JP5387715B2 - 半導体デバイス - Google Patents

半導体デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP5387715B2
JP5387715B2 JP2012087111A JP2012087111A JP5387715B2 JP 5387715 B2 JP5387715 B2 JP 5387715B2 JP 2012087111 A JP2012087111 A JP 2012087111A JP 2012087111 A JP2012087111 A JP 2012087111A JP 5387715 B2 JP5387715 B2 JP 5387715B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
wiring
semiconductor chip
semiconductor
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2012087111A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013219132A (ja
Inventor
浩史 野津
貴弘 杉村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP2012087111A priority Critical patent/JP5387715B2/ja
Priority to PCT/JP2013/056828 priority patent/WO2013150867A1/ja
Priority to US13/829,639 priority patent/US8896114B2/en
Publication of JP2013219132A publication Critical patent/JP2013219132A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5387715B2 publication Critical patent/JP5387715B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601—Structure
    • H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014—Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
    • H01L2224/49431—Connecting portions the connecting portions being staggered on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Description

本発明は、半導体デバイスに関する。
半導体デバイスの例として、ケース型の半導体デバイス及び樹脂封止型の半導体デバイスが知られている（非特許文献１参照）。このような半導体デバイスでは、ダイパッドに搭載された半導体チップが、ワイヤを介して電極端子に接続される。
「Ｃｕワイヤを中心としたワイヤボンディングの不良原因と信頼性向上・評価技術」株式会社技術情報協会出版、２０１１年７月２９日、ｐ．１６３、ｐ．２６３
半導体チップは、１本の太いワイヤの代わりに複数の細いワイヤを介してソース電極端子に接続されることがある。この場合、複数のワイヤの端部が半導体チップの表面に設けられたソース電極パッドおいて分散配置され得るので、半導体チップの表面において局所的に電流が集中することを抑制できる。また、ワイヤボンディングの際に超音波や加圧等により半導体チップが受ける荷重を半導体チップの表面において分散させることができる。
しかし、複数のワイヤを用いる場合、ワイヤの本数を増やすとワイヤ同士が接触する可能性が高まる。ワイヤ同士が接触すると、接触箇所において電流が集中し、発熱するおそれがある。
本発明は、半導体チップを電極端子に接続する配線同士が接触し難い半導体デバイスを提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る半導体デバイスは、半導体チップと、前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面を有するダイパッドと、第１及び第２の配線を介して前記半導体チップに接続される電極端子と、を備え、前記電極端子が、前記第１の配線との接続点を含む第１の表面と、前記第２の配線との接続点を含む第２の表面と、を有し、前記第１の配線との接続点が、前記チップ搭載面を延長した基準面から第１の高さに位置し、前記第２の配線との接続点が、前記基準面から前記第１の高さとは異なる第２の高さに位置する。
この半導体デバイスでは、第１の配線との接続点の高さが、第２の配線との接続点の高さと異なっている。このため、接続点の高さが同じ場合に比べて、高さ方向における第１及び第２の配線間距離を大きくすることができる。よって、第１の配線と第２の配線とが接触し難い半導体デバイスが得られる。
一実施形態において、前記電極端子が、前記第１の表面と前記第２の表面との間に設けられた段差部を有してもよい。
この場合、第１及び第２の表面の両方を基準面と平行に配置することができる。その結果、第１及び第２の配線をそれぞれ第１及び第２の表面に接続し易くなる。
一実施形態において、前記半導体チップの材料が、ワイドバンドギャップ半導体を含んでもよい。
シリコン（Ｓｉ）では、半導体チップに小さい電流しか流れないので、多数の配線を使用する必要性は低い。しかし、ワイドバンドギャップ半導体では、半導体チップに流れる電流がシリコンよりも大きいので、電流の集中を抑制するために配線の本数を増やす必要性が高い。また、ワイドバンドギャップ半導体では、シリコンよりも低い製造歩留まりに起因して半導体チップの大型化が難しい。このため、ワイドバンドギャップ半導体では、小型の半導体チップに多数の配線が接続される。よって、ワイドバンドギャップ半導体では、配線同士の接触を回避することが特に重要である。
一実施形態において、半導体デバイスは、前記半導体チップ及び前記ダイパッドを収容するケースを更に備え、前記電極端子が、前記ケースに取り付けられてもよい。
この場合、ケース型の半導体デバイスが得られる。
本発明によれば、半導体チップを電極端子に接続する配線同士が接触し難い半導体デバイスが提供され得る。
第１実施形態に係る半導体デバイスを模式的に示す平面図である。 図１のＸ方向から見た半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。 参照用の半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。 第２実施形態に係る半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。 第３実施形態に係る半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。 第４実施形態に係る半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。 第５実施形態に係る半導体デバイスを模式的に示す図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体デバイスを模式的に示す平面図である。図１には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。図２は、図１のＸ方向から見た半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。図１及び図２に示される半導体デバイス１０は、樹脂封止型の半導体デバイスである。半導体デバイス１０は、ダイパッド１２と、半導体チップ（又は半導体素子）１４と、電極端子としてのリード２０とを備える。
半導体デバイス１０は、別の電極端子としてのリード１６及び１８を備えてもよい。リード１６，１８，２０はＸ方向に沿って配列される。リード１６は、リード１８，２０の間に位置する。リード１６，１８、２０及びダイパッド１２は、リードフレームを構成し得る。半導体デバイス１０は、例えば電源等に使用される電力用半導体デバイスである。半導体デバイス１０のパッケージ形態の例は一般的なＴＯシリーズである。ＴＯシリーズの例はＴＯ−２４７、ＴＯ−２２０、ＴＯ−２６３（Ｄ２―ＰＡＫ）、ＴＯ−２５２（Ｄ−ＰＡＫ）を含む。
ダイパッド１２は、半導体チップ１４が搭載されるチップ搭載面１２ａを有する。ダイパッド１２は、半導体チップ１４と電気的に接続され得る。ダイパッド１２は例えば板状を呈している。チップ搭載面１２ａは、例えば長方形である。ダイパッド１２の材料の例は、銅（Ｃｕ）及び銅合金等の金属を含む。ダイパッド１２には、板厚方向にダイパッド１２を貫通する貫通孔２６が形成され得る。貫通孔２６は、例えば螺子によって半導体デバイス１０を他の部材に固定する際に、螺子を通すための孔である。
半導体チップ１４は、チップ搭載面１２ａの所定位置に搭載される。半導体チップ１４の例は、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）等のトランジスタ、ダイオードを含む。半導体チップ１４は、鉛入り金属半田、鉛を含まない金属半田又は導電性樹脂等を含む材料から構成される接着層３２を介してチップ搭載面１２ａに実装され得る。半導体チップ１４の材料の例は、ワイドバンドギャップ半導体、シリコンその他の半導体を含む。ワイドバンドギャップ半導体は、シリコンのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する。ワイドバンドギャップ半導体の例は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ダイヤモンドを含む。
リード１６の内側端部は、ダイパッド１２に機械的に一体的に連結されている。ダイパッド１２は導電性を有するので、リード１６とダイパッド１２とは電気的に接続されている。リード１６の材料の例はダイパッド１２の材料と同じ材料を含む。
リード１８は、配線３０を介して半導体チップ１４に接続される。配線３０の一端は半導体チップ１４の電極パッドＧＰに接続される。配線３０の他端はリード１８の内側端部に接続される。
リード２０は、第１〜第４の配線２２ａ〜２２ｄを介して半導体チップ１４に接続される。配線２２ａ〜２２ｄは、半導体チップ１４の電極パッドＳＰに接続される第１の端部Ｅ１ａ〜Ｅ１ｄと、リード２０の内側端部に接続される第２の端部Ｅ２ａ〜Ｅ２ｄとをそれぞれ有してもよい。
配線２２ａ〜２２ｄの端部Ｅ１ａ〜Ｅ１ｄは、電極パッドＳＰの表面において分散配置される。配線２２ａの端部Ｅ１ａは、配線２２ｂの端部Ｅ１ｂよりもリード２０に近い位置に配置され得る。配線２２ｃの端部Ｅ１ｃは、配線２２ｄの端部Ｅ１ｄよりもリード２０に近い位置に配置され得る。端部Ｅ１ａ及びＥ１ｃは、Ｘ方向においてこの順に配列される。端部Ｅ１ｂ及びＥ１ｄは、Ｘ方向においてこの順に配列される。配線２２ａの端部Ｅ２ａは、配線２２ｂの端部Ｅ２ｂよりも半導体チップ１４に近い位置に配置され得る。配線２２ｃの端部Ｅ２ｃは、配線２２ｄの端部Ｅ２ｄよりも半導体チップ１４に近い位置に配置され得る。端部Ｅ２ａ〜Ｅ２ｄは、Ｘ方向においてこの順に配列される。
リード２０は、図２に示されるように、配線２２ａとの接続点Ｐ１を含む第１の表面Ｓ１と、配線２２ｂとの接続点Ｐ２を含む第２の表面Ｓ２とを有する。表面Ｓ１には、配線２２ｃの端部Ｅ２ｃが接続される。表面Ｓ２には、配線２２ｄの端部Ｅ２ｄが接続される。表面Ｓ１は表面Ｓ２よりも半導体チップ１４に近い位置に配置され得る。接続点Ｐ１は、チップ搭載面１２ａを延長した基準面Ｒから第１の高さＨ１に位置する。基準面ＲはＸＹ平面に平行な平面であり得る。接続点Ｐ２は、基準面Ｒから第２の高さＨ２に位置する。高さＨ２は高さＨ１とは異なる。本実施形態において、高さＨ２は高さＨ１よりも高い。
チップ搭載面１２ａ及び基準面Ｒは同一平面であり得る。半導体チップ１４及びリード２０は、基準面Ｒに沿って配置され得る。表面Ｓ１及び表面Ｓ２は、チップ搭載面１２ａ及び基準面Ｒと平行であり得る。リード２０は、表面Ｓ１と表面Ｓ２との間に設けられた段差部２０ａを有してもよい。段差部２０ａは、プレス加工等により板状部材を折り曲げることによって作製され得る。
半導体チップ１４がＭＯＳ−ＦＥＴを含む場合、リード１６はドレイン電極端子に対応し、リード１８はゲート電極端子に対応し、リード２０はソース電極端子に対応し、電極パッドＧＰはゲート電極パッドに対応し、電極パッドＳＰはソース電極パッドに対応する。リード１８，２０の材料の例は、銅及び銅合金等の金属を含む。配線２２ａ〜２２ｄ，３０は、ワイヤ又はリボンであってもよい。配線２２ａ〜２２ｄ，３０の材料の例は、アルミニウム、金、銅等の金属を含む。配線２２ａ〜２２ｄ，３０は、例えば超音波や加圧等を用いたワイヤボンディングによりリード１８，２０及び半導体チップ１４に接続される。
ダイパッド１２及び半導体チップ１４は、樹脂部２４によって封止され得る。リード１６，１８，２０の内側端部は、樹脂部２４に固定される。リード１６，１８，２０のうち樹脂部２４の内側の部分は、いわゆるインナーリード部である。リード１６，１８，２０のうち樹脂部２４の外側の部分は、アウターリード部である。樹脂部２４の外形形状の一例は、略直方体である。樹脂部２４の材料の例は、ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ樹脂）、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を含む。樹脂部２４は、ダイパッド１２及び半導体チップ１４を熱可塑性樹脂でモールドすることによって形成され得る。樹脂部２４には、ダイパッド１２の貫通孔２６の中心軸線を中心軸線とする貫通孔２８が形成されている。貫通孔２８は、貫通孔２６と同様に螺子止めなどの際などに螺子が通される孔である。貫通孔２８の直径は、貫通孔２６の直径より小さい。
一実施形態において、ダイパッド１２のチップ搭載面１２ａと反対側の面である底面１２ｆは開放され得る。換言すれば、底面１２ｆは樹脂部２４によって覆われていない面であり得る。この場合、底面１２ｆは放熱面として機能し得る。
半導体デバイス１０では、配線２２ａとの接続点Ｐ１の高さＨ１が、配線２２ｂとの接続点Ｐ２の高さＨ２と異なっている。一方、図３に示される半導体デバイスでは、リード５００と配線５２２ａ，５２２ｂとの接続点Ｐ１１，Ｐ１２は、基準面Ｒから同じ高さＨである。この場合、高さ方向における配線５２２ａ，５２２ｂ間が相対的に狭くなり、配線５２２ａ，５２２ｂ同士が接触する可能性が高くなる。よって、半導体デバイス１０では、図３に示される半導体デバイスに比べて、高さ方向における配線２２ａ，２２ｂ間距離を大きくすることができる。したがって、配線２２ａと配線２２ｂとが接触し難い半導体デバイス１０が得られる。
リード２０が表面Ｓ１と表面Ｓ２との間に設けられた段差部２０ａを有する場合、表面Ｓ１，Ｓ２の両方を基準面Ｒと平行に配置することができる。その結果、配線２２ａ，２２ｂをそれぞれ表面Ｓ１，Ｓ２に接続し易くなる。
シリコンでは、半導体チップ１４に小さい電流しか流れないので、多数の配線２２ａ〜２２ｄを使用する必要性は低い。しかし、ワイドバンドギャップ半導体では、半導体チップ１４に流れる電流がシリコンよりも大きいので、電流の集中を抑制するために配線２２ａ〜２２ｄの本数を増やす必要性が高い。また、ワイドバンドギャップ半導体では、シリコンよりも低い製造歩留まりに起因して半導体チップ１４の大型化が難しい。このため、ワイドバンドギャップ半導体では、小型の半導体チップ１４に多数の配線２２ａ〜２２ｄが接続される。よって、ワイドバンドギャップ半導体では、配線２２ａ〜２２ｄ同士の接触を回避することが特に重要である。
（第２実施形態）
図４は、第２実施形態に係る半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。図４は、図２に対応する。第２実施形態に係る半導体デバイスは、リード２０に代えてリード１２０を備えること以外は半導体デバイス１０と同様の構成を備える。リード１２０は、基準面Ｒに対して傾斜した表面Ｓ１及びＳ２を有する。表面Ｓ１は表面Ｓ２に隣接する。表面Ｓ１及びＳ２は同一平面である。リード１２０の内側端部は、基準面Ｒに対して傾斜する方向に延びる。リード１２０は、プレス加工等により作製され得る。第２実施形態に係る半導体デバイスでは、少なくとも半導体デバイス１０と同様の作用効果が得られる。
（第３実施形態）
図５は、第３実施形態に係る半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。図５は、図２に対応する。第３実施形態に係る半導体デバイスは、リード２０に代えてリード２２０を備えること以外は半導体デバイス１０と同様の構成を備える。リード２２０の内側端部は、表面Ｓ１を有する部分と表面Ｓ２を有する部分とに分岐されている。表面Ｓ１及び表面Ｓ２は、チップ搭載面１２ａ及び基準面Ｒと平行である。リード２２０は、プレス加工、溶接等により作製され得る。第３実施形態に係る半導体デバイスでは、少なくとも半導体デバイス１０と同様の作用効果が得られる。
（第４実施形態）
図６は、第４実施形態に係る半導体デバイスの一部を模式的に示す図である。図６は、図２に対応する。第４実施形態に係る半導体デバイスは、リード２０に代えてリード３２０を備え、配線２２ｅ〜２２ｇを更に備えること以外は半導体デバイス１０と同様の構成を備える。リード３２０の内側端部は多数の段差部３２０ａ〜３２０ｄを有する。配線２２ｅ〜２２ｇは、配線２２ａ〜２２ｄと同様に、半導体チップ１４とリード３２０とを電気的に接続する。
リード３２０は、表面Ｓ１〜Ｓ５を有する。表面Ｓ３〜Ｓ５は、配線２２ｅ〜２２ｇとの接続点Ｐ３〜Ｐ５をそれぞれ含む。接続点Ｐ３〜Ｐ５は、基準面Ｒから高さＨ３〜Ｈ５にそれぞれ位置する。高さＨ３〜Ｈ５は互いに異なる。高さＨ１〜Ｈ５はこの順に高くなる。表面Ｓ１〜Ｓ５は、チップ搭載面１２ａ及び基準面Ｒと平行である。表面Ｓ１と表面Ｓ２との間には段差部３２０ａが設けられている。表面Ｓ２と表面Ｓ３との間には段差部３２０ｂが設けられている。表面Ｓ３と表面Ｓ４との間には段差部３２０ｃが設けられている。表面Ｓ４と表面Ｓ５との間には段差部３２０ｄが設けられている。リード３２０は、プレス加工等により作製され得る。第４実施形態に係る半導体デバイスでは、少なくとも半導体デバイス１０と同様の作用効果が得られる。
（第５実施形態）
図７は、第５実施形態に係る半導体デバイスを模式的に示す図である。図７に示される半導体デバイス１１０は、ケース型の半導体デバイスである。半導体デバイス１１０は、ダイパッド４６と、半導体チップ１４と、電極端子４２０と、ケース５２とを備える。
ダイパッド４６は、半導体チップ１４が搭載されるチップ搭載面４６ａを有する。半導体チップ１４は、接着層３２を介してチップ搭載面４６ａに搭載される。電極端子４２０は、第１及び第２の配線２２ａ，２２ｂを介して半導体チップ１４に接続される。電極端子４２０は、図１及び図２に示される半導体デバイス１０のリード２０と同様に、表面Ｓ１及びＳ２を有する。表面Ｓ１と表面Ｓ２との間には、段差部４２０ａが設けられる。
ダイパッド４６は、絶縁性基板４２の表面に設けられた配線層である。ダイパッド４６の材料の例は、銅及び銅合金等の金属を含む。絶縁性基板４２の材料の例は、アルミナ等のセラミックを含む。絶縁性基板４２の裏面には、放熱層４４が設けられてもよい。放熱層４４の材料の例は、銅及び銅合金等の金属を含む。放熱層４４は、例えば半田等からなる接着層４８を介してヒートシンク５０に接着される。ヒートシンク５０の材料の例は、金属を含む。
半導体チップ１４、ダイパッド４６、絶縁性基板４２及び放熱層４４は、ケース５２に収容される。ケース５２は、例えば筒状である。ケース５２の一方の開口はヒートシンク５０によって封止され得る。ケース５２の他方の開口は蓋５４によって封止され得る。ケース５２の材料の例は、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）やポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰＳ）といったエンジニヤリングプラスチック等の樹脂を含む。蓋５４の材料の例は熱可塑性樹脂を含む。ケース５２の内側には、応力緩和のため、例えばシリコーンゲル等のゲル５６が注入され得る。
半導体デバイス１１０は、電極端子４１８を備え得る。電極端子４１８は、配線３０を介して半導体チップ１４に接続される。電極端子４１８及び電極端子４２０はケース５２の内壁に取り付けられる。電極端子４１８及び電極端子４２０は、ケース５２の内壁に沿って延びており、蓋５４に形成された開口を通って外部に突出する。電極端子４１８及び電極端子４２０は、プレス加工等により作製され得る。ケース５２は、電極端子４２０の段差部４２０ａに沿った段差部を有する。ケース５２の段差部は、成型等により作製され得る。半導体チップ１４がＭＯＳ−ＦＥＴを含む場合、電極端子４１８はゲート電極端子に対応し、電極端子４２０はソース電極端子に対応する。なお、ドレイン電極端子は図示されていない。第５実施形態に係る半導体デバイスでは、少なくとも半導体デバイス１０と同様の作用効果が得られる。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。
例えば、半導体デバイス１０は、第３〜第４の配線２２ｃ〜２２ｄを備えなくてもよいし、５本以上の配線を備えてもよい。また、リード２０の表面Ｓ１及びＳ２はＹ方向に沿って配列されているが、Ｘ方向に沿って配列されてもよい。また、ダイパッド１２のチップ搭載面１２ａ上に複数の半導体チップ１４が搭載されてもよい。この場合、半導体デバイス中の配線数が増えるので、配線同士の接触を回避することが特に重要である。
１０，１１０…半導体デバイス、１２，４６…ダイパッド、１２ａ，４６ａ…チップ搭載面、１４…半導体チップ、２０，１２０，２２０，３２０…リード（電極端子）、２０ａ，３２０ａ，４２０ａ…段差部、２２ａ…第１の配線、２２ｂ…第２の配線、５２…ケース、４２０…電極端子、Ｐ１…第１の配線との接続点、Ｐ２…第２の配線との接続点、Ｒ…基準面、Ｓ１…第１の表面、Ｓ２…第２の表面。

Claims (3)

  1. 半導体チップと、
    前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面を有するダイパッドと、
    第１及び第２の配線を介して前記半導体チップに接続される電極端子と、
    を備え、
    前記半導体チップの材料が、ワイドバンドギャップ半導体を含み、
    前記電極端子が、前記第１の配線との接続点を含む第１の表面と、前記第２の配線との接続点を含む第２の表面と、を有し、
    前記第１の配線との接続点が、前記チップ搭載面を延長した基準面から第１の高さに位置し、
    前記第２の配線との接続点が、前記基準面から前記第１の高さよりも高い第２の高さに位置し、
    前記第１の配線が、前記半導体チップに接続される端部を有し、前記第２の配線が、前記半導体チップに接続される端部を有し、前記第１の配線の前記端部が、前記第２の配線の前記端部よりも前記電極端子に近い位置に配置される、半導体デバイス。
  2. 前記電極端子が、前記第１の表面と前記第２の表面との間に設けられた段差部を有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
  3. 前記半導体チップ及び前記ダイパッドを収容するケースを更に備え、
    前記電極端子が、前記ケースに取り付けられる、請求項１又は２に記載の半導体デバイス。
JP2012087111A 2012-04-06 2012-04-06 半導体デバイス Expired - Fee Related JP5387715B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012087111A JP5387715B2 (ja) 2012-04-06 2012-04-06 半導体デバイス
PCT/JP2013/056828 WO2013150867A1 (ja) 2012-04-06 2013-03-12 半導体デバイス
US13/829,639 US8896114B2 (en) 2012-04-06 2013-03-14 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012087111A JP5387715B2 (ja) 2012-04-06 2012-04-06 半導体デバイス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013219132A JP2013219132A (ja) 2013-10-24
JP5387715B2 true JP5387715B2 (ja) 2014-01-15

Family

ID=49291652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012087111A Expired - Fee Related JP5387715B2 (ja) 2012-04-06 2012-04-06 半導体デバイス

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8896114B2 (ja)
JP (1) JP5387715B2 (ja)
WO (1) WO2013150867A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130175704A1 (en) * 2012-01-05 2013-07-11 Ixys Corporation Discrete power transistor package having solderless dbc to leadframe attach
JP2016174094A (ja) * 2015-03-17 2016-09-29 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体組立体
US10629520B2 (en) * 2017-05-29 2020-04-21 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
FR3105575B1 (fr) * 2019-12-20 2021-12-03 Valeo Systemes De Controle Moteur Connexion électrique
EP4231345A1 (en) * 2022-02-22 2023-08-23 Infineon Technologies Austria AG Power semiconductor device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6382949A (ja) 1986-09-16 1988-04-13 新日本製鐵株式会社 開缶特性の優れたイ−ジ−オ−プン缶蓋
JPS6382949U (ja) * 1986-11-17 1988-05-31
JP3675603B2 (ja) * 1997-03-19 2005-07-27 株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ 半導体装置
JP3144383B2 (ja) * 1998-05-21 2001-03-12 日本電気株式会社 半導体装置
JP2003258178A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP2006073904A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、リードフレーム、及びその製造方法
KR101221807B1 (ko) * 2006-12-29 2013-01-14 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지
JP5206102B2 (ja) * 2008-05-08 2013-06-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013219132A (ja) 2013-10-24
US20130264697A1 (en) 2013-10-10
US8896114B2 (en) 2014-11-25
WO2013150867A1 (ja) 2013-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5272191B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5387715B2 (ja) 半導体デバイス
JP2019040971A (ja) 半導体装置
JP5991045B2 (ja) 半導体装置
US20130249008A1 (en) Semiconductor device
TWI716532B (zh) 樹脂密封型半導體裝置
JP7286582B2 (ja) 半導体装置
WO2013153920A1 (ja) 半導体デバイス
WO2014132826A1 (ja) 半導体装置
JP2021068783A (ja) 半導体装置
KR101388857B1 (ko) 반도체 패키지 및 반도체 패키지 제조 방법
WO2013172139A1 (ja) 半導体デバイス
JP5172290B2 (ja) 半導体装置
WO2013150890A1 (ja) 半導体デバイス
EP2688098B1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9123710B2 (en) Semiconductor device having a semiconductor chip and wiring
WO2014132897A1 (ja) 半導体装置
WO2018012281A1 (ja) 半導体装置
JP6887476B2 (ja) 半導体パワーモジュール
US11348862B2 (en) Source electrode and connector lead with notched portions for a semiconductor package
KR20160009950A (ko) 리드프레임 및 이를 갖는 전력 반도체 패키지
JP2014220329A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2019169512A (ja) 半導体パッケージ
JP2014187146A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130822

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130910

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130923

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees