JP5493752B2 - 光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法 - Google Patents

光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5493752B2
JP5493752B2 JP2009262354A JP2009262354A JP5493752B2 JP 5493752 B2 JP5493752 B2 JP 5493752B2 JP 2009262354 A JP2009262354 A JP 2009262354A JP 2009262354 A JP2009262354 A JP 2009262354A JP 5493752 B2 JP5493752 B2 JP 5493752B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical amplifier
power
light power
noise light
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009262354A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011108850A (ja
Inventor
節生 吉田
恭介 曽根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2009262354A priority Critical patent/JP5493752B2/ja
Priority to US12/947,396 priority patent/US8564878B2/en
Publication of JP2011108850A publication Critical patent/JP2011108850A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5493752B2 publication Critical patent/JP5493752B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/50Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/29Repeaters
    • H04B10/291Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form
    • H04B10/2912Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form characterised by the medium used for amplification or processing
    • H04B10/2914Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form characterised by the medium used for amplification or processing using lumped semiconductor optical amplifiers [SOA]
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B10/00Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/29Repeaters
    • H04B10/291Repeaters in which processing or amplification is carried out without conversion of the main signal from optical form
    • H04B10/293Signal power control
    • H04B10/2931Signal power control using AGC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

本発明は、光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法に関する。
光通信ネットワークでは、半導体光増幅器(SOA:Semiconductor Optical Amplifier)が用いられている。この半導体光増幅器のALC(Automatic Level Control)は、半導体光増幅器によって出力された光パワーをモニタし、半導体光増幅器の駆動電流をフィードバック制御することによって実現される。
従来、平均値検出によるフィードバック構成において、増幅された自然放出光(ASE:Amplified Spontaneous Emission)を含む出力信号を検出して駆動電流を制御する信号光強度制御装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−46186号公報
しかしながら、特許文献1の技術では、駆動電流とASEとの関係に着目して駆動電流を制御しようとした場合に、駆動電流とASEとの関係が変化した場合に入力信号を切断して駆動電流とASEとの関係を校正する必要が生じてしまう。
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係が変化しても半導体光増幅器への入力信号を切断せずに駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正することが可能な光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、明細書開示の光増幅器は、半導体光増幅器と、半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係に基づいて、駆動電流をフィードバック制御する駆動手段と、半導体光増幅器の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出手段と、雑音光パワー検出手段によって検出された検出雑音光パワーに基づいて半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する補正手段と、を備え、駆動手段は、補正手段が半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する処理を行う際に、フィードバック制御を停止するものである。
上記課題を解決するために、明細書開示の制御回路は、半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係に基づいて駆動電流をフィードバック制御し、半導体光増幅器の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出手段によって検出された検出雑音光パワーに基づいて半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正し、駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する処理を行う際にフィードバック制御を停止するものである。
