JP7102954B2 - 光伝送装置及び制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、光伝送装置及び制御方法に関する。

ＷＤＭ(Wavelength Division Multiplexing)光をＡｄｄ／Ｄｒｏｐする光モジュールには、信号光の強度を調整するＶＯＡ(Variable Optical Amplifier)と、信号光の透過中心周波数を調整するＴＯＦ(Tunable Optical Filter)とが一体化した部品がある。光モジュールでは、単一の二次元ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)ミラーの角度を２軸で調整し、第１の軸を調整することで、例えば、ＴＯＦの透過中心周波数を調整すると共に、第２の軸を調整することで、例えば、ＶＯＡの減衰量を調整する。その結果、信号光の減衰量を調整しながら、ＯＳＮＲ(Optical Signal Noise Ratio)を改善できる。

特開２０１２－８５６２号公報 特開２００９－４７９１７号公報 米国特許出願公開第２００４／０１４１７５６号明細書 米国特許出願公開第２００８／００８５１１９号明細書

しかしながら、光モジュールのＭＥＭＳミラーは、幅広い周波数帯をカバーしているために設定感度が高く、製品バラツキ等で角度の設定誤差が存在する。光モジュールでは、ＶＯＡの減衰量を変更する場合、ＭＥＭＳミラーの第２の軸を調整することになるが、設定誤差がある場合には、ＴＯＦの透過中心周波数がずれる場合もある。このような事態は特にスペクトラム幅が広くなる高レートの信号光に顕著に表れる。

そこで、光モジュールは、減衰量の変化に伴ってＴＯＦの透過中心周波数がずれた場合、フィードバック制御で透過中心周波数のズレを解消するようにＭＥＭＳミラーの第１の軸を調整することになる。しかしながら、光モジュールは、減衰量の変化に伴う透過中心周波数のズレを解消するまでには時間を要し、その間に伝送品質が劣化する。

一つの側面では、減衰量の変化に伴う透過周波数のズレ解消に要する時間を短縮化できる光伝送装置等を提供することを目的とする。

一つの態様の光伝送装置は、ミラーと、駆動制御部と、取得部と、第１の算出部と、生成部と、第２の算出部と、第３の算出部と、設定部とを有する。ミラーは、出力光の強度を調整する調整機能の減衰量と、前記出力光を透過する透過機能の透過周波数とを調整する。駆動制御部は、印加電圧に応じて前記透過機能の透過周波数を駆動制御する。取得部は、前記減衰量の変化を検出した場合に、前記出力光の強度が目標値となる基準の電圧量の調整量を取得する。第１の算出部は、減衰量が零時での透過周波数と電圧量との対応関係を示すミラーの部品特性を参照し、基準の透過周波数及び前記調整量で調整後の透過周波数を特定する。更に、第１の算出部は、特定された前記基準の透過周波数と前記調整後の透過周波数との差分で、前記減衰量の変化に伴うズレ量を算出する。生成部は、前記変化検出時の前記減衰量と前記ズレ量との対応関係を示す座標と原点座標とから関係性を生成する。第２の算出部は、新たな減衰量の変化を検出した場合に、前記関係性から当該変化検出時の減衰量に対応したズレ量を算出する。第３の算出部は、前記部品特性を参照し、前記基準の透過周波数の電圧量及び、当該基準の透過周波数から前記ズレ量を加算したズレ後の透過周波数の電圧量を特定する。第３の算出部は、前記基準の透過周波数の電圧量と前記ズレ後の透過周波数の電圧量との差分で調整量を算出する。設定部は、前記算出した調整量を前記基準の電圧量に加算した前記印加電圧を前記駆動制御部に設定する。

一つの態様では、減衰量変化に伴う透過周波数のズレ解消に要する時間を短縮化できる。

図１は、実施例１の光伝送装置の一例を示すブロック図である。 図２は、光伝送装置内の制御部の機能構成の一例を示す説明図である。 図３は、製品特性の一例を示す説明図である。 図４は、実施例１の関係性の一例を示す説明図である。 図５は、実施例１のＯＦＦ期間、待機期間及び運用期間での出力光の強度変化に応じた第１の印加電圧の変動推移の一例を示す説明図である。 図６は、生成処理に関わるＣＰＵの処理動作の一例を示すフロー図である。 図７は、第１の設定処理に関わるＣＰＵの処理動作の一例を示すフロー図である。 図８は、実施例２の制御部の機能構成の一例を示す説明図である。 図９は、実施例２の運用期間中の出力光の強度変化に応じた第１の印加電圧の変動推移の一例を示す説明図である。 図１０は、実施例２の関係性の一例を示す説明図である。 図１１は、第２の設定処理に関わるＣＰＵの処理動作の一例を示すフロー図である。 図１２は、実施例３のＯＦＦ期間、待機期間及び立ち上げ期間の出力光の強度変化に応じた第１の印加電圧の変動推移の一例を示す説明図である。 図１３は、第３の設定処理に関わるＣＰＵの処理動作の一例を示すフロー図である。 図１４は、実施例４の制御部の機能構成の一例を示す説明図である。 図１５は、実施例４の関係性の一例を示す説明図である。 図１６は、割合テーブルの一例を示す説明図である。 図１７は、第４の設定処理に関わるＣＰＵの処理動作の一例を示すフロー図である。 図１８は、実施例５の制御部の機能構成の一例を示す説明図である。 図１９は、実施例５の運用期間中の出力光の強度変化に応じた第１の印加電圧の変動推移の一例を示す説明図である。 図２０は、第５の設定処理に関わるＣＰＵの処理動作の一例を示すフロー図である。

以下、図面に基づいて、本願の開示する光伝送装置及び制御方法の実施例を詳細に説明する。尚、各実施例により、開示技術が限定されるものではない。また、以下に示す各実施例は、矛盾を起こさない範囲で適宜組み合わせても良い。

