JP5470628B2 - 基材の表面を高疎水性にする、基材の表面処理方法 - Google Patents
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Description
cosθA=rf1cosθ1−f2
F3C(CF2)a(CH2)bSiX3
ここで、aは5〜20、bは2〜5、Xは加水分解が可能なクロライド、メトキシ又はエトキシである。aとbとの和が7以下である場合、シラン分子間のファン・デル・ワールス(van der waals)結合力が低下して、自己組織化単分子膜内の分子の密集度が低下し、表面の高い疎水性や耐熱性及び耐久性が減少するようになる。末端のCF3は、表面処理された後に最も外側に露出して表面特性を決定する官能基であって、このようなシランの場合、表面エネルギー値が11mJ/m2程度を示す。シランの反応基であるXは、加水分解されて水酸基に置換され、置換された水酸基は、基材表面の水酸基と脱水縮合反応して強力な−Si−O−のシロキサン結合を有するようになる。また、3つのX基の種類が互いに異なる場合には、各分子が水酸基への置換率又は反応性に大きな差を見せながら体系的に単分子膜を形成するのではなく、3次元的に複雑でかつ荒い構造を構築しつつ互いに結合するようになる。このような場合、官能基もまた最も外側に全て露出せず、一部は、この構造内に埋められるようになり、かつ高疎水性も低下し、他の特性も低下する。
ここで、cは9〜23であり、Xは加水分解が可能なクロライド、メトキシ又はエトキシである。XはOS1と同じ理由で1種類の基に統一されることが好ましい。cが7以下である場合には、基材に結合される分子の炭素鎖間のファン・デル・ワールス(van der waals)結合力の不足で鎖が完全に伸び(fully extended)ずに、基材面に横たわるか、曲げられる場合が生じる。この場合、分子の表面結合の密集度が低下するにつれて、分子膜上の水が分子膜間にある程度侵入しつつ、基材の結合されない高親水性水酸基を感知し影響を受けるようになり、これにより疎水性特性が低下する。結局、OS2は、水と直接的に接触しないが、基材のOS1と反応しない高親水性水酸基と結合して、基材を水から効果的に遮蔽させ、OS1が相分離されつつ島(island)あるいはドメイン(domain)構造を有するようにするのに重要な役割を果たす。OS2が高さ方向においてOS1と段差を有しつつマトリクスを形成するためには、OS1より炭素鎖において炭素数差が少なくとも2以上にならなければならない。ここで、官能基であるCH3の表面エネルギーは、21mJ/m2程度である。
以下、実施例と比較例にて本発明をさらに詳細に説明する。
高疎水性表面処理のための基材として、シリコンウェハ(silicon wafer)(5cm×5cm)を使用した。表面の有機汚染物質の除去及び水酸基の活性化のために、上記ウェハをピラニア(piranha)溶液(H2SO4/H2O2=70/30 v/v)に30分程度浸した後に取り出して、これを脱イオン水(DI water)で十分に洗い流した後に、窒素ガスを吹付けて乾燥させた。本実施例に使用された2種類の有機シランは、CF3(CF2)10(CH2)2SiCl3(FTCS)とCH3(CH2)9SiCl3(DTCS)である。ミネラルオイル(mineral oil)3gに上記2つの有機シラン200μlずつを入れて十分にかき回した後、混合物をデシケーター(desiccator)に入れて真空ポンプを使用して10mTorrを維持しつつ、溶液中に含まれている気泡を除去した。気泡を予め除去せずに直ちに化学気相蒸着を実行すると、圧力が低下するにつれて、気泡が急激に沸くようになり、それにより、有機シラン分子の不規則的で不均一な気化がコーティング膜の質に悪影響を及ぼすおそれがある。このために、予め溶液から気体を抜き(degas)、その後に真空状態を開放し、前記溶液の表面に対して、ピラニア(piranha)溶液で洗浄されたシリコンウェハの面(表面処理されるべき面)を向けるように、ひっくり返した状態で、チャンバー(chamber)中に付けて置く。チャンバーがその後に再度真空状態にされ、10mTorrを維持された状態で、1時間程度蒸着を行った。表面処理されたシリコンウェハをオーブンに入れて80℃で5時間程度硬化させた。シリコンウェハをヘキサン溶媒に入れて超音波洗浄機を使用して2分程度洗浄して、シリコンウェハ上に物理的に吸着されている可能性のある有機シラン分子を除去した。そして、シリコンウェハに窒素ガスを吹付けて乾燥させた。
比較例では、実施例と同様の方法で、ピラニア(piranha)溶液で洗浄されたシリコンウェハに、CF3(CF2)10(CH2)2SiCl3のみを使用して化学気相蒸着を行った。また、硬化及び超音波洗浄も、実施例のように行った。
Claims (6)
- 基材の表面を高疎水性にする、前記基材の表面処理方法であって、
CF3基を官能基として有する有機シランと前記有機シランより炭素鎖長が短くCH3基を官能基として有する有機シランとを使用して、化学気相蒸着によって混合自己組織化単分子膜を形成することによって高疎水性の表面を得ることを特徴とし、
前記CF 3 基を官能基として有する有機シランの化学式は、F 3 C(CF 2 ) a (CH 2 ) b SiX 3 で、ここで、aは5〜20、bは2〜5、Xは加水分解が可能なクロライド、メトキシ又はエトキシであり、
前記CH 3 基を官能基として有する有機シランの化学式は、H 3 C(CH 2 ) c SiX 3 で、ここで、cは9〜23、Xは加水分解が可能なクロライド、メトキシ又はエトキシである、表面処理方法。 - 前記基材は、石英、シリコンウェハ、ガラス、セラミック、ガラス−セラミック、無機金属酸化物、活性化されたプラスチック及びそれらのフィルムであることを特徴とする、請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記CF3基を官能基として有する有機シランと前記CH3基を官能基として有する有機シランとの表面結合過程から自発的に生じる相分離を介してロータス効果を具現することによって高疎水性を達成することを特徴とする、請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記CF3基を官能基として有する有機シランの炭素鎖と、前記CH3基を官能基として有する有機シランの炭素鎖と、の間の炭素数の差が2以上であり、前記混合自己組織化単分子膜中の前記各有機シランからなる相の高さの差が前記基材の表面上で高疎水性をもたらすことを特徴とする、請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記有機シランの前記基材に対する結合を強化するために、前記化学気相蒸着後に硬化工程をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の表面処理方法。
- 前記有機シランにより生じる表面粗度のRMS(二乗平均平方根)値が0.5nm〜1nmであることを特徴とする、請求項1〜5の何れか1項に記載の表面処理方法。
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