上記課題を解決するために、明細書開示の光増幅器の制御方法は、半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係に基づいて駆動電流をフィードバック制御するステップと、半導体光増幅器の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出ステップと、雑音光パワー検出ステップにおいて検出された検出雑音光パワーに基づいて半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する補正ステップと、を含み、半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する処理を行う際にフィードバック制御を停止するものである。
明細書開示の光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法によれば、半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係が変化しても半導体光増幅器への入力信号を切断せずに駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正することができる。
実施例1に係る光増幅器の全体構成を説明するためのブロック図である。 各機器の透過特性および各機器を経由する光信号の成分を説明するための図である。 データベースに記憶されているテーブルを説明するための図である。 更新回路の作動時に実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。 更新回路の非作動時に実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。 (a)は、信号帯域よりも短波長側の一部の帯域成分を第2ポートから出力する光バンドパスフィルタを説明するための図であり、(b)は、信号帯域よりも長波長の一部の帯域成分を第2ポートから出力する光バンドパスフィルタを説明するための図である。 (a)は、光ローパスフィルタを用いる場合の説明図であり、(b)は、光ハイパスフィルタを用いる場合の説明図である 光バンドパスフィルタの配置箇所の他の例を説明するための図である。 光カプラを光バンドパスフィルタよりも前段に配置する例を説明するための図である。 実施例2に係る光増幅器の全体構成を説明するためのブロック図である。 制御回路によって実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。 実施例3に係る光増幅器の全体構成を説明するためのブロック図である。 制御回路によって実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。
以下、図面を参照しつつ、実施例について説明する。
図1は、実施例1に係る光増幅器100の全体構成を説明するためのブロック図である。図1を参照して、光増幅器100は、半導体光増幅器(SOA)10、光バンドパスフィルタ20、光カプラ30、第1光パワーモニタ40、第2光パワーモニタ50、および制御回路60を含む。
半導体光増幅器10は、所定のゲインで入力光信号を増幅して出力する半導体デバイスである。半導体光増幅器10は、入力光の波長に応じて異なる雑音光パワーを発する。また、半導体光増幅器10は、駆動電流に応じて異なる雑音光パワーを発する。雑音光パワーは、例えば、ASE(Amplified Spontaneous Emission)パワーである。
光バンドパスフィルタ20は、入力された光信号の所定の帯域成分を透過するフィルタである。光カプラ30は、入力された光信号を分岐する。第1光パワーモニタ40は、フォトダイオード41および積分器42を含む。第2光パワーモニタ50は、フォトダイオード51を含む。制御回路60は、CPU(中央演算処理装置)、ROM(リードオンリメモリ)、RAM(ランダムアクセスメモリ)等から構成される。
次に、図1および図2を参照しつつ、光増幅器100の動作の概要について説明する。図2は、各機器の透過特性および各機器を経由する光信号の成分を説明するための図である。図2において、透過特性のグラフの横軸は波長を表し、縦軸は透過光パワー(dB)を表す。また、各信号光成分のグラフの横軸は波長を表し、縦軸は光パワー(dB)を表す。
図2を参照して、光増幅器100の入力ポートに入力される光信号は、信号帯域内の所定の波長光である。ここで、信号帯域とは、光増幅器100に入力される信号の波長可変範囲のことである。したがって、信号帯域は、光増幅器の種類、使い方等に応じて異なるものである。例えば、信号帯域として、1.3μm帯、1.5μm帯等を用いることができる。
光増幅器100の入力ポートに入力された光信号は、半導体光増幅器10に入力される。半導体光増幅器10は、制御回路60から入力される駆動電流に応じて入力光を増幅して出力する。半導体光増幅器10の出力光には、ASE成分が含まれる。光バンドパスフィルタ20は、半導体光増幅器10の出力光の信号帯域内成分を第1ポートから出力して光カプラ30に入力するとともに、信号帯域外成分を第2ポートから出力して第2光パワーモニタ50に入力する。本実施例においては、第1ポートが透過ポートであり、第2ポートが排出ポートである。
光カプラ30は、光バンドパスフィルタ20の第1ポートから出力された信号帯域内成分の一部を第1光パワーモニタ40に入力するとともに、残りを、光増幅器100の出力ポートを経由して出力する。制御回路60は、第1光パワーモニタ40および第2光パワーモニタ50の検出結果に基づいて、半導体光増幅器10からのトータル出力光パワーが所望値に近づくように、半導体光増幅器10の駆動電流を制御する。なお、光カプラ30の光分岐比率は固定されているので、第1光パワーモニタ40の検出結果から、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーを算出することができる。
積分器42は、電気的なローパスフィルタである。光増幅器100に入力される光信号は強度変調されているため、信号帯域内成分を検出する第1光パワーモニタ40には、強度変調成分を時間平均するために積分器42が設けられている。第2光パワーモニタ50は、信号帯域外成分を検出しているため、積分器を備えていない。ただし、光増幅器100に入力される光信号の強度変調成分に起因して信号帯域外成分のASEパワーの計測に支障が出る場合には、第2光パワーモニタ50に積分器が設けられていてもよい。また、フォトダイオード41,51は、全波長帯域にわたる光強度を検出する。
続いて、制御回路60の詳細について説明する。図1を参照して、制御回路60は、駆動回路61、リレー62、目標トータル出力光パワー取得部63、比較器64、タイマー65、および更新回路66を含む。更新回路66は、除算器71、第1ASEパワー取得部72、乗算器73、第2ASEパワー取得部74、カウンタ75、および加算器76を含む。
次に、図1を参照しつつ、制御回路60の動作の詳細について説明する。駆動回路61は、半導体光増幅器10への駆動電流情報Iを目標トータル出力光パワー取得部63に入力する。なお、「k」は1〜nのいずれかの整数であり、「n」は数表の最終行を表す正数である。駆動電流情報Iとは、駆動回路61から半導体光増幅器10に入力されている駆動電流値である。
