JP5381688B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に誘電体膜として高誘電体又は強誘電体を用いたキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法に関する。

近時、キャパシタの誘電体膜として高誘電体や強誘電体を用いることが注目されている。

しかしながら、誘電体膜として高誘電体や強誘電体を単に用いた場合には、誘電体膜を形成した後の工程において、誘電体膜中の酸素が水素により還元されてしまう場合があり、電気的特性の良好なキャパシタが得られないことがあった。また、層間絶縁膜等に含まれる水分がキャパシタに達することによっても、誘電体膜中の酸素が水素によって還元されてしまい、電気的特性の良好なキャパシタが得られないことがあった。

水素や水分による誘電体膜の劣化を防止する技術として、キャパシタを覆うように酸化アルミニウム膜を形成する技術や、キャパシタ上に形成された層間絶縁膜上に酸化アルミニウム膜を形成する技術が提案されている。酸化アルミニウム膜は、水素及び水分の拡散を防止する機能を有している。このため、提案されている技術によれば、水素や水分が誘電体膜に達するのを防止することができ、水素や水分による誘電体膜の劣化を防止することが可能となる。このような技術は、例えば特許文献１、２において提案されている。

特開２００２−１７６１４９号公報 特開２００３−１９７８７８号公報 特開２００３−１００９９４号公報 特許第３１１４７１０号公報 特開２００３−２２９５４２号公報

しかしながら、酸化アルミニウム膜を単に形成した場合には、水素や水分による誘電体膜の劣化を確実に防止することは困難であった。水素や水分による誘電体膜の劣化は、製造歩留りの低下を招いてしまうこととなる。

本発明の目的は、キャパシタを有する信頼性の高い半導体装置を高い歩留りで製造し得る半導体装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一観点によれば、半導体基板上に形成され、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタと、前記半導体基板上及び前記キャパシタ上に形成され、研磨することにより、表面が平坦化された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、水素及び水分の拡散を防止する平坦なバリア膜とを有する半導体装置であって、前記バリア膜は、水素及び水分の拡散を防止する第１の膜と、前記第１の膜上に形成された絶縁体より成る第２の膜と、前記第２の膜上に形成された水素及び水分の拡散を防止する第３の膜とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。

また、本発明の他の観点によれば、半導体基板上に、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタを形成する工程と；前記半導体基板上及び前記キャパシタ上に、絶縁膜を形成する工程と；前記絶縁膜の表面を研磨することにより、前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と；前記絶縁膜上に、水素及び水分の拡散を防止する平坦なバリア膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記バリア膜を形成する工程は、水素及び水分の拡散を防止する第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜上に絶縁体より成る第２の膜を形成する工程と、前記第２の膜上に水素及び水分の拡散を防止する第３の膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、平坦化された第２の絶縁膜上に第２の水素拡散防止膜が形成されているため、第２の水素拡散防止膜は平坦になっている。平坦な第２の水素拡散防止膜は被覆性が極めて良好であるため、第２の水素拡散防止膜により水素等を確実にバリアすることができる。従って、本発明によれば、キャパシタの誘電体膜に水素等が達するのを確実に防止することができ、キャパシタの誘電体膜を構成する金属酸化物が水素により還元されるのを防止することができる。しかも、本発明によれば、ソース／ドレイン拡散層に接続された第１の導体プラグを第１の絶縁膜に予め埋め込んでおき、第１の導体プラグに接続される第３の導体プラグを第２の絶縁膜に埋め込むため、第２の絶縁膜上、配線下に第２の水素拡散防止膜を形成する場合であっても、ソース／ドレイン拡散層にダメージを与えることなく、配線とソース／ドレイン拡散層とを電気的に接続することができる。従って、本発明によれば、キャパシタを有する信頼性の高い半導体装置を高い製造歩留りで提供することができる。

また、本発明によれば、水素及び水分の拡散を防止する第１の膜と、第１の膜によるストレスを緩和する第２の膜とを積層することによりバリア膜を構成しているため、バリア膜によるストレスを小さくすることができ、キャパシタに大きなストレスが加わるのを防止することができる。このため、本発明によれば、キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下を確実に防止しつつ、水素や水分がキャパシタに達するのを防止することが可能となる。従って、本発明によれば、電気的特性が良好なキャパシタを有する半導体装置を高い歩留りで提供することができる。

また、本発明によれば、水素及び水分の拡散を防止する複数の第１の膜を、絶縁体より成る第２の膜を介して積層することによりバリア膜を構成しているため、水素や水分の拡散をより確実に防止することができる。しかも、本発明によれば、比較的薄い第１の膜を第２の膜を介して積層することによりバリア膜を構成しているため、第１の膜の総膜厚を比較的厚く確保しつつ、バリア膜によるストレスを比較的小さくすることができる。このため、本発明によれば、水素や水分がキャパシタに達するのを確実に防止しつつ、キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下を防止することができる。

本発明の第１実施形態による半導体装置を示す断面図である。 昇温離脱分析法による水素拡散防止膜の評価結果を示すグラフである。 キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの変化を示すグラフである。 下部電極のコンタクト抵抗のばらつきを示すグラフである。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１２）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１３）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１４）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１５）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１６）である。 本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１７）である。 水素拡散防止膜における膜応力を示すグラフである。 本発明の第１実施形態の変形例（その１）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例（その２）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例（その３）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第２実施形態の変形例（その１）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例（その２）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例（その３）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例（その４）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例（その５）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第２実施形態の変形例（その６）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 本発明の第３実施形態の変形例（その１）による半導体装置を示す断面図である。 本発明の第３実施形態の変形例（その２）による半導体装置を示す断面図である。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による半導体装置及びその製造方法を図１乃至図２２を用いて説明する。

（半導体装置）
まず、本実施形態による半導体装置を図１乃至図４を用いて説明する。図１は、本実施形態による半導体装置を示す断面図である。図１において、紙面左側はメモリセル領域２を示しており、紙面右側は周辺回路領域４を示している。

図１に示すように、例えばシリコンより成る半導体基板１０上には、素子領域を画定する素子分離領域１２が形成されている。素子分離領域１２が形成された半導体基板１０内には、ウェル１４ａ、１４ｂが形成されている。

ウェル１４ａ、１４ｂが形成された半導体基板１０上には、ゲート絶縁膜１６を介してゲート電極（ゲート配線）１８が形成されている。ゲート電極１８の側壁部分には、サイドウォール絶縁膜２０が形成されている。

サイドウォール絶縁膜２０が形成されたゲート電極１８の両側には、ソース／ドレイン拡散層２２が形成されている。こうして、ゲート電極１８とソース／ドレイン拡散層２２とを有するトランジスタ２４が構成されている。

トランジスタ２４が形成された半導体基板１０上には、層間絶縁膜２６が形成されている。層間絶縁膜２６の表面は平坦化されている。

層間絶縁膜２６には、ソース／ドレイン拡散層２２に達するコンタクトホール２８ａが形成されている。また、層間絶縁膜２６には、ゲート配線（ゲート電極）１８に達するコンタクトホール２８ｂが形成されている。

コンタクトホール２８ａ、２８ｂ内には、例えば膜厚２０〜６０ｎｍのＴｉ膜が形成されている。Ｔｉ膜が形成されたコンタクトホール内には、例えば膜厚３０〜５０ｎｍのＴｉＮ膜が形成されている。Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とによりバリアメタル膜３０が構成されている。

バリアメタル膜３０が形成されたコンタクトホール２８ａ、２８ｂ内には、タングステン（Ｗ）より成る導体プラグ３２が埋め込まれている。

導体プラグ３２が埋め込まれた層間絶縁膜２６上には、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉＯＮ膜３４が形成されている。ＳｉＯＮ膜３４は、導体プラグ３２を埋め込んだ後に導体プラグ３２の表面が酸化されるのを防止するためのものである。

なお、ここでは酸化防止膜３４として、ＳｉＯＮ膜を形成する場合を例に説明したが、酸化防止膜３４はＳｉＯＮ膜に限定されるものではない。例えば、酸化防止膜３４として、シリコン窒化膜を形成してもよい。

酸化防止膜３４上には、例えば膜厚１３０ｎｍのシリコン酸化膜３６が形成されている。

シリコン酸化膜３６上には、キャパシタ４４の下部電極３８が形成されている。下部電極３８は、例えば、膜厚２０ｎｍ〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜３８ａと膜厚１００〜３００ｎｍのＰｔ膜３８ｂとを順次積層して成る積層膜により構成されている。ここでは、Ｐｔ膜３８ｂの膜厚は、１７５ｎｍに設定されている。

下部電極３８上には、キャパシタ４４の誘電体膜４０が形成されている。誘電体膜４０は、例えば膜厚１５０ｎｍの強誘電体膜により構成されている。強誘電体膜としては、例えばＰｂＺｒ_１−ＸＴｉ_ＸＯ_３膜（ＰＺＴ膜）が用いられている。

誘電体膜４０上には、キャパシタ４４の上部電極４２が形成されている。上部電極４２は、例えば膜厚１０〜１００ｎｍのＩｒＯ_Ｘ膜４２ａと、膜厚１００〜３００ｎｍのＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂと、膜厚２０〜１００ｎｍのＰｔ膜４２ｃとを順次積層して成る積層膜により構成されている。ここでは、ＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂの膜厚は５０ｎｍに設定されている。また、ここでは、Ｐｔ膜４２ｃの膜厚は、７５ｎｍに設定されている。ＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂの酸素の組成比Ｙは、ＩｒＯ_Ｘ膜４２ａの酸素の組成比Ｘより高く設定されている。

なお、Ｐｔ膜４２ｃは、導体プラグと上部電極４２とのコンタクト抵抗を低減するためのものである。導体プラグと上部電極４２とのコンタクト抵抗をあまり低くする必要がない場合には、Ｐｔ膜４２ｃを形成しなくてもよい。

こうして、下部電極３８と誘電体膜４０と上部電極４２とから成るキャパシタ４４が構成されている。

誘電体膜４０上及び上部電極４２上には、誘電体膜４０及び上部電極４２の上面及び側面を覆うように水素拡散防止膜（バリア膜）４６が形成されている。水素拡散防止膜４６としては、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）が用いられている。水素拡散防止膜４６の膜厚は、例えば２０〜１５０ｎｍに設定されている。水素拡散防止膜４６は、水素の拡散を防止する機能を有する膜である。酸化アルミニウム膜より成るバリア膜４６は、水素の拡散を防止する機能のみならず、水分の拡散を防止する機能をも有している。キャパシタ４４の誘電体膜４０に水素や水分が達すると、誘電体膜４０を構成する金属酸化物が水素により還元されてしまい、キャパシタ４４の電気特性が劣化してしまう。誘電体膜４０及び上部電極４２の上面及び側面を覆うように水素拡散防止膜４６を形成することにより、誘電体膜４０に水素や水分が達するのが抑制されるため、キャパシタ４４の電気的特性の劣化を抑制することが可能となる。

水素拡散防止膜４６により覆われたキャパシタ４４上及びシリコン酸化膜３６上には、水素拡散防止膜４８が形成されている。水素拡散防止膜４８としては、例えば膜厚２０〜５０ｎｍの酸化アルミニウム膜が用いられている。

水素拡散防止膜４８上には、例えば膜厚１０００ｎｍのシリコン酸化膜より成る層間絶縁膜５０が形成されている。層間絶縁膜５０の表面は、平坦化されている。

なお、ここでは層間絶縁膜５０として材料としてシリコン酸化膜を用いる場合を例に説明したが、層間絶縁膜５０の材料はシリコン酸化膜に限定されるものではない。例えば、絶縁性を有する無機膜を層間絶縁膜５０として適宜用いることができる。

シリコン酸化膜５０上には、水素拡散防止膜（バリア膜）５２が形成されている。水素拡散防止膜５２としては、例えば膜厚５０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜が用いられている。酸化アルミニウム膜より成る水素拡散防止膜５２は、水素の拡散を防止する機能を有しているのみならず、水分の拡散をも防止する機能をも有している。平坦化されたシリコン酸化膜５０上に水素拡散防止膜５２が形成されているため、水素拡散防止膜５２は平坦となっている。

本実施形態において層間絶縁膜５０上に平坦な水素拡散防止膜５２を形成するようにしているのは、以下のような理由によるものである。

即ち、表面に段差が生じている層間絶縁膜上に水素拡散防止膜を形成した場合には、水素拡散防止膜の被覆性があまり良好ではないため、水素拡散防止膜において水素や水分の拡散を十分に防止し得ない。水素や水分がキャパシタの誘電体膜に達すると、誘電体膜を構成する金属酸化物が水素により還元されてしまい、キャパシタの電気的特性の劣化を招いてしまう。

これに対し、本実施形態では、平坦化された層間絶縁膜５０に水素拡散防止膜５２が形成されているため、水素拡散防止膜５２は平坦になっている。平坦な水素拡散防止膜５２は被覆性が極めて良好であるため、水素拡散防止膜５２により水素や水分を確実にバリアすることが可能となる。しかも、本実施形態では、後述する第１金属配線層６４の下に水素拡散防止膜５２が形成されているため、後述する層間絶縁膜７０を形成する際に水素や水分がキャパシタ４４に達してしまうのを水素拡散防止膜５２により防止することができる。従って、本実施形態によれば、キャパシタ４４の誘電体膜４０に水素や水分が達するのを確実に防止することができ、キャパシタ４４の誘電体膜４０を構成する金属酸化物が水素により還元されるのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、キャパシタ４４の電気的特性の劣化を確実に防止することができる。

このような理由により、本実施形態では、キャパシタ４４の上方に平坦な水素拡散防止膜５２を形成するようにしている。

水素拡散防止膜５２における膜応力は、例えば５×１０^８ｄｙｎ／ｃｍ^２以下に設定されている。本実施形態で水素拡散防止膜５２における膜応力をこのように低く設定しているのは、以下のような理由によるものである。

即ち、水素拡散防止膜５２における膜応力が比較的高い場合には、キャパシタ４４に応力が加わり、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが劣化してしまう場合がある。スイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷとは、分極によるスイッチングの電荷量と、非スイッチングの電荷量との差のことである。

水素拡散防止膜５２上には、例えばシリコン酸化膜より成る絶縁膜５４が形成されている。絶縁膜５４の膜厚は、例えば２００〜３００ｎｍに設定されている。

なお、ここでは、絶縁膜５４としてシリコン酸化膜を形成する場合を例に説明したが、絶縁膜５４はシリコン酸化膜に限定されるものではない。例えば、絶縁膜５４として、ＳｉＯＮ膜やシリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４膜）等を形成してもよい。

本実施形態で水素拡散防止膜５２上に絶縁膜５４を形成しているのは、以下のような理由によるものである。

即ち、水素拡散防止膜５２上に絶縁膜５４を形成しない場合には、水素拡散防止膜５２を形成した後の工程において水素拡散防止膜５２が劣化する場合があり、水素拡散防止膜５２において十分な水素拡散防止機能が得られなくなる場合がある。また、水素拡散防止膜５２上に絶縁膜５４を形成しない場合には、配線をパターニングする際に、水素拡散防止膜５２までもがエッチングされてしまう場合がある。また、水素拡散防止膜５２上に配線を直接形成した場合には、配線の信頼性が低くなる場合がある。このような不都合を回避するため、本実施形態では、水素拡散防止膜５２上に絶縁膜５４を形成している。

絶縁膜５４、水素拡散防止膜５２及び層間絶縁膜５０には、上部電極４２に達するコンタクトホール５６が形成されている。また、絶縁膜５４、水素拡散防止膜５２及び層間絶縁膜５０には、下部電極３８に達するコンタクトホール（図示せず）が形成されている。また、絶縁膜５４、水素拡散防止膜５２及び層間絶縁膜５０には、導体プラグ３２に達するコンタクトホール５８が形成されている。

コンタクトホール５８内には、例えば膜厚２０〜１００ｎｍのＴｉＮ膜より成るバリアメタル膜６０が形成されている。

バリアメタル膜６０が形成されたコンタクトホール５６、５８内には、タングステンより成る導体プラグ６２が埋め込まれている。

コンタクトホール５６、５８内にＴｉ膜を形成することなくＴｉＮ膜６０のみを形成し、ＴｉＮ膜６０のみが形成されたコンタクトホール５６、５８内にタングステンより成る導体プラグ６２を埋め込んでいるのは、以下のような理由によるものである。

即ち、導体プラグとしてタングステンを用いる場合には、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とから成る積層膜をコンタクトホール内に形成し、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とから成る積層膜が形成されたコンタクトホール内に、タングステンより成る導体プラグが埋め込むのが一般的である。しかし、キャパシタの上部電極にＴｉ膜が接触すると、キャパシタの上部電極に用いられているＩｒＯ_Ｘ膜の中の酸素原子がＴｉ膜中のチタン原子と反応してＴｉＯ_Ｘが生じてしまい、上部電極と導体プラグとの間のコンタクト抵抗が高くなってしまう。

ところで、Ｔｉ膜は、導体プラグの下地に対する密着性を確保するためのものであるため、導体プラグの下地に対する密着性がＴｉ膜を形成することなく確保できる場合には、Ｔｉ膜を敢えて形成する必要はない。

本実施形態では、導体プラグ６２の下地がタングステンより成る導体プラグ３２であるため、コンタクトホール５６、５８内にＴｉ膜を形成しなくても、導体プラグ６２の下地に対する密着性を確保することが可能である。このため、本実施形態では、コンタクトホール５６、５８内に敢えてＴｉ膜を形成せずに、コンタクトホール５６、５８内にＴｉＮ膜６０のみを形成し、ＴｉＮ膜６０が形成されたコンタクトホール５６、５８内にタングステンより成る導体プラグ６２を埋め込んでいる。このため、本実施形態によれば、キャパシタ４４の上部電極４２に用いられているＩｒＯ_Ｘ膜４２ａ中やＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂ中の酸素原子がＴｉ膜中のＴｉ原子と反応してＴｉＯ_Ｘが生じてしまうことはなく、上部電極４２と導体プラグ６２との間のコンタクト抵抗が高くなってしまうこともない。このため、本実施形態によれば、電気的特性の良好な半導体装置を提供することが可能となる。

絶縁膜５４上には、導体プラグ６２に接続された配線（第１金属配線層）６４が形成されている。配線６４は、例えば、膜厚６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚５ｎｍのＴｉ膜、及び膜厚７０ｎｍのＴｉＮ膜を順次積層して成る積層膜により構成されている。

本実施形態において、配線６４をキャパシタ４４の上部電極４２や下部電極３８に直接接続することなく、導体プラグ６２を介して接続しているのは、以下のような理由によるものである。

即ち、配線をキャパシタの上部電極や下部電極に直接接続した場合には、配線の材料として用いられているＡｌと、キャパシタの上部電極や下部電極の材料として用いられているＰｔとが反応して、反応生成物が生じてしまう虞がある。ＡｌとＰｔとが反応して体積の大きい反応生成物が生じると、層間絶縁膜等に亀裂が生じる場合があり、半導体装置の信頼性が低下する要因となる。

本実施形態では、配線６４が導体プラグ６２を介してキャパシタ４４の上部電極４２や下部電極３８に接続されているため、配線６４の材料として用いられているＡｌと、キャパシタ４４の上部電極４２や下部電極３８の材料として用いられているＰｔとが、反応して反応生成物が生じてしまうことはない。従って、本実施形態によれば、ＡｌとＰｔとの反応生成物が生じて層間絶縁膜５０等に亀裂が生じるのを防止することができ、半導体装置の信頼性が低下するのを防止することができる。

配線６４が形成された絶縁膜５４上には、シリコン酸化膜６６が形成されている。シリコン酸化膜６６上には、更にシリコン酸化膜６８が形成されている。シリコン酸化膜６８の表面は平坦化されている。シリコン酸化膜６６とシリコン酸化膜６８とにより層間絶縁膜７０が構成されている。層間絶縁膜７０の総膜厚は、例えば１２７５ｎｍに設定されている。

層間絶縁膜６６、６８には、配線６４に達するコンタクトホール７２が形成されている。

コンタクトホール７２内には、例えば膜厚１０ｎｍのＴｉ膜が形成されている。Ｔｉ膜が形成されたコンタクトホール７２内には、膜厚３．５〜７ｎｍのＴｉＮ膜が形成されている。Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とにより、バリアメタル膜７４が構成されている。

バリアメタル膜７２が形成されたコンタクトホール７２内には、タングステンより成る導体プラグ７６が埋め込まれている。

導体プラグ７６が埋め込まれた層間絶縁膜６６、６８上には、導体プラグ７６に接続された配線（第２金属配線層）７８が形成されている。配線７８は、例えば、膜厚６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚５ｎｍのＴｉ膜、及び膜厚７０ｎｍのＴｉＮ膜を順次積層して成る積層膜により構成されている。

層間絶縁膜７０上及び配線７８上には、シリコン酸化膜８０が形成されている。シリコン酸化膜８０上には、シリコン酸化膜８２が形成されている。シリコン酸化膜８２の表面は平坦化されている。シリコン酸化膜８０とシリコン酸化膜８２とにより層間絶縁膜８４が構成されている。

層間絶縁膜８４には、配線７８に達するコンタクトホール８６が形成されている。

コンタクトホール８６内には、例えば膜厚１０ｎｍのＴｉ膜が形成されている。Ｔｉ膜が形成されたコンタクトホール８６内には、膜厚３．５〜７ｎｍのＴｉＮ膜が形成されている。Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とにより、バリアメタル膜８８が構成されている。

バリアメタル膜８８が形成されたコンタクトホール８６内には、タングステンより成る導体プラグ９０が埋め込まれている。

導体プラグ９０が埋め込まれた層間絶縁膜８４上には、導体プラグ９０に接続された配線（第３金属配線層）９２が形成されている。配線９２は、例えば、膜厚６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚５ｎｍのＴｉ膜、及び膜厚７０ｎｍのＴｉＮ膜を順次積層して成る積層膜により構成されている。

層間絶縁膜８４上及び配線９２上には、例えば膜厚２００〜３００ｎｍのシリコン酸化膜９４が形成されている。

シリコン酸化膜９４上には、例えば膜厚５００ｎｍのシリコン窒化膜９６が形成されている。

シリコン窒化膜９６上には、例えば膜厚２〜１０μｍのポリイミド樹脂膜９８が形成されている。

ポリイミド樹脂膜９８、シリコン窒化膜９６、シリコン酸化膜９４には、電極パッド（図示せず）に達する開口部（図示せず）が形成されている。

こうして本実施形態による半導体装置が構成されている。

本実施形態による半導体装置は、キャパシタ４４と第１金属配線層６４との間に平坦な水素拡散防止膜５２が形成されていることに主な特徴の一つがある。

表面に段差が生じている層間絶縁膜上に水素拡散防止膜を形成した場合には、水素拡散防止膜の被覆性があまり良好ではないため、水素拡散防止膜において水素や水分の拡散を十分に防止し得ない。水素や水分がキャパシタの誘電体膜に達すると、誘電体膜を構成する金属酸化物が水素により還元されてしまい、キャパシタの電気的特性の劣化を招いてしまうこととなる。

これに対し、本実施形態では、平坦化された層間絶縁膜５０に水素拡散防止膜５２が形成されているため、水素拡散防止膜５２は平坦になっている。平坦な水素拡散防止膜５２は被覆性が極めて良好であるため、水素拡散防止膜５２により水素や水素を確実にバリアすることができる。しかも、本実施形態では、第１金属配線層６４の下に水素拡散防止膜５２が形成されているため、層間絶縁膜７０を形成する際に水素や水分がキャパシタ４４に達してしまうのを水素拡散防止膜５２により防止することができる。従って、本実施形態によれば、キャパシタ４４の誘電体膜４０に水素や水分が達するのを確実に防止することができ、キャパシタ４４の誘電体膜４０を構成する金属酸化物が水素により還元されるのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、キャパシタ４４の電気的特性の劣化を確実に防止することができる。

また、本実施形態による半導体装置は、導体プラグ６２が、ソース／ドレイン拡散層２２に直接接続されておらず、導体プラグ３２を介してソース／ドレイン拡散層２２に接続されていることにも主な特徴の一つがある。

導体プラグ６２をソース／ドレイン拡散層２２に直接接続する場合には、層間絶縁膜５０、２６等のみならず水素拡散防止膜５２をもエッチングして、ソース／ドレイン拡散層２２に達するコンタクトホールを形成しなければならない。しかし、水素拡散防止膜５２のエッチング特性は層間絶縁膜５２、２６等のエッチング特性と大きく異なるため、ソース／ドレイン拡散層２２にダメージを与えることなく、ソース／ドレイン拡散層２２に達するコンタクトホールを形成することは極めて困難である。

本実施形態では、ソース／ドレイン拡散層２２に接続された導体プラグ３２を層間絶縁膜２６に予め埋め込んでおき、導体プラグ３２に接続される導体プラグ６２を層間絶縁膜５０等に埋め込むため、ソース／ドレイン拡散層２２にダメージを与えることなく、配線６４とソース／ドレイン拡散層２２とを電気的に接続することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い半導体装置を高い製造歩留りで提供することができる。

また、本実施形態による半導体装置は、コンタクトホール５６、５８内にＴｉ膜を形成することなくＴｉＮ膜６０のみを形成し、ＴｉＮ膜６０のみが形成されたコンタクトホール５６、５８内にタングステンより成る導体プラグ６２が埋め込まれていることにも主な特徴の一つがある。

導体プラグとしてタングステンを用いる場合には、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とから成る積層膜をコンタクトホール内に形成し、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とから成る積層膜が形成されたコンタクトホール内に、タングステンより成る導体プラグを埋め込むのが一般的である。しかし、キャパシタの上部電極にＴｉ膜が接触すると、キャパシタの上部電極に用いられているＩｒＯ_Ｘ膜の中の酸素原子がＴｉ膜中のチタン原子と反応してＴｉＯ_Ｘが生じてしまい、上部電極と導体プラグとの間のコンタクト抵抗が高くなってしまう。

これに対し、本実施形態では、コンタクトホール５６、５８内に敢えてＴｉ膜を形成せずに、コンタクトホール５６、５８内にＴｉＮ膜６０のみを形成し、ＴｉＮ膜６０が形成されたコンタクトホール５６、５８内にタングステンより成る導体プラグ６２を埋め込んでいる。このため、本実施形態によれば、キャパシタ４４の上部電極４２に用いられているＩｒＯ_Ｘ膜４２ａ中やＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂ中の酸素原子がＴｉ膜中のＴｉ原子と反応してＴｉＯ_Ｘが生じてしまうのを防止することができる。このため、本実施形態によれば、上部電極４２と導体プラグ６２との間のコンタクト抵抗が高くなってしまうのを防止することができ、電気的特性の良好な半導体装置を提供することができる。

なお、Ｔｉ膜は、導体プラグ６２の下地に対する密着性を確保するためのものであるため、導体プラグ６２の下地に対する密着性がＴｉ膜を形成することなく確保できる場合には、Ｔｉ膜を敢えて形成する必要はない。本実施形態では、導体プラグ６２の下地がタングステンより成る導体プラグ３２であるため、コンタクトホール５６、５８内にＴｉ膜を形成しなくても、導体プラグ６２の下地に対する密着性を確保することが可能である。このため、本実施形態では、コンタクトホール５６、５８内にＴｉ膜を形成しなくても、特段の問題は生じない。

また、本実施形態による半導体装置は、配線６４がキャパシタ４４の上部電極４２や下部電極３８に直接接続されておらず、配線６４が導体プラグ６２を介してキャパシタ４４の上部電極４２や下部電極３８に電気的に接続されていることにも主な特徴の一つがある。

配線をキャパシタの上部電極や下部電極に直接接続した場合には、配線の材料として用いられているＡｌと、キャパシタの上部電極や下部電極の材料として用いられているＰｔとが反応して、反応生成物が生じてしまう虞がある。ＡｌとＰｔとが反応して体積の大きい反応生成物が生じると、層間絶縁膜等に亀裂が生じる場合があり、半導体装置の信頼性が低下する要因となる。

本実施形態では、配線６４が導体プラグ６２を介してキャパシタ４４の上部電極４２や下部電極３８に接続されているため、配線６４の材料として用いられているＡｌと、キャパシタ４４の上部電極４２や下部電極３８の材料として用いられているＰｔとが、反応して反応生成物が生じてしまうことはない。従って、本実施形態によれば、ＡｌとＰｔとの反応生成物が生じて層間絶縁膜５０等に亀裂が生じるのを防止することができ、半導体装置の信頼性が低下するのを防止することができる。

また、本実施形態による半導体装置は、導体プラグ３２が埋め込まれた層間絶縁膜２６上に、導体プラグ３２の表面が酸化されるのを防止するための酸化防止膜３４が形成されていることにも、主な特徴の一つがある。

本実施形態によれば、層間絶縁膜２６上に酸化防止膜３４が形成されているため、シリコン酸化膜３６等を形成する際に導体プラグ３２の表面が酸化されるのを防止することができ、導体プラグ６２と導体プラグ３２との間のコンタクト抵抗を低く抑えることができる。

また、本実施形態による半導体装置は、水素拡散防止膜５２上に絶縁膜５４が形成されており、絶縁膜５４上に配線６４が形成されていることにも主な特徴の一つがある。

本実施形態によれば、水素拡散防止膜５２上に絶縁膜５４が形成されているため、水素拡散防止膜５２が劣化するのを防止することができ、水素拡散防止膜５２において十分な水素拡散防止機能を得ることができる。また、本実施形態によれば、水素拡散防止膜５２上に絶縁膜５４を形成されているため、配線６４をパターニングする際に水素拡散防止膜５２までもがエッチングされてしまうのを防止することができる。また、本実施形態によれば、水素拡散防止膜５２上に絶縁膜５４を介して配線６４を形成しているため、配線６４の信頼性を向上することもできる。

なお、特許文献１には、キャパシタ上に形成された層間絶縁膜上に酸化アルミニウム膜を形成する技術が開示されている。特許文献１では、層間絶縁膜の表面が平坦化されていないため、酸化アルミニウム膜は平坦になっていない。このため、引用文献１の酸化アルミニウム膜の被覆性はあまり良好ではない。従って、引用文献１では、酸化アルミニウム膜を形成した後に行われるプラズマＣＶＤ法によるＳｉＮ膜の成膜の際に、水素がキャパシタの誘電体膜に達してしまい、キャパシタの誘電体膜が水素により還元されてしまう。従って、引用文献１に記載された技術では、高い信頼性を有する半導体装置を高い歩留りで製造することは困難である。

また、特許文献２には、キャパシタを覆うように有機膜を形成し、その有機膜上に酸化アルミニウム膜を形成する技術が開示されている。特許文献２では、キャパシタを覆う有機膜に大量の水分が含まれており、しかも、有機膜中の水分を除去する処理も行っていないため、キャパシタの誘電体膜が水素や水分により劣化してしまう。しかも、特許文献２では、Ａｌより成る配線がキャパシタの上部電極や下部電極に直接接続されているため、配線の材料として用いられているＡｌと、キャパシタの上部電極や下部電極の材料として用いられているＰｔとが反応して反応生成物が生じてしまう。このように、特許文献２に記載されている技術は、本願発明とは明らかに異なるものである。

（評価結果）
次に、本実施形態による半導体装置の評価結果について説明する。

まず、表面が平坦な下地上に水素拡散防止膜を形成した場合と表面に凹凸が存在する下地上に水素拡散防止膜を形成した場合との比較結果を図２を用いて説明する。図２は、昇温離脱分析法（Thermal Desorption Spectroscopy、ＴＤＳ）による水素拡散防止膜の評
価結果を示すグラフである。図２において、横軸は基板温度を示しており、縦軸は試料から脱離したガスの量を示している。

図２（ａ）は、表面が平坦な下地上に水素拡散防止膜を形成した場合を示している。試料としては、シリコン基板上に、水素（Ｈ_２）や水分（Ｈ_２Ｏ）を多く含んだシリコン酸化膜をプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により形成し、この後、熱処理を行うことなく全面に酸化アルミニウム膜を形成したものを用いた。図２（ａ）において、○印は、酸化アルミニウム膜を形成しない場合を示している。△印は、酸化アルミニウム膜の膜厚が１０ｎｍの場合を示している。□印は、酸化アルミニウム膜の膜厚が３０ｎｍの場合を示している。◇印は、酸化アルミニウム膜の膜厚が５０ｎｍの場合を示している。

図２（ｂ）は、表面に凹凸が存在している下地上に水素拡散防止膜を形成した場合を示している。試料としては、シリコン基板上に、水素や水分を多く含んだシリコン酸化膜をプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により形成し、そのシリコン酸化膜をキャパシタに近似した形状にパターニングし、この後、熱処理を行うことなく全面に酸化アルミニウム膜を形成したものを用いた。図２（ｂ）において○印は、酸化アルミニウム膜を形成しない場合を示している。△印は、酸化アルミニウム膜の膜厚が２０ｎｍの場合を示している。□印は、酸化アルミニウム膜の膜厚が５０ｎｍの場合を示している。◇印は、酸化アルミニウム膜の膜厚が１００ｎｍの場合を示している。

図２（ｂ）から分かるように、表面に凹凸が存在する下地上に水素拡散防止膜を形成した場合における脱離ガスの量は、水素拡散防止膜を形成しない場合における脱離ガスの量とあまり差がない。このことから、表面に凹凸が存在する下地上に水素拡散防止膜を形成した場合には、水素や水分が拡散するのを水素拡散防止膜により殆ど防止し得ないことがわかる。

これに対し、図２（ａ）から分かるように、表面が平坦な下地上に水素拡散防止膜を形成した場合における脱離ガスの量は、水素拡散防止膜を形成しない場合における脱離ガスの量に比べて著しく少なくなっている。このことから、本実施形態の場合、即ち、表面が平坦な下地上に水素拡散防止膜を形成した場合には、水素や水分が拡散するのを水素拡散防止膜により確実に防止し得ることが分かる。

しかも、図２（ａ）から分かるように、水素拡散防止膜の膜厚が比較的薄い場合における脱離ガスの量と、水素拡散防止膜の膜厚が比較的厚い場合における脱離ガスの量とで、ほとんど差がない。このことから、本実施形態の場合、即ち、表面が平坦な下地上に水素拡散防止膜を形成した場合には、水素拡散防止膜が比較的薄い場合であっても水素や水分が拡散するのを確実に防止し得ることが分かる。

次に、水素イオンによるキャパシタの劣化の評価結果について図３を用いて説明する。図３は、キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの変化を示すグラフである。

図３において◇印及び◆印は、本実施形態の場合、即ち、キャパシタ上に平坦な水素拡散防止膜が形成されている場合を示している。○印及び●印は、キャパシタ上に平坦な水素拡散防止膜が形成されていない場合を示している。水素イオンに対する耐性の評価は、ＮＨ_３ガスを用いて発生させたプラズマ雰囲気に試料を暴露し、キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの変化を測定することにより行った。

図３において、横軸は水素イオンを含むプラズマ雰囲気に試料を暴露した時間を示しており、縦軸はスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷを示している。○印及び◇印は、キャパシタに印加する電圧が３Ｖの場合を示している。●印及び◆印は、キャパシタに印加する電圧が１．５Ｖの場合を示している。

○印及び●印を用いて示すように、キャパシタ上に平坦な水素拡散防止膜が形成されていない場合には、水素イオンを含むプラズマ雰囲気に暴露する時間が１０分を超えると、スイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが急激に減少してしまう。

これに対し、◇印及び◆印を用いて示すように、本実施形態の場合、即ち、キャパシタ上に平坦な水素拡散防止膜が形成されている場合には、水素イオンを含むプラズマ雰囲気に長時間暴露しても、スイッチング電荷量Ｑ_ＳＷは殆ど減少しない。

これらのことから、本実施形態によれば、キャパシタ上に平坦な水素拡散防止膜を形成することにより、水素イオンによるキャパシタの劣化を確実に防止し得ることが分かる。

次に、キャパシタの下部電極のコンタクト抵抗の評価結果について図４を用いて説明する。図４は、下部電極のコンタクト抵抗のばらつきを示すグラフである。

図４（ａ）は、本実施形態の場合、即ち、タングステンより成る導体プラグを介して配線を下部電極に電気的に接続した場合を示している。図４（ｂ）は、アルミニウムより成る配線を下部電極に直接接続した場合を示している。図４において、横軸は配線と下部電極との間のコンタクト抵抗を示しており、縦軸は累積確率を示している。□印は熱処理前におけるコンタクト抵抗を示しており、●印は熱処理後におけるコンタクト抵抗を示している。なお、熱処理としては、Ｎ_２雰囲気にて、４２０℃、３０分の熱処理を行った。

図４（ｂ）から分かるように、アルミニウムより成る配線を下部電極に直接接続した場合には、コンタクト抵抗のばらつきが大きい。しかも、熱処理の前後で、コンタクト抵抗のバラツキが著しく拡大している。

これに対し、図４（ａ）から分かるように、本実施形態の場合、即ち、タングステンより成る導体プラグを介して配線を下部電極に電気的に接続した場合には、コンタクト抵抗のばらつきは極めて小さい。しかも、熱処理の前後でコンタクト抵抗のバラツキは殆ど変化していない。

これらのことから、本実施形態によれば、導体プラグを介して配線をキャパシタの下部電極や上部電極に接続することにより、コンタクトの信頼性を十分に確保し得ることが分かる。

次に、ソース／ドレイン拡散層に対するコンタクトの信頼性の評価結果について説明する。

層間絶縁膜２６に導体プラグ３２を予め埋め込んでおくことなく、ソース／ドレイン拡散層２２に達するコンタクトホールを形成し、そのコンタクトホール内に導体プラグ６２を形成した場合には、導体プラグ６２とソース／ドレイン拡散層２２とのコンタクト抵抗は著しくばらついていた。この場合には、導体プラグ６２とソース／ドレイン拡散層２２とが電気的に接続されていない状態、即ち、オープン状態になってしまう場合もあった。

これに対し、本実施形態の場合、即ち、層間絶縁膜２６に導体プラグ３２を予め埋め込んでおき、導体プラグ３２に達するコンタクトホール５８を形成し、コンタクトホール５８内に導体プラグ６２を形成した場合には、導体プラグ６２とソース／ドレイン拡散層２２との間における電気抵抗のばらつきは極めて小さかった。

これらのことから、本実施形態によれば、ソース／ドレイン拡散層２２に接続された導体プラグ３２を予め形成しておくことにより、酸化アルミニウム膜５２を貫くコンタクトホール５８を形成する場合であっても、ソース／ドレイン拡散層２２に対するコンタクトの信頼性を十分に確保し得ることが分かる。

次に、水素拡散防止膜を形成する位置についての評価結果を説明する。

キャパシタ４４と第１金属配線層６４との間に平坦な水素拡散防止膜５２を形成せず、層間絶縁膜７０、８４中の水分を除去するための熱処理も行わずに、層間絶縁膜８４上に水素拡散防止膜を形成した場合には、キャパシタの１セル当たりのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷは約１００ｆＣ／ｃｅｌｌと非常に小さくなっていた。スイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷがこのように非常に小さくなってしまうのは、以下のような理由によるものと考えられる。第１に、キャパシタ４４と第１金属配線層６４との間に平坦な水素拡散防止膜５２が形成されていないため、水素や水分がキャパシタ４４の誘電体膜４０に達するのを水素拡散防止膜により防止し得ないためと考えられる。第２に、層間絶縁膜７０、８４中の水分を除去するための熱処理を行うことなく、層間絶縁膜８４上に水素拡散防止膜を形成したため、水素拡散防止膜により閉じ込められた水素や水分がキャパシタ４４の誘電体膜４０に大量に達したためと考えられる。

これに対し、本実施形態の場合、即ち、第１金属配線層６４の下に平坦な水素拡散防止膜５２を形成した場合には、キャパシタの１セル当たりのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷは、約４５０ｆＣ／ｃｅｌｌと比較的大きかった。

これらのことから、本実施形態によれば、キャパシタ４４と第１金属配線層５２との間に平坦な水素拡散防止膜５２を形成することにより、水素や水分がキャパシタ４４の誘電体膜４０に達するのを確実に防止し得ることが分かる。また、本実施形態によれば、層間絶縁膜７０、８４中の水素や水分を除去するための熱処理を適宜行うため、層間絶縁膜７０、８４中から水素や水分を確実に除去することができる。従って、本実施形態によれば、水素や水分がキャパシタ４４の誘電体膜４０に達するのを確実に防止することができ、信頼性の高い半導体装置を高い製造歩留りで提供することができる。

（半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図５乃至図２２を用いて説明する。図５乃至図２１は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、図５（ａ）に示すように、例えばシリコンより成る半導体基板１０に、ＬＯＣＯＳ（LOCal Oxidation of Silicon）法により、素子領域を画定する素子分離領域１２を形成する。

次に、イオン注入法により、ドーパント不純物を導入することにより、ウェル１４ａ、１４ｂを形成する。

次に、例えば熱酸化法により、素子領域上に膜厚９ｎｍのゲート絶縁膜１６を形成する。

次に、例えばＣＶＤ法により、膜厚１２０ｎｍのポリシリコン膜１８を形成する。ポリシリコン膜１８は、ゲート電極等となるものである。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、ポリシリコン膜１８をパターニングする。こうして、図５（ｂ）に示すように、ポリシリコン膜より成るゲート電極（ゲート配線）１８が形成される。

次に、ゲート電極１８をマスクとし、イオン注入法により、ゲート電極１８の両側の半導体基板１０内にドーパント不純物を導入する。これにより、エクステンションソース／ドレインの浅い領域を構成するエクステンション領域（図示せず）が形成される。

次に、全面に、例えばＣＶＤ法により、膜厚１５０ｎｍのシリコン酸化膜２０を形成する。

次に、シリコン酸化膜２０を異方性エッチングする。こうして、ゲート電極１８の側壁部分に、シリコン酸化膜より成るサイドウォール絶縁膜２０が形成される。

次に、サイドウォール絶縁膜２０が形成されたゲート電極１８をマスクとし、イオン注入法により、ゲート電極１８の両側の半導体基板１０内にドーパント不純物を導入する。これにより、エクステンションソース／ドレインの深い領域を構成する不純物拡散層（図示せず）が形成される。エクステンション領域と深い不純物拡散層とによりソース／ドレイン拡散層２２が構成される。

こうして、図６（ａ）に示すように、ゲート電極１８とソース／ドレイン拡散層２２とを有するトランジスタ２４が形成される。

次に、全面に、例えば膜厚２００ｎｍのＳｉＯＮ膜（シリコン窒化酸化膜）と膜厚１０００ｎｍのシリコン酸化膜とを順次積層する。ＳｉＯＮ膜とシリコン酸化膜とにより層間絶縁膜２６が構成される。

次に、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜２６の表面を平坦化する（図６（ｂ）参照）。

次に、図７（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、層間絶縁膜２６に、ソース／ドレイン拡散層２２に達するコンタクトホール２８ａと、ゲート電極（ゲート配線）１８に達するコンタクトホール２８ｂとを形成する。

次に、全面に、例えばスパッタ法により、膜厚２０〜６０ｎｍのＴｉ膜を形成する。

次に、全面に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、膜厚３０〜５０ｎｍのＴｉＮ膜を形成する。Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とによりバリアメタル膜３０が構成される。

次に、全面に、例えばＣＶＤ法により、膜厚５００ｎｍのタングステン膜３２を形成する。

次に、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜２６の表面が露出するまで、タングステン膜３２及びバリアメタル膜３０を研磨する。こうして、コンタクトホール２８ａ、２８ｂ内に、タングステンより成る導体プラグ３２が埋め込まれる（図７（ｂ）参照）。

次に、図８（ａ）に示すように、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍの酸化防止膜３４を形成する。酸化防止膜３４としては、例えばＳｉＯＮ膜やシリコン窒化膜を形成する。

次に、全面に、例えばプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、膜厚１３０ｎｍのシリコン酸化膜３６を形成する。

次に、窒素（Ｎ_２）雰囲気にて、熱処理を行う。熱処理温度は例えば６５０℃とし、熱処理時間は例えば３０分とする。

次に、図８（ｂ）に示すように、全面に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、膜厚２０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜３８ａを形成する。

次に、全面に、例えばスパッタ法により、膜厚１００〜３００ｎｍのＰｔ膜３８ｂを形成する。ここでは、Ｐｔ膜３８ｂの膜厚を例えば１７５ｎｍとする。こうして、酸化アルミニウム膜３８ａとＰｔ膜３８ｂとから成る積層膜３８が形成される。積層膜３８は、キャパシタ４４の下部電極となるものである。

次に、全面に、例えばスパッタ法により、誘電体膜４０を形成する。誘電体膜４０としては、例えば強誘電体膜を形成する。より具体的には、例えば膜厚１５０ｎｍのＰＺＴ膜を形成する。

なお、ここでは、誘電体膜４０を構成する強誘電体膜をスパッタ法により形成する場合を例に説明したが、強誘電体膜の形成方法はスパッタ法に限定されるものではない。例えば、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ（Metal Organic Deposition）法、ＭＯＣＶＤ法等により強誘電体膜を形成してもよい。

次に、例えばＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法により、酸素雰囲気中にて熱処理を行う。熱処理温度は例えば６５０〜８００℃とし、熱処理時間は例えば３０〜１２０秒とする。ここでは、熱処理温度を７５０℃とし、熱処理時間を６０秒とする。

次に、例えばスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法により、膜厚１０〜１００ｎｍのＩｒＯ_Ｘ膜４２ａを形成する。ここでは、ＩｒＯ_Ｘ膜４２ａの膜厚を５０ｎｍとする。

次に、例えばスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法により、膜厚１００〜３００ｎｍのＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂを形成する。この際、ＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂの酸素の組成比Ｙが、ＩｒＯ_Ｘ膜４２ａの酸素の組成比Ｘより高くなるように、ＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂを形成する。

次に、例えばスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法により、膜厚２０〜１００ｎｍのＰｔ膜４２ｃを形成する。ここでは、Ｐｔ膜４２ｃの膜厚を７５ｎｍとする。Ｐｔ膜４２ｃの成膜温度は、例えば４５０℃とする。こうして、ＩｒＯ_Ｘ膜４２ａとＩｒＯ_Ｙ膜４２ｂとＰｔ膜４２ｃとから成る積層膜４２が形成される。積層膜４２は、キャパシタ４４の上部電極となるものである。

なお、Ｐｔ膜４２ｃは、上部電極４２の表面が還元されるのを防止し、導体プラグ６２と上部電極４２との間のコンタクト抵抗を低減するためのものである。導体プラグ６２と上部電極４２との間のコンタクト抵抗をあまり低減する必要がない場合には、Ｐｔ膜４２ｃを形成しなくてもよい。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１００を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１００をキャパシタ４４の上部電極４２の平面形状にパターニングする。

次に、フォトレジスト膜１００をマスクとして、積層膜４２をエッチングする。エッチングガスとしては、ＡｒガスとＣｌ_２ガスとを用いる。こうして、積層膜より成る上部電極４２が形成される（図９（ａ）参照）。この後、フォトレジスト膜１００を剥離する。

次に、ＲＴＡ法により、酸素雰囲気中にて、例えば６５０℃以上、１〜３分の熱処理を行う。この熱処理は、上部電極４２の表面に異常が生ずるのを防止するためのものである。

次に、酸素雰囲気中にて、例えば６５０℃、６０分の熱処理を行う。この熱処理は、誘電体膜４０の膜質を向上するためのものである。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１０２を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１０２をキャパシタ４４の誘電体膜４０の平面形状にパターニングする。

次に、フォトレジスト膜１０２をマスクとして、誘電体膜４０をエッチングする（図９（ｂ）参照）。この後、フォトレジスト膜１０２を剥離する。

次に、酸素雰囲気にて、例えば３５０℃、６０分の熱処理を行う。

次に、図１０（ａ）に示すように、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、水素拡散防止膜４６を形成する。水素拡散防止膜４６としては、膜厚２０〜１５０ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。水素拡散防止膜４６を形成する際には、水素拡散防止膜４６における膜応力が５×１０^８ｄｙｎ／ｃｍ^２以下となるような条件で、水素拡散防止膜４６を形成することが望ましい。水素拡散防止膜４６における膜応力がこのように比較的小さくなるような条件で水素拡散防止膜４６を形成するのは、上述したように、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが小さくなってしまうのを防止するためである。

図２２は、水素拡散防止膜における膜応力を示すグラフである。比較例１は、成膜温度を室温とし、Ａｒガスの流量を１２ｓｃｃｍとした場合を示している。比較例２は、成膜温度を室温とし、Ａｒガスの流量を２０ｓｃｃｍとした場合を示している。比較例３は、成膜温度を室温とし、Ａｒガスの流量を３０ｓｃｃｍとした場合を示している。比較例４は、成膜温度を３５０℃とし、Ａｒガスの流量を３０ｓｃｃｍとした場合を示している。比較例５は、成膜温度を３５０℃とし、Ａｒガスの流量を５０ｓｃｃｍとした場合を示している。実施例１は、成膜温度を３５０℃とし、Ａｒガスの流量を７０ｓｃｃｍとした場合を示している。

図２２から分かるように、水素拡散防止膜を形成する際における成膜温度を比較的高めに設定し、Ａｒガスの流量を比較的大きめに設定すると、水素拡散防止膜における膜応力が比較的小さくなる傾向がある。例えば、成膜温度を３５０℃以上とし、Ａｒ流量を７０ｓｃｃｍ以上とすれば、水素拡散防止膜に生じる応力を５×１０^８ｄｙｎ／ｃｍ^２以下とすることが可能である。ここでは、成膜温度を例えば４００℃とし、Ａｒ流量を例えば１００ｓｃｃｍとし、成膜時間を例えば４０〜５０秒とする。

なお、ＭＯＣＶＤ法を用いればステップカバレージの良好な水素拡散防止膜４６を形成することは可能であるが、ＭＯＣＶＤ法を用いて水素拡散防止膜４６を形成した場合には、水素によるダメージが誘電体膜４０に加わってしまう。従って、水素拡散防止膜４６を形成する際にＭＯＣＶＤ法を用いるのは好ましくない。

次に、全面に、スピンコート法により、フォトレジスト膜１０４を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜１０４をキャパシタ４４の下部電極３８の平面形状にパターニングする。

次に、フォトレジスト膜１０４をマスクとして、水素拡散防止膜４６及び積層膜３８をエッチングする（図１０（ｂ）参照）。こうして、積層膜より成る下部電極３８が形成される。また、水素拡散防止膜４６が、上部電極４２及び誘電体膜４０を覆うように残存する。この後、フォトレジスト膜１０４を剥離する。

次に、酸素雰囲気にて、例えば３５０℃、３０〜６０分の熱処理を行う。

次に、図１１（ａ）に示すように、全面に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、水素拡散防止膜４８を形成する。水素拡散防止膜４８としては、膜厚２０〜５０ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。水素拡散防止膜４８を形成する際には、水素拡散防止膜４８に生じる応力が５×１０^８ｄｙｎ／ｃｍ^２以下となるような条件で、水素拡散防止膜４８を形成することが望ましい。水素拡散防止膜４８における膜応力がこのように比較的小さくなるような条件で水素拡散防止膜４８を形成するのは、上述したように、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが小さくなってしまうのを防止するためである。

こうして、水素拡散防止膜４６により覆われたキャパシタ４４を更に覆うように水素拡散防止膜４８が形成される。

次に、図１１（ｂ）に示すように、全面に、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、例えば膜厚１５００ｎｍのシリコン酸化膜より成る層間絶縁膜５０を形成する。層間絶縁膜５０としてシリコン酸化膜を形成する場合には、原料ガスとして、例えば、ＴＥＯＳガスと酸素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを用いる。

なお、ここでは、層間絶縁膜５０としてシリコン酸化膜を形成する場合を例に説明したが、層間絶縁膜５０はシリコン酸化膜に限定されるものではない。例えば、絶縁性を有する無機膜を層間絶縁膜５０として用いることができる。

次に、図１２（ａ）に示すように、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜５０の表面を平坦化する。

次に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。この熱処理は、層間絶縁膜５０中の水分を除去するとともに、層間絶縁膜５０の膜質を変化させ、層間絶縁膜５０中に水分が入りにくくするためのものである。熱処理を行う際の基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ_２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ_２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば３００milsとする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば３Ｔｏｒｒとする。

なお、ここでは、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う場合を例に説明したが、熱処理を行った後に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜５０を暴露してもよい。熱処理の際には、層間絶縁膜５０中に存在する水分が除去される。Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜５０を暴露すると、層間絶縁膜５０の膜質が変化し、層間絶縁膜５０中に水分が入り込みにくくなる。

次に、図１２（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、水素拡散防止膜５２を形成する。水素拡散防止膜５２としては、膜厚５０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。水素拡散防止膜５２を形成する際には、水素拡散防止膜５２に生じる応力が５×１０^８ｄｙｎ／ｃｍ^２以下となるような条件で、水素拡散防止膜５２を形成することが望ましい。水素拡散防止膜５２における膜応力がこのように比較的小さくなるような条件で水素拡散防止膜５２を形成するのは、上述したように、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが小さくなってしまうのを防止するためである。平坦化された層間絶縁膜５０上に水素拡散防止膜５２を形成するため、水素拡散防止膜５２は平坦となる。

次に、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、絶縁膜５４を形成する。絶縁膜５４としては、例えば膜厚２００〜３００ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。

なお、ここでは、絶縁膜５４としてシリコン酸化膜を形成する場合を例に説明したが、絶縁膜５４はシリコン酸化膜に限定されるものではない。例えば、絶縁膜５４としてＳｉＯＮ膜やシリコン窒化膜を形成してもよい。

次に、図１３（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、絶縁膜５４、水素拡散防止膜５２及び層間絶縁膜５０に、キャパシタ４４の上部電極４２に達するコンタクトホール５６と、キャパシタ４４の下部電極３８に達するコンタクトホール（図示せず）とを形成する。

次に、酸素雰囲気中にて熱処理を行う。この熱処理は、キャパシタ４４の誘電体膜４０に酸素を供給し、キャパシタ４４の電気的特性を回復するためのものである。熱処理を行う際の基板温度は、例えば５００〜６００℃とする。熱処理時間は、例えば６０分とする。

なお、ここでは酸素雰囲気中にて熱処理を行う場合を例に説明したが、オゾン雰囲気中にて熱処理を行ってもよい。オゾン雰囲気中にて熱処理を行った場合にも、キャパシタの誘電体膜４０に酸素を供給することができ、キャパシタ４４の電気的特性を回復することが可能である。

次に、図１３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、絶縁膜５４、水素拡散防止膜５２、層間絶縁膜５０、水素拡散防止膜４８、シリコン酸化膜３６及び酸化防止膜３４に、導体プラグ３２に達するコンタクトホール５８を形成する。

次に、アルゴンガスを用いたプラズマ洗浄を行う。これにより、導体プラグ３２表面に存在する自然酸化膜等が除去される。プラズマ洗浄の条件は、例えば熱酸化膜が１０ｎｍ除去されるような条件とする。

次に、図１４（ａ）に示すように、全面に、例えばスパッタ法により、膜厚２０〜１００ｎｍのＴｉＮ膜を形成する。こうして、ＴｉＮ膜より成るバリアメタル膜６０が形成される。

次に、全面に、例えばＣＶＤ法により、膜厚３００〜６００ｎｍのタングステン膜６２を形成する。

次に、例えばＣＭＰ法により、絶縁膜５４の表面が露出するまで、タングステン膜６２及びバリアメタル膜６０を研磨する。こうして、コンタクトホール５６、５８内に、タングステンより成る導体プラグ６２が埋め込まれる。

次に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。この熱処理は、タングステン膜６２等をＣＭＰ法により研磨する際に層間絶縁膜５４、５０中に入り込んだ水分を除去するとともに、層間絶縁膜５４の膜質を変化させ、層間絶縁膜５４中に水分が入り込みにくくするためのものである。熱処理を行う際の基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ_２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ_２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば３００milsとする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば３Ｔｏｒｒとする。

なお、ここでは、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う場合を例に説明したが、熱処理を行った後に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜５４を暴露してもよい。

次に、アルゴンガスを用いたプラズマ洗浄を行う。これにより、導体プラグ６２表面に存在する自然酸化膜等が除去される。プラズマ洗浄の条件は、例えば熱酸化膜が１０ｎｍ除去されるような条件とする。

次に、例えばスパッタ法により、膜厚６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚５ｎｍのＴｉ膜、及び、膜厚７０ｎｍのＴｉＮ膜を順次成膜する。こうして、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、ＡｌＣｕ合金膜、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜より成る積層膜６４が形成される。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、積層膜６４をパターニングする。こうして、積層膜より成る配線（第１金属配線層）６４が形成される（図１４（ｂ）参照）。

次に、図１５に示すように、例えば高密度プラズマＣＶＤ（High Density Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition）法により、膜厚７５０ｎｍのシリコン酸化膜６６を形成する。

次に、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、例えば膜厚１１００ｎｍのシリコン酸化膜６８を形成する。原料ガスとしては、例えば、ＴＥＯＳガスと酸素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを用いる。シリコン酸化膜６６とシリコン酸化膜６８とにより層間絶縁膜７０が構成される。

なお、ここでは、高密度プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜６６を形成した後に、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法によりシリコン酸化膜６８を形成する場合を例に説明したが、シリコン酸化膜６６とシリコン酸化膜６８の成膜方法はこれに限定されるものではない。例えば、シリコン酸化膜６６とシリコン酸化膜６８の両方を、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により形成してもよい。

次に、図１６に示すように、例えばＣＭＰ法により、シリコン酸化膜６８の表面を平坦化する。

次に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。この熱処理は、層間絶縁膜７０中の水分を除去するとともに、層間絶縁膜７０の膜質を変化させ、層間絶縁膜７０中に水分が入り込みにくくするためのものである。熱処理を行う際の基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ_２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ_２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば３００milsとする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば３Ｔｏｒｒとする。

なお、ここでは、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う場合を例に説明したが、熱処理を行った後に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜７０を暴露してもよい。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、層間絶縁膜７０に、配線６４に達するコンタクトホール７４を形成する。

次に、アルゴンガスを用いたプラズマ洗浄を行う。これにより、配線６４の表面に存在する自然酸化膜等が除去される。プラズマ洗浄の条件は、例えば熱酸化膜が２５ｎｍ除去されるような条件とする。

次に、例えばスパッタ法により、膜厚１０ｎｍのＴｉ膜を形成する。

次に、例えばＭＯＣＶＤ法により、膜厚３．５〜７ｎｍのＴｉＮ膜を形成する。Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とによりバリアメタル膜７４が構成される。

次に、例えばＣＶＤ法により、膜厚３００〜６００ｎｍのタングステン膜７６を形成する。

次に、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜７０の表面が露出するまで、タングステン膜７６及びバリアメタル膜７４を研磨する。こうして、コンタクトホール７２内にタングステンより成る導体プラグ７６が埋め込まれる（図１７参照）。

次に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。この熱処理は、タングステン膜７６等をＣＭＰ法により研磨する際に層間絶縁膜７０中に入り込んだ水分を除去するとともに、層間絶縁膜７０の膜質を変化させ、層間絶縁膜７０中に水分が入り込みにくくするためのものである。熱処理を行う際の基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ_２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ_２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば３００milsとする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば３Ｔｏｒｒとする。

なお、ここでは、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う場合を例に説明したが、熱処理を行った後に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜７０を暴露してもよい。

次に、例えばスパッタ法により、膜厚６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚５ｎｍのＴｉ膜、及び、膜厚７０ｎｍのＴｉＮ膜を順次成膜する。こうして、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、ＡｌＣｕ合金膜、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜より成る積層膜７８が形成される。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、積層膜７８をパターニングする。こうして、積層膜より成る配線（第２金属配線層）７８が形成される（図１８参照）。

次に、例えば高密度プラズマＣＶＤ法により、膜厚７５０ｎｍのシリコン酸化膜８０を形成する。

次に、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により、膜厚１１００ｎｍのシリコン酸化膜８２を形成する。シリコン酸化膜８０とシリコン酸化膜８２とにより層間絶縁膜８４が構成される。

なお、ここでは、高密度プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜８０を形成した後に、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法によりシリコン酸化膜８２を形成する場合を例に説明したが、シリコン酸化膜８０及びシリコン酸化膜８２の成膜方法はこれに限定されるものではない。例えばシリコン酸化膜８０とシリコン酸化膜８２の両方をプラズマＴＥＯＳＣＶＤ法により形成してもよい。

次に、例えばＣＭＰ法により、シリコン酸化膜８２の表面を平坦化する（図１９参照）。

次に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。この熱処理は、層間絶縁膜８４中の水分を除去するとともに、層間絶縁膜８４の膜質を変化させ、層間絶縁膜８４中に水分が入り込みにくくするためのものである。熱処理を行う際の基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ_２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ_２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば３００milsとする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば３Ｔｏｒｒとする。

なお、ここでは、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う場合を例に説明したが、熱処理を行った後に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜８４を暴露してもよい。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、層間絶縁膜８４に、配線７８に達するコンタクトホール８６を形成する。

次に、アルゴンガスを用いたプラズマ洗浄を行う。これにより、配線７８の表面に存在する自然酸化膜等が除去される。プラズマ洗浄の条件は、例えば熱酸化膜が２５ｎｍ除去されるような条件とする。

次に、例えばスパッタ法により、膜厚１０ｎｍのＴｉ膜を形成する。

次に、例えばＭＯＣＶＤ法により、膜厚３．５〜７ｎｍのＴｉＮ膜を形成する。Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とによりバリアメタル膜８８が構成される。

次に、例えばＣＶＤ法により、膜厚３００〜６００ｎｍのタングステン膜９０を形成する。

次に、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜８４の表面が露出するまで、タングステン膜９０及びバリアメタル膜８８を研磨する。こうして、コンタクトホール８６内にタングステンより成る導体プラグ９０が埋め込まれる。

次に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。この熱処理は、タングステン膜９０等をＣＭＰ法により研磨する際に層間絶縁膜８４中に入り込んだ水分を除去するとともに、層間絶縁膜８４の膜質を変化させ、層間絶縁膜８４中に水分が入り込みにくくするためのものである。熱処理を行う際の基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ_２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ_２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば３００milsとする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば３Ｔｏｒｒとする。

なお、ここでは、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う場合を例に説明したが、熱処理を行った後に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に層間絶縁膜８４を暴露してもよい。

次に、例えばスパッタ法により、膜厚６０ｎｍのＴｉ膜、膜厚３０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚３６０ｎｍのＡｌＣｕ合金膜、膜厚５ｎｍのＴｉ膜、及び、膜厚７０ｎｍのＴｉＮ膜を順次成膜する。こうして、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜、ＡｌＣｕ合金膜、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜より成る積層膜９２が形成される。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、積層膜９２をパターニングする。こうして、積層膜より成る配線（第３金属配線層）９２が形成される（図２０参照）。

次に、例えば高密度プラズマＣＶＤ法により、膜厚７００ｎｍのシリコン酸化膜９４を形成する。

なお、ここでは、シリコン酸化膜９４を高密度プラズマＣＶＤ法により形成する場合を例に説明したが、シリコン酸化膜９４の形成方法は高密度プラズマＣＶＤ法に限定されるものではない。例えば、プラズマＴＥＯＳＣＶＤ法によりシリコン酸化膜９４を形成してもよい。

次に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う。この熱処理は、絶縁膜９４中の水分等を除去するとともに、絶縁膜９４の膜質を変化させ、絶縁膜９４中に水分が入り込みにくくするためのものである。熱処理を行う際の基板温度は、例えば３５０℃とする。Ｎ_２Ｏガスの流量は、例えば１０００ｓｃｃｍとする。Ｎ_２ガスの流量は、例えば２８５ｓｃｃｍとする。対向電極のギャップは、例えば３００milsとする。印加する高周波電力は、例えば５２５Ｗとする。チャンバ内の気圧は、例えば３Ｔｏｒｒとする。

なお、ここでは、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気にて、熱処理を行う場合を例に説明したが、熱処理を行った後に、Ｎ_２Ｏガス等を用いて発生させたプラズマ雰囲気に絶縁膜９４を暴露してもよい。

次に、例えばＣＶＤ法により、膜厚５００ｎｍのシリコン窒化膜９６を形成する。シリコン窒化膜９６は、水分を遮断し、水分により配線６４、７８、９６等が腐食するのを防止するためのものである。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、シリコン窒化膜９６及びシリコン酸化膜９４に、電極パッド（図示せず）に達する開口部（図示せず）を形成する。

次に、例えばスピンコート法により、例えば膜厚２〜１０μｍのポリイミド膜９８を形成する。

次に、フォトリソグラフィ技術を用い、ポリイミド膜７９に、電極パッド（図示せず）に達する開口部（図示せず）を形成する。

こうして、本実施形態による半導体装置が製造される。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その１）を図２３を用いて説明する。図２３は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、積層膜より成る水素拡散防止膜１０７が形成されていることに主な特徴がある。

図２３に示すように、層間絶縁膜５０上には、水素拡散防止膜５２が形成されている。水素拡散防止膜５２としては、例えば膜厚５０ｎｍの酸化アルミニウム膜が形成されている。

水素拡散防止膜５２上には、他の水素拡散防止膜１０６が形成されている。水素拡散防止膜１０６としては、例えば膜厚５０〜１００ｎｍのシリコン窒化膜が形成されている。こうして、水素拡散防止膜５２と水素拡散防止膜１０６との積層膜より成る積層構造の水素拡散防止膜１０７が構成されている。

水素拡散防止膜１０６上には、絶縁膜５４が形成されている。

このように、積層膜より成る水素拡散防止膜１０７を形成するようにしてもよい。本変形例によれば、水素拡散防止膜が積層膜１０７により構成されているため、水素や水分がキャパシタ４４の誘電体膜４０に達するのをより確実に防止することができる。従って、本変形例によれば、キャパシタ４４を有する半導体装置をより高い歩留りで提供することが可能となる。

なお、ここでは、水素拡散防止膜５２上に他の水素拡散防止膜１０６を積層する場合を例に説明したが、水素拡散防止膜５２の下に水素拡散防止膜１０６を形成するようにしてもよい。水素拡散防止膜５２の下に水素拡散防止膜１０６を形成することにより積層構造の水素拡散防止膜１０７を構成した場合にも、図２３に示す半導体装置と同様に、水素や水分がキャパシタ４４の誘電体膜４０に達するのを確実に防止することができる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その２）を図２４を用いて説明する。図２４は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、層間絶縁膜７０と第２金属配線層７８との間に水素拡散防止膜１０８が更に形成されていること、また、層間絶縁膜８４と第３金属配線層９２との間に水素拡散防止膜１１２が更に形成されていることに主な特徴がある。

図２４に示すように、平坦化された層間絶縁膜７０上には、水素拡散防止膜１０８が形成されている。水素拡散防止膜１０８としては、例えば膜厚５０ｎｍの酸化アルミニウム膜が用いられている。表面が平坦化された層間絶縁膜７０上に水素拡散防止膜１０８が形成されているため、水素拡散防止膜１０８は平坦になっている。

水素拡散防止膜１０８上には、絶縁膜１１０が形成されている。絶縁膜１１０としては、例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜が形成されている。

配線７８は、絶縁膜１１０上に形成されている。

平坦化された層間絶縁膜８４上には、水素拡散防止膜１１２が形成されている。水素拡散防止膜１１２としては、例えば膜厚５０ｎｍの酸化アルミニウム膜が用いられている。表面が平坦化された層間絶縁膜８４上に水素拡散防止膜１１２が形成されているため、水素拡散防止膜１１２は平坦になっている。

水素拡散防止膜１１２上には、絶縁膜１１４が形成されている。絶縁膜１１４としては、例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜が形成されている。

配線９２は、絶縁膜１１４上に形成されている。

こうして本実施形態による半導体装置が構成されている。

本変形例によれば、層間絶縁膜５０と第１金属配線層６４との間のみならず、層間絶縁膜７０と第２金属配線層７８との間、及び、層間絶縁膜８４と第３金属配線層９２との間にも、水素拡散防止膜１０８、１１２がそれぞれ形成されているため、水素や水分がキャパシタ４４の誘電体膜４０に達するのをより確実に防止することができる。従って、本変形例によれば、キャパシタ４４を有する半導体装置をより高い歩留りで提供することが可能となる。

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その３）を図２５を用いて説明する。図２５は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、最上層の配線９２を覆う層間絶縁膜１１８の表面までもが平坦化されており、平坦化された層間絶縁膜１１８上に更に水素拡散防止膜１２０が形成されていることに主な特徴がある。

図２５に示すように、最上層の配線９２を覆うように形成されたシリコン酸化膜９４上には、シリコン酸化膜１１６が形成されている。シリコン酸化膜９４とシリコン酸化膜１１６とにより層間絶縁膜１１８が構成されている。層間絶縁膜１１８の表面は平坦化されている。

平坦化された層間絶縁膜１１８上には、水素拡散防止膜１２０が形成されている。水素拡散防止膜１２０としては、例えば膜厚５０ｎｍの酸化アルミニウム膜が形成されている。平坦化された層間絶縁膜１１８上に水素拡散防止膜１２０が形成されているため、水素拡散防止膜１２０は平坦になっている。

水素拡散防止膜１２０上には、絶縁膜１２２が形成されている。絶縁膜１２２としては、例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜が形成されている。

絶縁膜１２２上には、シリコン窒化膜９６が形成されている。

シリコン窒化膜９６上には、ポリイミド膜９８が形成されている。

こうして本変形例による半導体装置が構成されている。

本変形例によれば、最上層の配線９２を覆う層間絶縁膜１１８上にも、平坦な水素拡散防止膜１２０が形成されているため、水素や水分がキャパシタ４４の誘電体膜４０に達するのをより確実に防止することができる。従って、本変形例によれば、キャパシタ４４を有する半導体装置を更に高い歩留りで提供することが可能となる。

［第２実施形態］
上述したように、水素及び水分の拡散を防止するバリア膜（水素拡散防止膜）５２をキャパシタの上方に平坦に形成すれば、水素や水分がキャパシタ４４に達するのをバリア膜５２により確実に防止することが可能となる。

しかし、かかるバリア膜５２を単に形成した場合には、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが低下してしまう場合がある。キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが低下してしまうのは、バリア膜５２を形成することにより生じる大きなストレスがキャパシタ４４に加わり、キャパシタ４４の強誘電体膜４０における分極が阻害されるためと考えられる。

本願発明者らは鋭意検討した結果、水素及び水分の拡散を防止する機能を有する水素・水分拡散防止膜と、水素・水分拡散防止膜によるストレスを緩和するストレス緩和膜とを積層して、バリア膜を構成することに想到した。水素及び水分の拡散を防止する水素・水分拡散防止膜と、水素・水分拡散防止膜によるストレスを緩和するストレス緩和膜とを積層すれば、バリア膜によるストレスを小さくすることができ、キャパシタに大きなストレスが加わるのを防止することが可能となる。そうすると、キャパシタの誘電体膜における分極が阻害されにくくなり、スイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下を防止することが可能となる。従って、本願発明によれば、キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下を防止しつつ、高い信頼性を有する半導体装置を提供することが可能となる。

本発明の第２実施形態による半導体装置及びその製造方法を図２６乃至図２８を用いて説明する。図２６は、本実施形態による半導体装置を示す断面図である。図１乃至図２５に示す第１実施形態による半導体装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

（半導体装置）
まず、本実施形態による半導体装置について図２６を用いて説明する。

図２６に示すように、平坦化された層間絶縁膜５０上には、水分及び水素の拡散を防止する水素・水分拡散防止膜５２が形成されている。水素・水分拡散防止膜５２としては、例えば、金属酸化物より成る水素・水分拡散防止膜を用いる。金属酸化物より成る水素・水分拡散防止膜５２としては、例えば酸化アルミニウム膜を用いる。水素・水分拡散防止膜５２の膜厚は、例えば２０ｎｍ〜３０ｎｍ程度とする。水素・水分拡散防止膜５２の膜厚をこのように比較的薄く設定しているのは、水素・水分拡散防止膜５２によるストレスを小さくするためである。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜５２として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜５２は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば、他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜５２の材料として用いることができる。例えば、水素・水分拡散防止膜として、酸化チタン膜等を用いてもよい。

水素・水分拡散防止膜５２上には、ストレス緩和膜１２４が形成されている。ストレス緩和膜１２４は、水素・水分拡散防止膜５２、１２６によるストレスを緩和するためのものである。例えば、水素・水分拡散防止膜５２、１２６の熱膨張係数が層間絶縁膜５０等の熱膨張係数より大きい場合には、層間絶縁膜５０の熱膨張係数より小さい材料をストレス緩和膜１２４の材料として用いる。また、水素拡散防止膜５２、１２６の熱膨張係数が層間絶縁膜５０の熱膨張係数より小さい場合には、層間絶縁膜５０等の熱膨張係数より大きい材料をストレス緩和膜１２４の材料として用いる。水素拡散防止膜５２、１２６とストレス緩和膜１２４とを適宜組み合わせることにより、層間絶縁膜５０等とバリア膜１２８との間の熱膨張係数の差が小さくなり、バリア膜１２８によるストレスを小さくすることができる。

水素・水分拡散防止膜５２、１２６の材料として酸化アルミニウム膜を用いる場合には、ストレス緩和膜１２４として例えばシリコン窒化酸化膜を用いることができる。シリコン窒化酸化膜は、ストレス緩和膜として機能するのみならず、水分の拡散を防止する水分拡散防止膜としても機能し得る。ストレス緩和膜１２４の膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。

なお、ここでは、ストレス緩和膜１２４としてシリコン窒化酸化膜を用いる場合を例に説明したが、ストレス緩和膜１２４は、シリコン窒化酸化膜に限定されるものではない。例えば、ストレス緩和膜１２４としてシリコン窒化膜を用いてもよい。シリコン窒化膜は、シリコン窒化酸化膜と同様に、水分の拡散を防止する水分拡散防止膜としても機能し得る。

ストレス緩和膜１２４上には、水素及び水分の拡散を防止する水素・水分拡散防止膜１２６が形成されている。水素・水分拡散防止膜１２６としては、水素・水分拡散防止膜５２と同様に、金属酸化膜が用いられている。金属酸化膜としては、上記と同様に、例えば酸化アルミニウム膜が用いられている。水素・水分拡散防止膜１２６の膜厚は、例えば２０〜３０ｎｍ程度とする。水素・水分拡散防止膜１２６の膜厚をこのように比較的薄く設定しているのは、水素・水分拡散防止膜１２６によるストレスを小さくするためである。水素・水分拡散防止膜５２の上方に水素・水分拡散防止膜１２６を更に形成しているのは、水素及び水分の拡散を防止する水素・水分拡散防止膜の総膜厚を十分に確保するためである。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜１２６として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜１２６は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば、他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜１２６の材料として用いることができる。例えば、水素・水分拡散防止膜１２６として、酸化チタン膜を用いてもよい。

水素・水分拡散防止膜５２とストレス緩和膜１２４と水素・水分拡散防止膜１２６とにより、バリア膜１２８が構成されている。表面が平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１２８が形成されているため、バリア膜１２８は平坦になっている。

バリア膜１２８上には、シリコン酸化膜５４が形成されている。シリコン酸化膜５４の膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。

こうして本実施形態による半導体装置が構成されている。

（評価結果）
本実施形態による半導体装置の評価結果について説明する。

まず、キャパシタの１セル当たりのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷを測定した。キャパシタの電極の形状は、２μｍ×２μｍとした。

キャパシタの上方に平坦なバリア膜を形成することなく製造した半導体装置についてスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの測定を行ったところ、１セル当たりのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷは４８０ｆＣ程度であった。

キャパシタの上方に膜厚５０ｎｍの平坦なバリア膜を形成した場合には、１セル当たりのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷは４３０ｆＣ程度であった。このことから、キャパシタの上方に比較的厚いバリア膜を形成した場合には、キャパシタの上方に平坦なバリア膜を形成しない場合と比較して、１セル当たりのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが１０％程度低下することが分かる。

これに対し、本実施形態の場合、即ち、キャパシタ４４の上方に、膜厚２０ｎｍの水素・水分拡散防止膜５２と膜厚５０ｎｍのストレス緩和膜１２４と膜厚２０ｎｍの水素・水分拡散防止膜１２６とを積層して成る平坦なバリア膜１２８を形成した場合には、１セル当たりのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷは４８０ｆＣ程度であった。このことから、本実施形態によれば、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下を確実に防止し得ることが分かる。

また、検査用のキャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷについても測定を行った。検査用のキャパシタの電極面積は、５０μｍ□とした。

キャパシタの上方に平坦なバリア膜を形成することなく製造した半導体装置の場合には、検査用キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷは２４μＣ程度であった。

キャパシタの上方に膜厚５０ｎｍの平坦なバリア膜を形成した場合には、検査用キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷは８．０μＣ程度であった。このことから、キャパシタの上方に平坦なバリア膜を比較的厚く形成した場合には、キャパシタの上方に平坦なバリア膜を形成しない場合と比較して、検査用キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが６６％程度低下してしまうことが分かる。

これに対し、本実施形態の場合、即ち、キャパシタ４４の上方に、膜厚２０ｎｍの水素・水分拡散防止膜５２と膜厚５０ｎｍのストレス緩和膜１２４と膜厚２０ｎｍの水素・水分拡散防止膜１２６とを積層して成る平坦なバリア膜１２８を形成した場合には、検査用キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷは２２μＣであった。このことから、本実施形態によれば、検査用キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下をも確実に防止し得ることが分かる。

本実施形態による半導体装置は、上述したように、平坦化された層間絶縁膜５０上に、水素・水分拡散防止膜５２とストレス緩和膜１２４と水素・水分拡散防止膜１２６とを積層して成る平坦なバリア膜１２８が形成されていることに主な特徴がある。

上述したように、キャパシタ４４の上方に平坦なバリア膜を単に形成した場合には、バリア膜による大きなストレスがキャパシタ４４に加わり、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが低下してしまう場合があった。

これに対し、本実施形態によれば、水素・水分拡散防止膜５２、１２６とストレス緩和膜１２４とが積層されているため、バリア膜１２８によるストレスを小さくすることができ、キャパシタ４４に大きなストレスが加わるのを防止することができる。しかも、比較的薄い水素・水分拡散防止膜５２、１２６を積層しているため、水素・水分拡散防止膜５２、１２６の総膜厚を比較的厚く確保することもできる。

このため、本実施形態によれば、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下を確実に防止しつつ、水素や水分がキャパシタ４４に達するのを防止することが可能となる。従って、本実施形態によれば、電気的特性が良好なキャパシタを有する半導体装置を高い歩留りで提供することができる。

なお、特許文献３には、キャパシタの上方にシリコン窒化膜等より成る水分拡散防止膜を形成し、水分拡散防止膜上に酸化アルミニウム膜等より成る水素拡散防止膜を形成した半導体装置が開示されている。特許文献３では、金属配線を覆うように水分拡散防止膜を形成しているため、水分拡散防止膜の表面を平坦に形成することは技術的に困難である。特許文献３には、水素拡散防止膜の表面を平坦化する技術は一切開示も示唆もされていない。特許文献３では、水素拡散防止膜の表面を平坦にすることは技術的に困難であるため、水分拡散防止膜上に形成された水素拡散防止膜を平坦することも困難である。このため、特許文献３では、水素や水分の拡散を水素拡散防止膜や水分拡散防止膜により確実に防止することは困難である。また、引用文献３のように、アルミニウムより成る金属配線上にシリコン窒化膜を形成した場合には、アルミニウムより成る金属配線の寿命が極めて短くなってしまう。しかも、引用文献３には、キャパシタに加わるストレスを緩和することによりキャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下を防止する本願発明の技術は、一切開示も示唆もされていない。

（半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図２７及び図２８を用いて説明する。図２７及び図２８は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、層間絶縁膜５０を平坦化する工程までは、図５（ａ）乃至図１２（ａ）を用いて説明した半導体装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する（図２７（ａ）参照）。

次に、窒素雰囲気中にて熱処理を行う。窒素雰囲気としては、例えばＮ_２Ｏプラズマを用いる。熱処理温度は、例えば３００〜４００℃程度とする。ここでは、熱処理温度を例えば３５０℃とする。熱処理時間は、例えば２〜６分程度とする。ここでは、熱処理時間を例えば２分とする。このような熱処理を行うのは、層間絶縁膜５０中に存在する水分を除去するとともに、層間絶縁膜５０の表面を窒化するためである。層間絶縁膜５０の表面を窒化することにより、外部から層間絶縁膜５０中に水分が入り込むのを防止することが可能となり、ひいては、キャパシタ４２の電極的特性の劣化を防止することが可能となる。

次に、図２７（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、水素・水分拡散防止膜５２を形成する。水素・水分拡散防止膜５２としては、例えば、膜厚２０〜３０ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。

酸化アルミニウムより成る水素・水分拡散防止膜５２をスパッタ法により形成する際の成膜条件は、例えば以下の通りとする。ターゲットとしては、酸化アルミニウムより成るターゲットを用いる。成膜室内に導入するガスとしては、例えばＡｒガスを用いる。Ａｒガスの流量は、２０ｓｃｃｍとする。成膜室内の圧力は、例えば１Ｐａとする。印加電力は、例えば２ｋＷとする。基板温度は、例えば２０℃とする。成膜時間は、例えば４０〜６０秒程度とする。成膜時間を適宜設定することにより、水素・水分拡散防止膜５２の膜厚を制御することが可能である。平坦化された層間絶縁膜５０上に水素・水分拡散防止膜５２を形成するため、水素・水分拡散防止膜５２は平坦となる。

次に、例えばＣＶＤ法により、ストレス緩和膜１２４を形成する。ストレス緩和膜１２４としては、例えば５０〜１００ｎｍのシリコン窒化酸化膜を形成する。

シリコン窒化酸化膜より成るストレス緩和膜１２４をＣＶＤ法により形成する際の成膜条件は、例えば以下の通りとする。成膜室内に導入するガスとしては、ＳｉＨ_４ガスとＮ_２Ｏガスとを用いる。ＳｉＨ_４ガスの流量は、例えば３８ｓｃｃｍとする。Ｎ_２Ｏガスの流量は、例えば９０ｓｃｃｍとする。成膜時間は、例えば２０秒とする。成膜室内の圧力は、例えば１．５Ｔｏｒｒとする。対向電極のギャップは、例えば３５０ｍｉｌｓとする。印加電力は、例えば５０Ｗとする。基板温度は、例えば３５０℃とする。平坦な水素・水分拡散防止膜５２上にストレス緩和膜１２４を形成するため、ストレス緩和膜１２４は平坦となる。

次に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、水素・水分拡散防止膜１２６を形成する。水素・水分拡散防止膜１２６としては、例えば、膜厚２０〜３０ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。水素・水分拡散防止膜１２６を形成する際の成膜条件は、例えば、水素・水分拡散防止膜５２を形成する際の成膜条件と同様とする。平坦なストレス緩和膜１２４上に水素・水分拡散防止膜１２６を形成するため、水素・水分拡散防止膜１２６は平坦となる。

こうして、水素・水分拡散防止膜５２とストレス緩和膜１２４と水素・水分拡散防止膜１２６とから成るバリア膜１２８が形成される。平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１２８が形成されるため、バリア膜１２８は平坦となる。

次に、バリア膜１２８上に絶縁膜５４を形成する。

この後の半導体装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図２１を用いて上述した半導体装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する。

こうして、本実施形態による半導体装置が製造される（図２８参照）。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その１）を図２９を用いて説明する。図２９は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、水素・水分拡散防止膜５２の上下にそれぞれストレス緩和膜１２４、１３０が形成されていることに主な特徴がある。

図２９に示すように、平坦化された層間絶縁膜５０上には、ストレス緩和膜１２４が形成されている。ストレス緩和膜１２４としては、例えばシリコン窒化酸化膜が用いられている。ストレス緩和膜１２４の膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。平坦化された層間絶縁膜５０上にストレス緩和膜１２４が形成されているため、ストレス緩和膜１２４は平坦になっている。

ストレス緩和膜１２４上には、水素・水分拡散防止膜５２が形成されている。水素・水分拡散防止膜５２としては、例えば酸化アルミニウム膜が用いられている。水素・水分拡散防止膜５２の膜厚は、例えば２０ｎｍ〜３０ｎｍ程度とする。平坦なストレス緩和膜１２４上に水素・水分拡散防止膜５２が形成されているため、水素・水分拡散防止膜５２は平坦になっている。なお、水素・水分拡散防止膜５２は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば、水素・水分拡散防止膜５２として、他の金属酸化物を用いてもよい。例えば水素・水分拡散防止膜５２として、酸化チタン膜等を用いることができる。

水素・水分拡散防止膜５２上には、ストレス緩和膜１３０が形成されている。ストレス緩和膜１３０としては、例えばシリコン窒化酸化膜が用いられている。平坦な水素・水分拡散防止膜５２上にストレス緩和膜１３０が形成されているため、ストレス緩和膜１３０は平坦になっている。ストレス緩和膜１３０の膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。

こうして、ストレス緩和膜１２４と水素・水分拡散防止膜５２とストレス緩和膜１３０とから成るバリア膜１２８ａが形成されている。平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１２８ａが形成されているため、バリア膜１２８ａは平坦になっている。

このように、水素・水分拡散防止膜５２の上下にそれぞれストレス緩和膜１２４、１３０を形成するようにしてもよい。本変形例によれば、水素・水分拡散防止膜５２によるストレスを緩和するストレス緩和膜１２４、１３０が、水素・水分拡散防止膜５２の上下に形成されているため、バリア膜１２８ａによりキャパシタ４４に加わるストレスを極めて小さくすることが可能となる。従って、本変形例によれば、水素や水分がキャパシタ４４に達するのを防止しつつ、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下をより確実に防止することができる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その２）を図３０を用いて説明する。図３０は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、水素・水分拡散防止膜５２の上側に形成するストレス緩和膜１３０ａの材料として、シリコン窒化膜が用いられていることに主な特徴がある。

図３０に示すように、水素・水分拡散防止膜５２上には、シリコン窒化膜より成るストレス緩和膜１３０ａが形成されている。ストレス緩和膜１３０ａの膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍとする。シリコン窒化酸化膜より成るストレス緩和膜１３０ａをＣＶＤ法により形成する際の成膜条件は、例えば以下の通りとする。成膜室内に導入するガスとしては、ＳｉＨ_４ガス、ＮＨ_３ガス、Ｎ_２ガス及びＨ_２ガスを用いる。ＳｉＨ_４ガスの流量は、例えば５５ｓｃｃｍとする。ＮＨ_３ガスの流量は、例えば５００ｓｃｃｍとする。Ｎ_２ガスの流量は、例えば２５０ｓｃｃｍとする。Ｈ_２ガスの流量は、例えば２５０ｓｃｃｍとする。成膜室内の圧力は、例えば４．０Ｔｏｒｒとする。基板温度は、例えば４００℃とする。対向電極間のギャップは、例えば６００ｍｉｌｓとする。印加する高周波電力は、例えば１００Ｗとする。印加する低周波電力は、例えば５５Ｗとする。ストレス緩和膜１３０ａの膜厚を１００ｎｍとする場合には、成膜時間は例えば１８秒とする。平坦な水素・水分拡散防止膜５２上にストレス緩和膜１３０ａが形成されているため、ストレス緩和膜１３０ａは平坦になっている。

こうして、ストレス緩和膜１２４と水素・水分拡散防止膜５２とストレス緩和膜１３０ａとから成るバリア膜１２８ｂが構成されている。平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１２８ｂが形成されているため、バリア膜１２８ｂは平坦になっている。

なお、水素・水分拡散防止膜５２の上側に形成するストレス緩和膜１３０ａの材料のみをシリコン窒化膜とし、水素・水分拡散防止膜５２の下側に形成するストレス緩和膜１２４の材料についてはシリコン窒化酸化膜を用いているのは、以下のような理由によるものである。

即ち、シリコン窒化膜を形成する際には、水素を含む雰囲気中で成膜するのが一般的である。このため、層間絶縁膜５０上にシリコン窒化膜を直接形成した場合には、成膜雰囲気中の水素が層間絶縁膜５０中を通ってキャパシタ４４に達してしまう。そうすると、キャパシタ４４の誘電体膜４０が水素により還元されてしまい、キャパシタ４４の電気的特性の劣化を招いてしまう。このため、水素・水分拡散防止膜５２の下側に形成するストレス緩和膜１２４の材料としてはシリコン窒化膜を用いずに、シリコン窒化酸化膜を用いている。 なお、水素・水分拡散防止膜５２の上側にシリコン窒化膜を形成する場合には、層間絶縁膜５０が既に水素・水分拡散防止膜５２により覆われており、成膜雰囲気中の水素が層間絶縁膜５０中に達するのが水素・水分拡散防止膜５２により確実に防止し得るため、特段の問題はない。

このように、水素・水分拡散防止膜５２の上側に形成するストレス緩和膜１３０ａの材料として、シリコン窒化膜を用いてもよい。

（変形例（その３））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その３）を図３１を用いて説明する。図３１は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、ストレス緩和膜１２４と、ストレス緩和膜１２４上に形成された水素・水分拡散防止膜５２とによりバリア膜１２８ｃが構成されていることに主な特徴がある。

図３１に示すように、平坦化された層間絶縁膜５０上には、ストレス緩和膜１２４が形成されている。ストレス緩和膜１２４としては、例えばシリコン窒化酸化膜を用いる。ストレス緩和膜の膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。

ストレス緩和膜１２４上には、金属酸化物より成る水素・水分拡散防止膜５２が形成されている。水素・水分拡散防止膜５２の膜厚は、例えば２０〜３０ｎｍ程度とする。

こうして、ストレス緩和膜１２４と水素・水分拡散防止膜５２とから成るバリア膜１２８ｃが構成されている。平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１２８ｃが形成されているため、バリア膜１２８ｃは平坦になっている。

こうして本変形例による半導体装置が構成されている。

本変形例のように、ストレス緩和膜１２４と、ストレス緩和膜１２４上に形成された水素・水分拡散防止膜５２とによりバリア膜１２８ｃを構成してもよい。

（変形例（その４））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その４）を図３２を用いて説明する。図３２は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、水素・水分拡散防止膜５２と、水素・水分拡散防止膜５２上に形成されたストレス緩和膜１２４とによりバリア膜１２８ｄが構成されていることに主な特徴がある。

図３２に示すように、平坦化された層間絶縁膜５０上には、水素・水分拡散防止膜５２が形成されている。水素・水分拡散防止膜５２の膜厚は、例えば２０〜３０ｎｍ程度とする。

水素・水分拡散防止膜５２上には、例えばシリコン窒化酸化膜より成るストレス緩和膜１２４が形成されている。ストレス緩和膜１２４の膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。

なお、ここでは、ストレス緩和膜１２４の材料としてシリコン窒化酸化膜を用いる場合を例に説明したが、ストレス緩和膜１２４の材料はシリコン窒化酸化膜に限定されるものではない。例えば、ストレス緩和膜１２４の材料としてシリコン窒化膜を用いてもよい。

こうして、水素・水分拡散防止膜５２とストレス緩和膜１２４とから成るバリア膜１２８ｄが構成されている。平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１２８ｄが形成されているため、バリア膜１２８ｄは平坦になっている。

こうして本変形例による半導体装置が構成されている。

本変形例のように、水素・水分拡散防止膜５２と、水素・水分拡散防止膜５２上に形成されたストレス緩和膜１２４とによりバリア膜１２８ｄを構成してもよい。

（変形例（その５））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その５）を図３３を用いて説明する。図３３は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、第１金属配線層６４と第２金属配線層７８との間にバリア膜１３８が更に形成されていること、また、第２金属配線層７８と第３金属配線層９２との間にバリア膜１４６が更に形成されていることに主な特徴がある。

図３３に示すように、平坦化された層間絶縁膜７０上には、水素・水分拡散防止膜１３２とストレス緩和膜１３４と水素・水分拡散防止膜１３６とを順次積層して成るバリア膜１３８が形成されている。水素・水分拡散防止膜１３２、１３６としては、例えば膜厚２０〜３０ｎｍの酸化アルミニウム膜が用いられている。ストレス緩和膜１３４としては、例えば膜厚５０〜１００ｎｍのシリコン窒化酸化膜が用いられている。表面が平坦化された層間絶縁膜７０上にバリア膜１３８が形成されているため、バリア膜１３８は平坦になっている。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜１３２、１３６の材料として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜１３２、１３６の材料は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜１３２、１３６の材料として用いてもよい。例えば、水素・水分拡散防止膜１３２、１３６の材料として、酸化チタン膜等を用いてもよい。

また、ここでは、ストレス緩和膜１３４としてシリコン窒化酸化膜を用いる場合を例に説明したが、ストレス緩和膜１３４は、シリコン窒化酸化膜に限定されるものではない。例えば、ストレス緩和膜１３４としてシリコン窒化膜を用いてもよい。シリコン窒化膜は、上述したように、水分の拡散を防止する水分拡散防止膜としても機能し得る。

バリア膜１３８上には、絶縁膜１１０が形成されている。絶縁膜１１０としては、例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜が用いられている。

絶縁膜１１０上には、第２金属配線層７８が形成されている。

平坦化された層間絶縁膜８４上には、水素・水分拡散防止膜１３０とストレス緩和膜１４２と水素・水分拡散防止膜１４４とを順次積層して成るバリア膜１４６が形成されている。水素・水分拡散防止膜１４０、１４４としては、例えば膜厚２０〜３０ｎｍの酸化アルミニウム膜が用いられている。ストレス緩和膜１４２としては、例えば膜厚５０〜１００ｎｍのシリコン窒化酸化膜が用いられている。表面が平坦化された層間絶縁膜８４上にバリア膜１４６が形成されているため、バリア膜１４６は平坦になっている。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜１４０、１４４の材料として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜１４０、１４４の材料は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜１４０、１４４の材料として用いてもよい。例えば、水素・水分拡散防止膜１４０、１４４の材料として、酸化チタン膜等を用いてもよい。

また、ここでは、ストレス緩和膜１４２としてシリコン窒化酸化膜を用いる場合を例に説明したが、ストレス緩和膜１４２はシリコン窒化酸化膜に限定されるものではない。例えば、ストレス緩和膜１４２としてシリコン窒化膜を用いてもよい。シリコン窒化膜は、上述したように、水分の拡散を防止する水分拡散防止膜としても機能し得る。

バリア膜１４６上には、絶縁膜１１４が形成されている。絶縁膜１１４としては、例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜が形成されている。

絶縁膜１１４上には、第３金属配線層９２が形成されている。

こうして本変形例による半導体装置が構成されている。

本変形例によれば、キャパシタ４４と第１金属配線層６４との間のみならず、第１金属配線層６４と第２金属配線層７８との間、及び、第２金属配線層７８と第３金属配線層９２との間にも、バリア膜１３８、１４６がそれぞれ形成されているため、水素や水分がキャパシタ４４に達するのをより確実に防止することができる。

（変形例（その６））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その６）を図３４を用いて説明する。図３４は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、スタック型のメモリセル構造を有していることに主な特徴がある。

図３４に示すように、半導体基板１０上には、素子領域を画定する素子分離領域１２が形成されている。素子分離領域１２が形成された半導体基板１０内には、ウェル１４ａ、１４ｂが形成されている。

ウェル１４ａ、１４ｂが形成された半導体基板１０上には、ゲート絶縁膜１６を介してゲート電極１８が形成されている。ゲート電極１８上には、シリコン酸化膜１４８が形成されている。ゲート電極１８及びシリコン酸化膜１４８の側壁部分には、サイドウォール絶縁膜２０が形成されている。

サイドウォール絶縁膜２０が形成されたゲート電極１８の両側には、ソース／ドレイン拡散層２２が形成されている。こうして、ゲート電極１８とソース／ドレイン拡散層２２とを有するトランジスタ２４が構成されている。トランジスタ２４のゲート長は、例えば０．１８μｍに設定されている。

トランジスタ２４が形成された半導体基板１０上には、シリコン窒化酸化膜１５０とシリコン酸化膜１５２とを順次積層して成る層間絶縁膜１５４が形成されている。層間絶縁膜１５４の表面は平坦化されている。

層間絶縁膜１５４上には、水素及び水分の拡散を防止する機能を有する水素・水分拡散防止膜１５６が形成されている。水素・水分拡散防止膜１５６としては、例えば酸化アルミニウム膜や酸化チタン膜等の金属酸化膜が用いられている。

水素・水分拡散防止膜１５６及び層間絶縁膜１５４には、ソース／ドレイン拡散層２２に達するコンタクトホール２８が形成されている。

コンタクトホール２８内には、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とを順次積層して成るバリアメタル膜（図示せず）が形成されている。

バリアメタル膜が形成されたコンタクトホール２８内には、タングステンより成る導体プラグ３２が埋め込まれている。

水素・水分拡散防止膜１５６上には、導体プラグ３２に電気的に接続されたＩｒ膜１５８が形成されている。

Ｉｒ膜１５８上には、キャパシタ４４の下部電極３８が形成されている。下部電極３８上には、キャパシタ４４の誘電体膜４０が形成されている。誘電体膜４０としては、例えばＰＺＴ膜等の強誘電体膜が用いられている。誘電体膜４０上には、キャパシタ４４の上部電極４２が形成されている。上部電極４２、誘電体膜４０、下部電極３８及びＩｒ膜１５８は、エッチングにより一括してパターニングされており、互いにほぼ同じ平面形状となっている。

こうして、下部電極３８と誘電体膜４０と上部電極４２とを有するキャパシタ４４が構成されている。キャパシタ４４の下部電極３８は、Ｉｒ膜１５８を介して導体プラグ３２に電気的に接続されている。

Ｉｒ膜１５８が形成されていない領域における水素・水分拡散防止膜１５６上には、シリコン窒化酸化膜１６０が形成されている。

キャパシタ４４上及びシリコン窒化酸化膜１６０上には、水素及び水分の拡散を防止する機能を有するバリア膜４８が形成されている。バリア膜４８としては、例えば、酸化アルミニウム膜や酸化チタン膜等の金属酸化膜が用いられている。

水素・水分拡散防止膜４８上には、シリコン酸化膜より成る層間絶縁膜５０が形成されている。層間絶縁膜５０の表面は平坦化されている。

平坦化された層間絶縁膜５０上には、水素・水分拡散防止膜５２とストレス緩和膜１２４と水素・水分拡散防止膜１２６とを順次積層して成るバリア膜１２８が形成されている。表面が平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１２８が形成されているため、バリア膜１２８は平坦になっている。

バリア膜１２８上には、シリコン酸化膜５４が形成されている。

シリコン酸化膜５４、バリア膜１２８、シリコン酸化膜５０及び水素・水分拡散防止膜４８には、キャパシタ４４の上部電極４２に達するコンタクトホール５６が形成されている。また、シリコン酸化膜５４、バリア膜１２８、シリコン酸化膜５０、水素・水分拡散防止膜４８及びシリコン窒化酸化膜１６０には、導体プラグ３２に達するコンタクトホール５８が形成されている。

コンタクトホール５６、５８内には、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とを順次積層して成るバリアメタル膜（図示せず）が形成されている。

バリアメタル膜が形成されたコンタクトホール５６、５８内には、タングステンより成る導体プラグ６２がそれぞれ埋め込まれている。

シリコン酸化膜５４上には、導体プラグ６２に電気的に接続された配線（第１金属配線層）６４が形成されている。

配線６４が形成されたシリコン酸化膜５４上には、例えばシリコン酸化膜より成る層間絶縁膜７０が形成されている。層間絶縁膜７０の表面は平坦化されている。

平坦化された層間絶縁膜７０上には、水素・水分拡散防止膜１３２とストレス緩和膜１３４と水素・水分拡散防止膜１３６とから成る平坦なバリア膜１３８が形成されている。

バリア膜１３８上には、シリコン酸化膜１１０が形成されている。

シリコン酸化膜１１０、バリア膜１３８及びシリコン酸化膜７０には、配線６４に達するコンタクトホール７２が形成されている。

コンタクトホール７２内には、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とを順次積層して成るバリアメタル膜（図示せず）が形成されている。

バリアメタル膜が形成されたコンタクトホール内７２には、タングステンより成る導体プラグ７６が埋め込まれている。

シリコン酸化膜１１０上には、導体プラグ７６に電気的に接続された配線７８が形成されている。

配線７８が形成されたシリコン酸化膜１１０上には、シリコン酸化膜より成る層間絶縁膜８４が形成されている。層間絶縁膜８４の表面は平坦化されている。

平坦化された層間絶縁膜８４上には、水素・水分拡散防止膜１４０とストレス緩和膜１４２と水素・水分拡散防止膜１４４とから成る平坦なバリア膜１４６が形成されている。

バリア膜１４６上には、シリコン酸化膜１１４が形成されている。

シリコン酸化膜１１４上には、図示しない配線（第３金属配線層）が形成されている。

本変形例のように、メモリセル構造をスタック型にしてもよい。

［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による半導体装置及びその製造方法を図３５乃至図３７を用いて説明する。図３５は、本実施形態による半導体装置を示す断面図である。図１乃至図３４に示す第１又は第２実施形態による半導体装置及びその製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。

本実施形態による半導体装置は、複数の水素・水分拡散防止膜を中間層を介して積層することによりバリア膜が構成されていることに主な特徴がある。

図３５に示すように、層間絶縁膜５０上には、水素及び水分の拡散を防止する機能を有する水素・水分拡散防止膜５２が形成されている。水素・水分拡散防止膜５２としては、例えば金属酸化膜を用いる。金属酸化膜より成る水素・水分拡散防止膜５２としては、例えば酸化アルミニウム膜を用いる。水素・水分拡散防止膜５２の膜厚は、例えば２０〜３０ｎｍ程度とする。水素・水分拡散防止膜５２の膜厚をこのように比較的薄く設定しているのは、水素・水分拡散防止膜５２によるストレスを小さくするためである。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜５２として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜５２は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば、他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜５２の材料として用いてもよい。例えば、水素・水分拡散防止膜５２の材料として酸化チタン膜等を用いることができる。

水素・水分拡散防止膜５２上には、絶縁体より成る中間層１６２が形成されている。中間層１６２としては、例えばシリコン酸化膜を用いる。中間層１６２の厚さは、例えば２０〜３０ｎｍ程度とする。

なお、ここでは、中間層１６２としてシリコン酸化膜を用いる場合を例に説明したが、中間層１６２はシリコン酸化膜に限定されるものではない。例えば、中間層１６２の材料として、シリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜等を用いてもよい。シリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜は、上述したようにストレス緩和膜として機能し得るため、中間層１６２の材料としてシリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜を用いれば、水素・水分拡散防止膜５２、１６４によるストレスを緩和することが可能となる。また、シリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜は、水分の拡散を防止する水分拡散防止膜としても機能し得るため、中間層１６２の材料としてシリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜を用いれば、キャパシタ４４に水分が達するのをより確実に防止することが可能になる。

中間層１６２上には、水素及び水分の拡散を防止する機能を有する水素・水分拡散防止膜１６４が形成されている。水素・水分拡散防止膜１６４としては、上記と同様に、例えば酸化アルミニウム膜を用いる。水素・水分拡散防止膜１６４の膜厚は、例えば２０〜３０ｎｍ程度とする。水素・水分拡散防止膜１６４の膜厚をこのように比較的薄く設定しているのは、水素・水分拡散防止膜１６４によるストレスを小さくするためである。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜１６４として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜１６４は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば、他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜１６４の材料として用いてもよい。例えば、水素・水分拡散防止膜１６４の材料として酸化チタン膜等を用いることができる。

水素・水分拡散防止膜１６４上には、絶縁体より成る中間層１６６が形成されている。中間層１６６としては、例えばシリコン酸化膜を用いる。中間層１６６の厚さは、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。

なお、ここでは、中間層１６６としてシリコン酸化膜を用いる場合を例に説明したが、中間層１６６の材料はシリコン酸化膜に限定されるものではない。例えば、中間層１６６の材料としてシリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜を用いてもよい。

中間層１６６上には、水素及び水分の拡散を防止する機能を有する水素・水分拡散防止膜１６８が形成されている。水素・水分拡散防止膜１６８としては、上記と同様に、例えば酸化アルミニウム膜を用いる。水素・水分拡散防止膜１６８の膜厚は、例えば２０〜３０ｎｍ程度とする。水素・水分拡散防止膜１６８の膜厚をこのように比較的薄く設定しているのは、水素・水分拡散防止膜１６８によるストレスを小さくするためである。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜１６８として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜１６８は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば、他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜１６８の材料として用いてもよい。例えば、水素・水分拡散防止膜１６８の材料として酸化チタン膜等を用いることができる。

こうして、水素・水分拡散防止膜５２、中間層１６２、水素・水分拡散防止膜１６４、中間層１６６及び水素・水分拡散防止膜１６８により、バリア膜１７０が構成されている。表面が平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１７０が形成されているため、バリア膜１７０は平坦になっている。

本実施形態において複数の水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８を中間層１６２、１６６を介して積層しているのは、以下のような理由によるものである。

即ち、層間絶縁膜５０の表面はＣＭＰ法等により平坦化されているため、層間絶縁膜５０の表面にはスクラッチが生じている場合がある。表面にスクラッチが形成されている層間絶縁膜５０上に水素・水分拡散防止膜５２を形成した場合には、スクラッチによる段差に起因して、水素・水分拡散防止膜５２の一部に亀裂が生じる場合がある。水素・水分拡散防止膜５２に亀裂が生じている場合には、水素・水分拡散防止膜５２の亀裂を介して水素や水分がキャパシタ４４に達してしまう場合があり、キャパシタ４４の電気的特性の劣化を招いてしまう。また、層間絶縁膜５０のスクラッチに起因する亀裂が水素・水分拡散防止膜５２に形成されていない場合であっても、水素・水分拡散防止膜５２にピンホールが形成されてしまう場合があり得る。この場合には、水素・水分拡散防止膜５２に形成されたピンホールを介して水素や水分がキャパシタ４４に達してしまうこととなる。

本実施形態では、水素・水分拡散防止膜５２の上方に他の水素・水分拡散防止膜１６４が更に積層されており、しかも、他の水素・水分拡散防止膜１６４は中間層１６２を介して水素・水分拡散防止膜５２上に形成されているため、水素・水分拡散防止膜５２に亀裂が生じている場合であっても、他の水素・水分拡散防止膜１６４にまで亀裂が生じる可能性は極めて低い。また、他の水素・水分拡散防止膜１６４にもピンホールが形成される可能性はあるが、水素・水分拡散防止膜５２に形成されるピンホールと他の水素・水分拡散防止膜１６４に形成されるピンホールとが、互いに近い箇所に位置する可能性は極めて低い。従って、本実施形態によれば、単層の水素・水分拡散防止膜を形成した場合と比較して、水素や水分の拡散をより確実に防止することが可能となる。

しかも、本実施形態によれば、他の水素・水分拡散防止膜１６４の上方に、更に他の水素・水分拡散防止膜１６８が形成されているため、水素や水分がキャパシタ４４に達するのをより確実に防止することができる。

また、キャパシタ４４の上方に単層の水素・水分拡散防止膜を形成する場合、水素や水分の拡散を十分に防止するためには、水素・水分拡散防止膜の膜厚を５０ｎｍ以上に設定する必要がある。水素・水分拡散防止膜をこのように比較的厚く形成した場合には、水素・水分拡散防止膜によるストレスが比較的大きいため、キャパシタに比較的大きいストレスが加わってしまう。そうすると、キャパシタのスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下を招いてしまう虞がある。

これに対し、本実施形態では、膜厚２０ｎｍ程度の比較的薄い水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８が中間層１６２、１６６を介して積層されている。このような比較的薄い水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８によるストレスは、比較的厚い水素・水分拡散防止膜によるストレスと比較して、極めて小さい。そして、比較的薄い水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８を中間層１６２、１６６を介して積層して成るバリア膜１７０によるストレスは、単層の水素・水分拡散防止膜を比較的厚く形成した場合におけるストレスより小さい。しかも、バリア膜１７０における複数の水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８の総膜厚は、比較的厚い。このため、本実施形態によれば、水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８の総膜厚を比較的厚く確保しつつ、バリア膜１７０によるストレスを小さくすることが可能となる。このため、本実施形態によれば、水素及び水分がキャパシタ４４に達するのを確実に防止しつつ、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下をも防止することが可能となる。

バリア膜１７０上には、シリコン酸化膜５４が形成されている。シリコン酸化膜５４の膜厚は、例えば５０〜１００ｎｍ程度とする。

こうして本実施形態による半導体装置が構成されている。

本実施形態による半導体装置は、上述したように、複数の水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８が中間層１６２、１６６を介して積層されていることに主な特徴がある。

本実施形態によれば、水素・水分拡散防止膜５２の上方に中間層１６２を介して他の水素・水分拡散防止膜１６４が積層されているため、水素・水分拡散防止膜５２に亀裂が生じている場合であっても、他の水素・水分拡散防止膜１６４にまで亀裂が生じる可能性は極めて低い。また、水素・水分拡散防止膜５２に形成されるピンホールと他の水素・水分拡散防止膜１６４に形成されるピンホールとが、互いに近い箇所に位置する可能性は極めて低い。従って、本実施形態によれば、キャパシタ４４の上方に単層の水素・水分拡散防止膜を形成した場合と比較して、水素や水分の拡散をより確実に防止することができる。しかも、本実施形態によれば、他の水素・水分拡散防止膜１６４の上方に、更に他の水素・水分拡散防止膜１６８が形成されているため、水素や水分の拡散をより確実に防止することができる。

また、本実施形態によれば、比較的薄い水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８を中間層１６２、１６６を介して積層することによりバリア膜１７０を構成しているため、水素・水分拡散防止膜５２、１６４、１６８の総膜厚を比較的厚く確保しつつ、バリア膜１７０によるストレスを比較的小さくすることができる。このため、本実施形態によれば、水素や水分がキャパシタ４４に達するのを確実に防止しつつ、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷの低下をも防止することができる。

（半導体装置の製造方法）
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法を図３６及び図３７を用いて説明する。図３６及び図３７は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。

まず、層間絶縁膜５０を平坦化する工程までは、図５（ａ）乃至図１２（ａ）を用いて説明した半導体装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する（図３６（ａ）参照）。

次に、窒素雰囲気中にて熱処理を行う。窒素雰囲気としては、例えばＮ_２Ｏプラズマを用いる。熱処理温度は、例えば３００〜４００℃程度とする。ここでは、熱処理温度を、例えば３５０℃とする。熱処理時間は、例えば２〜６分程度とする。ここでは、熱処理温度を例えば２分とする。このような熱処理を行うのは、層間絶縁膜５０中に存在する水分を除去するとともに、層間絶縁膜５０の表面を窒化するためである。層間絶縁膜５０の表面を窒化することにより、外部から層間絶縁膜５０中に水分が入り込むのを防止することが可能となり、ひいては、キャパシタ４２の電極的特性の劣化を防止することが可能となる。

次に、図３６（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、水素・水分拡散防止膜５２を形成する。水素・水分拡散防止膜５２としては、例えば、膜厚２０〜３０ｎｍの金属酸化膜を形成する。金属酸化膜より成る水素・水分拡散防止膜５２としては、例えば酸化アルミニウム膜を形成する。

酸化アルミニウムより成る水素・水分拡散防止膜５２をスパッタ法により形成する際の成膜条件は、例えば上記と同様とする。平坦化された層間絶縁膜５０上に水素・水分拡散防止膜５２を形成するため、水素・水分拡散防止膜５２は平坦となる。

次に、例えばＣＶＤ法により、中間層１６２を形成する。中間層１６２としては、例えば、膜厚２０〜３０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。中間層１６２を成膜する際の成膜条件は、例えば以下の通りとする。成膜室内に導入するガスとしては、ＴＥＯＳガス及びＯ_２ガスを用いる。ＴＥＯＳガスの流量は、例えば１．８ｍｌ／分とする。Ｏ_２ガスの流量は、例えば８リットル／分とする。成膜室内の圧力は、例えば２．２Ｔｏｒｒとする。成膜温度は、例えば３５０℃とする。印加する高周波電力は、例えば３５０Ｗとする。印加する低周波電力は、例えば６５０Ｗとする。中間層１６２の膜厚を２０ｎｍとする場合には、成膜時間は例えば３．６秒とする。平坦な水素・水分拡散防止膜５２上に中間層１６２を形成するため、中間層１６２は平坦となる。

次に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、水素・水分拡散防止膜１６４を形成する。水素・水分拡散防止膜１６４としては、例えば、膜厚２０〜３０ｎｍの金属酸化膜を形成する。金属酸化膜より成る水素・水分拡散防止膜１６４としては、例えば酸化アルミニウム膜を形成する。水素・水分拡散防止膜１６４を形成する際の成膜条件は、例えば水素・水分拡散防止膜５２を形成する際の成膜条件と同様とする。平坦な中間層１６２上に水素・水分拡散防止膜１６４を形成するため、水素・水分拡散防止膜１６４は平坦となる。

次に、例えばＣＶＤ法により、中間層１６６を形成する。中間層１６６としては、例えば、膜厚２０〜３０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。中間層１６６を形成する際の成膜条件は、例えば中間層１６２を形成する際の成膜条件と同様とする。平坦な水素・水分拡散防止膜１６４上に中間層１６６を形成するため、中間層１６６は平坦となる。

次に、例えばスパッタ法又はＣＶＤ法により、水素・水分拡散防止膜１６８を形成する。水素・水分拡散防止膜１６８としては、例えば、膜厚２０〜３０ｎｍの酸化アルミニウム膜を形成する。水素・水分拡散防止膜１６８を形成する際の成膜条件は、例えば水素・水分拡散防止膜５２を形成する際の成膜条件と同様とする。酸化アルミニウム膜より成る水素・水分拡散防止膜１６８をスパッタ法により形成する際の成膜条件は、例えば上記と同様とする。

こうして、水素・水分拡散防止膜５２、中間層１６２、水素・水分拡散防止膜１６４、中間層１６６及び水素・水分拡散防止膜１６８から成るバリア膜１７０が形成される。平坦化された層間絶縁膜５０上にバリア膜１７０が形成されるため、バリア膜１７０は平坦となる。

次に、バリア膜１７０上に絶縁膜５４を形成する。

この後の半導体装置の製造方法は、図１３（ａ）乃至図２１を用いて上述した半導体装置の製造方法と同様であるので、説明を省略する。

こうして、本実施形態による半導体装置が製造される（図３７参照）。

（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例（その１）を図３８を用いて説明する。図３８は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、第１金属配線層６４と第２金属配線層７８との間にバリア膜１８２が更に形成されていること、また、第２金属配線層７８と第３金属配線層９２との間にバリア膜１９４が更に形成されていることに主な特徴がある。

図３８に示すように、平坦化された層間絶縁膜７０上には、水素・水分拡散防止膜１７２、中間層１７４、水素・水分拡散防止膜１７６、中間層１７８及び水素・水分拡散防止膜１８０を順次積層して成るバリア膜１８２が形成されている。水素・水分拡散防止膜１７２、１７６、１８０としては、例えば膜厚２０〜３０ｎｍの酸化アルミニウム膜が用いられている。中間層１７４、１７８としては、例えば膜厚２０〜３０ｎｍのシリコン酸化膜が用いられている。表面が平坦化された層間絶縁膜７０上にバリア膜１８２が形成されているため、バリア膜１８２は平坦になっている。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜１７２、１７６、１８０の材料として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜１７２、１７６、１８０の材料は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜１７２、１７６、１８０の材料として用いてもよい。例えば、水素・水分拡散防止膜１７２、１７６、１８０の材料として、酸化チタン膜等を用いてもよい。

また、ここでは、中間層１７４、１７８の材料としてシリコン酸化膜を用いる場合を例に説明したが、中間層１７４、１７８の材料はシリコン酸化膜に限定されるものではない。例えば、中間層１７４、１７８の材料として、シリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜を用いてもよい。シリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜は、上述したように、ストレス緩和膜や水分拡散防止膜としても機能し得る。

バリア膜１８２上には、絶縁膜１１０が形成されている。絶縁膜１１０としては、例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜が用いられている。

絶縁膜１１０上には、第２金属配線層７８が形成されている。

平坦化された層間絶縁膜８４上には、水素・水分拡散防止膜１８４、中間層１８６、水素・水分拡散防止膜１８８、中間層１８０及び水素・水分拡散防止膜１９２を順次積層して成るバリア膜１９４が形成されている。水素・水分拡散防止膜１８４、１８８、１９２は、水素及び水分の拡散を防止する機能を有する膜である。水素・水分拡散防止膜１８４、１８８、１９２としては、例えば膜厚２０〜３０ｎｍの酸化アルミニウム膜が用いられている。中間層１８６、１９０としては、例えば膜厚２０〜３０ｎｍのシリコン酸化膜が用いられている。表面が平坦化された層間絶縁膜８４上にバリア膜１９４が形成されているため、バリア膜１９４は平坦になっている。

なお、ここでは、水素・水分拡散防止膜１８４、１８８、１９２の材料として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜１８４、１８８、１９２の材料は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。例えば他の金属酸化物を水素・水分拡散防止膜１８４、１８８、１９２の材料として用いてもよい。例えば、水素・水分拡散防止膜１８４、１８８、１９２の材料として、酸化チタン膜等を用いてもよい。

また、ここでは、中間層１８６、１９０の材料としてシリコン酸化膜を用いる場合を例に説明したが、中間層１８６、１９０の材料はシリコン酸化膜に限定されるものではない。例えば、中間層１８６、１９０としてシリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜を用いてもよい。シリコン窒化酸化膜やシリコン窒化膜は、上述したように、ストレス緩和膜や水分拡散防止膜としても機能し得る。

バリア膜１９４上には、絶縁膜１１４が形成されている。絶縁膜１１４としては、例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜が用いられている。

絶縁膜１１４上には、第３金属配線層９２が形成されている。

こうして本変形例による半導体装置が構成されている。

本変形例によれば、キャパシタ４４と第１金属配線層６４との間のみならず、第１金属配線層６４と第２金属配線層７８との間、及び、第２金属配線層７８と第３金属配線層９２との間にも、バリア膜１８２、１９４がそれぞれ形成されているため、キャパシタ４４のスイッチングチャージ量Ｑ_ＳＷが低下するのを防止しつつ、水素や水分がキャパシタ４４に達するのをより確実に防止することができる。

（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の変形例を図３９を用いて説明する。図３９は、本変形例による半導体装置を示す断面図である。

本変形例による半導体装置は、スタック型のメモリセル構造を有していることに主な特徴がある。

図３９に示すように、平坦化されたシリコン酸化膜５０上には、水素・水分拡散防止膜５２、中間層１６２、水素・水分拡散防止膜１６４、中間層１６６及び水素・水分拡散防止膜１６８を順次積層して成るバリア膜１７０が形成されている。

バリア膜１７０上には、シリコン酸化膜５４が形成されている。

シリコン酸化膜５４上には、配線（第１金属配線層）６４が形成されている。

平坦化された層間絶縁膜７０上には、水素・水分拡散防止膜１７２、中間層１７４、水素・水分拡散防止膜１７６、中間層１７８及び水素・水分拡散防止膜１８０を順次積層して成るバリア膜１８２が形成されている。

バリア膜１８２上には、シリコン酸化膜１１０が形成されている。

シリコン酸化膜１１０上には、配線（第２金属配線層）７８が形成されている。

平坦化された層間絶縁膜８４上には、水素・水分拡散防止膜１８４、中間層１８６、水素・水分拡散防止膜１８８、中間層１９０及び水素・水分拡散防止膜１９２を順次積層して成るバリア膜１９４が形成されている。

バリア膜１９４上には、シリコン酸化膜１１４が形成されている。

シリコン酸化膜１１４の上には、図示しない配線（第３金属配線層）が形成されている。

本変形例のように、メモリセル構造をスタック型にしてもよい。

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、誘電体膜４０を構成する強誘電体膜としてＰＺＴ膜を用いる場合を例に説明したが、誘電体膜４０を構成する強誘電体膜はＰＺＴ膜に限定されるものではなく、他のあらゆる強誘電体膜を適宜用いることができる。例えば、誘電体膜４０を構成する強誘電体膜として、Ｐｂ_１−ＸＬａ_ＸＺｒ_１−ＹＴｉ_ＹＯ_３膜（ＰＬＺＴ膜）、ＳｒＢｉ_２（Ｔａ_ＸＮｂ_１−Ｘ）_２Ｏ_９膜、Ｂｉ_４Ｔｉ_２Ｏ_１２膜等を用いてもよい。

また、上記実施形態では、誘電体膜４０として強誘電体膜を用いる場合を例に説明したが、誘電体膜４０は強誘電体膜に限定されるものではない。例えば、ＤＲＡＭ等を構成する場合には、誘電体膜４０として高誘電体膜を用いればよい。誘電体膜４０を構成する高誘電体膜としては、例えば、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ_３膜（ＢＳＴ膜）、ＳｒＴｉＯ_３膜（ＳＴＯ膜）、Ｔａ_２Ｏ_５膜等を用いることができる。なお、高誘電体膜とは、比誘電率が二酸化シリコンより高い誘電体膜のことである。

また、上記実施形態では、ＩｒＯ_Ｘ膜とＩｒＯ_Ｙ膜とＰｔ膜との積層膜により上部電極４２を構成したが、上部電極４２の材料はかかる材料に限定されるものではない。例えば、ＳｒＲｕＯ膜（ＳＲＯ膜）により上部電極４２を構成してもよい。

また、第１実施形態では、水素拡散防止膜として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素拡散防止膜は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。水素の拡散を防止する機能を有する膜を、水素拡散防止膜として適宜用いることができる。水素拡散防止膜としては、例えば金属酸化物より成る膜を適宜用いることができる。金属酸化物より成る水素拡散防止膜としては、例えば、タンタル酸化物やチタン酸化物等を用いることができる。また、水素拡散防止膜は、金属酸化物より成る膜に限定されるものではない。例えば、シリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４膜）やシリコン窒化酸化膜（ＳｉＯＮ膜）等を水素拡散防止膜として用いることもできる。但し、金属酸化物より成る膜は緻密であるため、比較的薄く形成した場合であっても、水素の拡散を確実に防止することが可能である。従って、微細化の観点からは水素拡散防止膜として金属酸化物より成る膜を用いることが有利である。

また、第２及び第３実施形態では、水素・水分拡散防止膜として酸化アルミニウム膜を用いる場合を例に説明したが、水素・水分拡散防止膜は酸化アルミニウム膜に限定されるものではない。水素及び水分の拡散を防止しうる機能を有する膜を、水素・水分拡散防止膜として適宜用いることができる。水素及び水分の拡散を防止する機能を有する膜としては、例えば、金属酸化物より成る膜を適宜用いることができる。金属酸化物より成る水素・水分拡散防止膜としては、例えばチタン酸化物やタンタル酸化物等を用いることができる。また、水素・水分拡散防止膜は、金属酸化物に限定されるものではない。水素及び水分の拡散を防止しうる他のあらゆる材料より成る膜を適宜用いることが可能である。但し、金属酸化物より成る膜は緻密であるため、比較的薄く形成した場合であっても、水素や水分の拡散を確実に防止することが可能である。従って、微細化の観点からは水素・水分拡散防止膜の材料として金属酸化膜を用いることが有利である。

以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。

（付記１）
半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板内に形成されたソース／ドレイン拡散層とを有するトランジスタと、
前記半導体基板上及び前記トランジスタ上に形成された第１の絶縁膜と、
前記ソース／ドレイン拡散層に達する第１のコンタクトホール内に埋め込まれた第１の導体プラグと、
前記第１の絶縁膜上に形成され、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタと、
前記第１の絶縁膜上に、前記キャパシタを覆うように形成され、水素の拡散を防止する第１の水素拡散防止膜と、
前記第１の水素拡散防止膜上に形成され、表面が平坦化された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、水素の拡散を防止する第２の水素拡散防止膜と、
前記下部電極又は前記上部電極に達する第２のコンタクトホール内に埋め込まれた第２の導体プラグと、
前記第１の導体プラグに達する第３のコンタクトホール内に埋め込まれた第３の導体プラグと、
前記第２の水素拡散防止膜上に形成され、前記第２の導体プラグ又は前記第３の導体プラグに接続された配線と
を有することを特徴とする半導体装置。
（付記２）
付記１記載の半導体装置において、
前記第２の水素拡散防止膜は、積層膜より成る
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３）
付記１又は２記載の半導体装置において、
前記第２の水素拡散防止膜上、前記配線下に形成された第３の絶縁膜を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の絶縁膜は、無機膜である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記５）
付記４記載の半導体装置において、
前記無機膜は、シリコン酸化膜である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記６）
付記１又は２記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜上、前記第１の水素拡散防止膜下に形成された第３の絶縁膜を更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２のコンタクトホール内の前記上部電極上又は前記下部電極上に直接形成されたＴｉＮ膜を更に有し、
前記第２の導体プラグは、前記ＴｉＮ膜が形成された前記第２のコンタクトホール内に埋め込まれている
ことを特徴とする半導体装置。
（付記８）
付記７記載の半導体装置において、
前記第２の導体プラグは、タングステンより成る
ことを特徴とする半導体装置。
（付記９）
付記１又は２記載の半導体装置において、
前記第２の絶縁膜上及び前記配線上に形成され、表面が平坦化された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成され、水素の拡散を防止する第３の水素拡散防止膜と、
前記第３の水素拡散防止膜上に形成された他の配線とを更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
（付記１０）
付記１乃至９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の水素拡散防止膜は、金属酸化膜を含む
ことを特徴とする半導体装置。
（付記１１）
付記１０記載の半導体装置において、
前記金属酸化膜は、酸化アルミニウム膜、酸化チタン膜、又は酸化タンタル膜である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記１２）
付記１乃至９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の水素拡散防止膜は、シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜を含む
ことを特徴とする半導体装置。
（付記１３）
付記１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置において、
前記誘電体膜は、強誘電体膜又は高誘電体膜である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記１４）
付記１３記載の半導体装置において、
前記強誘電体膜は、ＰｂＺｒ_１−ＸＴｉ_ＸＯ_３膜、Ｐｂ_１−ＸＬａ_ＸＺｒ_１−ＹＴｉ_ＹＯ_３膜、ＳｒＢｉ_２（Ｔａ_ＸＮｂ_１−Ｘ）_２Ｏ_９膜、又はＢｉ_４Ｔｉ_２Ｏ_１２膜である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記１５）
付記１３記載の半導体装置において、
前記高誘電体膜は、（ＢａＳｒ）ＴｉＯ_３膜、ＳｒＴｉＯ_３膜、又はＴａ_２Ｏ_５膜である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記１６）
付記１乃至１５のいずれかにに記載の半導体装置において、
前記第２の水素拡散防止膜における膜応力は、５×１０^８ｄｙｎ／ｃｍ^２以下である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記１７）
半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側の前記半導体基板内にソース／ドレイン拡散層を形成する工程と、
前記半導体基板上、前記ゲート電極上及び前記ソース／ドレイン拡散層上に、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に、前記ソース／ドレイン拡散層に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のコンタクトホール内に第１の導体プラグを埋め込む工程と、
前記第１の絶縁膜上に、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタを形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上及び前記キャパシタ上に、水素の拡散を防止する第１の水素拡散防止膜を形成する工程と、
前記第１の水素拡散防止膜上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の表面を研磨することにより、前記第２の絶縁膜の表面を平坦化する工程と、
前記第２の絶縁膜上に、水素の拡散を防止する第２の水素拡散防止膜を形成する工程と、
前記第１の水素拡散防止膜、前記第２の絶縁膜及び前記第２の水素拡散防止膜に、前記下部電極又は前記上部電極に達する第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１の水素拡散防止膜、前記第２の絶縁膜及び前記第２の水素拡散防止膜に、前記第１の導体プラグに達する第３のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２のコンタクトホール内に第２の導体プラグを埋め込むとともに、前記第３のコンタクトホール内に第３の導体プラグを埋め込む工程と、
前記第２の水素拡散防止膜上に、前記第２の導体プラグ又は前記第３の導体プラグに接続された配線を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１８）
付記１７記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁膜を形成する工程の後、前記第２の水素拡散防止膜を形成する工程の前に、熱処理を行う工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１９）
付記１８記載の半導体装置の製造方法において、
前記熱処理を行う工程では、少なくともＮ_２Ｏガスを用いて発生させたプラズマ雰囲気にて熱処理を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２０）
付記１８記載の半導体装置の製造方法において、
前記熱処理を行う工程の後、前記第２の水素拡散防止膜を形成する工程の前に、少なくともＮ_２Ｏガスを用いて発生させたプラズマ雰囲気に前記第２の絶縁膜を暴露する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２１）
付記１７乃至２０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の導体プラグを埋め込む工程の後、前記キャパシタを形成する工程の前に、前記第１の絶縁膜上及び前記第１の導体プラグ上に、第３の絶縁膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２２）
付記２１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３の絶縁膜は、シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２３）
付記１７乃至２０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の水素拡散防止膜を形成する工程の後、前記配線を形成する工程の前に、前記第２の水素拡散防止膜上に第３の絶縁膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２４）
付記１７乃至２３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のコンタクトホールを形成する工程の後、前記第３のコンタクトホールを形成する工程の前に、酸素又はオゾンを含む雰囲気中で前記キャパシタを熱処理する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２５）
半導体基板上に形成され、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタと、
前記半導体基板上及び前記キャパシタ上に形成され、表面が平坦化された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、水素及び水分の拡散を防止する平坦なバリア膜とを有する半導体装置であって、
前記バリア膜は、水素及び水分の拡散を防止する第１の膜と、前記第１の膜によるストレスを緩和する第２の膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。
（付記２６）
付記２５記載の半導体装置において、
前記バリア膜は、前記第１の膜を複数有しており、
前記第２の膜は、複数の前記第１の膜の間に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
（付記２７）
付記２５記載の半導体装置において、
前記バリア膜は、前記第２の膜を複数有しており、
複数の前記第２の膜は、前記第１の膜の上下にそれぞれ形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
（付記２８）
付記２５乃至２７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１の膜は、金属酸化物より成る
ことを特徴とする半導体装置。
（付記２９）
付記２８記載の半導体装置において、
前記金属酸化物は、酸化アルミニウム又は酸化チタンである
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３０）
付記２５乃至２９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の膜は、シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３１）
付記２５乃至３０のいずれかに記載の半導体装置において、
前記キャパシタの上方に形成され、前記下部電極又は前記上部電極に電気的に接続された配線を更に有し、
前記バリア膜は、前記キャパシタと前記配線との間に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３２）
付記２５乃至３０のいずれかに記載の半導体装置において、
前記キャパシタの上方に形成され、前記下部電極又は前記上部電極に電気的に接続された第１の配線と、
前記第１の配線の上方に形成された第２の配線とを有し、
前記バリア膜は、前記第１の配線と前記第２の配線との間に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３３）
付記２５乃至３０のいずれかに記載の半導体装置において、
前記キャパシタの上方に形成され、前記下部電極又は前記上部電極に電気的に接続された第１の配線と、
前記第１の配線の上方に形成された第２の配線と、
前記第２の配線の上方に形成された第３の配線とを更に有し、
前記バリア膜は、前記第２の配線と前記第３の配線との間に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３４）
付記２５乃至３１のいずれかに記載の半導体装置において、
前記キャパシタの上方に形成され、前記下部電極又は前記上部電極に電気的に接続された第１の配線と、
前記第１の配線の上方に形成された第２の配線と、
前記第２の配線の上方に形成された第３の配線とを更に有し、
前記バリア膜は、前記キャパシタと前記第１の配線との間、前記第１の配線と前記第２の配線との間、及び、前記第２の配線と前記第３の配線との間に、それぞれ形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３５）
半導体基板上に、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタを形成する工程と；前記半導体基板上及び前記キャパシタ上に、絶縁膜を形成する工程と；前記絶縁膜の表面を研磨することにより、前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と；前記絶縁膜上に、水素及び水分の拡散を防止するバリア膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記バリア膜を形成する工程は、水素及び水分の拡散を防止する第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜によるストレスを緩和する第２の膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記３６）
付記３５記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜の表面を平坦化する工程の後、前記バリア膜を形成する工程の前に、窒素雰囲気にて熱処理を行うことにより、前記絶縁膜の表面を窒化する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記３７）
半導体基板上に形成され、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタと、
前記半導体基板上及び前記キャパシタ上に形成され、表面が平坦化された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、水素及び水分の拡散を防止する平坦なバリア膜とを有する半導体装置であって、
前記バリア膜は、水素及び水分の拡散を防止する複数の第１の膜を、絶縁体より成る第２の膜を介して積層して成る
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３８）
付記３７記載の半導体装置において、
前記第１の膜は、金属酸化物より成る
ことを特徴とする半導体装置。
（付記３９）
付記３８記載の半導体装置において、
前記金属酸化物は、酸化アルミニウム又は酸化チタンである
ことを特徴とする半導体装置。
（付記４０）
付記３７乃至３９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜である
ことを特徴とする半導体装置。
（付記４１）
半導体基板上に、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタを形成する工程と；前記半導体基板上及び前記キャパシタ上に、絶縁膜を形成する工程と；前記絶縁膜の表面を研磨することにより、前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と；前記絶縁膜上に、水素及び水分の拡散を防止する平坦なバリア膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記バリア膜を形成する工程では、水素及び水分の拡散を防止する複数の第１の膜を、絶縁体より成る第２の膜を介して積層する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記４２）
付記４１記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜の表面を平坦化する工程の後、前記バリア膜を形成する工程の前に、窒素雰囲気にて熱処理を行うことにより、前記絶縁膜の表面を窒化する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

２…メモリセル領域
４…周辺回路領域
１０…半導体基板
１２…素子分離領域
１４ａ、１４ｂ…ウェル
１６…ゲート絶縁膜
１８…ゲート電極
２０…サイドウォール絶縁膜
２２…ソース／ドレイン拡散層
２４…トランジスタ
２６…層間絶縁膜
２８、２８ａ、２８ｂ…コンタクトホール
３０…バリアメタル膜
３２…導体プラグ
３４…酸化防止膜
３６…絶縁膜
３８…下部電極
３８ａ…酸化アルミニウム膜
３８ｂ…Ｐｔ膜
４０…誘電体膜
４２…上部電極
４２ａ…ＩｒＯ_Ｘ膜
４２ｂ…ＩｒＯ_Ｙ膜
４２ｃ…Ｐｔ膜
４４…キャパシタ
４６…水素拡散防止膜
４８…水素拡散防止膜
５０…層間絶縁膜
５２…水素拡散防止膜、水素・水分拡散防止膜
５４…絶縁膜
５６…コンタクトホール
５８…コンタクトホール
６０…バリアメタル膜
６２…導体プラグ
６４…配線
６６…シリコン酸化膜
６８…シリコン酸化膜
７０…層間絶縁膜
７２…コンタクトホール
７４…バリアメタル膜
７６…導体プラグ
７８…配線
８０…シリコン酸化膜
８２…シリコン酸化膜
８４…層間絶縁膜
８６…コンタクトホール
８８…バリアメタル膜
９０…導体プラグ
９２…配線
９４…絶縁膜
９６…シリコン窒化膜
９８…ポリイミド膜
１００…フォトレジスト膜
１０２…フォトレジスト膜
１０４…フォトレジスト膜
１０６…水素拡散防止膜
１０７…積層膜
１０８…水素拡散防止膜
１１０…絶縁膜
１１２…水素拡散防止膜
１１４…絶縁膜
１１６…シリコン酸化膜
１１８…層間絶縁膜
１２０…水素拡散防止膜
１２２…絶縁膜
１２４…ストレス緩和膜
１２６…水素・水分拡散防止膜
１２８、１２８ａ〜１２８ｄ…バリア膜
１３０、１３０ａ…ストレス緩和膜
１３２…水素・水分拡散防止膜
１３４…ストレス緩和膜
１３６…水素・水分拡散防止膜
１３８…バリア膜
１４０…水素・水分拡散防止膜
１４２…ストレス緩和膜
１４４…水素・水分拡散防止膜
１４６…バリア膜
１４８…シリコン酸化膜
１５０…シリコン窒化酸化膜
１５２…シリコン酸化膜
１５４…層間絶縁膜
１５６…水素・水分拡散防止膜
１５８…Ｉｒ膜
１６０…シリコン窒化酸化膜
１６２…中間層
１６４…水素・水分拡散防止膜
１６６…中間層
１６８…水素・水分拡散防止膜
１７０…バリア膜
１７２…水素・水分拡散防止膜
１７４…中間層
１７６…水素・水分拡散防止膜
１７８…中間層
１８０…水素・水分拡散防止膜
１８２…バリア膜
１８４…水素・水分拡散防止膜
１８６…中間層
１８８…水素・水分拡散防止膜
１９０…中間層
１９２…水素・水分拡散防止膜
１９４…バリア膜

Claims (5)

1. 半導体基板上に形成され、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタと、
   前記半導体基板上及び前記キャパシタ上に形成され、研磨することにより、表面が平坦化された絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に形成され、水素及び水分の拡散を防止する平坦なバリア膜とを有する半導体装置であって、
   前記バリア膜は、水素及び水分の拡散を防止する第１の膜と、前記第１の膜上に形成された絶縁体より成る第２の膜と、前記第２の膜上に形成された水素及び水分の拡散を防止する第３の膜とを有する
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記第１の膜は、金属酸化物より成る
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２記載の半導体装置において、
   前記絶縁膜及び前記バリア膜を貫いて形成され、前記下部電極又は前記上部電極に達するコンタクトホールと、
   前記コンタクトホール内に埋め込まれた導体プラグと、
   前記バリア膜上に形成され、前記導体プラグに接続された配線とを更に有する
   ことを特徴とする半導体装置。
4. 半導体基板上に、下部電極と、前記下部電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタを形成する工程と、
   前記半導体基板上及び前記キャパシタ上に、絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜の表面を研磨することにより、前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、
   前記絶縁膜上に、水素及び水分の拡散を防止する平坦なバリア膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
   前記バリア膜を形成する工程は、水素及び水分の拡散を防止する第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜上に絶縁体より成る第２の膜を形成する工程と、前記第２の膜上に水素及び水分の拡散を防止する第３の膜を形成する工程とを有する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記絶縁膜及び前記バリア膜を貫き、前記下部電極又は前記上部電極に達するコンタクトホールを形成する工程と、
   前記コンタクトホール内に導体プラグを埋め込む工程と、
   前記バリア膜上に、前記導体プラグに接続された配線を形成する工程とを更に有する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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