JP5456913B2 - 高純度ランタンの製造方法 - Google Patents
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Description
ランタンの原子番号は57、原子量138.9の白色の金属であり、常温で複六方最密構造を備えている。融点は921°C、沸点3500°C、密度6.15g/cm3であり、空気中では表面が酸化され、水には徐々にとける。熱水、酸に可溶である。延性はないが、展性はわずかにある。抵抗率は5.70×10−6Ωcmである。445°C以上で燃焼して酸化物(La2O3)となる(理化学辞典参照)。
ランタン金属は精製時に酸化し易いという問題があるため、高純度化が難しい材料であり、高純度製品は存在していなかった。また、ランタン金属を空気中に放置した場合には短時間で酸化し黒色に変色するので、取り扱いが容易でないという問題がある。
最近、次世代のMOSFETにおけるゲート絶縁膜として薄膜化が要求されているが、これまでゲート絶縁膜として使用されてきたSiO2では、トンネル効果によるリーク電流が増加し、正常動作が難しくなってきた。
このために、ターゲット作製後、すぐ真空パックするか又は油脂で覆い酸化防止策を講ずる必要があるが、これは著しく煩雑な作業である。このような問題から、ランタン元素のターゲット材は、実用化に至っていないのが現状である。特許文献としては、本出願人による下記3件(特許文献2〜特許文献5)が存在する。
パーティクル発生は、メタルゲート膜や半導体素子及びデバイスの不良率を劣化させる原因となる。ランタンに含まれる炭素(グラファイト)が固形物であることから、特に問題であり、この炭素(グラファイト)は、導電性を有するため、検知が難しく、低減化が求められる。
下記特許文献5には、ランタン原料を酸洗浄及び超音波洗浄した後、電子ビーム溶解してAl、Fe、Cuの含有量を、それぞれ100wtppmにする記載がある。その実施例2では、Al:5.5wtppm、Fe:3.5wtppm、Cu:2.8wtppmを達成している。この特許文献5は、これらの元素の低減化に大きく貢献しており、著しい前進であった。しかし、さらに高純度化のレベルの向上を図ることが必要とされ、その向上化の方法を探査(研究)し、開発する必要があった。
溶融塩電解浴としては、塩化カリウム(KCl)、塩化リチウム(LiCl)、塩化ランタン(LaCl3)から選択した1種以上の電解浴を使用することができる。また、溶融塩電解を行うに際しては、Ta製のアノードを使用することができる。
以上により、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、ランタン中のアルミニウム(Al)、鉄(Fe)及び銅(Cu)が、それぞれ1wtppm以下である高純度ランタンを得ることができる。
しかしながら、これらの希土類元素は性質が近似しているが故に、希土類元素合計で100wtppm未満であれば、電子部品材料としての使用に際し、特に問題となるものでない。したがって、本願発明のランタンは、このレベルの希土類元素の含有は許容される。
また、本願発明は、α線カウント数が0.001cph/cm2以下であること、すなわち高純度ランタンであって、希土類元素及びガス成分を除いた純度が5N以上であり、α線カウント数が0.001cph/cm2以下である高純度ランタンを得ることができる。
MOSFETにおけるゲート絶縁膜として利用する場合には、上記の通り、形成するのは主としてLaOx膜である。このような膜を形成する場合において、任意の膜を形成するという、膜形成の自由度を増すために、純度の高いランタン金属が必要となる。本願発明は、これに適合する材料を提供することができる。したがって、本願発明の高純度ランタンは、ターゲットの作製時において、他の物質との任意の組み合わせを包含するものである。
さらに、本願発明は、ランタン中の酸素濃度が500wtppm以下、である金属ランタン、特に酸化物の凝集部に起因する色むらがない金属ランタンを提供するものである。
これは、ランタンインゴットを機械加工してスパッタリングターゲットを切出した場合に、一部変色部分(色むら)が存在する。この色むら部分を分析して調べると、酸化物であることが確認された。
しかし、多くの場合、ランタンは上記のようにガス成分に起因する偏析は避けなければならない。これを達成することを目的とするものである。
