JP5413201B2 - フッ素化気体化合物の製造方法及び装置 - Google Patents
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Description
(a)処理されるべき廃水を、廃水の流入のための1つ以上の入口/ノズル、精製された水の除去のための1つ以上の出口/ノズル、1つ以上のドラフトチューブ、該ドラフトチューブの内側の、泡を上昇させ得るガス/空気のインプットのための1つ以上の入口/ノズル、および微生物膜が付着した粒子のベッドを有する反応ベッセル中を通過させる工程;
(b)該処理されるべき廃水を、該微生物を含む粒子のベッドと接触させ、該廃水のいくつかの成分を固形産物に変換する工程;
(c)該ドラフトチューブを通る液体の上向き流れを形成するために、ガスノズルを通じて該ドラフトチューブ中にガス/空気を導入する工程;
(d)浮力の作用により該固形産物から該粒子のベッドを分離し;該ベッセルから、処理水を、所望であれば連続的に除去する工程;および
(e)該反応ベッセルの底から、該粒子の固形産物を、所望であれば連続的に除去する工程、を包含する、プロセスが提案されている(例えば、特許文献3参照)。
本発明のフッ素化気体化合物の製造方法及び装置は、従来の三フッ化窒素の製造方法及び反応により発生した気体の一部を反応領域に戻して反応物質の循環の流動源として使用する方法の上述した問題点に鑑みてなされたものであって、装置が簡易で故障のおそれが少なく、化学反応も効率的になされるフッ素化気体化合物の製造方法及び装置を提供することを目的とする。
原料液体と原料気体とを反応させてフッ素化された気体化合物を製造するフッ素化気体化合物の製造方法において、
前記原料液体を含む混合液体を原料気体と反応させる反応領域と、前記混合液体のみが流動する流動領域と、反応後の前記混合液体を前記反応領域の上部から前記流動領域の上部へ移動させる上部移動領域と、前記混合液体を前記流動領域の下部から前記反応領域の下部へ移動させる下部移動領域とからなる循環系を形成し、
(A)前記反応領域の下部に前記原料気体と、(B)前記反応領域における反応生成物である第1フッ素化気体化合物及び該第1フッ素化気体化合物をさらにフッ素化させて得られる第2フッ素気体化合物から選ばれる少なくとも一種のフッ素化気体化合物とを導入することによって前記混合液体を循環させることを特徴とするフッ素化気体化合物の製造方法である。
前記反応領域の下部に前記原料気体だけでなく、前記反応領域における反応生成物である第1フッ素化気体化合物及び該第1フッ素化気体化合物をさらにフッ素化させて得られる第2フッ素化気体化合物から選ばれる少なくとも一種のフッ素化気体化合物を導入することによって、液体と気体とが共存することによるみかけ比重の低下の抑制を確実に行うことができるようになる。
前記流動領域、又は前記反応領域より下方の領域において、前記混合液体の液温調整することを特徴とする。このように構成することによって、有効に前記混合液体の液温調整を行って、効率的にフッ素化気体化合物を製造することができる。
さらに、原料気体及び気体化合物が導入される反応領域の下方の領域を、液温調整する領域とすると、気体と液体の流れが同一方向となり、液の循環がより効率化するので好ましい。
原料液体と原料気体とを反応させてフッ素化された気体化合物を製造するフッ素化気体化合物の製造装置において、
前記原料液体を含む混合液体を原料気体と反応させる反応領域と、前記混合液体のみが流動する流動領域と、反応後の前記混合液体を前記反応領域の上部から前記流動領域の上部へ移動させる上部移動領域と、前記混合液体を前記流動領域の下部から前記反応領域の下部へ移動させる下部移動領域とからなる循環系を形成し、
前記反応領域の下部に前記原料気体及び反応生成物の第1フッ素化気体化合物及び該第1フッ素化気体化合物をさらにフッ素化させて得られる第2フッ素化気体化合物から選ばれる少なくとも一種のフッ素気体化合物を導入する気体導入部を設けたことを特徴とするフッ素化気体化合物の製造装置である。
前記流動領域、又は前記反応領域より下方の領域において、前記混合液体の液温調整する液温調整装置を設けたことを特徴とする。このように構成することにより、有効に前記混合液体の液温調整を行って、効率的にフッ素化気体化合物を製造することができる。
以下に、本発明の第1実施形態のフッ素化気体化合物の製造装置を図に基づいて説明する。図1は、第1実施形態のフッ素化気体化合物製造装置10の側面図である。図2は、フッ素化気体化合物製造装置10の平面図である。図3は、戻り冷却部の水平断面図である。図4は、図1の原料ガス供給口の拡大部分断面図である。図5は、原料反応ガス供給ノズルの縦断面図である。
フッ素化気体化合物製造装置10は、図1に示すように、垂直な円筒状の反応部12、反応部12の上方部を底部14に連結され液体と気体を分離する分離槽16、分離槽16の底部14に連結され下方へ延びた戻り冷却部20を有する。NH4F・nHF等の液体は、反応部12、分離槽16及び供給冷却部20を順次連続的に循環する。
戻り冷却部20に原料反応ガスであるClF3、NF2Cl、NFCl2、NF3を供給するための原料反応ガス供給ノズル62は、図4及び5に示すように、中空で先端が閉じ、先端近傍に斜め下向きの複数のノズル孔66を設けている。原料反応ガス供給ノズル62は、ノズル孔66が戻り冷却部20の管路の略中心領域にあるように配置される。
上述したフッ素化気体化合物製造装置10の作動は、以下のとおりである。戻り冷却部20において、反応液量調整口30から取り出され、バージンの原料液体Lと同程度になるように調整された反応液、バージンの原料液体L(例えば、NH4F・nHF)、及び戻り冷却部20で冷却された原料液体Lのいずれかを一種以上を有する液体に、供給口60から原料液体(原料反応ガス)ClF3と、生成反応ガスNF2Cl、NFCl2、NF3等とが混入される。その結果、反応部(反応領域)の液体の見かけ上の比重が小さく軽量になり、反応をしながら反応部12(反応領域)を上昇して、分離槽16に入る。
原料液体のその他の例として、(NH4)3AlF6・nHF等が挙げられる。また、原料気体のその他の例としてClF、BrF、BrF3、ClF5、BrF5、IF5、IF7等が挙げられる。
分離槽16では、生成反応ガスNF2Cl及びNFCl2が四つのガス出口36から取り出され、一部は目的物として次の工程に送られ、他の部分は原料ガス供給口60に供給される。
図6は、第2実施態様のフッ素化気体化合物製造装置10の側面図である。第2実施態様のフッ素化気体化合物製造装置110と第1実施態様のフッ素化気体化合物製造装置10の差異は、冷却部124が原料気体及び気体化合物が導入される反応領域の下部のさらに下方の領域に設けられている点である。冷却部124は、図3に示すような水平断面をもつように構成してもよい。冷却部124によって液温調整がなされるから、図6の装置110では、図1中の戻り冷却部20に相当する戻り部122では、冷却構造を設けなくてもよい。
図1に示すフッ素化気体化合物装置10の構造を有する反応装置を用意した。反応液補充口54から原料液体L(NH4F・2.0HF)を導入し、分離層16の中間程度の高さまで原料液体Lを反応装置に導入した。導入された原料液体量は、約35Lである。反応中に原料液体Lの減少分は、反応液補充口54から適宜補充を行った。
尚、反応中は、戻り冷却部を冷却することで、分離層16部の液体の温度19℃〜25℃に調整された。
原料気体と反応生成ガスとを原料供給口60から導入し始めてから、240時間反応装置を作動させたが問題が発生することはなかった。
図1に示すフッ素化気体化合物装置10の構造を有する反応装置を用意した。反応液補充口54から原料液体L(NH4F・2.0HF)を導入し、分離層16の中間程度の高さまで原料液体Lを反応装置に導入した。導入された原料液体量は、35Lである。反応中に原料液体Lの減少分は、反応液補充口54から適宜補充を行った。
原料気体と反応生成ガスとを原料供給口60から導入し始めてから、240時間反応装置を作動させたが問題が発生することはなかった。さらに、反応中にガス出口36の後段のガス組成を分析した。その結果を表1に示す。比較例1と比べてガス中のN2の比率が少なかった。
図1に示すフッ素化気体化合物装置10の構造を有する反応装置を用意した。反応液補充口54から原料液体L(NH4F・2.0HF)を導入し、分離層16の中間程度の高さまで原料液体Lを反応装置に導入した。導入された原料液体量は、35Lである。反応中に原料液体Lの減少分は、反応液補充口54から適宜補充を行った。
尚、反応中は、戻り冷却部を冷却することで、分離層16部の液体の温度19℃〜25℃に調整された。
実施例1と比較して明らかにガス出口36の後段のガス組成中に占めるN2の割合が多かった。NF2Cl、NFCl2とF2からNF3を合成する反応の収率はほぼ100%であるため、実施例2と比べ劣る結果となった。
10 フッ素化気体化合物製造装置
12 反応部
14 底部
16 分離槽
20 戻り冷却部
30 反応液量調整口
32 液面計導入口
34 温度計導入口
36 ガス出口
40 冷媒供給口
42 冷媒取り出し口
44 冷却ハウジング
46 反応液路
50 温度計
54 反応液補充口
60 原料ガス供給口
62 原料反応ガス供給ノズル
66 複数のノズル孔
110 フッ素化気体化合物製造装置
122 戻り部
124 冷却部
Claims (7)
- 原料液体と原料気体とを反応させてフッ素化された気体化合物を製造するフッ素化気体化合物の製造方法において、
前記原料液体を含む混合液体を原料気体と反応させる反応領域と、前記混合液体のみが流動する流動領域と、反応後の前記混合液体を前記反応領域の上部から前記流動領域の上部へ移動させる上部移動領域と、前記混合液体を前記流動領域の下部から前記反応領域の下部へ移動させる下部移動領域とからなる循環系を形成し、
(A)前記反応領域の下部に前記原料気体と、(B)前記反応領域における反応生成物である第1フッ素化気体化合物及び該第1フッ素化気体化合物をさらにフッ素化させて得られる第2フッ素化合物から選ばれる少なくとも一種のフッ素化気体化合物を導入することによって前記混合液体を循環させることを特徴とするフッ素化気体化合物の製造方法。 - 前記流動領域、又は前記反応領域より下方の領域において、前記混合液体の液温調整することを特徴とする請求項1に記載のフッ素化気体化合物の製造方法。
- 前記原料気体が、ClF 3 、ClF、BrF、BrF 3 、ClF 5 、BrF 5 、IF 5 、IF 7 から選ばれた化合物であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のフッ素化気体化合物の製造方法。
- 前記原料液体が、錯体化合物であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のフッ素化気体化合物の製造方法。
- 前記第2フッ素化合物が、フッ素化反応が完全に進行したものであることを特徴とする請求項1乃至ないし4のいずれかに記載のフッ素化気体化合物の製造方法。
- 原料液体と原料気体とを反応させてフッ素化された気体化合物を製造するフッ素化気体化合物の製造装置において、
前記原料液体を含む混合液体を原料気体と反応させる反応領域と、前記混合液体のみが流動する流動領域と、反応後の前記混合液体を前記反応領域の上部から前記流動領域の上部へ移動させる上部移動領域と、前記混合液体を前記流動領域の下部から前記反応領域の下部へ移動させる下部移動領域とからなる循環反応部を形成し、
前記反応領域の下部に前記原料気体及び反応生成物の第1フッ素化気体化合物及び該第1フッ素化気体化合物をさらにフッ素化させて得られる第2フッ素化気体化合物から選ばれる少なくとも一種のフッ素化気体化合物を導入する気体導入部を設けたことを特徴とするフッ素化気体化合物の製造装置。 - 前記流動領域、又は前記反応領域より下方の領域において、前記混合液体の液温調整する液温調整装置を設けたことを特徴とする請求項6に記載のフッ素化気体化合物の製造装置。
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