目標トータル出力光パワー取得部63は、駆動電流情報Iに対応する目標トータル出力光パワーDをデータベース82から読み込み、比較器64に入力する。なお、目標トータル出力光パワーとは、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーの目標値である。一方、第1光パワーモニタ40において、積分器42は、フォトダイオード41の光電変換によって得られる電気信号を積分して、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーTを検出する。トータル出力光パワーTは、比較器64に入力される。
比較器64は、トータル出力光パワーTと目標トータル出力光パワーDとを比較する。駆動回路61は、目標トータル出力光パワーDがトータル出力光パワーTよりも大きい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を増加させる。駆動回路61は、目標トータル出力光パワーDがトータル出力光パワーTよりも小さい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を低下させる。駆動回路61は、目標トータル出力光パワーDがトータル出力光パワーTと等しい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を維持する。以上の駆動電流制御により、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーが所望値に維持されるため、信号出力光パワーは目標信号出力パワーに維持される。
以上の制御は、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの関係が不変であれば、半導体光増幅器10の信号出力光パワーを、ユーザに要求されている目標信号出力光パワーSに維持することができる。しかしながら、半導体光増幅器10の劣化等に起因して駆動電流とASEパワーとの関係が変化することがある。そこで、本実施例においては、半導体光増幅器10への信号の入力を切断することなく、駆動電流とASEパワーとの関係を補正する。
タイマー65は、所定の周期で更新回路66に更新開始信号を入力する。更新回路66は、更新開始信号の入力をトリガーとして作動する。具体的には、第1ASEパワー取得部72は、駆動回路61から駆動電流情報Ik´を取得する。駆動電流情報Ik´は、更新回路66の作動開始時点において駆動回路61から半導体光増幅器10に入力されている駆動電流値である。
第1ASEパワー取得部72は、駆動電流情報Ik´に対応して、データベース81から、工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQk´を取得し、除算器71に入力する。工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQk´とは、半導体光増幅器10の工場出荷時において、半導体光増幅器10の駆動電流がIk´であった場合の信号帯域外ASEパワーのことである。一方、第2光パワーモニタ50は、フォトダイオード51を用いて信号帯域外ASEパワーQを取得する。
半導体光増幅器10に劣化等の変化が生じていなければ、工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQk´と第2光パワーモニタ50が検出する信号帯域外ASEパワーQとは等しくなる。しかしながら、半導体光増幅器10に劣化等の変化が生じた場合、工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQk´と第2光パワーモニタ50が検出する信号帯域外ASEパワーQとの間にずれが生じる。ここで、信号帯域外でASEパワーがα倍になっていれば、信号帯域内のASEパワーもα倍になっていると仮定される。さらに、駆動電流Ik´でASEパワーがα倍になっていれば、他の駆動電流でもASEパワーがα倍になっていると仮定される。
そこで、除算器71は、信号帯域外ASEパワーQと工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQk´との比Q/Qk´を補正係数として取得し、乗算器73に入力する。カウンタ75は、変数「j」に「1」から「n」まで順に代入して第2ASEパワー取得部74に入力する。第2ASEパワー取得部74は、カウンタ75によって入力される変数jに対応して、データベース81から、工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPを取得し、乗算器73に入力する。工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPとは、半導体光増幅器10の工場出荷時において、半導体光増幅器10の駆動電流がIであった場合の信号帯域内ASEパワーのことである。乗算器73は、工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPにQ/Qk´を掛け合わせた値P×Q/Qk´を加算器76に入力する。
加算器76には、ユーザから目標信号出力光パワーSが入力される。目標信号出力光パワーSとは、ユーザ要求による設定値であり、半導体光増幅器10の目標トータル出力光パワーからASEパワーを引いた残りのことである。加算器76は、目標信号出力光パワーSに乗算器73によって入力された値P×Q/Qk´を足し合わせる。加算器76の演算結果は、各駆動電流に対応させて、データベース82に記憶される。以上の動作により、所定期間ごとに、データベース82のテーブルの内容が更新される。
なお、更新回路66の作動中においては、リレー62がオフになる。この場合、比較器64への目標トータル出力光パワーDの送信が停止する。それにより、半導体光増幅器10の出力光パワーのフィードバック制御は停止する。更新回路66の動作が終了すれば、リレー62が再度オンになる。したがって、更新回路66の動作が終了すれば、半導体光増幅器10の出力光パワーのフィードバック制御は再開される。
図3(a)〜図3(c)は、データベース81,82に記憶されているテーブルを説明するための図である。図3(a)を参照して、データベース81は、半導体光増幅器10への駆動電流I〜Iと工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQ〜Qとの関係のテーブルを含む。図3(b)を参照して、データベース81は、半導体光増幅器10への駆動電流I〜Iと工場出荷時における信号帯域内ASEパワーP〜Pとの関係のテーブルを含む。図3(a)および図3(b)のテーブルは、更新されない。データベース81は、例えば、ROM等の不揮発性メモリ等に記憶される
図3(c)を参照して、データベース82は、更新回路66の差動時の駆動電流Ik´を用いて更新された駆動電流I〜Iと目標トータル出力光パワーD〜Dとの関係のテーブルを含む。図3(c)のテーブルは、更新回路66の作動ごとに更新される。データベース82は、例えば、RAM等の書換え可能なメモリに記憶される。
図4および図5は、更新回路66の作動時に実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。図4は、更新回路66の作動時に実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。図5は、更新回路66の非作動時に実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。
