JP5485741B2 - 電子部品用セパレータの製造方法 - Google Patents
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Description
前記捕捉粒子とフッ化ビニリデンとの質量比率(捕捉粒子/フッ化ビニリデン)が19以下であることが好ましい。
また、前記捕捉粒子が、アルカリ土類金属の炭酸塩であり、特に炭酸リチウムであることが好ましい。
上記良溶媒を蒸発させるための第1の乾燥は、例えば、良溶媒がN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)である場合には、150〜180℃で1〜5分間行なう。一方、貧溶媒を蒸発させるための第2の乾燥は、例えば、貧溶媒がオクタノールである場合には、190〜220℃で1〜5分間行なう。なお、第2の乾燥は、良溶媒が完全に蒸発した後でなくとも、良溶媒が概ね蒸発した時点から行なってもよい。
また、良溶媒と貧溶媒との質量比(良溶媒/貧溶媒)は、例えば5/95〜40/60であり、好ましくは10/90〜20/80である。質量比を上記範囲にすることにより、セパレータに適度な空隙率を確保できるので、セパレータのイオン伝導性を向上させることができる。
また、捕捉粒子の平均粒径は、例えば、1nm〜10μmであり、好ましくは、10nm〜10μmであり、さらに好ましくは、0.1〜5μmである。特に捕捉粒子の平均粒子径は3μm以下が望ましい。平均粒子径が小さいほど比表面積が大きくなり、負極活性阻害物質であるフッ酸の捕捉性が良好となる。一方、3μmより大きくなると、セパレータを形成する孔をふさいでしまう頻度が高くなり、イオン移動を阻害する可能性が高くなる。なお、捕捉粒子の平均粒径とは、例えば、レーザ回折/散乱式粒度分布測定装置などを用いて測定される平均二次粒径である。
実施例2において、炭酸リチウム粒子を含まず、他の条件は同様にして比較例1のセパレータを得た。空隙率は85%、透気度は2sec/100ccであり、外観上、ムラが多く、均一性にかけるものであった。
実施例1において、貧溶媒をエチレングリコールに変えた以外は、全て同様にして成膜したが、透気度が無限大となったほか、空隙率は2%となり、実質的に内部に空隙を有せず、従ってイオン伝導が不可能な非多孔質膜であり、セパレータとして機能しないことが確認された。
前記実施例1、2及び比較例1のセパレータを使用してコイン型セルを試作し、3.5Vまで充電し、10日間放置後の電圧低下を確認した。結果について表1に記す。
Claims (4)
- フッ化ビニリデンと、非プロトン性極性溶媒からなる良溶媒と、炭素数5〜12のアルコールからなる貧溶媒と、フッ酸を捕捉する捕捉粒子とを混合して混合溶液を得る工程と、前記混合溶液を基体上に塗布し、良溶媒を蒸発させることによって樹脂フィルムを形成する工程と、前記樹脂フィルム中の貧溶媒を蒸発させる工程とを備えることを特徴とする電子部品用セパレータの製造方法。
- 前記捕捉粒子とフッ化ビニリデンとの質量比率(捕捉粒子/フッ化ビニリデン)が19以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子部品用セパレータの製造方法。
- 前記捕捉粒子が、アルカリ土類金属の炭酸塩であることを特徴とする請求項1に記載の電子部品用セパレータの製造方法。
- 前記アルカリ土類金属の炭酸塩が、炭酸リチウムであることを特徴とする請求項3に記載の電子部品用セパレータの製造方法。
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