JP5125095B2 - SiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法及びSiCエピタキシャル膜付き基板の製造装置 - Google Patents
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Description
CVD(化学的気相成長)法を用いるSiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法におい
て、SiC基板を載置するステージと当該SiC基板に対向する天板を昇温する工程、
SiCエピタキシャル膜の成膜工程前に天板温度を前記SiC基板がエッチングされる温
度より高い温度に一定時間保持するためのクリーニング工程、前記SiC基板が設置され
たステージと天板との間の空間を水素ガスと成膜原料ガスを導入して前記SiC基板上に
SiCエピタキシャル膜を成膜する成膜工程、とを有し、前記クリーニング工程は、前記
天板の温度を1400度C〜2000度C、前記ステージの温度を1400度を超えない
温度に設定し、水素ガスによるエッチング工程であることを特徴としたものである。
長)法を用いるSiCエピタキシャル膜付き基板の製造装置において、SiC単結晶から
なるSiC基板を載置するステージと、前記SiC基板に対向する天板と、前記天板の温
度を1400度C〜2000度Cの範囲で加熱する第1の加熱手段と、前記ステージを1
400度を超えない温度で加熱する第2の加熱手段と、を備え、前記第1と第2の加熱手段により、前記SiC基板の成膜工程前に前記天板温度を前記SiC基板がエッチングされる温度より高い温度に一定時間保持し、前記天板またはこの天板に堆積したSiC堆積物に付着したSiCパーティクルを水素ガスエッチング処理してクリーニング処理することを特徴としたものである。
テージ6と天板2との隙間に、水素と一緒にSiCエピタキシャル膜の原料ガスであるシ
ランガスおよびプロパンガスなどを導入することで、原料ガスが熱分解されてSiC基板
5上にSiCエピタキシャル膜7がエピタキシャル成長される。もし、SiC基板5上に
SiCパーティクル4が付着していると、そのパーティクル付着部分ではエピタキシャル
成長が阻害されたり、SiCパーティクルがSiCエピタキシャル膜7中に取り込まれて
しまうことなどの欠陥が発生する。しかしながら、本発明においてはパーティクル除去す
るためクリーニング工程によってSiCパーティクル4が除去されるため、SiCパーテ
ィクルに起因した欠陥のない高品質なSiCエピタキシャル膜付基板を得ることができる。
(実施例1)
本発明のSiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法の実施例1について説明する。図2は、SiC基板5が図1に示したCVD装置反応室内に設置されてから連続的に行われるエピタキシャル成長レシピを示したものであり、縦軸に温度、横軸に時間として、ステージおよび天板の設定温度、ガス導入タイミングについて示したものである。
standard liter/minuteの略、つまり1atm、0℃ における 1分間辺りの流量)とし、天
板2とステージ6とをそれぞれ1600℃と1300℃まで昇温させる。昇温時間は30
分である。
1300℃とで30分間保持する。この工程により、成膜工程前に前回のエピタキシャル
成長によって天板2に付着しているSiCパーティクル4を水素により反応させエッチン
グ除去される。さらに、この時ステージ6の温度を1400℃未満に設定することでSi
C基板5に悪影響を与えずに、天板に付着したSiCパーティクルのみをエッチングする
ことが可能となる。
ージ6とを1600℃と1300℃とし30分間保持する。これは、今回の成膜工程によ
り天板に新たに付着したSiCパーティクル4を除去する工程であり、成膜後のSiC基
板5上にSiCパーティクル4が落下するのを防止すると共に、次回のエピタキシャル成
長に備える工程となる。
(実施例2)
本発明のSiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法の実施例2について説明する。それ以外は実施例1と同様に実施される。図3は、SiC基板5が図1に示すようなCVD装置反応室内に設置されてから連続的に行われるエピタキシャル成長レシピを、縦軸はステージおよび天板の温度、横軸は時間経過、さらにはガス導入タイミングについて示したものである。エピタキシャル成長レシピは、昇温工程、成膜前クリーニング工程、成膜1工程、中間クリーニング工程、成膜2工程、成膜後クリーニング工程、降温工程とから構成されている。
2 天板
3 SiC堆積物
4 SiCパーティクル
5 SiC基板
6 ステージ
7 SiCエピタキシャル膜
10、11 加熱手段
Claims (6)
- CVD(化学的気相成長)法を用いるSiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法にお
いて、
SiC基板を載置するステージと当該SiC基板に対向する天板を昇温する工程、
SiCエピタキシャル膜の成膜工程前に天板温度を前記SiC基板がエッチングされる温
度より高い温度に一定時間保持するためのクリーニング工程、
前記SiC基板が設置されたステージと天板との間の空間を水素ガスと成膜原料ガスを導
入して前記SiC基板上にSiCエピタキシャル膜を成膜する成膜工程、
とを有し、
前記クリーニング工程は、前記天板の温度を1400度C〜2000度C、前記ステージ
の温度を1400度を超えない温度に設定し、水素ガスによるエッチング工程であること
を特徴とするSiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法。 - 前記クリーニング工程中、前記天板温度を前記成膜工程時の温度より一定時間高く保持
することを特徴とする請求項1に記載のSiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法。 - 前記クリーニング工程中は、当該成膜原料ガスの導入を停止することを特長とする請求
項2に記載のSiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法。 - 前記成膜工程の途中に中間クリーニング工程を有することを特徴とする請求項1に記載
のSiCエピタキシャル膜付き基板の製造方法。 - CVD(化学的気相成長)法を用いるSiCエピタキシャル膜付き基板の製造装置において、
SiC単結晶からなるSiC基板を載置するステージと、
前記SiC基板に対向する天板と、
前記天板の温度を1400度C〜2000度Cの範囲で加熱する第1の加熱手段と、
前記ステージを1400度を超えない温度で加熱する第2の加熱手段と、
を備え、
前記第1と第2の加熱手段により、前記SiC基板の成膜工程前に前記天板温度を前記S
iC基板がエッチングされる温度より高い温度に一定時間保持し、前記天板またはこの天
板に堆積したSiC堆積物に付着したSiCパーティクルを水素ガスエッチング処理して
クリーニング処理することを特徴とするSiCエピタキシャル膜付き基板の製造装置。 - 前記クリーニング処理は、当該成膜原料ガスの導入を停止することを特徴とする請求項
5に記載のSiCエピタキシャル膜付き基板の製造装置。
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