図１は、実施例１の光伝送装置１の一例を示すブロック図である。図２に示す光伝送装置１は、例えば、ＷＤＭの信号光を送信する光送信器等の伝送装置である。光伝送装置１は、Ｄｒｖ部１１と、光変調部１２と、ＥＤＦＡ（Erbium Doped optical Fiber Amplifier）１３と、光モジュール１４と、タップＰＤ（Photo Diode）１５とを有する。光伝送装置１は、変調光生成部１６と、ポンプ光ＬＤ（Laser Diode）１７と、ＲＯＭ（Read Only Memory）１８と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１９と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２０とを有する。Ｄｒｖ部１１は、電気段のデータ信号を所定振幅レベルまで増幅する。光変調部１２は、Ｄｒｖ部１１のデータ信号で変調光を光変調して信号光を出力する。ＥＤＦＡ１３は、光変調部１２からの信号光を光増幅する。光モジュール１４は、ＥＤＦＡ１３で光増幅後の信号光のレベルを調整するＶＯＡ機能と、信号光のノイズ成分を除去するＴＯＦ機能とを有する。タップＰＤ１５は、光モジュール１４の出力光の一部を電気変換するＰＤである。変調光生成部１６は、光変調部１２に使用する変調光を生成するＬＤである。ポンプ光ＬＤ１７は、ＥＤＦＡ１３に励起するポンプ光を生成する。ＲＯＭ１８は、各種情報等のプログラムを記憶する領域である。ＲＡＭ１９は、各種情報を記憶する領域である。ＣＰＵ２０は、光伝送装置１全体を制御する。

光モジュール１４は、ＴＯＦ(Tunable Optical Filter)３１と、ＶＯＡ(Variable Optical Attenuator)３２と、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)ミラー３３と、ＭＥＭＳ駆動部３４とを有する。光モジュール１４は、単一のＭＥＭＳミラー３３の角度を調整することで、ＴＯＦ３１の透過中心周波数及びＶＯＡ３２の減衰量を調整する。ＴＯＦ３１は、信号光の透過中心周波数を調整するフィルタ等の透過機能である。ＶＯＡ３２は、信号光の減衰量を調整するアンプ等の調整機能である。ＭＥＭＳミラー３３は、２軸で角度を調整し、第１の軸で角度調整することでＴＯＦ３１の透過中心周波数を調整すると共に、第２の軸で角度調整することでＶＯＡ３２の減衰量を調整する二次元のＭＥＭＳミラーである。ＭＥＭＳ駆動部３４は、印加電圧に応じてＭＥＭＳミラー３３を駆動制御するドライバ回路である。ＭＥＭＳ駆動部３４は、第１の印加電圧に応じてＭＥＭＳミラー３３の第１の軸を駆動することで、ＴＯＦ３１の透過中心周波数を調整する。尚、透過中心周波数は、現在使用中周波数の出力光を透過するためのＴＯＦ３１の透過周波数内の中心周波数である。また、ＭＥＭＳ駆動部３４は、第２の印加電圧に応じてＭＥＭＳミラー３３の第２の軸を駆動することで、ＶＯＡ３２の減衰量を調整する。

ＣＰＵ２０は、ＲＯＭ１８に格納されたプログラムを実行することで、機能としてＤｒｖ制御部２１と、変調光制御部２２と、ＡＢＣ（Auto Bias Control）制御部２３と、ポンプ光制御部２４と、ＴＯＦ制御部２５Ａと、ＶＯＡ制御部２５Ｂとを有する。更に、ＣＰＵ２０は、機能として、モニタ部２６と、制御部２７とを有する。Ｄｒｖ制御部２１は、Ｄｒｖ部１１を制御する。変調光制御部２２は、変調光生成部１６を制御する。ＡＢＣ制御部２３は、光変調部１２を制御する。ポンプ光制御部２４は、ポンプ光ＬＤ１７を制御する。ＴＯＦ制御部２５Ａは、第１の印加電圧に応じてＴＯＦ３１の透過中心周波数を調整すべく、ＭＥＭＳ駆動部３４の第１の軸を制御する。ＶＯＡ制御部２５Ｂは、第２の印加電圧に応じてＶＯＡ３２の減衰量を調整すべく、ＭＥＭＳ駆動部３４の第２の軸を制御する。モニタ部２６は、タップＰＤ１５を通じて信号光を電気変換して出力光強度を検出する。制御部２７は、ＣＰＵ２０全体を制御する。ＴＯＦ制御部２５Ａは、モニタ部２６で検出した出力光強度が目標値となるようにＭＥＭＳ駆動部３４に設定する第１の印加電圧を調整する。ＶＯＡ制御部２５Ｂは、検出した出力光強度が目標値となるようにＭＥＭＳ駆動部３４に設定する第２の印加電圧を調整する。

図２は、光伝送装置１内の制御部２７の機能構成の一例を示す説明図である。図２に示す制御部２７は、検出部４１と、取得部４２と、第１の算出部４３と、第２の算出部４４と、生成部４５と、第３の算出部４６と、設定部４７と、部品特性テーブル４８と、関係性テーブル４９とを有する。検出部４１は、減衰量の変化を検出する。取得部４２は、ＭＥＭＳ駆動部３４で出力光の強度が目標値となる基準の印加電圧量ｖａに対する調整量ｄ１を取得する。尚、基準の印加電圧量ｖａは、ＴＯＦ３１の基準の透過中心周波数ｆａを調整する第１の印加電圧であって、例えば、３０Ｖである。基準の透過中心周波数ｆａは、現在送信に使用中の信号光の使用周波数である。

第１の算出部４３は、ＭＥＭＳミラー３３の減衰量が０ｄＢ時での透過中心周波数と印加電圧量との対応関係を示す部品特性を参照し、基準の透過中心周波数ｆａと、調整量ｄ１で調整後の透過中心周波数ｆ１とを特定する。図３は、部品特性の一例を示す説明図である。図３に示す部品特性は、減衰量が０ｄＢ時における光モジュール１４個体のＭＥＭＳミラー３３のＴＯＦ３１の透過中心周波数とＴＯＦ３１を調整する第１の印加電圧の印加電圧量との対応関係を示す部品特性である。尚、説明の便宜上、基準の透過中心周波数ｆａを１９６ＴＨｚ、基準の印加電圧量ｖａを３０Ｖとする。部品特性は、部品特性テーブル４８に格納してあるものとする。第１の算出部４３は、基準の透過中心周波数ｆａと、調整後の透過中心周波数ｆ１との差分で、変化検出時の減衰量ｇ１に伴うズレ量ｃ１を算出する。尚、調整後の透過中心周波数ｆ１は、基準の印加電圧量ｖａに調整量ｄ１を加算し、調整量ｄ１加算後の第１の印加電圧量に対応する透過中心周波数である。