これによって、前記インゴットを、さらに所定サイズに裁断し、研磨工程を経てスパッタリングターゲットにする。これによって、不純物の偏析がなく均質である金属ランタンスパッタリングターゲットを得ることができる。
また、ターゲットに不純物に起因する偏析がないので、パーティクルの発生を抑制できる。これらのスパッタリングターゲット及びメタルゲート膜は、いずれも新規な物質であり、本願発明はこれを包含するものである。
本願発明は、上記ランタンの純度を高め、5N以上の純度を達成するために溶融塩電解を行う。溶融塩電解の装置の一例を、図1に示す。この図1に示すように、装置の下部にTa製のアノードを配置する。カソードにはTaを使用する。
なお、電解浴・電析物と触れる部分は、汚染防止のためすべてTa製とする、他の金属の溶融塩電解で用いられるTi、Ni等はLaと合金を造りやすいため適当で無い。
La原料と電析を分離するためのバスケットを中央下部に配置する。上半分は冷却塔である。この冷却塔と電解槽はゲートバルブ(GV)で仕切る構造としている。
一方、低温であるほどハンドリングは容易になるが、低温度過ぎると、浴の流動性が悪くなり、浴中組成に分布が出来、清浄な電析が得られなくなる傾向があるので、上記の範囲が好ましい範囲と言える。
電流密度は0.025〜0.5の範囲で任意に設定することができる。電圧は1.0V程度で行ったが、これらの条件は装置の規模にも依るので、他の条件に設定することも可能である。図2に示すような電析物が得られた。時間は、通常4〜24時間程度行う。上記の溶融塩電解装置を使用した場合、電析重量150〜500g程度が得られる。
脱塩炉を使用し、真空加熱し、蒸気圧差によりメタルと塩とを分離する。通常脱塩の温度は850°C以下とする。保持時間は1〜4hとするが、原料の量により、適宜調節することができる。脱塩によって電析Laの重量は5〜35%程度減少した。
すなわち、これから脱塩により、Clは5〜35%程度減少する。脱塩処理後のLa中の塩素(Cl)含有量は50〜3000ppmであった。
上記に得られたランタン成型体の電子ビーム溶解に際しては、低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。通常、9kW〜32kWで行う。この電子ビーム溶解は、数回(2〜4)繰り返すことができる。電子ビーム溶解の回数を増やすと、Cl等の揮発成分の除去がより向上する。
W、Mo、Taは、リーク電流の増加を引き起こし、耐圧低下の原因となる。したがって、電子部品材料として使用する場合には、これらの総量を10wtppm以下とする。
また、ガス成分を除いた純度が5N以上とするのは、ガス成分は除去が難しく、これをカウントすると純度の向上の目安とならないからである。また、一般に他の不純物元素に比べ多少の存在は無害である場合が多いからである。
ターゲットの製造は、鍛造・圧延・切削・仕上げ加工(研磨)等の、通常の加工により製造することができる。特に、その製造工程に制限はなく、任意に選択することができる。
ターゲットの製作に際しては、上記高純度ランタンインゴットを所定サイズに切断し、これを切削及び研磨して作製する。
しかしながら、この市販のフッ化ランタンには、ガス成分(N、O、C、H)が多量に含有されているので、このままでは使用することができない。
還元の際に使用する溶解るつぼは、タンタル(Ta)製るつぼを使用する。このタンタル製るつぼ内に、粉状のLaF3と塊状Caを混合して投入する。通常、還元材であるCaは、計算量よりも10%程度過剰に添加する。
還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行う。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とする。
上記に得られたランタン成型体の電子ビーム溶解に際しては、低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。段落0044に記載した電子ビーム溶解と重複するところもあるが、再度記載する。通常、この電子ビーム溶解は、9kW〜32kWで行い、数回(2〜4)繰り返すことができる。電子ビーム溶解の回数を増やすと、Ca、Mg,Mn,Pb等の高蒸気圧元素の除去がより向上する。
W、Mo、Taは、リーク電流の増加を引き起こし、耐圧低下の原因となる。したがって、電子部品材料として使用する場合には、これらの総量を1〜10wtppmとするのが望ましい。
また、ガス成分を除いた純度が4N5以上とするのは、ガス成分は除去が難しく、これをカウントすると純度の向上の目安とならないからである。また、一般に他の不純物元素に比べ多少の存在は無害である場合が多いからである。
ターゲットの製造は、鍛造・圧延・切削・仕上げ加工(研磨)等の、通常の加工により製造することができる。特に、その製造工程に制限はなく、任意に選択することができる。
なお、上記炭素(C)についてはガス成分ではあるが、Cのガス成分を200wtppm以下に限定することにより、ランタンの特性をより向上させることを意味するものである。ターゲットの製作に際しては、上記高純度ランタンインゴットを所定サイズに切断し、これを切削及び研磨して作製する。
色むらは、ターゲットに加工する前のインゴットの段階で観察される、その色むらが発生した様子を図4に示す。図4の左上のインゴットに色むらが見えるが、これを光学顕微鏡で拡大すると、図4の右上図となる。5〜20mm程度に変色した色むらを観察することができる。
また、酸化物が存在するとパーティクルやノジュール発生の原因となり、ターゲットの性能に及ぼす悪影響が大である。
ターゲットの製造は、鍛造・圧延・切削・仕上げ加工(研磨)等の、通常の加工により製造することができる。特に、その製造工程に制限はなく、任意に選択することができる。
処理するランタンの原料として2N〜3Nの市販品を用いた。このランタン原料の分析値を表2に示す。ランタンそのものは、最近注目されている材料であるため、素材の市販品は、その純度もまちまちであり、品位が一定しないという実情がある。市販品はその内の一つである。
この原料を用いて溶融塩電解を行った。溶融塩電解には、前記図1の装置を使用した。浴の組成として、塩化カリウム(KCl)40kg、塩化リチウム(LiCl)9kg、塩化ランタン(LaCl3)6kgを使用し、La原料10kgを使用した。
この電解により得た析出物の分析結果を表3に示す。この表3に示すように、溶融塩電解した結果から当然ではあるが、塩素濃度、酸素濃度が極端に高いが、その他の不純物は低くなっていた。
この電解析出物を、脱塩炉を使用し、真空加熱し、蒸気圧差によりメタルと塩とを分離した。この脱塩の温度は850°Cとした。また、保持時間は4hとした。脱塩によって電析Laの重量は20%程度減少した。脱塩処理後のLa中の塩素(Cl)含有量は160ppmとなった。
次に、上記に得られた脱塩処理したランタンを電子ビーム溶解した。低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。真空度6.0×10−5〜7.0×10−4mbar、溶解出力32kWで照射を行った。この電子ビーム溶解は、2回繰り返した。それぞれのEB溶解時間は、30分である。これによってEB溶解インゴットを作成した。EB溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去され、Cl等の揮発成分の除去が可能となった。
処理するランタンの原料として、純度が2N〜3Nレベルの市販品(表5参照)を用いた。本比較例1で使用した市販品のランタンは、120mm角×30mmtの板状物からなる。1枚の重量は、2.0kg〜3.3kgであり、これを12枚、合計で24kgの原料を使用した。これらの板状のランタン原料は非常に酸化され易い物質のため、アルミニウムの真空パックされていた。
処理するランタンの原料として、純度4Nのフッ化ランタンの原料を用いた。金属ランタンは、最近注目されている材料であるが、金属ランタンの市販品は、純度が低く、かつ品位が一定しないという問題がある(表5参照)。
一方、フッ化ランタンについては、市販品でも高純度の材料を得ることが可能である。しかし、このフッ化ランタンそのままでは使用できないので、この純度4Nのフッ化ランタン原料を使用し、効率的にかつ安定して高純度の金属ランタンを製造することが、必要かつ重要となる。
しかしながら、C:180wtppm、N:70wtppm、O:5200wtppm、H:540wtppmであり、多くのガス成分を含有する。
還元の際に使用する溶解るつぼは、φ250×H400のタンタル(Ta)製るつぼを使用した。このタンタル製るつぼ内に、粉状のLaF3:14.1kgと塊状Ca:6kgを混合して投入した。還元材であるCaは、計算量よりも10%程度過剰に添加した。
還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行った。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とした。