図4を参照して、タイマー65は、テーブル更新時期を知らせるタイマーが満了したか否かを判定する(ステップS1)。ステップS1において、「No」と判定された場合、タイマー65は、ステップS1を繰り返す。ステップS1において、「Yes」と判定された場合、更新回路66が作動する。まず、更新回路66は、第2光パワーモニタ50から、現在の信号帯域外ASEパワーQを取得する(ステップS2)。
次に、第1ASEパワー取得部72は、更新回路66の作動時点での駆動電流Ik´を検索キーとして、データベース81から、工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQk´を取得する(ステップS3)。工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQk´は、データベース81に記憶されている工場出荷時における駆動電流と信号帯域外ASEパワーとの対応関係のテーブルから検索される。
次に、更新回路66は、ユーザからの要求による目標信号出力光パワーSを取得する(ステップS4)。カウンタ75は、j=1とする(ステップS5)。次いで、第2ASEパワー取得部74は、データベース81から、工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPを取得する(ステップS6)。この工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPは、データベース81に記憶されている工場出荷時における駆動電流と信号帯域内ASEパワーとの対応関係のテーブルから検索される。
次に、除算器71、乗算器73および加算器76は、D=S+P×Q/Qk´を算出する(ステップS7)。この算出結果は、データベース82に記憶される。次に、カウンタ75は、「j」に「1」を加える(ステップS8)。次に、カウンタ75は、「j」が「n」を上回ったか否かを判定する(ステップS9)。ステップS9において「No」と判定された場合、ステップS6が実行される。ステップS9において、「Yes」と判定された場合、ステップS1が実行される。以上のフローチャートの実行によって、データベース82に記憶されている駆動電流と目標トータル出力光パワーとの対応関係のテーブルが更新される。
図5を参照して、目標トータル出力光パワー取得部63は、更新回路66が作動中であるか否かの情報を取得する(ステップS11)。次に、目標トータル出力光パワー取得部63は、更新回路66が作動中であるか否かを判定する(ステップS12)。ステップS12において「Yes」と判定された場合、ステップS11が実行される。ステップS12において「No」と判定された場合、目標トータル出力光パワー取得部63は、現時点での駆動電流Iを検索キーとして、データベース81から目標トータル出力光パワーDを取得する(ステップS13)。
次に、制御回路60は、第1光パワーモニタ40からトータル出力光パワーTを取得する(ステップS14)。次に、比較器64は、目標トータル出力光パワーDがトータル出力光パワーTよりも小さいか否かを判定する(ステップS15)。ステップS15において「Yes」と判定された場合、駆動回路61は、駆動電流を低下させる(ステップS16)。
ステップS16の実行後およびステップS15において「No」と判定された場合、比較器64は、目標トータル出力光パワーDがトータル出力光パワーTよりも大きいか否かを判定する(ステップS17)。ステップS17において「Yes」と判定された場合、駆動回路61は、駆動電流を増加させる(ステップ1S8)。ステップS18の実行後およびステップS17において「No」と判定された場合、ステップS11が実行される。以上のフローチャートの実行によって、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーが所望値に維持されるため、信号出力光パワーは目標信号出力パワーに維持される。
本実施例においては、信号帯域外のASEパワーをモニタすることによって、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係を補正することができる。それにより、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係の補正時に、入力信号を切断しなくてもよくなる。また、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係の補正周期を任意に設定することができる。この補正周期を短くすることによって、半導体光増幅器10のASEの急激な変化に対応することができる。さらに、光バンドパスフィルタ20が第1光パワーモニタ40よりも前段に配置されているため、第1光パワーモニタ40に入力されるASEパワーが信号帯域外ASEパワーの分だけ少なくなる。それにより、光増幅器100の出力に含まれるASEパワーが少なくなるとともに、半導体光増幅器10のより誤差の少ない制御が可能となる。
なお、本実施例においては、更新回路66が、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係を補正する補正手段として機能する。また、光バンドパスフィルタ20および第2光パワーモニタ50が、半導体光増幅器10の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出手段として機能する。さらに、第1光パワーモニタ40が、半導体光増幅器10の出力光のトータル出力光パワーを検出する光パワー検出手段として機能する。また、駆動回路61が、半導体光増幅器10への駆動電流を制御する駆動手段として機能する。さらに、データベース82が、駆動電流と目標トータル出力光パワーとの対応関係をテーブルとして記憶する記憶手段として機能する。
(変形例1)
光バンドパスフィルタ20の代わりに、信号帯域以外の所定の帯域を透過せずに排出する光バンドパスフィルタ20を用いてもよい。図6(a)は、信号帯域よりも短波長側の一部の帯域成分を第2ポートから出力し、それ以外の帯域の成分を第1ポートから出力する光バンドパスフィルタ20を説明するための図である。図6(b)は、信号帯域よりも長波長の一部の帯域成分を第2ポートから出力し、それ以外の帯域の成分を第1ポートから出力する光バンドパスフィルタ20を説明するための図である。このように、第2光パワーモニタ50は、信号帯域外の成分の一部を検出してもよい。
(変形例2)
光バンドパスフィルタ20の代わりに、光ローパスフィルタ20aまたは光ハイパスフィルタ20bを用いてもよい。図7(a)は、光ローパスフィルタ20aを用いる場合の説明図である。図7(a)を参照して、光ローパスフィルタ20aは、半導体光増幅器10の出力光の信号帯域とそれ以上の帯域成分を第1ポートから出力して光カプラ30に入力するとともに、信号帯域未満の帯域成分を第2ポートから出力して第2光パワーモニタ50に入力する。
図7(b)は、光ハイパスフィルタ20bを用いる場合の説明図である。図7(b)を参照して、光ハイパスフィルタ20bは、半導体光増幅器10の出力光の信号帯域とそれ以下の成分を第1ポートから出力して光カプラ30に入力するとともに、信号帯域を上回る成分を第2ポートから出力して第2光パワーモニタ50に入力する。