図４は、実施例１の関係性の一例を示す説明図である。生成部４５は、変化検出時の減衰量ｇ１とズレ量ｃ１とを対応付ける座標（３３ｄＢ、ｃ１ＴＨｚ）と原点座標（０ｄＢ，０ＴＨｚ）とを繋げることで関係性を生成する。生成部４５は、生成した関係性を関係性テーブル４９に格納する。

第２の算出部４４は、運用期間中に減衰量の変化を検出した場合に、関係性テーブル４９に格納中の関係性から当該変化検出時の減衰量に対応したズレ量ｃ２を算出する。第２の算出部４４は、運用期間中の減衰量が１３ｄＢの変化を検出した場合、図４に示す関係性から減衰量１３ｄＢに対応したズレ量ｃ２を算出する。第３の算出部４６は、部品特性テーブル４８に格納中の部品特性を参照し、基準の透過中心周波数ｆａの印加電圧量ｖａとズレ後の透過中心周波数ｆ２の印加電圧量ｖ２とを特定する。尚、ズレ後の透過中心周波数ｆ２は、基準の透過中心周波数ｆａにズレ量ｃ２を加算した後の透過中心周波数である。第３の算出部４６は、基準の透過中心周波数ｆａの印加電圧量ｖａと、ズレ後の透過中心周波数ｆ２の印加電圧量ｖ２との差分で調整量ｄ２を算出する。尚、調整量ｄ２は、基準の印加電圧量である第１の印加電圧に加算する電圧である。設定部４７は、基準の印加電圧量ｖａに調整量ｄ２を加算して第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する。その結果、ＭＥＭＳ駆動部３４は、基準の印加電圧量ｖａ＋調整量ｄ２の第１の印加電圧で、減衰量変化に伴うＴＯＦ３１の透過中心周波数のズレを解消するようにＭＥＭＳミラー３３の第１の軸を角度調整する。

図５は、実施例１のＯＦＦ期間、待機期間及び運用期間での出力光の強度変化に応じた第１の印加電圧の変動推移の一例を示す説明図である。ＯＦＦ期間は、光伝送装置１の電源ＯＦＦ状態の期間である。待機期間は、光伝送装置１の電源ＯＮの起動直前の期間である。運用期間は、光伝送装置１の電源ＯＮから立ち上げ期間を経て出力光の通信可能な運用中の期間である。尚、出力光の透過中心周波数は１９６ＴＨｚ、第１の印加電圧の基準の印加電圧量は＋３０Ｖとする。

ＯＦＦ期間では、ＶＯＡ３２の減衰量がＭＡＸの状態であるため、モニタ部２６で検出する出力光強度が－４０ｄＢｍ以下の状態である。待機期間中は、出力光強度を－３０ｄＢｍに維持する必要がある。そこで、ＶＯＡ制御部２５Ｂは、モニタ部２６で検出する出力光強度を－３０ｄＢｍにすべく、ＶＯＡ３２の減衰量をＭＡＸから３３ｄＢに変化すべく、第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する。その結果、ＶＯＡ３２の減衰量を変化した場合、角度の設定誤差で減衰量の変化に伴ってＴＯＦ３１の透過中心周波数にズレが発生する。

設定部４７は、待機期間中にＶＯＡ３２の減衰量の変化を検出した場合、ＴＯＦ３１の透過中心周波数のズレ量を解消すべく、基準の印加電圧（＋３０Ｖ）に調整量ｄ１を加算した第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する。その結果、出力光強度を－３０ｄＢｍに維持しながら、透過中心周波数のズレ量ｃ１を解消できる。この際、生成部４５は、ズレ量ｃ１及び減衰量３３ｄＢの座標と、原点座標とを繋ぐことで図４に示す関係性を生成する。

運用期間では、例えば、出力光強度を＋３ｄＢｍから－１０ｄＢｍへの変化を指示する場合、ＶＯＡ制御部２５Ｂは、ＶＯＡ３２の減衰量を０ｄＢから１３ｄＢに変化する第２の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する。第２の算出部４４は、運用期間中のＶＯＡ３２の減衰量を０ｄＢから１３ｄＢへの変化を検出した場合、図４に示す関係性を参照し、減衰量１３ｄＢに対応したズレ量ｃ２を算出する。第３の算出部４６は、図３に示す部品特性を参照し、ズレ量ｃ２に対応した調整量ｄ２を算出する。設定部４７は、基準の印加電圧量ｖａに調整量ｄ２を加算した第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する。その結果、運用期間中に減衰量の変動を検出した場合でも、減衰量を調整しながら、関係性を参照することで、減衰量の変化に伴う透過中心周波数のズレを迅速に解消できる。

次に実施例１の光伝送装置１の動作について説明する。図６は、生成処理に関わるＣＰＵ２０の処理動作の一例を示すフロー図である。図６に示す生成処理は、運用期間直前の待機期間中に、ＶＯＡ３２の減衰量の変化に伴う透過中心周波数のズレ量から関係性を生成する処理である。

図６において制御部２７内の検出部４１は、出力光強度が第１の所定量以下であるか否かを判定する（ステップＳ１１）。尚、第１の所定量とは、待機期間中に設定される出力光の所定の強度である。検出部４１は、出力光強度が第１の所定量以下の場合（ステップＳ１１肯定）、減衰量の変化を検出したか否かを判定する（ステップＳ１２）。

制御部２７内の設定部４７は、減衰量の変化を検出した場合（ステップＳ１２肯定）、第１の印加電圧量を調整してＭＥＭＳ駆動部３４に設定する（ステップＳ１３）。設定部４７は、モニタ部２６で検出した出力光強度が目標値であるか否かを判定する（ステップＳ１４）。設定部４７は、出力光強度が目標値でない場合（ステップＳ１４否定）、第１の印加電圧を調整してＭＥＭＳ駆動部３４に設定すべく、ステップＳ１３に移行する。

