JP4979633B2 - 半導体装置の製造方法およびクリーニング方法ならびに半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびクリーニング方法ならびに半導体装置の製造装置 Download PDFInfo
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反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するクリーニング工程と、を有し、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項2に記載の発明は、
反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するクリーニング工程と、を有し、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、またはZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項3に記載の発明は、
反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するクリーニング工程と、を有し、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項4に記載の発明は、
前記Zr化合物が、ZrCl4であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法である。
請求項5に記載の発明は、
前記クリーニング工程では、前記Zr化合物を前記Zr化合物の気化温度以上の温度で加熱することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法である。
請求項6に記載の発明は、
反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させて除去するクリーニング工程と、を有し、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項7に記載の発明は、
反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜処理を行った後の前記反応室内をクリーニングする方法であって、
前記成膜処理において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するようにし、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜であることを特徴とするクリーニング方法である。
請求項8に記載の発明は、
反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜処理を行った後の前記反応室内をクリーニングする方法であって、
前記成膜処理において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させて除去するようにし、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜であることを特徴とするクリーニング方法である。
請求項9に記載の発明は、
基板上にZrを含む膜として、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜を形成する成膜処理を行う反応室と、
前記反応室内で基板を支持する基板ホルダと、
前記反応室内にZr原料を含む原料ガスを供給する原料ガス配管と、
前記反応室内にBCl3を含むガスを供給するクリーニングガス配管と、
前記基板ホルダに備えられ、前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜を除去する際に、前記Zrを含む膜をBCl 3 を含むガスと反応させて生成させたZr化合物を加熱し気化するヒータと、
前記反応室内を排気する排気配管と、
前記反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜処理と、前記成膜処理において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するクリーニング処理と、を行うように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
請求項10に記載の発明は、
基板上にZrを含む膜として、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜を形成する処理を行う反応室と、
前記反応室内で基板を支持する基板ホルダと、
前記反応室内にZr原料を含む原料ガスを供給する原料ガス配管と、
前記反応室内にBCl3を含むガスを供給するクリーニングガス配管と、
前記基板ホルダに備えられ、前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜を除去する際に、前記Zrを含む膜をBCl 3 を含むガスと反応させて生成させたZr化合物を加熱し気化するヒータと、
前記反応室内を排気する排気配管と、
前記反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜処理と、前記成膜処理において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させて除去するクリーニング処理と、を行うように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置である。
2 ゲート弁
3 基板ホルダ
4 反応室
5 原料ガス配管
6 排気配管
7 クリーニングガス配管
Claims (10)
- 反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するクリーニング工程と、を有し、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するクリーニング工程と、を有し、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、またはZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するクリーニング工程と、を有し、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記Zr化合物が、ZrCl4であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記クリーニング工程では、前記Zr化合物を前記Zr化合物の気化温度以上の温度で加熱することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜工程と、
前記成膜工程において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させて除去するクリーニング工程と、を有し、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜処理を行った後の前記反応室内をクリーニングする方法であって、
前記成膜処理において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するようにし、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜であることを特徴とするクリーニング方法。 - 反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜処理を行った後の前記反応室内をクリーニングする方法であって、
前記成膜処理において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させて除去するようにし、
前記Zrを含む膜が、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜であることを特徴とするクリーニング方法。 - 基板上にZrを含む膜として、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜を形成する成膜処理を行う反応室と、
前記反応室内で基板を支持する基板ホルダと、
前記反応室内にZr原料を含む原料ガスを供給する原料ガス配管と、
前記反応室内にBCl3を含むガスを供給するクリーニングガス配管と、
前記基板ホルダに備えられ、前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜を除去する際に、前記Zrを含む膜をBCl 3 を含むガスと反応させて生成させたZr化合物を加熱し気化するヒータと、
前記反応室内を排気する排気配管と、
前記反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜処理と、前記成膜処理において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させてZr化合物を生成させ、このZr化合物を加熱し気化することで前記Zrを含む膜を除去するクリーニング処理と、を行うように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 基板上にZrを含む膜として、ZrO2膜、ZrSixOy膜(式中、xおよびyは整数または分数を意味する)、ZrTiO4膜、またはSrZrO3膜を形成する処理を行う反応室と、
前記反応室内で基板を支持する基板ホルダと、
前記反応室内にZr原料を含む原料ガスを供給する原料ガス配管と、
前記反応室内にBCl3を含むガスを供給するクリーニングガス配管と、
前記基板ホルダに備えられ、前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜を除去する際に、前記Zrを含む膜をBCl 3 を含むガスと反応させて生成させたZr化合物を加熱し気化するヒータと、
前記反応室内を排気する排気配管と、
前記反応室内で基板上にZrを含む膜を形成する成膜処理と、前記成膜処理において前記反応室内に付着した前記Zrを含む膜をBCl3を含むガスと反応させて除去するクリーニング処理と、を行うように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
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JP2008129063A JP4979633B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 半導体装置の製造方法およびクリーニング方法ならびに半導体装置の製造装置 |
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JP2008129063A JP4979633B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 半導体装置の製造方法およびクリーニング方法ならびに半導体装置の製造装置 |
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JP2008129063A Expired - Lifetime JP4979633B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 半導体装置の製造方法およびクリーニング方法ならびに半導体装置の製造装置 |
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