前記所定領域とに接触している前記エピタキシャルピンニング層を成長させることを含むことを特徴とする請求項10に記載の製造方法。 - 前記エピタキシャルピンニング層を成長させることは、50Å〜500Åの範囲の厚さに前記エピタキシャルピンニング層を成長させるものである請求項10に記載の製造方法。
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