このようにして金属Laを得ることができる。カルシウム還元した金属Laの分析値を表8に示す。
この原料を用いて溶融塩電解を行った。溶融塩電解には、前記図1の装置を使用した。浴の組成として、塩化カリウム(KCl)40kg、塩化リチウム(LiCl)9kg、塩化ランタン(LaCl3)6kgを使用し、La原料10kgを使用した。
この電解により得た析出物の分析結果を表9に示す。この表9に示すように、溶融塩電解した結果から当然ではあるが、塩素濃度、酸素濃度が極端に高いが、その他の不純物は低くなっていた。
この電解析出物を、脱塩炉を使用し、真空加熱し、蒸気圧差によりメタルと塩とを分離した。この脱塩の温度は850°Cとした。また、保持時間は4hとした。脱塩によって電析Laの重量は20%程度減少した。脱塩処理後のLa中の塩素(Cl)含有量は160ppmとなった。
次に、上記に得られた脱塩処理したランタンを電子ビーム溶解した。低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。真空度6.0×10−5〜7.0×10−4mbar、溶解出力32kWで照射を行った。この電子ビーム溶解は、2回繰り返した。それぞれのEB溶解時間は、30分である。これによってEB溶解インゴットを作成した。EB溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去が可能となった。
この比較例2は、実施例2の条件から、電解工程を省いたものである。実施例2と同様に、処理するランタンの原料として、前記表5に示す純度が2N5〜3Nレベルの市販品を用いた。本比較例1で使用した市販品のランタンは、120mm角×30mmtの板状物からなる。1枚の重量は、2.0kg〜3.3kgであり、これを12枚、合計で24kgの原料を使用した。これらの板状のランタン原料は非常に酸化され易い物質のため、アルミニウムの真空パックがされていた。
以上によって、高純度ランタンインゴット22.54kgを製造することができた。このようにして得た高純度ランタンの分析値を表6に示す。
以上から明らかなように、Al、Fe、Cuの低減化はできず、またガス成分の低減化も十分でなかった。全体的に、前記実施例に比べて不純物量は多く、本願発明の目的を達成することができなかった。
次に、酸素を低減する具体例を説明する。処理するランタンの原料として2N〜3Nの市販品を用いた。このランタン原料の分析値を表12に示す。ランタンそのものは、最近注目されている材料であるため、素材の市販品は、その純度もまちまちであり、品位が一定しないという実情がある。市販品はその内の一つである。
スカル溶解には、φ80×H70の水冷銅ルツボのものを使用し、ランタン(La)のチャージ量は2kgとした。この場合、出力100kWでランタンを溶解させた。そして、覗き窓からランタンの全量が溶解したことを確認し、さらに溶解後に30分保持した後、5分後に75kW、10分後に50kW,15分後に25kW,20分後に12.5kW、25分後に7kW、最後に30分間保持するという工程を経て、段階的に出力を落とし、最終的に出力OFFとした。
以上の工程により、酸化物を偏析させ、インゴット底部の酸化物を除去することが可能となった。
スカルインゴット底部に存在する酸化物を除去した。
次に、上記に得られたスカルインゴットを、酸洗後電子ビーム溶解した。電子ビーム溶解は、低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行い、真空度6.0×10−5〜7.0×10−4mbar、溶解出力32kWで照射を行った。この電子ビーム溶解は、2回繰り返した。それぞれのEB溶解時間は、30分である。これによってEBインゴットを作成した。EB溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去が可能となった。
なお、同様に10個のEBインゴットについて行ったところ、酸素濃度は、実施例3と同様のレベルの280wtppmとなった。以上の工程によって得られたランタンの分析の結果を、表13に示す。
上記の通り、不純物である酸素含有量が多い場合において、ターゲットに色むらが発生し、特に酸素含有量に濃淡があり、ばらつきが発生している場合に色むらが発生する。そして、ターゲットに色むらが発生した結果、スパッタリング中に酸素が原因となるスプラッシュが生じ、均一な成膜ができなくなる。