このように、第2光パワーモニタ50は、信号帯域外の短波長側または長波長側の成分を検出してもよい。なお、光ローパスフィルタは、低周波数成分を透過するため、図7(a)では長波長側の成分を透過している。同様に、光ハイパスフィルタは、高周波数成分を透過するため、図7(b)では短波長側の成分を透過している。
(変形例3)
光バンドパスフィルタ20の配置箇所は、図1に限られない。例えば、図8を参照して、光バンドパスフィルタ20は、光カプラ30と第2光パワーモニタ50との間に配置されていてもよい。この場合、光バンドパスフィルタ20は、信号帯域成分を第1ポートから第1光パワーモニタ40に出力し、信号帯域外成分を第2ポートから第2光パワーモニタ50に出力する。
(変形例4)
光バンドパスフィルタ20と光カプラ30との位置関係を逆にしてもよい。例えば、図9を参照して、光カプラ30を光バンドパスフィルタよりも前段に配置してもよい。
実施例1においては駆動電流とASEパワーとの対応関係のテーブルを補正していたが、それに限られない。実施例2においては、駆動電流とASEパワーとの対応関係のテーブルの補正を行わない例について説明する。図10は、実施例2に係る光増幅器100aの全体構成を説明するためのブロック図である。図10を参照して、光増幅器100aが図1の光増幅器100と異なる点は、制御回路60の代わりに制御回路90を備えている点である。制御回路90は、駆動回路91、第1ASEパワー取得部92、除算器93、第2ASEパワー取得部94、乗算器95、加算器96、および比較器97を含む。
次に、図10を参照しつつ、制御回路90の動作の詳細について説明する。第1ASEパワー取得部92は、駆動回路61から駆動電流情報Iを取得する。駆動電流情報Iは、現時点での駆動回路61から半導体光増幅器10に入力されている駆動電流値である。第1ASEパワー取得部92は、駆動電流情報Iに対応して、データベース81から、工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQを取得し、除算器71に入力する。一方、第2光パワーモニタ50は、フォトダイオード51を用いて信号帯域外ASEパワーQを取得する。
除算器93は、信号帯域外ASEパワーQと工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQとの比Q/Qを補正係数として取得し、乗算器95に入力する。第2ASEパワー取得部94は、現時点での駆動電流Iに対応して、データベース81から、工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPを取得し、乗算器95に入力する。乗算器95は、工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPにQ/Qを掛け合わせた値P×Q/Qを加算器96に入力する。
加算器96には、ユーザから目標信号出力光パワーSが入力される。加算器96は、目標信号出力光パワーSに乗算器95によって入力された値P×Q/Qを足し合わせた値D=S+P×Q/Qを算出する。加算器96は、演算結果を比較器97に入力する。第1光パワーモニタ40は、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーTを検出し、比較器97に入力する。
比較器97は、トータル出力光パワーTと演算結果Dとを比較する。駆動回路91は、演算結果Dkがトータル出力光パワーTよりも大きい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を増加させる。駆動回路91は、演算結果Dkがトータル出力光パワーTよりも小さい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を低下させる。駆動回路91は、演算結果Dがトータル出力光パワーTと等しい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を維持する。以上の駆動電流制御により、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーが所望値に維持されるため、信号出力光パワーは目標信号出力パワーに維持される。
図11は、制御回路90によって実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。図11を参照して、制御回路90は、第2光パワーモニタ50から、現在の信号帯域外ASEパワーQを取得する(ステップS21)。次に、第1ASEパワー取得部92は、現在の駆動電流Iを検索キーとして、データベース81から、工場出荷時の信号帯域外ASEパワーQを取得する(ステップS22)。
次に、制御回路90は、ユーザからの要求による目標信号出力光パワーSを取得する(ステップS23)。次いで、第2ASEパワー取得部94は、データベース81から、現在の駆動電流Iを検索キーとして、工場出荷時の信号帯域内ASEパワーPを取得する(ステップS24)。次に、除算器93、乗算器95および加算器96は、演算結果D=S+P×Q/Qを算出する(ステップS25)。
次に、制御回路90は、第1光パワーモニタ40からトータル出力光パワーTを取得する(ステップS26)。次に、比較器97は、演算結果Dがトータル出力光パワーTよりも小さいか否かを判定する(ステップS27)。ステップS27において「Yes」と判定された場合、駆動回路91は、駆動電流を低下させる(ステップS28)。
ステップS28の実行後およびステップS27において「No」と判定された場合、比較器97は、演算結果Dがトータル出力光パワーTよりも大きいか否かを判定する(ステップS29)。ステップS29において「Yes」と判定された場合、駆動回路91は、駆動電流を増加させる(ステップS30)。ステップS30の実行後およびステップS29において「No」と判定された場合、ステップS21が実行される。
本実施例においては、信号帯域外のASEパワーをモニタすることによって、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係を補正することができる。それにより、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係の補正時に、入力信号を切断しなくてもよくなる。また、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係の補正を連続的に随時行うことができる。それにより、半導体光増幅器10のASEの急激な変化に対応することができる。さらに、駆動電流とASEパワーとの対応関係のテーブルを補正する必要がないため、処理が簡略化される。また、信号帯域外ASEパワーQと工場出荷時の信号帯域外ASEパワーQとの比Q/Qが駆動電流に応じて異なる場合においても、ASEパワーを適正に補正することができる。
なお、本実施例においては、制御回路90が、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係を補正する補正手段として機能している。また、光バンドパスフィルタ20および第2光パワーモニタ50が、半導体光増幅器10の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出手段として機能する。さらに、第1光パワーモニタ40が、半導体光増幅器10の出力光のトータル出力光パワーを検出する光パワー検出手段として機能する。また、駆動回路91が、半導体光増幅器10への駆動電流を制御する駆動手段として機能する。