制御部２７内の取得部４２は、目標値時点の第１の印加電圧である基準の印加電圧量ｖａの調整量ｄ１を取得する（ステップＳ１５）。制御部２７内の第１の算出部４３は、図３に示す部品特性を参照し、基準の印加電圧量ｖａに対応する透過中心周波数ｆａと、調整量ｄ１で調整後の印加電圧量ｖ１に対応する透過中心周波数ｆ１とを特定する（ステップＳ１６）。第１の算出部４３は、特定された基準の透過中心周波数ｆａと、調整後の透過中心周波数ｆ１との差分でズレ量ｃ１を算出する（ステップＳ１７）。

生成部４５は、変化検出時の減衰量ｇ１とズレ量ｃ１との対応関係を示す座標Ｘ０を生成し、この座標Ｘ０と原点座標とを結ぶことで関係性を生成する（ステップＳ１８）。更に、生成部４５は、生成した関係性を関係性テーブル４９に記憶し（ステップＳ１９）、図６に示す処理動作を終了する。検出部４１は、出力光強度が第１の所定量以下でない場合（ステップＳ１１否定）、図６に示す処理動作を終了する。検出部４１は、減衰量の変化を検出しなかった場合（ステップＳ１２否定）、図６に示す処理動作を終了する。

図７は、第１の設定処理に関わるＣＰＵ２０の処理動作の一例を示すフロー図である。図７に示す第１の設定処理は、運用期間中に減衰量の変化を検出した場合に、生成した関係性を使用して減衰量変化に伴う透過中心周波数のズレを抑制する印加電圧量をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する処理である。

図７において検出部４１は、減衰量の変化を検出したか否かを判定する（ステップＳ２１）。第２の算出部４４は、減衰量の変化を検出した場合（ステップＳ２１肯定）、図４に示す関係性を参照し、減衰量に対応したズレ量ｃ２を算出する（ステップＳ２２）。

制御部２７内の第３の算出部４６は、図３に示す部品特性を参照し、基準の透過中心周波数ｆａ及び、透過中心周波数ｆａにズレ量ｃ２を加算したズレ後の透過中心周波数ｆ２を特定する（ステップＳ２３）。第３の算出部４６は、部品特性を参照し、基準の透過中心周波数ｆａの印加電圧量ｖａ及び、ズレ後の透過中心周波数ｆ２の印加電圧量ｖ２を特定する（ステップＳ２４）。

第３の算出部４６は、基準の印加電圧量ｖａと、ズレ後の印加電圧量ｖ２との差分で調整量ｄ２を算出する（ステップＳ２５）。第３の算出部４６は、基準の印加電圧量ｖａに調整量ｄ２を加算することで（ステップＳ２６）、加算後の第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定し（ステップＳ２７）、図７に示す処理動作を終了する。検出部４１は、減衰量の変化を検出しなかった場合（ステップＳ２１否定）、図７に示す処理動作を終了する。

実施例１の光伝送装置１は、待機期間中に減衰量の変化を検出した場合に、出力光の強度が目標値となる基準の印加電圧量の調整量を取得し、部品特性を参照し、基準の透過中心周波数及び調整後の透過中心周波数を特定する。更に、光伝送装置１は、特定された基準の透過中心周波数と調整後の透過中心周波数との差分で減衰量の変化に伴うズレ量を算出し、変化検出時の減衰量とズレ量との対応関係を示す座標Ｘ０と原点座標とから関係性を生成する。その結果、光伝送装置１は、待機期間中に生成した関係性を保持しているため、運用期間中に減衰量変化に伴う透過中心周波数のズレ量を迅速に解消できる。

更に、光伝送装置１は、運用期間中に新たな減衰量の変化を検出した場合に、関係性から変化検出時の減衰量に対応したズレ量を算出し、部品特性を参照し、基準の透過中心周波数の印加電圧量及びズレ後の透過中心周波数の印加電圧量を特定する。更に、光伝送装置１は、基準の透過中心周波数の印加電圧量とズレ後の透過中心周波数の印加電圧量との差分で調整量を算出し、算出した調整量を基準の印加電圧量に加算した第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する。その結果、減衰量変化に伴う透過中心周波数のズレ量の解消に要する時間を短縮化して伝送品質の向上を図る。

尚、上記実施例１の光伝送装置１では、待機期間中に生成した１つの座標Ｘ０で関係性を生成したが、待機期間中に複数の座標を取得して複数の座標で関係性を生成しても良く、適宜変更可能である。また、待機期間中でなく、例えば、運用期間中に複数の座標を取得し、取得した複数の座標で関係性を生成しても良く、その実施の形態につき、実施例２として以下に説明する。尚、実施例１と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

図８は、実施例２の制御部２７の機能構成の一例を示す説明図である。図８に示す制御部２７は、検出部４１、取得部４２、第１の算出部４３、第２の算出部４４、生成部４５、第３の算出部４６、設定部４７、部品特性テーブル４８及び関係性テーブル４９の他に、補正部５１を有する。補正部５１は、運用期間中でも関係性に使用する複数の座標を生成し、生成した座標で関係性を補正する。補正部５１は、補正後の関係性を関係性テーブル４９に更新する。

図９は、実施例２の運用期間中の出力光の強度変化に応じた第１の印加電圧の変動推移の一例を示す説明図である。図１０は、実施例２の関係性の一例を示す説明図である。制御部２７は、出力光強度を＋３ｄＢｍから－１０ｄＢｍに変化すべく、ＶＯＡ３２の減衰量が０ｄＢから１３ｄＢへの変化を検出した場合、図４に示す関係性を使用して第１の印加電圧の調整量ｆに応じたズレ量ｃ４を算出する。補正部５１は、変化検出時の減衰量１３ｄＢとズレ量ｃ４との対応関係を示す第１の座標Ｘ１（１３ｄＢ，ｃ４ＴＨｚ）を生成する。補正部５１は、待機期間中に取得した座標Ｘ０（３３ｄＢ，ｃ１ＴＨｚ）と、第１の座標Ｘ１（１３ｄＢ，ｃ４ＴＨｚ）と、原点座標（０ｄＢ，０ＴＨｚ）とを繋げることで関係性を生成し、関係性を関係性テーブル４９に更新する。

