JP5429288B2 - ＳｉＣ単結晶の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法に関する。

ＳｉＣはＳｉに比べてエネルギーバンドギャップが大きいため、半導体材料等として適した高品位のＳｉＣ単結晶の製造技術が種々提案されている。ＳｉＣ単結晶の製造方法としてはこれまでに多種多様な方法が試行されているが、昇華法と溶液法が現在最も一般的である。昇華法は成長速度は大きいがマイクロパイプ等の欠陥や結晶多形の変態が生じ易いという欠点があり、これに対して成長速度は比較的遅いがこれらの欠点の無い溶液法が有望視されている。
溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法は、黒鉛るつぼ内のＳｉ融液内に内部から融液面へ向けて温度低下する温度勾配を維持する。下方の高温部で黒鉛るつぼからＳｉ融液内に溶解したＣは主として融液の対流に乗って上昇し融液面近傍の低温部に達して過飽和になる。黒鉛棒の先端に保持しＳｉＣ種結晶を融液面と接触させると、過飽和となったＣがＳｉＣ種結晶上でエピタキシャル成長によりＳｉＣ単結晶として結晶化する。本出願において、成長温度、接触温度等は、融液面の温度の意味である。
ＳｉＣ単結晶は、特に半導体材料として良好なデバイス特性を確保するために、転位等の格子欠陥を密度ができるだけ低いことが必要である。そのためには、種結晶の欠陥密度に対して増加させないように単結晶を成長させることが重要である。種結晶を融液面に接触させると両者間の大きな温度差によって、種結晶の接触表面領域および成長開始した薄い単結晶に大きな応力が負荷されるため、格子欠陥が発生し、これが成長に伴って製品単結晶の欠陥となる。
そこで、このような欠陥発生を防止するために、種結晶を融液と接触させる方法について、これまで種々の提案がなされている。
特開２０００−２６４７９０号公報には、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、成長温度の±１００〜１５０℃になった時点で種結晶を融液面に接触（シードタッチ）させ、融液の温度が成長温度になるまで暫らく放置し、種結晶の接触表面領域および／または種結晶上に成長開始した薄い単結晶を融液中に溶融（メルトバック）させることが提案されている。しかし、シードタッチの時点で融液中のＣ濃度が飽和濃度に達していると、シードタッチの直後から即座にＳｉＣ単結晶が成長開始し、異種ポリタイプ結晶となるか、結晶欠陥が発生する。結局、シードタッチに起因する欠陥発生を確実に防止できない。
更に、下記の提案がなされている。
特開平７−１７２９９８号公報には、Ｓｉ融液が成長温度である１７００℃より１００℃低い温度になった時点で種結晶を降下させて融液面に接触させ、Ｓｉ融液の温度を成長温度まで上昇させることにより、種結晶表面を僅かに融解させて表面に存在する加工傷と酸化膜を除去することが提案されている。
特開２００７−２６１８４４号公報には、ＳｉとＣとＣｒとを含む融液から溶液法によりＳｉＣ単結晶を成長させる際に、融液温度が成長温度に達した後に、融液を所定時間保持してから種結晶を融液に接触させることが提案されている。
特開２００６−１４３５５５号公報にも同様の提案がなされている。
いずれも、融液面に種結晶を接触させるシードタッチに起因する欠陥を確実に低減することはできない。
また、特開２００８−１５９７４０号公報には、ＣＶＤ法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ＳｉＣ成長開始前に天板を一旦成長温度よりも高い温度領域まで昇温させて成長前クリーニングを行い、その後に成長温度まで降温させてＳｉＣ成長を行なうことが提案されている。溶液法とは異なるＣＶＤ法において天板表面の汚染を除去するだけであり、溶液法によるＳｉＣ単結晶の成長においてシードタッチに起因する欠陥を低減することに何ら資するところはない。