上記各実施例ではユーザから入力される目標信号出力光パワーSを用いたが、それに限られない。実施例3では、ユーザから入力される目標ゲインGを用いた例について説明する。なお、ゲインとは出力信号光パワーを入力信号光パワーで割った値のことであり、目標ゲインGとは、ユーザによって要求されている半導体光増幅器10の目標ゲイン値のことである。
図12は、実施例3に係る光増幅器100bの全体構成を説明するためのブロック図である。図12を参照して、光増幅器100bが図10の光増幅器100aと異なる点は、制御回路90の代わりに制御回路90aを備えている点、および、光カプラ45および第3光パワーモニタ55を備える点である。制御回路90aが制御回路90と異なる点は、乗算器98をさらに含む点である。光カプラ45は、半導体光増幅器10の前段に配置されている。光カプラ45は、入力ポートに入力される光信号を半導体光増幅器10に入力するとともに、入力ポートに入力される光信号の一部を第3光パワーモニタ55に入力する。第3光パワーモニタ55は、フォトダイオード56および積分器57を含む。
次に、図12を参照しつつ、制御回路90aの動作の詳細について説明する。第1ASEパワー取得部92は、駆動回路91から駆動電流情報Iを取得する。駆動電流情報Iは、現時点での駆動回路91から半導体光増幅器10に入力されている駆動電流値である。第1ASEパワー取得部92は、駆動電流情報Iに対応して、データベース81から、工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQを取得し、除算器71に入力する。一方、第2光パワーモニタ50は、フォトダイオード51を用いて信号帯域外ASEパワーQを取得する。
除算器93は、信号帯域外ASEパワーQと工場出荷時における信号帯域外ASEパワーQとの比Q/Qを補正係数として取得し、乗算器73に入力する。第2ASEパワー取得部94は、現時点での駆動電流Iに対応して、データベース81から、工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPを取得し、乗算器95に入力する。乗算器95は、工場出荷時における信号帯域内ASEパワーPにQ/Qを掛け合わせた値P×Q/Qを加算器96に入力する。
第3光パワーモニタ55において、積分器57は、フォトダイオード56の光電変換によって得られる電気信号を積分して、半導体光増幅器10への信号入力光パワーUを検出する。信号入力光パワーUは、乗算器98に入力される。また、乗算器98には、ユーザから目標ゲインGが入力される。乗算器98は、信号入力光パワーUに目標ゲインGを掛け合わせた値を加算器96に入力する。加算器96は、乗算器95の演算結果と乗算器98の演算結果とを足し合わせた値D=U×G+P×Q/Qを算出する。加算器96は、演算結果を比較器97に入力する。第1光パワーモニタ40は、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーTを検出し、比較器97に入力する。
比較器97は、トータル出力光パワーTと演算結果Dとを比較する。駆動回路91は、演算結果Dがトータル出力光パワーTよりも大きい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を増加させる。駆動回路91は、演算結果Dがトータル出力光パワーTよりも小さい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を低下させる。駆動回路91は、演算結果Dがトータル出力光パワーTと等しい場合には、半導体光増幅器10への駆動電流を維持する。以上の駆動電流制御により、半導体光増幅器10のトータル出力光パワーが所望値に維持されるため、ゲインは目標ゲインに維持される。
図13は、制御回路90aによって実行されるフローチャートの一例を説明するための図である。図13を参照して、制御回路90aは、第2光パワーモニタ50から、現在の信号帯域外ASEパワーQを取得する(ステップS31)。次に、第1ASEパワー取得部92は、現在の駆動電流Iを検索キーとして、データベース81から、工場出荷時の信号帯域外ASEパワーQを取得する(ステップS32)。
次に、制御回路90aは、第3光パワーモニタ55から信号入力光パワーUを取得する(ステップS33)。次いで、制御回路90aは、ユーザからの目標ゲインGを取得する(ステップS34)。次に、第2ASEパワー取得部94は、データベース81から、現在の駆動電流Iを検索キーとして、工場出荷時の信号帯域内ASEパワーPを取得する(ステップS35)。
次に、除算器93、乗算器95、加算器96、および乗算器98は、演算結果D=U×G+P×Q/Qを算出する(ステップS36)。次いで、制御回路90aは、第1光パワーモニタ40からトータル出力光パワーTを取得する(ステップS37)。次に、比較器97は、演算結果Dがトータル出力光パワーTよりも小さいか否かを判定する(ステップS38)。ステップS38において「Yes」と判定された場合、駆動回路91は、駆動電流を低下させる(ステップS39)。
ステップS39の実行後およびステップS38において「No」と判定された場合、比較器97は、演算結果Dがトータル出力光パワーTよりも大きいか否かを判定する(ステップS40)。ステップS40において「Yes」と判定された場合、駆動回路91は、駆動電流を増加させる(ステップS41)。ステップS41の実行後およびステップS40において「No」と判定された場合、ステップS31が実行される。
本実施例においては、信号帯域外のASEパワーをモニタすることによって、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係を補正することができる。それにより、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係の補正時に、入力信号を切断しなくてもよくなる。また、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係の補正を連続的に随時行うことができる。それにより、半導体光増幅器10のASEの急激な変化に対応することができる。さらに、駆動電流とASEパワーとの対応関係のテーブルを補正する必要がないため、処理が簡略化される。また、信号帯域外ASEパワーQと工場出荷時の信号帯域外ASEパワーQとの比Q/Qが駆動電流に応じて異なる場合においても、ASEパワーを適正に補正することができる。
なお、本実施例においては、駆動電流とASEパワーとの対応関係のテーブルの補正を行っていないが、実施例1と同様に駆動電流とASEパワーとの対応関係のテーブル全体を補正してもよい。本実施例においては、制御回路90aが、半導体光増幅器10の駆動電流とASEパワーとの対応関係を補正する補正手段として機能している。また、光バンドパスフィルタ20および第2光パワーモニタ50が、半導体光増幅器10の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出手段として機能する。さらに、第1光パワーモニタ40が、半導体光増幅器10の出力光のトータル出力光パワーを検出する光パワー検出手段として機能する。また、駆動回路91が、半導体光増幅器10への駆動電流を制御する駆動手段として機能する。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