また、この場合必然的に酸化物が多く存在するので、パーティクルやノジュール発生の原因となる。スカルインゴット底部に存在する酸化物を除去する機械加工は有効であり、ターゲットの表面を観察した結果、本実施例では、この色むらは一切観察されなかった。
本比較例は、実施例3から研削を除いた例である。処理するランタンの原料として実施例1と同じ2N〜3Nの市販品を用いた。ランタンそのものは、最近注目されている材料であるため、素材の市販品は、その純度もまちまちであり、品位が一定しないという実情がある。市販品はその内の一つである。
次に、上記市販のランタン原料(ランタンインゴット)を酸洗後、EB溶解炉を用い、真空度7.0×10−5〜3.5×10−5mbar、溶解出力32kWで溶解し、鋳造速度45kg/hでEBインゴットを作製した。
この結果、酸素濃度は、平均820wtppmとなった。そして、色むらを観察した結果、図4に示すような色むらが発生した。
また、同様に10個のEBインゴットについて行ったところ、表14に示すように、酸素濃度は560wtppmとなり、比較例1と同様の結果となった。
なお、比較例3は、実施例3との対比で、説明するものであり、差異点となるスカルインゴット底部に存在する酸化物を除去する機械加工以外の点を否定するものでないことは明らかである。
処理するランタンの原料として、純度4Nのフッ化ランタンの原料を用いた。金属ランタンは、最近注目されている材料であるが、金属ランタンの市販品は純度が低く、かつ品位が一定しないという問題がある(表5参照)。
一方、フッ化ランタンについては、市販品でも高純度の材料を得ることが可能である。しかし、このフッ化ランタンそのままでは使用できないので、この純度4Nのフッ化ランタン原料を使用し、効率的にかつ安定して高純度の金属ランタンを製造することが、必要かつ重要となる。
しかしながら、C:180wtppm、N:70wtppm、O:5200wtppm、H:540wtppmであり、多くのガス成分を含有する。
還元の際に使用する溶解るつぼは、φ250×H400のタンタル(Ta)製るつぼを使用した。このタンタル製るつぼ内に、粉状のLaF3:14.1kgと塊状Ca:6kgを混合して投入した。還元材であるCaは、計算量よりも10%程度過剰に添加した。なお、ここでは、段落0052及び段落0053記載の蒸留カルシウムを用いた。
還元装置内に配置したタンタル製るつぼ内の充填物を、ゆっくりと600°Cまで加熱し、この間還元装置内を真空に引き、充填物の脱ガスを行った。その後、精製したアルゴンガスを送入して0.5気圧とした。
このようにして金属Laを得ることができる。カルシウム還元した金属Laの分析値は、前記表8に示す通りである。
この原料を用いて溶融塩電解を行った。溶融塩電解には、前記図1の装置を使用した。浴の組成として、塩化カリウム(KCl)40kg、塩化リチウム(LiCl)9kg、塩化ランタン(LaCl3)6kgを使用し、La原料10kgを使用した。
この電解により得た析出物の分析結果を表9に示す。この表9に示すように、溶融塩電解した結果から当然ではあるが、塩素濃度、酸素濃度が極端に高いが、その他の不純物は低くなっていた。
この電解析出物を、脱塩炉を使用し、真空加熱し、蒸気圧差によりメタルと塩とを分離した。この脱塩の温度は850°Cとした。また、保持時間は100hとした。脱塩によって電析Laの重量は20%程度減少した。脱塩処理後のLa中の塩素(Cl)含有量は160ppmとなった。
スカル溶解には、φ80×H70の水冷銅ルツボのものを使用し、ランタン(La)のチャージ量は2kgとした。この場合、出力100kWでランタンを溶解させた。そして、覗き窓からランタンの全量が溶解したことを確認し、さらに溶解後に30分保持した後、5分後に75kW、10分後に50kW,15分後に25kW,20分後に12.5kW、25分後に7kW、最後に30分間保持するという工程を経て、段階的に出力を落とし、最終的に出力OFFとした。
以上の工程により、酸化物を偏析させ、インゴット底部の酸化物を除去することが可能となった。この電解により得た析出物の分析結果を表15に示す。
スカルインゴット底部に存在する酸化物を除去した。
次に、上記に得られたランタン成型体を電子ビーム溶解した。低出力の電子ビームを、炉中のランタン溶解原料に広範囲に照射することにより行う。真空度6.0×10−5〜7.0×10−4mbar、溶解出力32kWで照射を行った。この電子ビーム溶解は、2回繰り返した。それぞれのEB溶解時間は、30分である。これによってEB溶解インゴットを作成した。EB溶解時に、揮発性の高い物質は揮散除去が可能となった。
この表16に示すように、Li<0.005wtppm、Na<0.05wtppm、Al:0.39wtppm、Si:0.25wtppm、S:0.6wtppm、Ca<0.05wtppm、Fe:0.43wtppm、Cu:0.34wtppm、Zn<0.05wtppm、Mo<0.05wtppm、Ta<5wtppm、W<0.05wtppm、C:140wtppm、N<10wtppm、O:290wtppm、S<10wtppm、H:2.9wtppmであり、高純度フッ化ランタンを使用することにより、さらにこの純度を向上させ、いずれも本願発明の条件を満たしていた。また、カルシウム還元した際に低減ができなかった酸素及びCaも、大きく低減が可能となった。
上記の通り、不純物である酸素含有量が多い場合において、ターゲットに色むらが発生し、特に酸素含有量に濃淡があり、ばらつきが発生している場合に色むらが発生する。そして、ターゲットに色むらが発生した結果、スパッタリング中に酸素が原因となるスプラッシュが生じ、均一な成膜ができなくなる。
また、この場合必然的に酸化物が多く存在するので、パーティクルやノジュール発生の原因となる。スカルインゴット底部に存在する酸化物を除去する機械加工は有効であり、ターゲットの表面を観察した結果、本実施例では、この色むらは一切観察されなかった。
本比較例4は、実施例4における条件、すなわちスカルインゴット底部に存在する酸化物を除去する機械加工を実施しなかった例を示す。
上記の通り、不純物である酸素含有量が多い場合において、ターゲットに色むらが発生し、特に酸素含有量に濃淡があり、ばらつきが発生している場合に色むらが発生する。そして、ターゲットに色むらが発生した結果、スパッタリング中に酸素が原因となるスプラッシュが生じ、均一な成膜ができなくなる。
また、この場合必然的に酸化物が多く存在するので、パーティクルやノジュール発生の原因となる。特に、スカルインゴット底部に存在する酸化物を除去する機械加工は有効であるが、本比較例においては、これを行わなかったために、ターゲットの表面を観察した結果、本比較例では、この色むらが観察された。
Claims (6)
- ガス成分を除く純度が2N〜3Nの粗ランタン原料を出発材料とし、浴温450〜700°Cで溶融塩電解してランタン結晶を得、次にこのランタン結晶を、脱塩炉を使用し850°C以下の温度で真空加熱して、蒸気圧差によりメタルと塩とを分離することにより脱塩処理を行い、脱塩処理した後に、電子ビーム溶解して揮発性物質を除去することを特徴とする高純度ランタンの製造方法。
- ガス成分を除く純度が4N以上のフッ化ランタンの原料を、カルシウムにより還元して純度4N以上のランタンを作製し、この還元したランタンを出発原料とし、浴温450〜700°Cで溶融塩電解してランタン結晶を得、次にこのランタン結晶を、脱塩炉を使用し850°C以下の温度で真空加熱して、蒸気圧差によりメタルと塩とを分離することにより脱塩処理を行い、脱塩処理した後に、電子ビーム溶解して揮発性物質を除去することを特徴とする高純度ランタンの製造方法。
- ガス成分を除く純度が2N〜3Nの粗ランタン原料を出発材料とし、浴温450〜700°Cで溶融塩電解してランタン結晶を得、この溶融塩電解したランタン結晶を、さらにスカル溶解(誘導溶解)し、スカル溶解後のインゴットを電子ビーム(EB)溶解することを特徴とする高純度ランタンの製造方法。
- 前記スカル溶解後、底部を除くランタンインゴット内部に酸化物の偏析部が存在しなくなるように徐冷した後、この徐冷により得たスカルインゴットを機械加工してインゴット底部に存在する酸化物及び塩化物を除去し、さらに、該インゴットを酸洗した後、電子ビーム(EB)溶解することを特徴とする請求項3に記載の金属ランタンの製造方法。
- 溶融塩電解浴として、塩化カリウム(KCl)、塩化リチウム(LiCl)、塩化ランタン(LaCl3)からなる電解浴を使用することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の高純度ランタンの製造方法。
- Ta製のアノードを使用して溶融塩電解を行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の高純度ランタンの製造方法。
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