また、特許第３０７９２５６号には、昇華法でＳｉＣ単結晶を成長させる際に、基板または基板ホルダーに対してエネルギービーム（炭酸ガスレーザビーム）を照射して、成長中の結晶内温度制御を行うことが提案されている。これも、溶液法とは異なる昇華法法において結晶内温度分布を制御する技術であり、溶液法によるＳｉＣ単結晶の成長においてシードタッチに起因する欠陥を低減することに何ら資するところはない。

本発明は、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法において、種結晶を溶液に接触させるシードタッチに起因する欠陥の発生を防止して、欠陥密度を低減したＳｉＣ単結晶を成長させる方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明によれば、黒鉛るつぼ内でＳｉを含む融液にＳｉＣ種結晶を接触させることにより、該ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、
Ｃが未飽和の状態の該融液に、上記ＳｉＣ種結晶を接触させることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造方法が提供される。
本発明の方法によれば、Ｃが未飽和の状態の融液に種結晶を接触させるので、接触時点において直ちにＳｉＣ単結晶が成長開始することがなく、欠陥の発生を確実に防止することができる。仮に欠陥が発生したとしても、その後の融液の飽和過程で欠陥発生層（種結晶および初期成長単結晶層）のメルトバックにより除去することができる。
本発明の望ましい形態によれば、上記成長させる温度以下の温度で上記接触を行い、かつ、該接触させた状態で温度保持を行なわない。成長温度以下の温度でシードタッチさせることで接触時での結晶成長が起きることが無く、更に、接触させた状態で温度保持しないのでＣが飽和する時間的な余裕を与えずに、成長温度まで昇温することができる。
本発明の他の望ましい形態によれば、上記接触させる前から、上記成長が開始するまでの期間に、上記融液へのＣの溶解度を高める元素を該融液に添加する。融液へのＣの溶解度を高めることでＣの飽和濃度が高まり、同じＣ濃度でも飽和濃度に対する比率が低下し、シードタッチ時点での結晶成長開始が起き難くなり、欠陥発生を更に確実に防止できる。そのための添加元素は、典型的にはＣｒおよびＴｉであり、他にＡｌ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｅ等を用いることができる。
上記Ｃの溶解を促進する元素を添加した場合は、シードタッチ前に成長温度で６０分以下ならば温度保持を行なってよい。上記元素の添加によりＣ飽和度が低下しているので、成長温度でのＣ飽和までの時間に遅れが生じ、シードタッチに起因する欠陥発生が防止できる。

図１は、本発明の方法を行なうのに適した、溶液法によるＳｉＣ単結晶の成長装置の基本構造を示す。
図２（１）〜（９）は、種結晶にコーティングを施す種々の形態を示す。
図３（１）〜（２）は、種結晶に小片を付着させる種々の形態を示す。
図４（１）〜（２）は、種結晶にイオン注入する種々の形態を示す。
図５（１）〜（２）は、種結晶の先端を尖塔形または台形にする種々の形態を示す。
図６は、シードタッチ時の炭素溶解量を成長時の炭素溶解量に比べて低く保つ２つの形態Ａ、Ｂを説明する温度・Ｃ溶解量（縦軸）と時間（横軸）との関係を示す。
図７は、形態ＡについてＳｉＣ単結晶のエッチピット密度（縦軸）とシードタッチ温度（横軸）との関係を示す。
図８は、形態ＢについてＳｉＣ単結晶のエッチピット密度（縦軸）と成長温度での保持時間（横軸）との関係を示す。

図１に、本発明の方法を行なうのに適した、溶液法によるＳｉＣ単結晶の成長装置の基本構造を示す。
黒鉛るつぼ１０の周囲を取り巻く高周波加熱コイル１２により、るつぼ１０内の原料を加熱溶解して溶液１４を形成し、その上方から黒鉛製支持棒１６の下端に支持したＳｉＣ種結晶１８を降下させて溶液１４の液面Ｓに接触させ、Ａｒガス等の不活性雰囲気２０中でＳｉＣ種結晶１８の下面にＳｉＣ単結晶を成長させる。