次に制御部２７は、出力光強度を－１０ｄＢｍから－４ｄＢｍに変化すべく、ＶＯＡ３２の減衰量が１３ｄＢから７ｄＢへの変化を検出した場合、関係性を使用して第１の印加電圧の調整量ｇに応じたズレ量ｃ５を算出する。補正部５１は、変化検出時の減衰量７ｄＢとズレ量ｃ４との対応関係を示す第２の座標Ｘ２（７ｄＢ，ｃ５ＴＨｚ）を生成する。補正部５１は、座標Ｘ０（３３ｄＢ，ｃ１ＴＨｚ）と、第１の座標Ｘ１（１３ｄＢ，ｃ４ＴＨｚ）と、第２の座標Ｘ２（７ｄＢ，ｃ５ＴＨｚ）と、原点座標（０ｄＢ，０ＴＨｚ）とを繋げることで関係性を生成し、関係性を関係性テーブル４９に更新する。

次に制御部２７は、出力光強度を－４ｄＢｍから－１５ｄＢｍに変化すべく、ＶＯＡ３２の減衰量が７ｄＢから１８ｄＢへの変化を検出した場合、関係性を使用して第１の印加電圧の調整量ｈに応じたズレ量ｃ６を算出する。補正部５１は、変化検出時の減衰量１８Ｂとズレ量ｃ６との対応関係を示す第３の座標Ｘ３（１８ｄＢ，ｃ６ＴＨｚ）を生成する。補正部５１は、座標Ｘ０（３３ｄＢ，ｃ１ＴＨｚ）と、第１の座標Ｘ１（１３ｄＢ，ｃ４ＴＨｚ）と、第２の座標Ｘ２（７ｄＢ，ｃ５ＴＨｚ）と、第３の座標Ｘ３（１８ｄＢ，ｃ６ＴＨｚ）と、原点座標とを繋げることで図１０に示すように関係性を生成する。そして、補正部５１は、生成した関係性を関係性テーブル４９に更新する。その結果、運用期間中に生成した複数の座標を使用して関係性を補正するので、高精度な関係性を取得できる。

次に実施例２の光伝送装置１の動作について説明する。図１１は、第２の設定処理に関わるＣＰＵ２０の処理動作の一例を示すフロー図である。図１１に示す第２の設定処理は、運用期間中に順次生成した複数の座標で関係性を補正する処理である。

図１１において検出部４１は、減衰量の変化を検出したか否かを判定する（ステップＳ３１）。第３の算出部４６は、減衰量の変化を検出した場合（ステップＳ３１肯定）、関係性から減衰量に対応するズレ量ｃ３を算出する（ステップＳ３２）。第３の算出部４６は、図３に示す部品特性を参照し、基準の透過中心周波数ｆａ及び、透過中心周波数ｆａにズレ量ｃ３を加算したズレ後の透過中心周波数ｆ３を特定する（ステップＳ３３）。第３の算出部４６は、基準の透過中心周波数ｆａの印加電圧量ｖａ及び、ズレ後の透過中心周波数ｆ３の印加電圧量ｖ３を特定する（ステップＳ３４）。第３の算出部４６は、基準の印加電圧量ｖａとズレ後の印加電圧量ｖ３との差分で調整量ｄ３を算出する（ステップＳ３５）。

設定部４７は、基準の印加電圧量ｖａに調整量ｄ３を加算し（ステップＳ３６）、加算後の第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する（ステップＳ３７）。設定部４７は、モニタ部２６で検出した出力光強度が目標値であるか否かを判定する（ステップＳ３８）。設定部４７は、出力光強度が目標値でない場合（ステップＳ３８否定）、更に、第１の印加電圧を調整してＭＥＭＳ駆動部３４に設定すべく、ステップＳ３７に移行する。

取得部４２は、目標値時点の第１の印加電圧である基準の印加電圧量ｖａの調整量ｄ４を取得する（ステップＳ３９）。第１の算出部４３は、部品特性を参照し、基準の印加電圧量ｖａに対応する透過中心周波数ｆａと、調整量ｄ４で調整後の印加電圧量ｖ４に対応する透過中心周波数ｆ４とを特定する（ステップＳ４０）。第１の算出部４３は、特定された基準の透過中心周波数ｆａと、調整後の透過中心周波数ｆ４との差分でズレ量ｃ４を算出する（ステップＳ４１）。

制御部２７内の補正部５１は、変化検出時の減衰量ｇ２とズレ量ｃ４との座標を生成し（ステップＳ４２）、生成した座標で関係性テーブル４９に格納中の関係性を補正する（ステップＳ４３）。更に、補正部５１は、補正後の関係性を関係性テーブル４９に記憶し（ステップＳ４４）、図１１に示す処理動作を終了する。検出部４１は、減衰量の変化を検出しなかった場合（ステップＳ３１否定）、図１１に示す処理動作を終了する。

実施例２の光伝送装置１は、運用期間中に算出したズレ量毎に座標を生成し、生成した座標で関係性を補正するので、高精度な関係性を取得できる。その結果、減衰量変化に伴う透過中心周波数のズレ量の解消に要する時間を短縮化して伝送品質の向上を図る。

実施例２の光伝送装置１では、運用期間中に生成した座標で関係性を更新する場合を例示したが、待機期間から運用期間に移行するまでの立ち上げ期間中に生成した複数の座標で関係性を補正しても良い。そこで、その実施の形態につき、実施例３として以下に説明する。尚、実施例２と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

図１２は、実施例３のＯＦＦ期間、待機期間及び立ち上げ期間の出力光の強度変化に応じた第１の印加電圧の変動推移の一例を示す説明図である。立ち上げ期間は、待機期間から運用期間に移行するまでの期間である。尚、図５の運用期間では、開始時に待機期間の出力光強度－３０ｄＢｍから＋３ｄＢｍまで一気に上昇させた場合を例示したが、図１２の立ち上げ期間では、出力光強度を段階的に上昇させる。

制御部２７は、立ち上げ期間中に、出力光強度を－３０ｄＢｍから－１５ｄＢｍに変化すべく、ＶＯＡ３２の減衰量が３３ｄＢから１８ｄＢへの変化を検出した場合、関係性を使用して第１の印加電圧の調整量ｈに応じたズレ量ｃ７を算出する。補正部５１は、変化検出時の減衰量１８ｄＢとズレ量ｃ７との対応関係を示す第１１の座標Ｘ１１（１８ｄＢ，ｃ７ＴＨｚ）を生成する。補正部５１は、待機期間中に取得した座標Ｘ０（３３ｄＢ，ｃ１ＴＨｚ）と、第１１の座標Ｘ１１（１８ｄＢ，ｃ７ＴＨｚ）と、原点座標（０ｄＢ，０ＴＨｚ）とを繋げることで関係性を生成し、関係性を関係性テーブル４９に更新する。

次に制御部２７は、出力光強度を－１５ｄＢｍから－１０ｄＢｍに変化すべく、ＶＯＡ３２の減衰量が１８ｄＢから１３ｄＢへの変化を検出した場合、関係性を使用して第１の印加電圧の調整量ｆに応じたズレ量ｃ８を算出する。補正部５１は、変化検出時の減衰量１３ｄＢとズレ量ｃ８との対応関係を示す第１２の座標Ｘ１２（１３ｄＢ，ｃ８ＴＨｚ）を生成する。補正部５１は、座標Ｘ０（３３ｄＢ，ｃ１ＴＨｚ）と、第１１の座標Ｘ１１（１８ｄＢ，ｃ７ＴＨｚ）と、第１２の座標Ｘ１２（１３ｄＢ，ｃ８ＴＨｚ）と、原点座標（０ｄＢ，０ＴＨｚ）とを繋げることで関係性を生成し、関係性を関係性テーブル４９に更新する。

次に制御部２７は、出力光強度を－１０ｄＢｍから－４ｄＢｍに変化すべく、ＶＯＡ３２の減衰量が１３ｄＢから７ｄＢへの変化を検出した場合、関係性を使用して第１の印加電圧の調整量ｇに応じたズレ量ｃ９を算出する。補正部５１は、変化検出時の減衰量７Ｂとズレ量ｃ９との対応関係を示す第１３の座標Ｘ１３（７ｄＢ，ｃ９ＴＨｚ）を生成する。補正部５１は、座標Ｘ０（３３ｄＢ，ｃ１ＴＨｚ）と、第１１の座標Ｘ１１（１８ｄＢ，ｃ７ＴＨｚ）と、第１２の座標Ｘ１２（１３ｄＢ，ｃ８ＴＨｚ）と、第１３の座標Ｘ１３（７ｄＢ，ｃ９ＴＨｚ）と、原点座標とを繋げることで関係性を生成する。そして、補正部５１は、生成した関係性を関係性テーブル４９に更新する。その結果、立ち上げ期間中に生成した複数の座標を使用して関係性を補正するので、高精度な関係性を取得できる。

次に実施例３の光伝送装置１の動作について説明する。図１３は、第３の設定処理に関わるＣＰＵ２０の処理動作の一例を示すフロー図である。図１３に示す第３の設定処理は、待機期間から運用期間に移行する間の立ち上げ期間で生成した複数の座標で関係性を補正する処理である。

図１３において検出部４１は、出力光強度が第１の所定量以下であるか否かを判定する（ステップＳ３１Ａ）。検出部４１は、出力光強度が第１の所定量以下の場合（ステップＳ３１Ａ肯定）、減衰量の変化を検出したか否かを判定すべく、ステップＳ３１に移行する。また、補正部５１は、ステップＳ４３にて生成した座標で関係性を補正し、補正後の関係性を関係性テーブル４９に記憶し（ステップＳ４４Ａ）、出力光強度が第１の所定量以下であるか否かを判定すべく、ステップＳ３１Ａに移行する。

実施例３の光伝送装置１は、立ち上げ期間中に算出したズレ量毎に座標を生成し、生成した座標で関係性を補正するので、高精度な関係性を取得できる。その結果、減衰量変化に伴う透過中心周波数のズレ量の解消に要する時間を短縮化して伝送品質の向上を図る。

尚、上記実施例１の光伝送装置１では、使用可能な複数の周波数の内、単一の周波数に対する関係性を例示したが、使用可能な周波数毎に関係性を格納しても良く、その実施の形態につき、実施例４として以下に説明する。尚、実施例１と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

図１４は、実施例４の制御部２７の機能構成の一例を示す説明図である。図１４に示す制御部２７は、検出部４１、取得部４２、第１の算出部４３、第２の算出部４４、生成部４５、第３の算出部４６、設定部４７、部品特性テーブル４８及び関係性テーブル４９の代わりに、第４の算出部５２及び割合テーブル５３を有する。

図１５は、実施例４の関係性の一例を示す説明図である。図１５の関係性は、例えば、１９１．０ＴＨｚの周波数対応の関係性と、例えば、１９６．０ＴＨｚの周波数対応の関係性と、１９３．５ＴＨｚの周波数対応の関係性とを有する。

図１６は、割合テーブル５３の一例を示す説明図である。図１６に示す割合テーブル５３は、使用周波数毎のズレ量の割合を記憶する。尚、使用周波数１９１．０ＴＨｚのズレ量を１００％とした場合に、使用周波数１９３．５のズレ量は１９１．０ＴＨｚのズレ量の２０％とし、使用周波数１９６．０ＴＨｚのズレ量は１９１．０ＴＨｚのズレ量の８０％とする。

第４の算出部５２は、ズレ量を算出した場合、現在の使用周波数に応じた割合を割合テーブル５３から取得し、取得した割合をズレ量に乗算することで現在の使用周波数に応じたズレ量を算出する。

次に実施例４の光伝送装置１の動作について説明する。図１７は、第４の設定処理に関わるＣＰＵ２０の処理動作の一例を示すフロー図である。図１７において制御部２７内の検出部４１は、減衰量の変化を検出したか否かを判定する（ステップＳ５１）。第４の算出部５２は、減衰量の変化を検出した場合（ステップＳ５１肯定）、関係性から減衰量に対応したズレ量を算出する（ステップＳ５２）。

第４の算出部５２は、現在の使用周波数の割合を割合テーブル５３から取得する（ステップＳ５３）。第４の算出部５２は、ステップＳ５２に算出したズレ量と、ステップＳ５３にて取得した割合とを乗算することでズレ量を算出する（ステップＳ５４）。

制御部２７内の第３の算出部４６は、図３に示す部品特性を参照し、基準の透過中心周波数ｆａ及び、透過中心周波数ｆａにズレ量を加算したズレ後の透過中心周波数ｆ２を特定する（ステップＳ５５）。第３の算出部４６は、部品特性を参照し、基準の透過中心周波数ｆａの印加電圧量ｖａ及び、ズレ後の透過中心周波数の印加電圧量を特定する（ステップＳ５６）。

第３の算出部４６は、基準の印加電圧量ｖａと、ズレ後の印加電圧量との差分で調整量を算出する（ステップＳ５７）。第３の算出部４６は、基準の印加電圧量ｖａに調整量を加算することで（ステップＳ５８）、加算後の第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定し（ステップＳ５９）、図１７に示す処理動作を終了する。検出部４１は、減衰量の変化を検出しなかった場合（ステップＳ５１否定）、図１７に示す処理動作を終了する。

実施例４の光伝送装置１では、運用中期間中に、新たな減衰量の変化を検出した場合に、現在の使用周波数に対応した関係性を取得し、取得した関係性から当該変化検出時の減衰量に対応するズレ量を算出する。その結果、使用周波数毎に関係性を準備しておくことで、使用周波数に応じて、減衰量変化に伴うズレ量を円滑に解消できる。

例えば、出力光の強度調と使用周波数を「＋３ｄＢｍ、１９６ＴＨｚ」の状態から、「－１０ｄＢｍ、１９１ＴＨｚ」に変化する場合、ＴＯＦ３１の透過中心周波数のズレ量は、（ｃ１ＴＨｚ／３３ｄｍ×１３ｄＢ）×（１００％／８０％）[ＴＨｚ]となる。

尚、図１５に示す使用周波数毎の関係性は、事前に関係性テーブル４９に記憶しておいても良く、出力光の周波数を使用する毎に関係性を生成し、生成した関係性テーブル４９に記憶しても良い。

上記実施例１の光伝送装置１では、運用期間中に減衰量の変化を検出した時点のズレ量を算出し、ズレ量を算出する都度、そのズレ量に基づき、ＴＯＦ３１の制御動作を実行した。しかしながら、ズレ量が第２の所定量よりも大きい場合にのみ、ＴＯＦ３１の制御動作を実行し、ズレ量が第２の所定量よりも大きくない場合に、ＴＯＦ３１の制御動作をスキップしても良く、その実施の形態につき、実施例５として以下に説明する。

図１８は、実施例６の制御部２７の機能構成の一例を示す説明図である。図１８に示す制御部２７は、検出部４１、取得部４２、第１の算出部４３、第２の算出部４４、生成部４５、第３の算出部４６、設定部４７、部品特性テーブル４８、関係性テーブル４９及び補正部５１の他に、判定部５４を有する。判定部５４は、関係性から算出したズレ量が第２の所定量よりも大きいか否かを判定する。第３の算出部４６は、関係性から算出したズレ量が第２の所定量よりも大きい場合、調整量を算出するＴＯＦ３１の制御動作を実行する。これに対して、第３の算出部４６は、関係性から算出したズレ量が第２の所定量よりも大きくない場合、ＴＯＦ３１の制御動作をスキップする。

図１９は、実施例６の運用期間中の出力光の強度変化に応じた第１の印加電圧の変動推移の一例を示す説明図である。制御部２７は、運用期間中に、出力光強度を＋３ｄＢｍから－１０ｄＢｍに変化すべく、ＶＯＡ３２の減衰量が０ｄＢから１３ｄＢへの変化を検出した場合、関係性を使用して減衰量１３ｄＢに応じたズレ量を算出する。判定部５４は、ズレ量が第２の所定量よりも大きいか否かを判定する。第３の算出部４６は、ズレ量が第２の所定量よりも大きい場合、図３に示す部品特性を参照し、ズレ量に対応した調整量を算出する。設定部４７は、基準の印加電圧量ｖａに調整量を加算した第１の印加電圧をＭＥＭＳ駆動部３４に設定する。

制御部２７は、運用期間中に、出力光強度を－１０ｄＢｍから－９ｄＢｍに変化すべく、ＶＯＡ３２の減衰量が１３ｄＢから１２ｄＢへの変化を検出した場合、関係性を使用して減衰量１２ｄＢに応じたズレ量を算出する。判定部５４は、ズレ量が第２の所定量よりも大きいか否かを判定する。第３の算出部４６は、ズレ量が第２の所定量よりも大きくない場合、調整量の算出動作をスキップする。その結果、ズレ量が最小限のため、制御部２７の処理負担を軽減できる。

次に実施例６の光伝送装置１の動作について説明する。図２０は、第５の設定処理に関わるＣＰＵ２０の処理動作の一例を示すフロー図である。図２０において制御部２７内の第２の算出部４４は、関係性から減衰量に対応するズレ量ｃ２を算出する（ステップＳ２２Ａ）。制御部２７内の判定部５４は、関係性から算出した減衰量に対応するズレ量ｃ２が所定量を超えたか否かを判定する（ステップＳ６１）。第３の算出部４６は、ズレ量ｃ２が所定量を超えた場合（ステップＳ６１肯定）、部品特性から、基準の透過中心周波数及びズレ量対応の透過中心周波数を特定し（ステップＳ２３Ａ）、部品特性から印加電圧量を特定すべく、ステップＳ２４に移行する。第３の算出部４６は、ズレ量ｃ２が所定量を超えたのでない場合（ステップＳ６１否定）、調整量の算出動作をスキップし、図２０に示す処理動作を終了する。

実施例６の光伝送装置１は、減衰量の変化を検出し、関係性から減衰量に対応したズレ量を算出し、ズレ量が第２の所定量を超えた場合に、ＴＯＦ３１の制御動作を実行する。更に、光伝送装置１は、ズレ量が第２の所定量を超えなかった場合、ＴＯＦ３１の制御動作をスキップする。その結果、ＴＯＦ３１の制御動作に要する制御部２７の処理負担を軽減できる。

尚、実施例６の光伝送装置１では、ズレ量が第２の所定量を超えたか否かを判定する場合を例示した。しかしながら、減衰量の変化量が閾値を超えたか否かを判定し、変化量が閾値を超えた場合にＴＯＦ３１の制御動作を実行し、変化量が閾値を超えなかった場合にＴＯＦ３１の制御動作をスキップしても良く、適宜変更可能である。

尚、ＥＤＦＡ１３等の光増幅器を使用したが、ＥＤＦＡ１３に限定されるものではなく、例えば、ツリウム添加ファイバ増幅器、プラセオジム添加ファイバ増幅器等、半導体光増幅器やラマン増幅器等を使用しても良く、適宜変更可能である。

また、図示した各部の各構成要素は、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各部の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況等に応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。

１ 光伝送装置
１４ 光モジュール
２７ 制御部
３１ ＴＯＦ
３２ ＶＯＡ
３３ ＭＥＭＳミラー
３４ ＭＥＭＳ駆動部
４１ 検出部
４２ 取得部
４３ 第１の算出部
４４ 第２の算出部
４５ 生成部
４６ 第３の算出部
４７ 設定部
４８ 部品特性テーブル
４９ 関係性テーブル
５１ 補正部
５２ 第４の算出部
５４ 判定部

Claims (7)

1. 出力光の強度を調整する調整機能の減衰量と、前記出力光を透過する透過機能の透過周波数とを調整するミラーと、
   印加電圧に応じて前記透過機能の透過周波数を駆動制御する駆動制御部と、
   前記減衰量の変化を検出した場合に、前記出力光の強度が目標値となると共に、前記透過機能の基準となる透過周波数を調整する基準の電圧量の調整量を取得する取得部と、
   前記減衰量が零時での透過周波数と電圧量との対応関係を示す前記ミラーの部品特性を参照し、現在送信に使用中の出力光の使用周波数である基準の透過周波数及び前記調整量で調整後の透過周波数を特定し、特定された前記基準の透過周波数と前記調整後の透過周波数との差分で、前記減衰量の変化に伴うズレ量を算出する第１の算出部と、
   前記変化検出時の前記減衰量と前記ズレ量との対応関係を示す座標と原点座標とから関係性を生成する生成部と、
   新たな減衰量の変化を検出した場合に、前記関係性から当該変化検出時の減衰量に対応したズレ量を算出する第２の算出部と、
   前記部品特性を参照し、前記基準の透過周波数の電圧量及び、当該基準の透過周波数から前記ズレ量を加算したズレ後の透過周波数の電圧量を特定し、前記基準の透過周波数の電圧量と前記ズレ後の透過周波数の電圧量との差分で調整量を算出する第３の算出部と、
   前記算出した調整量を前記基準の電圧量に加算した前記印加電圧を前記駆動制御部に設定する設定部と
   を有することを特徴とする光伝送装置。
2. 前記取得部は、
   前記光伝送装置が起動する直前の待機期間中に前記減衰量の変化を検出した場合に、前記出力光の強度が目標値となる前記基準の電圧量の前記調整量を取得することを特徴とする請求項１に記載の光伝送装置。
3. 前記光伝送装置の起動後の運用期間中に前記減衰量の変化を検出した場合に、前記出力光の強度が目標値となる前記基準の電圧量の前記調整量を取得する前記取得部と、
   前記部品特性を参照し、前記基準の透過周波数及び前記調整後の透過周波数を特定し、特定された前記基準の透過周波数と前記調整後の透過周波数との差分でズレ量を算出する前記第１の算出部と、
   前記変化検出時の前記減衰量と前記ズレ量との対応関係を示す座標で前記関係性を補正する補正部と
   を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光伝送装置。
4. 前記光伝送装置が起動して運用期間に到達するまでの立ち上げ期間中に前記減衰量の変化を検出した場合に、前記出力光の強度が目標値となる前記基準の電圧量の前記調整量を取得する前記取得部と、
   前記部品特性を参照し、前記基準の透過周波数及び前記調整後の透過周波数を特定し、特定された前記基準の透過周波数と前記調整後の透過周波数との差分でズレ量を算出する前記第１の算出部と、
   前記変化検出時の前記減衰量と前記ズレ量との対応関係を示す座標で前記関係性を補正する補正部と
   を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光伝送装置。
5. 使用周波数毎の前記関係性を記憶する記憶部と、
   前記新たな減衰量の変化を検出した場合に、現在の使用周波数に対応した前記関係性を記憶部から取得し、取得した関係性から当該変化検出時の減衰量に対応するズレ量を算出する第４の算出部と
   を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光伝送装置。
6. 前記第２の算出部にて前記関係性から算出した前記ズレ量が所定量を超えたか否かを判定する判定部と、
   前記ズレ量が前記所定量を超えた場合に、前記第３の算出部の算出動作を実行すると共に、前記ズレ量が前記所定量を超えなかった場合に、前記第３の算出部の算出動作をスキップする制御部と
   を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光伝送装置。
7. 出力光の強度を調整する調整機能の減衰量と、前記出力光を透過する透過機能の透過周波数とを調整するミラーと、印加電圧に応じて前記透過機能の透過周波数を駆動制御する駆動制御部とを有する光伝送装置が、
   前記減衰量の変化を検出した場合に、前記出力光の強度が目標値となると共に、前記透過機能の基準となる透過周波数を調整する基準の電圧量の調整量を取得し、
   前記減衰量が零時での透過周波数と電圧量との対応関係を示す前記ミラーの部品特性を参照し、現在送信に使用中の出力光の使用周波数である基準の透過周波数及び前記調整量で調整後の透過周波数を特定し、特定された前記基準の透過周波数と前記調整後の透過周波数との差分で、前記減衰量の変化に伴うズレ量を算出し、
   前記変化検出時の前記減衰量と前記ズレ量との対応関係を示す座標と原点座標とから関係性を生成し、
   新たな減衰量の変化を検出した場合に、前記関係性から当該変化検出時の減衰量に対応したズレ量を算出し、
   前記部品特性を参照し、前記基準の透過周波数の電圧量及び、当該基準の透過周波数から前記ズレ量を加算したズレ後の透過周波数の電圧量を特定し、前記基準の透過周波数の電圧量と前記ズレ後の透過周波数の電圧量との差分で調整量を算出し、
   前記算出した調整量を前記基準の電圧量に加算した前記印加電圧を前記駆動制御部に設定する
   処理を実行することを特徴とする制御方法。

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