10 半導体光増幅器
20 光バンドパスフィルタ
30 光カプラ
40 第1光パワーモニタ
50 第2光パワーモニタ
60 制御回路
61 駆動回路
63 目標トータル出力光パワー取得部
64 比較器
66 更新回路
72 第1ASEパワー取得部
74 第2ASEパワー取得部
81,82 データベース
100 光増幅器

Claims (11)

  1. 半導体光増幅器と、
    前記半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係に基づいて、前記駆動電流をフィードバック制御する駆動手段と、
    前記半導体光増幅器の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出手段と、
    前記雑音光パワー検出手段によって検出された検出雑音光パワーに基づいて、前記半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する補正手段と、を備え、
    前記駆動手段は、前記補正手段が前記半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する処理を行う際に、前記フィードバック制御を停止することを特徴とする光増幅器。
  2. 前記補正手段は、前記検出雑音光パワーと前記半導体光増幅器の信号帯域外の基準雑音光パワーとの比を補正係数として用いることによって、前記半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正することを特徴とする請求項1記載の光増幅器。
  3. 前記補正手段は、前記補正係数を用いて、前記駆動電流に対応する前記雑音光パワーに目標の信号出力光パワーを加えたパワーである目標トータル出力光パワーを補正することを特徴とする請求項2記載の光増幅器。
  4. 前記半導体光増幅器の出力光のトータル出力光パワーを検出する光パワー検出手段を備え、
    前記駆動手段は、前記補正手段によって補正された前記目標トータル出力光パワーと前記光パワー検出手段によって検出された前記トータル出力光パワーとの比較結果に基づいて、前記駆動電流を制御することを特徴とする請求項3記載の光増幅器。
  5. 前記補正手段によって補正された前記駆動電流と前記目標トータル出力光パワーとの対応関係をテーブルとして記憶する記憶手段を備えることを特徴とする請求項3記載の光増幅器。
  6. 前記半導体光増幅器の出力光のトータル出力光パワーを検出する光パワー検出手段を備え、
    前記駆動手段は、現在出力されている前記駆動電流に対応する前記目標トータル出力光パワーを前記テーブルから取得して前記光パワー検出手段によって検出された前記トータル出力光パワーと比較し、比較結果に基づいて前記駆動電流を制御することを特徴とする請求項5記載の光増幅器。
  7. 前記目標の信号出力光パワーは、前記半導体光増幅器に入力される光パワーと前記半導体光増幅器の目標ゲインとの積であることを特徴とする請求項3〜6のいずれかに記載の光増幅器。
  8. 前記基準雑音光パワーは、前記光増幅器の出荷時の、前記半導体光増幅器の信号帯域外の雑音光パワーであることを特徴とする請求項2〜7のいずれかに記載の光増幅器。
  9. 前記雑音光パワー検出手段は、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、およびバンドパスフィルタのいずれかを含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の光増幅器。
  10. 半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係に基づいて前記駆動電流をフィードバック制御し、前記半導体光増幅器の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出手段によって検出された検出雑音光パワーに基づいて、前記半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正し、前記駆動電流と前記雑音光パワーとの関係を補正する処理を行う際に、前記フィードバック制御を停止することを特徴とする制御回路。
  11. 半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係に基づいて、前記駆動電流をフィードバック制御するステップと、
    半導体光増幅器の信号帯域外の雑音光パワーを検出する雑音光パワー検出ステップと、
    雑音光パワー検出ステップにおいて検出された検出雑音光パワーに基づいて、前記半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する補正ステップと、を含み、
    前記半導体光増幅器の駆動電流と雑音光パワーとの関係を補正する処理を行う際に、前記フィードバック制御を停止することを特徴とする光増幅器の制御方法。
JP2009262354A 2009-11-17 2009-11-17 光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法 Expired - Fee Related JP5493752B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009262354A JP5493752B2 (ja) 2009-11-17 2009-11-17 光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法
US12/947,396 US8564878B2 (en) 2009-11-17 2010-11-16 Optical amplifier, control circuit, and optical amplifier control method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009262354A JP5493752B2 (ja) 2009-11-17 2009-11-17 光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011108850A JP2011108850A (ja) 2011-06-02
JP5493752B2 true JP5493752B2 (ja) 2014-05-14

Family

ID=44011145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009262354A Expired - Fee Related JP5493752B2 (ja) 2009-11-17 2009-11-17 光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8564878B2 (ja)
JP (1) JP5493752B2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5470859B2 (ja) * 2009-01-09 2014-04-16 富士通株式会社 光増幅器、制御回路、および光増幅器の制御方法
