JP5359033B2 - テスト装置、テスト方法および集積回路 - Google Patents

テスト装置、テスト方法および集積回路 Download PDF

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Description

本発明は、集積回路をテストするテスト装置、テスト方法、およびテスト回路を備えた集積回路に関する。
一般に、メモリをテストするためのBIST(Built-In Self Test)モジュールは、メモリを動作させるユーザ回路とともにLSI(Large Scale Integration)として形成される。BISTモジュールは、メモリのアドレスを順次指定するためのアップ/ダウン動作が可能なカウンタを備えている。BISTモジュールをメモリに接続してメモリテストを行う場合、メモリのすべてのアドレスに対しデータの書き込みと読み出しとが行われる。このとき、アップ/ダウンカウンタにより、アドレスの最小値から最大値までインクリメントしながら、メモリのすべてのアドレスが指定される。次いで、アップ/ダウンカウンタにより、アドレスの最大値から最小値までデクリメントしながら、メモリのすべてのアドレスが指定される。
ところで、BISTモジュールを含むLSI自体の動作のテストを行う場合は、メモリを接続することなく行われる。LSIのテストは、カウンタを動作させてLSI端子をモニタし、カウンタから出力される値と期待値と比較するものである。従来では、テストシーケンスをシリアルに動作させるために、アップ/ダウンカウンタのアップ動作の後にアップ/ダウンカウンタのダウン動作が行われていた。しかしながら、カウンタのアップ動作の後にダウン動作が行われるので、カウンタをテストするのに膨大な時間がかかっていた。
なお、カウンタの動作周波数をあげるためにoddカウンタとevenカウンタとを設けて並列動作をさせることが公知である。また、並列化して伝送されてくるエラーデータビットを簡易な回路構成で計数する並列型エラーカウンタ回路が公知である。(下記特許文献1、2参照)
特開平8−184440号公報 特開平1−238317号公報
上記問題点に鑑み、カウンタを有する回路のテストを、従来に比較してごく短時間で済ますことができ、さらにカウンタを用いて外部回路のテストも行えるテスト装置およびテスト方法を提供することを目的とする。
本テスト装置は、アップカウンタと、ダウンカウンタと、前記アップカウンタの出力と前記ダウンカウンタの出力が入力し、いずれかのカウンタ出力を選択して出力するセレクタと、前記セレクタから出力する一方のカウンタ出力と、前記セレクタで選択されなかった他方のカウンタ出力との一方に接続され、反転信号を出力する反転回路と、前記反転回路により反転されたカウンタ出力と反転されなかったカウンタ出力とが入力し、両者の比較を行う比較回路と、を備える。
本テスト方法は、アップカウンタと、ダウンカウンタとを備える回路のテスト方法であって、前記アップカウンタによるカウントアップ動作と前記ダウンカウンタによるカウントダウン動作とを並列に動作させ、前記アップカウンタの出力と、前記ダウンカウンタの出力の一方を選択するとともに選択されなかったカウンタの出力を反転して反転カウンタ出力を生成し、前記反転カウンタ出力と前記選択されたカウンタ出力とを比較する。
さらに本集積回路は、前記テスト装置を備える。
カウンタを有する回路のテストを、従来に比較してごく短時間で済ますことができ、さらにカウンタを用いて外部回路の通常のテストも行うことができる。
以下、図面を参照して実施の形態を説明する。図1は、本実施形態の概要を示す図である。LSI10は、ユーザのアプリケーションによりメモリ8にアクセスするユーザ回路5と、メモリテストを実行するためのBISTモジュール1を有している。セレクタ2は、ユーザ回路5から出力されるアドレス信号とBISTモジュール1から出力されるアドレス信号とのいずれかを選択してメモリ8にアクセスする。
本実施形態では、BISTモジュール12は、アップカウンタ12とダウンカウンタ13とを有する。通常のメモリテストでは、まずアップカウンタ12を動作させて、アドレスの最小値から最大値までインクリメントしながら、メモリのすべてのアドレスに所定のデータを書き込みかつ読み出す。次に、ダウンカウンタ13を動作させ、アドレスの最大値から最小値までデクリメントしながら、メモリのすべてのアドレスに所定のデータを書き込みかつ読み出す。なお、メモリテストを行う場合ダウンカウンタから動作させて次にアップカウンタを動作させてもよい。いずれにせよ、二つのカウンタは、順次動作する。
ところで、LSI10をテストする場合、LSI10をメモリ8に接続しないでLSI10の出力端子から出力される信号をチェックする。本実施形態では、LSI10のテスト時にはアップカウンタ12とダウンカウンタ13とを同時に動作させる。アップカウンタ12の出力とダウンカウンタ13の出力とはセレクタ2に入力し、セレクタ2で一方の出力が選択される。ここでは、アップカウンタ12の出力が選択されるものとする。セレクタ2から出力するアップカウンタ12の出力は、ダウンカウンタ13の出力を反転回路3により反転させた反転出力と、比較回路4で比較される。LSI10の回路が正常であれば、アップカウンタ12の出力と、ダウンカウンタ13の反転出力とは一致する。したがって、比比較結果をモニタすることによって、LSI10の正常異常が判定できる。
次に、図2、図3を参照して、本実施形態を詳細に説明する。図2は、本実施形態のBIST回路を説明する図である。図3は、本実施形態のセレクタブロック、反転回路、比較回路を説明する図である。図3に図示された回路は、図2に図示された回路の後段に位置する。
通常のメモリテストは、メモリ8(図3参照)をLSI10に接続して行なわれる。通常のメモリテストでは、通常メモリテスト信号がカウンタ制御回路11に入力する。本例では、メモリテスト時に通常メモリテスト信号が「1」となるものとする。通常メモリテスト信号の入力があると、カウンタ制御回路11は、カウントアップイネーブル信号U1を出力する。カウントアップイネーブル信号U1は、第1のOR回路14を介してアップカウンタ12のイネーブル端子ENに入力し、アップカウンタ12を動作させる。カウントアップイネーブル信号U1の入力に応じて、アップカウンタ12は、最小値からカウントを開始し最大値に達するまでカウントを行う。
図3を参照すると。アップカウンタ12の出力は、セレクタ2の端子(1)に入力する。また、セレクタブロック2の端子Selには、第3のOR回路17を介して、セレクタの端子(1)に入力する信号あるいはセレクタの端子(2)に入力する信号のいずれかを選択する信号が入力される。第3のOR回路17には、LSIテストモードであることを示すTEST_MODE信号と、通常メモリテスト信号とが入力する。通常メモリテスト信号は、アップカウンタ12によるカウントアップ動作時に第3のOR回路17に入力する。TEST_MODE信号は、LSIテストモード時に「1」となるものとする。
ここで、メモリテストで且つアップカウンタ12がカウントアップしているために通常メモリテスト信号が「1」となり、セレクタ2の端子Selには通常メモリテストのカウントアップ時に信号「1」が入力して、セレクタ2の端子(1)を選択している例を想定する。この場合、セレクタ2はアップカウンタ12の出力を出力する。そして、セレクタ2から出力されるカウント値により、LSI10に接続されるメモリ8のアドレスを最小値からインクリメントして最大値に至るまで順次指定する。
メモリ8のアドレスが順次指定されるたびに、指定されたメモリ8のアドレスに所定のデータが書き込まれる。書き込まれたデータは読み出されて、読み出されたデータは期待値と比較される。
図2のアップカウンタ12がアドレスの最大値をカウントすると、カウンタ制御回路11は、カウントダウンイネーブル信号D1を出力する。カウントダウンイネーブル信号D1は、第2のOR回路15を介してダウンカウンタ13のイネーブル端子ENに入力し、ダウンカウンタ13を動作させる。ダウンカウンタ13は、カウントダウンイネーブル信号D1の入力に応じて、最大値からカウントを開始し最小値に達するまでカウントを行う。
ダウンカウンタ13の出力は、図3のセレクタ2の端子(0)に入力する。また、アップカウンタ12によるカウントアップが終了しているので、通常メモリテスト信号は「0」となり、セレクタ2の端子Selには「0」が入力する。したがって、セレクタ2の端子(0)が選択され、セレクタ2はダウンカウンタ13の出力を出力する。そして、セレクタ2から出力されるダウンカウンタ13のカウント値により、接続されるメモリ8のアドレスを最大値からデクリメントして最小値に至るまで順次指定する。
メモリ8のアドレスが順次指定されるたびに、指定されたメモリ8のアドレスに所定のデータが書き込まれる。書き込まれたデータは読み出されて、読み出されたデータは期待値と比較されることによりメモリテストが行われ、指定されるメモリ8アドレスが最小値に達すると、メモリテストは終了する。
次に、図2を参照して、LSI10にメモリ8を接続しないでLSI自体をテストするLSIテストモードを説明する。まず、XRESET信号と初期化信号を第1のAND回路16を介して、アップカウンタ12の端子XCLRと、ダウンカウンタ13の端子XPRとに入力して、アップカウンタ12とダウンカウンタ13を初期化する。次いで、LSIテストモードを示すTEST MODE信号を、第1のOR回路14と第2のOR回路15を介して、アップカウンタ12とダウンカウンタ13のそれぞれのイネーブル端子ENに入力する。TEST_MODE信号が入力することにより、アップカウンタ12とダウンカウンタ13とは並列動作が可能となる。
TEST MODE信号はまた、図3の第3のOR回路17を介してセレクタ2に入力する。ここでは、TEST_MODE信号の入力により、セレクタ2の端子(1)に入力するアップカウンタ12の出力が選択される。選択されたアップカウンタ12の出力は、セレクタ2から出力する。
一方、アップカウンタ12と並列に動作するダウンカウンタ13の出力はセレクタ2の端子(0)に入力する。さらにダウンカウンタ13の出力は、反転回路3に入力し、反転回路3からは入力信号、つまりダウンカウンタ13のカウント値を反転した反転信号Bが出力される。ダウンカウンタ13は、アップカウンタ12と同時に動作して、最大値から最小値までデクリメントする信号を出力する。例えば、アップカウンタ12およびダウンカウンタ13のビット数を4bitとすると、アップカウンタは、0、1、2、3、・・・15とカウントし、ダウンカウンタは15、14、13、・・・1と動作する。したがって、ダウンカウンタ13の出力の反転信号は、異常がなければアップカウンタ12の出力と一致するはずである。
反転信号Bは、セレクタ2からの出力信号Aとともに、比較回路4に入力する。比較回路4は、TEST MODE信号がイネーブル端子ENに入力するLSIテストモード時に動作可能となる。比較回路4では、入力される信号が比較される。言い換えれば、アップカウンタ12の出力信号Aとダウンカウンタ13の出力の反転信号Bとが比較される。
比較回路4では、出力信号Aと反転信号Bとが一致するときには正常であることを示す信号、例えば「0」が出力される。一方、出力信号Aと反転信号Bとが不一致のときにはエラーであることを示す信号「1」が出力される。比較回路4の出力は常時モニタされ、あるいは記憶装置に記憶されて、LSI10、特にカウンタにエラーがあるか否かが判断される。
図4は、本実施形態のカウンタ動作のフローを示す図である。まず、初期化信号をセットすることによりアップカウンタ12およびダウンカウンタ13を初期化する(S1)。
次に、TEST_MODE信号が入力しているかどうかを判別することで、LSIテストモードであるか否かが判定される(S2)。LSIテストモードでなければ、アップカウンタ12についてカウントアップイネーブル信号がセットされ(S3)、メモリ8のアドレスの最小値からカウントアップ動作が開始する。次いで、アップカウンタ処理Aが実行される(S4)。
図5に、アップカウンタ処理Aを示す。アップカウンタ処理Aでは、メモリ8のアドレスの最小値で指定されるメモリセルに所定のデータが書き込まれ(S41)、続いてメモリセルに書き込まれたデータが読み出される(S42)。このとき、メモリセルから読み出されたデータは同一メモリセルに書き込まれたデータと比較され、比較結果はモニタされてメモリセルに異常があるか否かがチェックされる。
次に、アップカウンタ12がフルになったか、言い換えれば最大値をカウントしたか否かが判定される(S43)。アップカウンタ12がフルでなければ、カウンタ12をカウントアップすなわちインクリメントして(S44)S41に戻り、S41〜S43を繰り返す。一方、S43でアップカウンタ12がフルになると、図4のS5に進む。
図4のS5では、アップカウンタ12のカウント動作が終了したので、カウントダウンイネーブル信号がダウンカウンタ13にセットされ、メモリ8のアドレスの最大値からカウントダウン動作が開始する。次いで、ダウンカウンタ処理Bが実行される(S6)。
図6に、ダウンカウンタ処理Bを示す。メモリ8のアドレスの最大値で指定されるメモリセルに所定のデータが書き込まれ(S61)、メモリセルに書き込まれたデータが読み出される(S62)。このとき、メモリセルから読み出されたデータは同一のメモリセルに書き込まれたデータと比較され、比較結果はモニタされてメモリセルに異常があるか否かがチェックされる。
次に、ダウンカウンタ13が0となったか、言い換えれば最小値をカウントしたか否かが判定される(S63)。ダウンカウンタ13のカウント値が0でなければ、カウンタ13をカウントダウンすなわちデクリメントして(S63)S61に戻り、S61〜S63を繰り返す。S63でダウンカウンタ13が0になると、図4のフローの通常のメモリテストが終了する。
図4のS2で、TEST_MODE信号が入力してLSIテストモードであると判断されれば、S7とS8とが並列して実行される。S7では、アップカウンタ処理Aが行われる。S8では、ダウンカウンタ処理Bが行われる。
LSIテストモードでは、LSI10はメモリ8に接続されていない。したがって、カウンタの動作を示すアップカウンタ処理A、ダウンカウンタ処理Bでは、カウンタが指定するメモリのアドレスへのデータの書き込み、読み出しは行われない。
図2、3を参照して説明したように、並列に動作するステップS7、S8の動作中に、アップカウンタ12がカウントアップするカウント値と、アップダウンカウンタ13がカウントダウンするカウント値を反転した値とが逐次比較される。比較結果はモニタされ、不一致が発生するとエラー信号を出す。
ステップS7、S8が終了すると、LSIテストモードも終了する。
本実施形態では、アップカウンタ12とダウンカウンタ13を設け、順次動作させることによりメモリテストを行うことができる。さらに、アップカウンタ12とダウンカウンタ13とを並列に動作させて、LSIテストを行うことができる。そして、LSIテスト時には、カウンタ動作の処理時間をほぼ1/2とすることができる。さらに、カウンタ制御ブロックの動作必要がないので、本実施形態によるLSIテストでは従来のLSIテストの1/2以下の時間で済む。
図7は、図3に示す回路の変形例を示す。図7では、セレクタ2の端子(1)にダウンカウンタ13の出力が入力するように接続されている。また、セレクタ2の端子(0)にはアップカウンタ12の出力が入力するように接続されている。さらに、セレクタ2のSel端子には、第3のOR回路17を介して、ダウンカウンタ13によるカウントダウン時に通常メモリテスト信号「1」が入力し、LSIテストモード時には信号TEST MODE「1」が、入力する。
したがって、メモリテスト時には、ダウンカウンタ13によるカウントダウン時にセレクタ2のSel端子に「1」が入力するので、セレクタ2の端子(1)に入力するダウンカウンタ13の出力が選択される。また、アップカウンタ12によるカウントアップ時には、セレクタ2のSel端子に「0」が入力するので、セレクタ2の端子(0)に入力するアップカウンタ12の出力が選択される。
LSIテストモード時には、セレクタ2には、同時に並列に動作するアップカウンタ12の出力とダウンカウンタ13の出力が入力する。しかし、LSIテストモード信号TEST MODE「1」がセレクタ2の端子Selに入力すると、セレクタ2の端子(1)に入力するダウンカウンタ13の出力が選択され、セレクタ2の出力となる。セレクタ2の出力は、比較回路の端子Aに入力する。
一方、セレクタ2に入力するアップカウンタ12の出力は、反転回路3に入力し、反転回路3により反転されて比較回路の端子Bに入力する。比較回路4は、LSIテストモード信号TEST MODEが端子ENに入力することで、動作可能となっている。
したがって、ダウンカウンタ13の出力信号Aと、アップカウンタ12の出力の反転信号Bとが、比較回路4で比較され、不一致であれば、エラー信号として「H」が比較回路4から出力される。
したがって、図7の例でも比較回路4の出力を常時監視することにより、アップカウンタ12およびダウンカウンタ13の動作のテストを行うことができる。
図8は、図3および図7の変形例を示す。図3および図7では、セレクタ2のセレクタ端子(0)に入力するダウンカウンタ12の出力、あるいはアップカウンタ13の出力が、反転回路3を介して比較回路4の入力Bに入力する。図8では、セレクタ2の端子(1)に入力して、セレクタ2から出力するアップカウンタ12の出力が、反転回路5を介して比較回路4に入力する。セレクタ2の端子(1)にアップカウンタ12が接続されている場合には、反転回路5にはアップカウンタ12の出力が入力する。同様に、セレクタ2の端子(1)にダウンカウンタ13が接続されている場合には、反転回路5にはダウンカウンタ13の出力が入力する。
一方、セレクタ2のセレクタ端子(0)に入力する他方のカウンタ出力は、そのまま比較回路4の端子Bに入力する。したがって、図8の回路においても、LSIテストモード時には、一方のカウンタの出力の反転信号と他方のカウンタの出力とを比較することが可能である。
本実施形態のテスト装置の概要を示す図である。 本実施形態のテスト装置のうちのアップカウンタとダウンカウンタを含むBIST回路を示す図である。 本実施形態のテスト装置のうちのアップカウンタ出力とダウンカウンタ出力を処理する回路を示す図である。 本実施形態のテスト装置のアップカウンタとダウンカウンタの動作を示すフロー図である。 本実施形態のテスト装置のアップカウンタ動作を示す図である。 本実施形態のテスト装置のダウンカウンタ動作を示す図である。 図3に示す回路の1つの変形例を示す図である。 図3および図7に示す回路の他の変形例を示す図である。
符号の説明
1 BIST回路
11 カウンタ制御ブロック
12 アップカウンタ
13 ダウンカウンタ
2 セレクタ
3 反転回路
4 比較回路
5 ユーザ回路
8 メモリ
14、15、17 第1〜3のOR回路
16 AND回路

Claims (6)

  1. アップカウンタと、
    ダウンカウンタと、
    前記アップカウンタの出力と前記ダウンカウンタの出力が入力し、いずれかのカウンタ出力を選択して出力するセレクタと、
    前記セレクタから出力する一方のカウンタ出力と、前記セレクタで選択されなかった他方のカウンタ出力との一方に接続され、反転信号を出力する反転回路と、
    前記反転回路により反転されたカウンタ出力と反転されなかったカウンタ出力とが入力し、両者の比較を行う比較回路と、
    を備えるテスト装置。
  2. 前記アップカウンタは、前記テスト装置に接続されるメモリのアドレスをインクリメントし、前記ダウンカウンタは、前記メモリのアドレスをデクリメントする請求項1に記載のテスト装置。
  3. 前記反転回路には、前記セレクタで選択されなかったカウンタ出力が入力し、
    前記比較回路では、前記セレクタで選択されたカウンタ出力と、前記反転回路からの出力とが比較される請求項1または2に記載のテスト装置。
  4. 前記反転回路には、前記セレクタからの出力が入力し、
    前記比較回路は、前記セレクタで選択されなかったカウンタ出力と前記反転回路からの出力とが比較される請求項1または2に記載のテスト装置。
  5. アップカウンタと、ダウンカウンタとを備える回路のテスト方法であって、
    前記アップカウンタによるカウントアップ動作と、前記ダウンカウンタによるカウントダウン動作とを並列に動作させ、
    前記アップカウンタの出力と、前記ダウンカウンタの出力の一方を選択するとともに、選択されなかったカウンタの出力を反転して反転カウンタ出力を生成し、
    前記反転カウンタ出力と、前記選択されたカウンタ出力とを比較する、
    テスト方法。
  6. 請求項1のテスト装置を備える集積回路。
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