黒鉛るつぼ１０は全体が断熱材２２で覆われている。液面Ｓの温度を放射温度計２４により非接触方式で測定する。
放射温度径２４を液面Ｓを直視できる液面上方の観察窓に設置し、種結晶１８を溶液１４に接触させる前後の液面温度を測定することができる。
一般に、黒鉛るつぼ１０内にＳｉ融液の原料としてＳｉを投入し、高周波加熱コイル１２により加熱してＳｉ融液を形成する。黒鉛るつぼ１０の内壁からＣがこのＳｉ融液に溶解してＳｉ−Ｃ溶液１４が形成される。このようにＳｉＣのＣ源は基本的には黒鉛るつぼ１０であるが、補助的に黒鉛ブロックを投入することもできる。またるつぼ１０はＳｉＣ製であってもよく、その場合は、Ｃ源として黒鉛ブロックの投入が必須である。
また、融液中へのＣの溶解を促進する元素（例えばＣｒ）を添加する場合は、最初に融液原料としてＳｉと共にＣｒをるつぼ１０内に投入して、加熱しＳｉ−Ｃｒ融液を形成することができる。
本発明の方法は、シードタッチ時の溶液のＣ濃度＜成長時のＣ飽和濃度とすることが特徴である。すなわち、（１）シードタッチ直後にＳｉＣ単結晶が晶出しない程度に溶液がＣについて非飽和である時点でシードタッチするか、または、（２）シードタッチ時に晶出した結晶がその後の溶液の飽和過程でメルトバックし得る程度のＣ濃度の溶液にシードタッチする。
上記（１）の要件に記載したように、シードタッチの時点とＳｉＣ単結晶の成長開始の時点とを分離することが必須である。これにより、シードタッチ時に直ちにＳｉＣ単結晶の成長開始することを防止でき、シードタッチに起因する欠陥発生を防止できる。
上記（２）の要件を更に説明する。シードタッチ時に、高温の溶液に相対的に低温の種結晶が接触すると、接触領域の溶液温度が低下して局部的にＣ飽和した状態になり、ＳｉＣ単結晶が僅かに晶出する可能性がある。その晶出量はＣ過飽和度が大きいほど増加するから、メルトバックにより除去できる程度の晶出量の範囲内に収まるようなＣ濃度の溶液にシードタッチする。
望ましくは、シードタッチを成長温度よりも低温で行い、シードタッチした状態で温度保持を行なわない。成長温度より低温の時点では溶液のＣ濃度は成長温度でのＣ濃度に比べてかなり低く、この時点でシードタッチすれば上記の（１）（２）の要件は充分に満たされ、更に、シードタッチした状態で温度保持を行なわないことで成長温度への溶液の昇温をるつぼからのＣの溶け込みが追い掛ける時間的な関係になり、成長温度までＣ飽和が起きない。これにより特に上記要件（１）（２）の達成がより確実になる。
更に望ましくは、シードタッチの前から成長開始までの期間に、溶液へのＣの溶解を促進する元素を溶液に投入する。これにより溶液の飽和Ｃ濃度を高め（Ｃ飽和度を低下させ）、上記要件（１）（２）の達成を更に容易にする。そのための元素としては、代表的にはＣｒおよびＴｉを用いるが、これら以外にもＡｌ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｅ等を用いることもできる。また単純にＳｉを追加投入してもよい。
上記Ｃの溶解を促進する元素を添加した場合は、シードタッチ前に成長温度で６０分以下ならば温度保持を行なってよい。上記元素の添加によりＣ飽和度が低下しているので、成長温度でのＣ飽和までの時間に遅れが生じ、シードタッチに起因する欠陥発生が防止できる。
本発明においては、種結晶に対して下記の形態を適用することができる。
本発明の一形態においては、シードタッチの前に、種結晶を支持する軸（黒鉛製支持棒）を加熱することで、種結晶を予熱することも有効である。シードタッチによる局部的な溶液温度の低下とこれによる前述の問題発生を防止できる。
他の形態においては、シードタッチの前に、種結晶にレーザビームを照射することにより種結晶を予熱することができる。支持軸ではなく種結晶を直接加熱することで、種結晶の予熱温度をより精密に制御できる。
他の形態においては、図２（１）〜（９）に示したように、種結晶１８に保護コーティング３０を施すことができる。１６は支持軸である。コーティング３０には、金属、Ｓｉ、Ｃなど、溶液中に混入しても成長に悪影響を及ぼさないものを用いる。シードタッチ時に表面コーティングが融解し発する熱により、シードタッチ時の熱衝撃を緩和できる。同時に、溶液の蒸気がＳｉＣ単結晶の表面に付着することによる異常成長（多結晶化など）を防止できる。特にコーティング材料を選べば、成長速度の増加も期待できる。
他の形態においては、図３（１）〜（２）に示したように、種結晶１８の表面に、Ｃ接着剤やＳｉＯ_２膜など３２によりＳｉＣ、Ｓｉなど、溶液中に混入しても成長に悪影響を及ぼさない小片３４を接着させることもできる。上記の保護コーティング３０のように熱衝撃を緩和することはできないが、溶液の蒸気がＳｉＣ単結晶の表面に付着することによる異常成長（多結晶化など）を防止できる。また、シードタッチ面（付着小片表面）と成長表面（種結晶表面）とが離れているため、初期成長層での欠陥発生を回避できる。
他の形態においては、図４（１）〜（２）に示したように、種結晶１８にイオン注入３６を施すことができる。温度上昇によりイオン注入部３６で剥離が生じることにより、シードタッチ面と成長面とを分離できると共に、成長面をより清浄に保つことができる。また、溶液への異物の混入を防止できる。
他の形態においては、図５（１）〜（２）に示したように、種結晶の先端を（１）尖塔形状（３８）にするか、または（２）台形（４０）にすることができる。シードタッチ時に欠陥が発生する部位を最小化し、その後のメルトバックにより成長面の面積を調整後に成長を行なうことができる。欠陥発生のリスクを回避し、同時に大径化を容易に行なえる（ＳｉＣ単結晶は一般に大径化が困難である）。更に、成長開始部分がくびれ状になるので、支持軸１６への溶液の濡れ上がり（４４）を防止する効果がある。尖塔または台形の傾斜部４６において種結晶１８の例えば４Ｈ−ＳｉＣの積層構造が露出しており、大径化したＳｉＣ単結晶４２でも同じ積層順序を引き継いだ４Ｈ−ＳｉＣ構造が得られやすい。

下記の手順でＳｉＣ単結晶の成長を行なった。
基本的な結晶成長プロセス
・成長準備（図１参照）
（１）４Ｈ−ＳｉＣ種結晶１８を黒鉛製支持軸１６に接着する。
（２）黒鉛るつぼ１０に原料を投入する。
（３）これらを図１に示したように構成する。
（４）大気圧のＡｒ２０を導入する。
（５）所望の温度まで昇温する。
・シードタッチ
（１）溶液１４の温度が充分な温度に達したら、支持軸１６を下降させる。
（２）種結晶１８が溶液１４に接触し、所望の深さ（＊）まで軸１６を下降させた後、軸を停止させる。（＊：本実施例では種結晶１８を溶液１４の液面に接触した位置で停止させた。一般には、種結晶１８を溶液１４中に沈めることもある。）
・成長
（１）溶液温度を所望の成長温度まで上昇させる。
（２）任意の時間保持して結晶成長を行なった後、軸１６を引き上げる。
（３）数時間かけて軸１６と溶液１４を冷却する。
以下に、本発明の実施例と本発明の範囲外の比較例について具体的な手順および条件を説明する。
〔比較例１〕
Ｓｉ融液を用いて４Ｈ−ＳｉＣ種結晶上に成長を行なった。シードタッチ温度、成長温度は共に約１９５０℃であった。この際、成長時間１時間で厚さ約１００μｍのＳｉＣ単結晶を得ることができた。この結晶に溶融ＫＯＨエッチングを施し結晶表面における転位をエッチピットとして現出させた。エッチピットの密度は３×１０^５ｃｍ^−２であった。これは種結晶の欠陥密度レベル１０^３ｃｍ^−２に対して明瞭に増加していた。
〔比較例２〕
溶液温度を１９００℃とし、温度が安定するまで溶液を保持した後、シードタッチを行なった。その後、１９５０℃まで昇温し、１時間成長を行なった。この際、厚さ約１２０μｍのＳｉＣ単結晶を得ることができた。この結晶に溶融ＫＯＨエッチングを施したところ、エッチピットの密度は１×１０^５ｃｍ^−２であった。これは種結晶の欠陥密度レベル１０^３ｃｍ^−２に対して明瞭に増加していた。
〔実施例１〕
本発明により、昇温中に温度保持を行なわずにシードタッチを行なった。
溶液を昇温し、１９００℃に達したら温度保持を行なうことなく直ちにシードタッチを行い、１９５０℃まで昇温し、この温度で１時間成長を行なった。厚さ約６０μｍのＳｉＣ単結晶を得ることができた。この結晶に溶融ＫＯＨエッチングを施したところ、エッチピット密度は３×１０^３ｃｍ^−２であった。これは種結晶の欠陥密度レベル１０^３ｃｍ^−２と同等である。
比較例２と比較すると、得られた結晶の厚さは約６０μｍ薄い。また比較例２と同一の温度でシードタッチしたにもかかわらず、転位密度が２桁も少ない。このように、本発明によりシードタッチ時に温度保持を行なわずに溶液のＣ飽和度が低い状態でシードタッチを行なうことで、シードタッチ時に転位を多く含む結晶層が晶出するのを抑制でき、かつ、その後の溶液の飽和過程におけるメルトバックにより成長層の低転位化が実現できた。メルトバックが起きたことは、得られたＳｉＣ単結晶の厚さが薄くなっていることから示唆される。
〔比較例３〕
Ｓｉに１０ａｔ％のＣｒを添加した溶液を用いて成長を行なった。成長温度１９５０℃に昇温した後、３０分の温度保持を行なった後、シードタッチを行なった。１時間成長を行なった。得られたＳｉＣ単結晶のエッチピット密度は９×１０^４ｃｍ^−２であった。
〔比較例４〕
Ｓｉに３０ａｔ％のＣｒを添加した溶液を用いて、比較例３と同様に成長を行なった。得られたＳｉＣ単結晶のエッチピット密度は３×１０^５ｃｍ^−２であった。
〔比較例５〕
Ｓｉに４０ａｔ％のＣｒを添加した溶液を用いて成長を行なった。成長温度１９５０℃に昇温した後、９０分の温度保持を行なった後、シードタッチを行なった。１時間成長を行なった。得られたＳｉＣ単結晶のエッチピット密度は５×１０^５ｃｍ^−２であった。
〔比較例６〕
Ｓｉに４０ａｔ％のＣｒを添加した溶液を用いて成長を行なった。成長温度１９５０℃に昇温した後、１５０分の温度保持を行なった後、シードタッチを行なった。１時間成長を行なった。得られたＳｉＣ単結晶のエッチピット密度は５×１０^５ｃｍ^−２であった。
〔実施例２〕
Ｓｉに４０ａｔ％のＣｒを添加した溶液を用いて成長を行なった。成長温度１９５０℃に昇温した後、本発明により温度保持なしでシードタッチを行なった。１時間成長を行なった。得られたＳｉＣ単結晶のエッチピット密度は７×１０^４ｃｍ^−２であった。
〔実施例３〕
Ｓｉに４０ａｔ％のＣｒを添加した溶液を用いて成長を行なった。成長温度１９５０℃に昇温した後、本発明により３０分の温度保持を行なった後、シードタッチを行なった。１時間成長を行なった。得られたＳｉＣ単結晶のエッチピット密度は３×１０^３ｃｍ^−２であった。
〔実施例４〕
Ｓｉに４０ａｔ％のＣｒを添加した溶液を用いて成長を行なった。成長温度１９５０℃に昇温した後、本発明により６０分の温度保持を行なった後、シードタッチを行なった。１時間成長を行なった。得られたＳｉＣ単結晶のエッチピット密度は４×１０^４ｃｍ^−２であった。
ＣｒはＣの溶解を促進し、成長速度を増加させる。このようなＣ溶解量を増加させる金属を一定量以上（上記各実施例では４０ａｔ％以上）添加することにより、溶液のＣ飽和を遅らせることができる。これにより、成長温度で温度保持後にシードタッチしても、温度保持が一定時間内であれば、成長層での転位発生を抑制し、かつ、その後の溶液の飽和過程で転位発生部をメルトバックにより除去できる。Ｃｒの代わりにＴｉを用いても同等の効果が得られる。更に、Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｅ等の元素を用いることもできる。
〔実施例５〕
種結晶の表面にＣｒ蒸着によりコーティングした以外は、比較例１と同様の条件で成長を行なった。得られたＳｉＣ単結晶のエッチピット密度は７×１０^４ｃｍ^−２であり、比較例１に比べて１／４に減少した。
以上の実施例および比較例で得られた結果を表１にまとめて示す。

表１に示したように、一連の実験Ａにより、昇温中に温度保持を行なうことなくシードタッチすることで、成長した結晶のエッチピット密度が種結晶の欠陥密度と同一レベルまで減少した。これはシードタッチ時の溶液のＣ飽和度が低下し、シードタッチの瞬間に結晶が晶出することを防止できたこと、および、その後の溶液の飽和過程において種結晶表面がメルトバックされたことに由来していると考えられる。
また、一連の実験Ｂにより、Ｃの溶解を促進する溶媒を用いることで、溶液のＣ飽和を遅らせることができ、上記と同様の効果が得られることが分かった。
図６に成長時の温度と炭素溶解量の関係を２つの形態Ａ、Ｂについて模式的に示す。形態Ａ、Ｂは表１の実験Ａ、Ｂに対応する。
図７に、形態ＡについてＳｉＣ単結晶のエッチピット密度（縦軸）とシードタッチ温度（横軸）との関係を示す。実施例１と比較例２の結果を、他のデータを合わせてプロットした。１９５０℃の成長温度に対して昇温途中の種々の温度でシードタッチし、シードタッチ温度で保持しないと、エッチピット密度は低い。これはシードタッチ時に溶液がＣ飽和していないためである。右端のプロットは成長温度１９５０℃でシードタッチ場合であり、Ｃ溶解量の増加が昇温に対して僅かな遅れであるためシードタッチ時点で既に溶液がＣ飽和しており、シードタッチに伴う欠陥発生によりエッチピット密度が大幅に増大している。
図８に、形態ＢについてＳｉＣ単結晶のエッチピット密度（縦軸）と成長温度での保持時間（横軸）との関係を示す。実施例１〜３と比較例５、６のデータをプロットした。Ｓｉに４０ａｔ％Ｃｒを添加したことにより、Ｃの飽和濃度が高まり、Ｃ飽和に至る時間が長時間化したため、成長温度１９５０℃に達して昇温終了後でも保持時間が６０分以内なら、溶液がＣ飽和するより早くシードタッチすることができ、シードタッチに起因する欠陥発生を実質的に防止できる。

本発明によれば、溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造方法において、種結晶を溶液に接触させるシードタッチに起因する欠陥の発生を防止して、欠陥密度を低減したＳｉＣ単結晶を成長させる方法が提供される。
本発明は、ＳｉＣのバルク結晶成長およびエピタキシャル成長に用いることができるし、これらの成長方法により得られたバルク結晶およびエピタキシャル成長層も提供する。
本発明はまた、ウェーハとエピタキシャル成長層との間のバッファ層の形成にも用いることができるし、それにより形成されたバッファ層も提供する。
本発明は更に、種結晶表面への転位低減層の形成に用いることもできるし、この転位低減層のオフ角度を調整した後にバルク成長を行い、低転位バルク結晶を形成することもできる。

Claims (4)

1. 黒鉛るつぼ内でＳｉを含む融液にＳｉＣ種結晶を接触させることにより、該ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、
   Ｃが未飽和の状態の該融液に、上記ＳｉＣ種結晶を接触させ、
   Ｃが未飽和状態の該融液中で該ＳｉＣ種結晶をメルトバックさせた後、
   メルトバック中の温度以上の温度で結晶成長させることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造方法。
2. 請求項１において、上記成長させる温度以下の温度で上記接触を行い、かつ、該接触させた状態で温度保持を行なわないことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造方法。
3. 請求項１において、上記接触させる前から、上記成長が開始するまでの期間に、上記融液へのＣの溶解度を高める元素を該融液に添加することを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造方法。
4. 請求項３において、上記成長させる温度で６０分以下の温度保持をした後に上記接触を行なうことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造方法。

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