JP6467885B2 (ja) * 2014-11-20 2019-02-13 富士通株式会社 光増幅装置
JP6027596B2 (ja) * 2014-11-25 2016-11-16 住友電気工業株式会社 光信号中継装置および通信制御方法
EP3051692A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-03 Alcatel Lucent Optical device with semiconductor optical amplifier with automatic current supply control
CN106253989B (zh) * 2015-06-09 2019-04-16 广东海信宽带科技有限公司 光模块以及光信号输出控制方法
CN104932054B (zh) * 2015-07-20 2018-02-23 富通集团有限公司 一种三包层掺铥光纤及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0621582A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光増幅装置
JP3203611B2 (ja) * 1994-02-14 2001-08-27 日本電信電話株式会社 雑音指数測定方法および装置
JP3492781B2 (ja) * 1994-10-11 2004-02-03 富士通株式会社 光増幅器の特性監視方法及び光増幅器の特性監視回路
JPH10209967A (ja) * 1997-01-16 1998-08-07 Nec Corp 光増幅器警報回路
JP2003046186A (ja) 2001-07-30 2003-02-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 信号光強度制御装置
JP3678201B2 (ja) * 2002-01-22 2005-08-03 横河電機株式会社 Wdm信号モニタ
JP3953837B2 (ja) * 2002-02-27 2007-08-08 日本電信電話株式会社 光増幅器の監視装置、光増幅器の補償化装置、光増幅器の監視方法、光増幅器の補償化方法、光増幅器の監視プログラムおよび光増幅器の補償化プログラム
GB2389957A (en) * 2002-06-19 2003-12-24 Kamelian Ltd Automatic power control of a semiconductor optical amplifier
JP2005150435A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Fujitsu Ltd 光増幅器および光増幅器の制御方法
JP4553609B2 (ja) * 2004-03-12 2010-09-29 富士通株式会社 雑音除去機能を有する光伝送システム
JP4425740B2 (ja) * 2004-08-02 2010-03-03 富士通株式会社 光増幅器
JP4668630B2 (ja) * 2005-01-18 2011-04-13 株式会社日立製作所 波長多重用光増幅器
JP2009244163A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光信号対雑音比を測定する装置および方法
JP2009065180A (ja) * 2008-10-06 2009-03-26 Fujitsu Ltd 光モニタ回路
JP5470859B2 (ja) * 2009-01-09 2014-04-16 富士通株式会社 光増幅器、制御回路、および光増幅器の制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110116161A1 (en) 2011-05-19
US8564878B2 (en) 2013-10-22
JP2011108850A (ja) 2011-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5493752B2 (ja) 光増幅器、制御回路、および、光増幅器の制御方法
US7852550B2 (en) Optical amplifying apparatus
CN101479896B (zh) 可变增益光放大器
JP6458172B2 (ja) 光ファイバ増幅器の利得制御方法及び装置、プログラムならびに記録媒体
US7139118B2 (en) Optical amplifiers
JP2016129207A (ja) 光送信器
US7224515B2 (en) Optical amplifiers
JP4211918B2 (ja) 光通信システム
CN110601766B (zh) 一种控制方法及光纤放大器
CN106936509B (zh) 一种拉曼瞬态效应控制方法和装置
US6646790B2 (en) Optical amplifier gain control monitoring
EP2474110A1 (en) Optical fiber amplifier compromising an embedded filter and a control method with improved feedforward control performance
US20190349088A1 (en) Optical transmission device and method for controlling optical transmission device
JP7102954B2 (ja) 光伝送装置及び制御方法
JP5054099B2 (ja) 可変ゲイン光増幅器
JPH10107740A (ja) 光素子電力制御システム
JP2004228368A (ja) 直接変調方式を用いた波長可変光源制御回路及び方法
GB2389957A (en) Automatic power control of a semiconductor optical amplifier
JP4268153B2 (ja) 光増幅器、光増幅器の制御方法及び光増幅中継通信システム
JP6136358B2 (ja) 局発光源劣化の検出方法、局発光源劣化の検出装置、及び光トランシーバ
JP2001127367A (ja) レーザ駆動装置
JP2020198537A (ja) 光モジュール、伝送装置及び動作点制御方法
JP2019140271A (ja) レーザ装置およびレーザ装置の制御方法
JP2015179696A (ja) 光送信器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120720

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130820

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131016

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5493752

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees