JP5482082B2 - 集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態は、強誘電体キャパシタの下部電極としてPt膜を有するFRAMの製造方法に関する。図1乃至13は、本実施の形態のFRAMの製造方法を説明する工程断面図である。図14は、本実施の形態のFRAMの強誘電体キャパシタ群の平面図である。
(i)セルトランジスタ及び強誘電体膜等の形成工程(図1(a)参照)
まず、図1(a)に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
次に、図6(b)に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
・塩素(Cl2)ガス流量 ・・・ 10 sccm
・アルゴン(Ar)ガス流量 ・・・ 50 sccm
・圧力 ・・・ 0.7 Pa
・ソース周波数 ・・・ 13.56 MHz
・ソース高波数のパワー ・・・ 1400W
・バイアス周波数 ・・・ 400 KHz
・バイアス高波数のパワー ・・・ 800W
このRIEにより、図2(a)に示すように、フォトレジスト膜20の形状に対応して、酸化イリジウム膜10がエッチングされる。その後、酸素(O2)と窒素(N2)の混合ガスをプラズマ化し、このプラズマにフォトレジスト膜20を曝す。このアッシング処理により、図2(b)に示すように、フォトレジスト膜20が除去される。以上の工程により、上部電極18が形成される。
次に、図7(b)に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
次に、図10に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
・C4F8ガス流量 ・・・ 30 sccm
・アルゴン(Ar)ガス流量 ・・・ 50 sccm
・圧力 ・・・ 350 mTorr
・高周波周波数 ・・・ 380 KHz
・高周波パワー ・・・ 1000W
このRIEにより、図9に示すように、フォトレジスト膜42の開口部に対応して、コンタクトホール44a,44bが形成される。この時、上部電極18の上に、第2のAlO膜26及び第3のAlO膜29が残存しないように、上部電極18をオーバーエッチングする。同様に、第2のAlO膜26及び第3のAlO膜29が下部電極14の上に残存しないように、下部電極14(Pt膜6)を20〜30nmオーバーエッチングする。このオーバーエッチングにより、Pt粒子24cが発生し、フォトレジスト膜42の上に堆積する。
次に、図12に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
・研磨速度 ・・・ 300nm/min
・圧力 ・・・ 5.5psi
このように、本工程において積層絶縁膜40に施すCMPは、集積回路装置の層間絶縁膜に施される通常のCMPと同じである。このCMPにより、Pt粒子24cは、積層絶縁膜40の表面から、機械的に除去される(図11参照)。尚、金属粒子であるPt粒子24cは、絶縁膜用の上記CMPにより化学的に除去されることはない。
次に、図13に示す構造を形成するまでの工程を説明する。
その後、上述した第2層目の層間絶縁膜30の形成工程、「(2)コンタクトホール形成工程」、及び「(4)配線層形成の工程」と同様の工程を繰返して、多層配線構造を形成する。最後に、この多層配線構造の表面をパッシベーション膜で覆い、本実施の形態のFRAMを完成する。
図15は、本実施の形態のFRAMの疲労特性を説明する図である。横軸は、FRAMに“1”と“0”を交互に書き込んだ回数である。縦軸は、“1”と“0”の書き込みを横軸に示す回数を繰り返した後、強誘電体キャパシタに発生する残留分極量を測定した値である。実線48aは、下部電極14の露出部分(強誘電体層16で覆われていない部分)から第1列目に属する強誘電体キャパシタの残留分極量である(図14参照)。同じく、実線50a及び実線52aは、夫々、下部電極14から第5列目及び第10列目に属する強誘電体キャパシタの残留分極量である。
D×0.06 < T< D×0.10
を満たすことが好ましい。
D×0.06 < T< D×0.14
を満たすことが好ましい。例えば、孔の径Dが500nmの場合には、Tは30nmから70nmが好ましい。
本実施の形態も、実施の形態1と同様、強誘電体キャパシタの下部電極としてPt膜を有するFRAMの製造方法に関する。図17及び18は、本実施の形態のFRAMの製造方法を説明する工程断面図である。以下、実施の形態1との相違点を中心に、本実施の形態の製造法を説明する。
以上の例では、積層絶縁膜40に施すCMPを、AlO膜で形成したストップ層により停止している。しかし、このようなストップ層を含まない積層絶縁膜40を形成し、この積層絶縁膜40にCMPを施してもよい。
白金族金属膜の上方に第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、
前記第1の絶縁膜に、前記白金族金属膜に達する孔を形成する第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記第1の絶縁膜に化学的機械的研磨を施す第3の工程を有する、
集積回路装置の製造方法。
付記1に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第1の工程において、前記白金族金属膜の上方に強誘電体膜と、貴金属膜又は貴金属酸化膜を順次形成した後、前記貴金属膜又は前記貴金属酸化膜と強誘電体膜の一部を除去して前記白金族金属膜を露出させ、露出した前記白金族金属膜及び前記強誘電体膜の上方に前記第1の絶縁膜を形成することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
付記1又は2に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第1の工程において、前記白金族金属膜の上方に、第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜より研磨され難くい研磨ストップ膜膜と、前記研磨ストップ膜より研磨され易い第3の絶縁膜とを順次積層して前記第1の絶縁膜を形成し、
前記第3の工程において、前記第1の絶縁膜に化学的機械的研磨を施して、前記第3の絶縁膜を除去することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
付記1乃至3のいずれか1項に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第2の工程の後に、前記孔を充填材で満たす第4の工程を有し、
前記第4の工程の後に前記第3の工程を実施し、
前記第3の工程の後、前記孔から前記充填材を除去し、その後前記孔に導電性部材を充填する第5の工程を有することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
付記3又は4に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第2の絶縁膜が、酸化シリコン膜であり、
前記研磨ストップ膜が、
酸化アルミニウム膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜、窒化アルミニウムチタン膜からなる群から選択されるいずれかの膜であり、
前記第3の絶縁膜が、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、及び酸化シリコン膜からなる群から選択されるいずれかの絶縁膜であることを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
白金族金属膜の上に強誘電膜と電極膜を順次形成し、前記電極膜と前記強誘電体膜と前記白金族金属膜夫々の一部に除去して、前記白金族金属膜の一部が露出した強誘電体キャパシタを形成する第1の工程と、
前記強誘電体キャパシタ上に水素バリア膜を形成する第2の工程と、
前記水素バリア膜の上に第1の絶縁膜を形成する第3の工程と、
前記第1の絶縁膜に化学的機械的研磨を施して、前記第1の絶縁膜を平坦化する第4の工程と、
平坦化された前記第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜を形成する第5の工程と、
前記第2の絶縁膜と前記第1の絶縁膜と前記水素バリア膜を貫通し、前記白金族金属膜に達する孔を形成する第6の工程と、
前記6の工程の後に、前記第2の絶縁膜に化学的機械的研磨を施す第7の工程を有する、
集積回路装置の製造方法。
付記6に記載の集積回路装置の製造方法において
前記第5の工程において、平坦化された前記第1の絶縁膜上に、
第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜より研磨され難くい研磨ストップ膜と、前記研磨ストップ膜より研磨され易い第4の絶縁膜とを順次積層して前記第2の絶縁膜を形成し、
前記第7の工程において、前記第2の絶縁膜に化学的機械的研磨を施して、前記第4の絶縁膜を除去することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
付記7に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記第3の絶縁膜が、酸窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜であり、
前記研磨ストップ膜が、酸化アルミニウム膜、酸化チタン膜、窒化チタン膜、窒化アルミニウムチタン膜からなる群から選択されるいずれかの膜であり、
第4の絶縁膜が、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、及び酸化シリコン膜からなる群から選択されるいずれかの絶縁膜であることを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
付記8に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記研磨ストップ膜が、酸化アルミニウム膜又は酸化チタン膜であって、
前記研磨ストップ膜の厚さTが、前記孔の直径をDとすると、式
D×0.06 < T< D×0.10
を満たすことを特徴とする集積回路装置の製造方法。
付記8に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記研磨ストップ膜が、窒化チタン膜又は窒化アルミニウムチタン膜であって、
前記研磨ストップ膜の厚さTが、前記孔の直径をDとすると、式
D×0.06 <T< D×0.14
を満たすことを特徴とする集積回路装置の製造方法。
8 ・・・ PZT膜
12 ・・・ 強誘電体キャパシタ群
14 ・・・ 下部電極
16 ・・・ 強誘電体層
18 ・・・ 上部電極
30・・・第2層目の層間絶縁膜
34 ・・・ 第1のSION膜
36 ・・・ 第4のAlO膜
38 ・・・ 第2のSION膜
40 ・・・ 積層絶縁膜
44a,44b ・・・ コンタクトホール
46 ・・・ 配線
54 ・・・ 充填材
Claims (3)
- 基板上に白金を有する第1の電極膜を形成する工程と、
前記第1の電極膜上に強誘電体膜を形成する工程と、
前記強誘電体膜上に第2の電極膜を形成する工程と、
前記第2の電極膜及び前記強誘電体膜の一部を除去して、上部電極を形成しつつ、前記第1の電極膜を露出する工程と、
前記第1の電極膜の一部を除去して下部電極を形成する工程と、
前記下部電極を形成する工程の後、前記下部電極の上方に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、前記第1の絶縁膜とは異なる第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に、前記第1の電極膜に達する孔を形成する工程と、
前記孔を形成する工程の後に、前記第1の絶縁膜を研磨する速度より前記第2の絶縁膜を研磨する速度が速い条件で、前記第2の絶縁膜を研磨する工程を有する、
集積回路装置の製造方法。 - 請求項1に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記露出する工程の後であって前記第1の絶縁膜を形成する工程の前に、前記第1の電極膜の上方に前記第1の絶縁膜とは異なる第3の絶縁膜を形成する工程を有することを
特徴とする集積回路装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の集積回路装置の製造方法において、
前記孔を形成する工程の後であって前記第2の絶縁膜を研磨する工程の前に、前記孔内に充填材を形成する工程を有し、
前記第2の絶縁膜を研磨する工程の後、前記孔から前記充填材を除去し、その後前記孔に導電性部材を形成する工程を有することを、
特徴とする集積回路装置の製造方法。
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