JP5416719B2 - 大型装置のフリットシーリング - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Description
(I)第1基板、
(II)第1基板に気密接着された、閉ループ形状の無機スペーサユニット、
(III)スペーサユニットに気密接着された、電気的に閉ループの構造を有し、かつスペーサユニットに実質的に相当する形状を有している、抵抗加熱素子、
を備えている装置に関する。
(IV)抵抗加熱素子の第1基板からより遠いこの抵抗加熱素子の表面上に接着された、第1フリット材料層、
をさらに備えている。
(V)第1フリット材料層に接着された第2基板、
をさらに備えている
本発明の第1の態様の特定の実施形態において、第1基板および第2基板はガラス材料で作られている。
第1フリット材料層は複数の閉ループを形成している。
(VI)第1基板とスペーサユニットとの間に第2フリット材料層、
をさらに備えている。
(A)第1基板および第2基板を提供するステップ、
(B)第1基板の表面に、閉ループ形状のスペーサユニットを気密接着させるステップ、
(C)スペーサユニットの表面上に、第2フリット材料層を提供するステップ、
(D)閉ループ構造と、スペーサユニットの形状に実質的に相当する形状とを有する、抵抗加熱素子を、第2フリット材料層と直接接触させて提供するステップ、
(E)抵抗加熱素子の第1基板から遠位の表面上に、第1フリット材料層を提供するステップ、
(F)第1フリット材料層を第2基板の表面と接触させるステップ、および、
(G)電流を抵抗加熱素子に流してフリット材料層を加熱および軟化させ、フリット材料層と、抵抗加熱素子と、および基板との間の気密接着を達成するステップ、
を含む。
(I)第1基板、
(II)第1基板に気密接着された、閉ループ形状の無機スペーサユニット、
(III)スペーサユニットに実質的に相当する形状を有している、抵抗加熱素子、および、
(IV)抵抗加熱素子の第1基板からより遠いこの抵抗加熱素子の表面上に接着された、複数の閉ループを形成している、第1フリット材料層、
を備えている装置である。
105a,105b 導線
107,109 フリットループ
301,303 基板
302a,302b,302c フリット層
305 スペーサユニット
Claims (7)
- (I)第1基板、
(II)前記第1基板に気密接着された、閉ループ形状の無機スペーサユニット、
(III)第1フリット材料層、
(IV)第1の表面及び第2の表面を有し、電気的に閉ループの構造を有する抵抗加熱素子であって、前記スペーサユニットに実質的に相当する形状を有し、前記第1の表面が前記第1フリット材料層により、前記スペーサユニットに気密接着されている抵抗加熱素子、及び
(V)前記抵抗加熱素子の前記第1基板から遠位の前記第2の表面上に接着された、複数の閉ループを形成している第2フリット材料層
を備えていることを特徴とする装置。 - (VI)前記第2フリット材料層に接着された第2基板、
をさらに備えていることを特徴とする請求項1記載の装置。 - 前記第2フリット材料層と前記第2基板との間の接着応力が、実質的に均一であることを特徴とする請求項2記載の装置。
- 前記抵抗加熱素子が、実質的に均一な厚さおよび幅を有していることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載の装置。
- 前記抵抗加熱素子が導線を備え、該導線が、該導線に対して電位の勾配が与えられたときに、該ループを流れる電流密度が実質的に均一になるように、配置されたものであることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の装置。
- 第1基板と第2基板との間に気密性のエンクロージャを形成する方法であって、
(A)前記第1基板および前記第2基板を提供するステップ、
(B)前記第1基板の表面に、閉ループ形状のスペーサユニットを気密接着させるステップ、
(C)前記スペーサユニットの表面上に、閉ループ形状を有する第1フリット材料層を提供するステップ、
(D)閉ループ構造と、前記スペーサユニットの形状に実質的に相当する形状とを有する、抵抗加熱素子を、前記第1フリット材料層と直接接触させて提供するステップ、
(E)前記抵抗加熱素子の前記第1基板から遠位の表面上に、第2フリット材料層を提供するステップであって、当該第2フリット材料層が複数のループを形成するステップ、
(F)前記第2フリット材料層を前記第2基板の表面と接触させるステップ、および、
(G)電流を前記抵抗加熱素子に流して前記フリット材料層を加熱および軟化させ、前記フリット材料層と、前記抵抗加熱素子と、および前記基板との間の気密接着を達成するステップ、
を含むことを特徴とする方法。 - ステップ(D)の前記抵抗加熱素子が、ステップ(G)において前記抵抗加熱素子を流れる電流密度が実質的に均一になるように導線が配置されるように、該導線を有するように構成されたものであることを特徴とする請求項6記載の方法。
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KR102160694B1 (ko) * | 2013-11-01 | 2020-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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KR102145889B1 (ko) | 2013-12-20 | 2020-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102283006B1 (ko) | 2014-01-06 | 2021-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 |
KR102160813B1 (ko) | 2014-01-07 | 2020-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20150108463A (ko) * | 2014-03-17 | 2015-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
US10528172B2 (en) | 2016-06-17 | 2020-01-07 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Pressure sensor for display devices |
WO2018131553A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 積水化学工業株式会社 | 有機el表示素子用封止剤 |
KR102034691B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN109461381B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-03-23 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3590468A (en) | 1969-02-19 | 1971-07-06 | Sperry Rand Corp | Glassy phase method for making pure alumina-to-metal hermetic seals |
US3582978A (en) | 1969-08-28 | 1971-06-01 | Tektronix Inc | Rivet-shaped electrical lead-through contact |
US3807833A (en) | 1971-10-29 | 1974-04-30 | Optel Corp | Electro-optic cell having a liquid isolated from its hermetic sealing means |
JPS542080B2 (ja) * | 1975-08-30 | 1979-02-01 | ||
JPS5480314A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Glass joining method and apparatus therefor |
US4293325A (en) | 1978-05-22 | 1981-10-06 | Corning Glass Works | Method of forming hermetic seals |
US4221604A (en) | 1978-05-22 | 1980-09-09 | Corning Glass Works | Hermetic seals |
US4289538A (en) | 1978-09-13 | 1981-09-15 | Corning Glass Works | Sealing glass-ceramic articles |
US4676817A (en) | 1986-08-25 | 1987-06-30 | Harshaw/Filtrol Partnership | Method and apparatus for forming a hermetic seal between glass and metal |
US5267564A (en) | 1991-06-14 | 1993-12-07 | Siemens Pacesetter, Inc. | Pacemaker lead for sensing a physiologic parameter of the body |
US6058782A (en) | 1998-09-25 | 2000-05-09 | Kulite Semiconductor Products | Hermetically sealed ultra high temperature silicon carbide pressure transducers and method for fabricating same |
JP2000143262A (ja) | 1998-11-02 | 2000-05-23 | Canon Inc | 発熱体、フリット焼成体及びこれを用いたガラス外囲器の製造方法 |
JP3647289B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | ガラス外囲器の製造方法 |
KR100429771B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2004-05-03 | 권상직 | 보조열선을 이용한 평판표시소자의 저온 진공 인-라인프릿 실장방법 |
US20020117965A1 (en) | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Osram Sylvania Inc. | High buffer gas pressure ceramic arc tube and method and apparatus for making same |
US6554672B2 (en) | 2001-03-12 | 2003-04-29 | Micron Technology, Inc. | Flat panel display, method of high vacuum sealing |
US6811916B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-11-02 | Neah Power Systems, Inc. | Fuel cell electrode pair assemblies and related methods |
KR100447130B1 (ko) * | 2002-01-31 | 2004-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 표시소자의 캡 실링방법 및 그의 제조방법 |
US6825429B2 (en) | 2003-03-31 | 2004-11-30 | Agilent Technologies, Inc. | Hermetic seal and controlled impedance RF connections for a liquid metal micro switch |
US6998776B2 (en) | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
US20040232535A1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-11-25 | Terry Tarn | Microelectromechanical device packages with integral heaters |
JP2004354830A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshiba Corp | 表示装置およびその製造方法 |
US20070096631A1 (en) | 2005-11-01 | 2007-05-03 | Un-Cheol Sung | Flat panel display and fabricating method thereof |
US8038495B2 (en) * | 2006-01-20 | 2011-10-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same |
KR100671647B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
KR100777734B1 (ko) * | 2006-03-06 | 2007-11-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100732817B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2007-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101281888B1 (ko) | 2006-06-30 | 2013-07-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US7800303B2 (en) * | 2006-11-07 | 2010-09-21 | Corning Incorporated | Seal for light emitting display device, method, and apparatus |
KR20080088032A (ko) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
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